JP2002151427A

JP2002151427A - 熱処理装置

Info

Publication number: JP2002151427A
Application number: JP2000345020A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Masuda; 充弘増田; Koji Miyoshi; 浩司三好
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-11-13
Filing date: 2000-11-13
Publication date: 2002-05-24

Abstract

(57)【要約】【課題】熱処理時に基板の温度分布の均一性を確実か
つ容易に確保することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】光を照射する領域をリングゾーンＲＺ、
エッジゾーンＥＺ、ミドルゾーンＭＺ、センターゾーン
ＣＺの４つに分割する。ゾーンごとに実質的に当該ゾー
ンにのみ光を照射するランプへの供給電力、すなわちそ
れらランプの光量を規定する。隣接する２つのゾーンに
光を照射するランプへの供給電力、すなわちそれらラン
プの光量については当該２つのゾーンのそれぞれにのみ
光を照射するランプについて規定された光量に基づいて
算定している。これにより、２つのゾーンに光を照射す
るランプによる当該２つのゾーンへの相互干渉が抑制さ
れ、熱処理時における基板Ｗの温度分布の均一性を確実
かつ容易に確保することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に光を照
射して熱処理を行うランプアニール等の熱処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
種々の熱処理が行われている。基板に対して熱処理を行
う熱処理装置としては、例えば、光照射によって基板の
加熱を行う光照射型の熱処理装置（いわゆるランプアニ
ール）が用いられている。

【０００３】このような光照射型の熱処理装置の光源に
は、例えば赤外線ハロゲンランプ等が使用されている。
光照射型の熱処理装置における熱処理時の基板表面の温
度制御は、光源たるランプの光量を調節することによっ
て行われる。このときに、ランプの光量の調節は、ラン
プに供給する電力を調整することによって行われ、一般
的には逆接続サイリスタによる交流の位相角制御によっ
て供給電力が調整される。また、逆接続サイリスタを用
いるのに替えて、トライアックやトランジスタを用いる
場合もある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光照射型の
熱処理装置は、通常多数のランプを備えており、これら
によって基板の全体を照射して熱処理を行う。しかし、
１つの制御素子（上記の逆接続サイリスタ、トライアッ
クまたはトランジスタ）に接続できるランプの数には制
限があり、また１つの制御素子に並列的に接続されたラ
ンプへの供給電力を個別に調整することはできない。

【０００５】一方、熱処理時には、基板の温度分布を均
一にすることが重要であるが、このためには基板に照射
する光量を基板内の位置に応じて異ならせる必要があ
る。一般には、熱の放出の大きい基板周縁部に近いほど
大きな光量を照射する必要がある。

【０００６】このため、従来より熱処理装置には複数の
制御素子を設け、それぞれの制御素子に幾つかのランプ
を接続するとともに、多数のランプを基板中心に対して
点対称な幾つかのゾーンに分割して配列する。そして、
１つの制御素子に並列的に接続されたランプは同一のゾ
ーン内に配置し、各ゾーンごとにそのゾーンに配列され
たランプからの光量（換言すれば、そのランプへの供給
電力）が等しくなるようにするとともに、ゾーンが異な
るとランプからの光量も異なるようにしている。すなわ
ち、ゾーンごとにランプの光量制御を行っていたのであ
る。

【０００７】しかしながら、隣接する異なるゾーンの双
方にまたがって光を照射するランプが存在する場合があ
る。このような場合に、当該ランプをいずれか一方のゾ
ーンに属するものとして光量制御すると、他方のゾーン
への干渉が生じることとなり、基板内の温度分布を均一
にすることができない。

【０００８】従って、従来、基板全体に投入すべき電力
を算出し、装置の作業者が各制御素子単位でその電力を
割り振ることによって基板内の温度分布を均一にするよ
うに努めていた。このような手法では、電力の割り振り
作業が作業者の経験や勘によって行われることとなるた
め、煩雑であるのみならず、温度分布の均一性も確実か
つ容易には得られないこととなる。

【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、熱処理時に基板の温度分布の均一性を確実かつ
容易に確保することができる熱処理装置を提供すること
を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板に光を照射して熱処理を行
う熱処理装置であって、前記光を照射する複数の光源
と、前記複数の光源のそれぞれを制御して、前記複数の
光源のそれぞれから出射される光量を調節する光量制御
手段と、を備え、前記光量制御手段に、前記複数の光源
の全てによって光が照射される全体照射領域を複数の部
分照射領域に分割させ、各部分照射領域ごとに実質的に
当該部分照射領域にのみ光を照射する光源の光量を規定
させるとともに、隣接する２つの部分照射領域に光を照
射する光源の光量については当該２つの部分照射領域の
それぞれにのみ光を照射する光源について前記規定され
た光量に基づいて算定させている。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る熱処理装置において、前記基板を円形とし、前記
複数の光源のそれぞれが光を照射する照射領域の形状を
四角形としている。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１３】＜１．熱処理装置の全体構成および概略処
理手順＞まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成につ
いて簡単に説明する。図１は、本発明に係る熱処理装置
の一例の全体構成を示す側面断面図である。図１の熱処
理装置は、光照射によって基板Ｗの熱処理を行ういわゆ
るランプアニールである。この熱処理装置は、大別して
上部のリフレクタ１１と、下部のハウジング１２とを備
えている。

【００１４】リフレクタ１１の内側には照射部２０が設
けられている。照射部２０は、複数のランプハウス２３
と、複数の導光ロッド２５とを備えている。それぞれの
ランプハウス２３は、ランプ２１および反射鏡２２を備
えている。ランプ２１は、発光式加熱手段としてのハロ
ゲンランプである。ランプ２１から出射された光は反射
鏡２２によって反射された後下方に、すなわち導光ロッ
ド２５の方に向けて進む。なお、ランプ２１は光を照射
する光源に相当する。

【００１５】導光ロッド２５は石英製の四角柱形状（本
実施形態では、上端面および下端面が正方形である直方
体形状）の部材である。導光ロッド２５は、複数のラン
プ２１のそれぞれと透過カバー３０との間に配置されて
いる。従って、ランプ２１の個数と導光ロッド２５の個
数とは同数である。本実施形態（基板Ｗの直径が２００
ｍｍ）においては、５２本の導光ロッド２５が相互に近
接して設けられており、円形の基板Ｗの全部と後述する
円環状の均熱リング４１の大部分とをそれらによって覆
っている。導光ロッド２５は、複数のランプ２１のそれ
ぞれから出射された光を基板Ｗに導くことによって基板
Ｗを加熱する。なお、導光ロッド２５の配置およびラン
プ２１からの光照射については後にさらに詳述する。

【００１６】ハウジング１２は、さらに上部ハウジング
１２ａと下部ハウジング１２ｂとに分離されている。上
部ハウジング１２ａと下部ハウジング１２ｂとは、伸縮
自在の金属ベローズ１４によって接続されている。上部
ハウジング１２ａは固定されている一方で、下部ハウジ
ング１２ｂは図示を省略する駆動機構によって昇降自在
とされている。

【００１７】下部ハウジング１２ｂ上には回転駆動機構
４０が設けられ、その回転駆動機構４０には均熱リング
４１が接続されている。均熱リング４１は、基板Ｗの周
縁部分を全周に亘って保持するとともにその周縁部から
の熱の放出を補償するＳｉＣ製の円環状部材である。回
転駆動機構４０は、均熱リング４１を水平面内にて回転
させることが可能であり、これにより均熱リング４１に
保持された基板Ｗは、その中心を回転中心として水平面
内にて回転する。

【００１８】上部ハウジング１２ａは、基板Ｗを加熱す
るための処理空間を形成するチャンバであり、その上部
には透過カバー３０が設けられている。透過カバー３０
は化学的反応性の低い石英製の透明なカバーであって、
導光ロッド２５からの光を下方に透過する。また、上部
ハウジング１２ａには、図外の基板搬出入機構によって
未処理の基板Ｗを装置内に搬入するとともに、加熱処理
済みの基板Ｗを装置から搬出するための搬出入口１８が
設けられている。さらに、上部ハウジング１２ａには、
基板Ｗ周辺の処理空間に処理ガスや置換ガスを供給し或
いは排気するための複数の給排気機構および熱処理時に
基板Ｗの温度を非接触にて計測する放射温度計が設けら
れている。

【００１９】次に、上記構成を有する図１の熱処理装置
における処理手順の概略について述べておく。まず、下
部ハウジング１２ｂを下降させた状態にて不活性ガスの
置換ガスを供給しつつ、搬出入口１８から未処理の基板
Ｗを搬入して均熱リング４１に載置する。次に、搬出入
口１８を閉鎖するとともに、下部ハウジング１２ｂを上
昇させて均熱リング４１に載置された基板Ｗを照射部２
０に近づける。そして、基板Ｗの周辺に所定の処理ガス
を供給しつつ、照射部２０から透過カバー３０を介して
基板Ｗに光を照射して加熱処理を行う。このときに、基
板Ｗの温度分布の均一性を確保すべく、回転駆動機構４
０によって基板Ｗを回転させるとともに複数のランプ２
１から出射される光量の制御を行っているのであるが、
これについては後述する。

【００２０】その後、所定時間が経過し、基板Ｗの加熱
処理が終了すると、照射部２０からの光照射を停止す
る。そして、下部ハウジング１２ｂを下降させるととも
に、不活性ガスの置換ガスを供給する。最後に、搬出入
口１８を開放して処理済みの基板Ｗを装置外に搬出し、
一連の熱処理が終了する。

【００２１】＜２．ランプの光量制御＞次に、熱処理時
における複数のランプ２１からの照射光量の制御につい
て説明する。図２は、複数のランプ２１によって光が照
射される照射領域を示す図である。なお、同図は、基板
Ｗおよびそれを保持する均熱リング４１を上方から見た
図である。

【００２２】上述したように、複数のランプ２１のそれ
ぞれから出射された光は、一旦導光ロッド２５に入射
し、その導光ロッド２５から出射されて基板Ｗに到達す
る。このときに、導光ロッド２５の上端面から入射した
光は、四角柱形状の導光ロッド２５内部の側壁において
多重反射を繰り返し、その結果導光ロッド２５の下端面
から出射された光は均一な照度分布を有している。そし
て、１本の導光ロッド２５から出射された光によって照
射される照射領域の形状は、導光ロッド２５の断面形
状、すなわち本実施形態においては正方形となる。

【００２３】また、既述したように、本実施形態におい
ては５２本の導光ロッド２５が設けられており、それぞ
れの導光ロッド２５に対応させて５２個のランプ２１が
設けられている。従って、５２個のランプ２１の全てに
よって光が照射される全体照射領域ＡＲは、５２個の正
方形の照射領域（以降、「単位照射領域」とする）を組
み合わせた図２に示す如き形状となる。なお、このこと
は、５２本の導光ロッド２５および５２個のランプ２１
の配置態様も図２の全体照射領域ＡＲと同様であること
を意味している。また、図２の各正方形中に記載した符
号は、当該単位照射領域に光を照射するランプ２１を識
別する符号とする。例えば、Ｃ１と付された単位照射領
域には、ランプＣ１から光が照射されるものとする。

【００２４】図２に示すように、５２個のランプ２１の
全てによって光が照射される全体照射領域ＡＲは、基板
Ｗの全体と均熱リング４１の大部分とを含んでいる。そ
して、本実施形態においては、全体照射領域ＡＲを４つ
のゾーン（部分照射領域）に分割している。すなわち、
均熱リング４１に対応するリングゾーンＲＺと、基板Ｗ
の周縁部に対応するエッジゾーンＥＺと、基板Ｗの中心
部に対応するセンターゾーンＣＺと、基板Ｗ内のエッジ
ゾーンＥＺとセンターゾーンＣＺとの間に位置するミド
ルゾーンＭＺとに分割している。

【００２５】基板Ｗの加熱処理時には、４つのゾーンの
それぞれごとに温度計測を行い、その計測結果に基づい
てランプ２１からの光量、すなわちランプ２１への供給
電力をフィードバック制御し、基板Ｗの温度分布が均一
となるようにしている。具体的には、原則としてより外
側のゾーンになるほど、つまりリングゾーンＲＺ、エッ
ジゾーンＥＺ、ミドルゾーンＭＺ、センターゾーンＣＺ
の順にランプ２１への供給電力が大きくなるようにして
いる。このようなゾーンごとの制御（ゾーン制御）を行
っているのは、外側のゾーンになるほど熱の放出による
温度低下が大きいため、それを補償するように光量を大
きくしているのである。

【００２６】ここで、５２個のランプ２１の制御機構に
ついて説明しておく。図３は、ランプ２１の制御機構を
示す図である。熱処理装置には１つの制御部９０と、１
３個の制御素子８０とが設けられている。１３の制御素
子８０は制御部９０に接続されるとともに、それぞれの
制御素子８０には４つのランプ２１が並列的に接続され
ている。制御部９０は、ＣＰＵ等を用いて構成されてお
り、上記４つのゾーンのそれぞれの温度計測結果に基づ
いて各制御素子８０のそれぞれに適当な信号を与え、当
該制御素子８０がランプ２１に供給する電力を制御す
る。但し、同一の制御素子８０に並列的に接続されたラ
ンプ２１に供給する電力を個別に制御することはできな
い。つまり、制御部９０は、４個のランプ２１を１単位
としてその単位ごとにランプ２１への供給電力を制御
し、各ランプ２１からの光量を調節する光量制御手段に
相当する。

【００２７】また、本実施形態においては、５２個のラ
ンプ２１を上記４つのゾーンに対応させて配列してい
る。すなわち、ランプＣ１〜Ｃ４をセンターゾーンＣＺ
に対応させ、ランプＭ１〜Ｍ１２をミドルゾーンＭＺに
対応させ、ランプＥ１〜Ｅ１６をエッジゾーンＥＺに対
応させ、ランプＲ１〜Ｒ２０をリングゾーンＲＺに対応
させている（図２参照）。そして、図３に一部示すよう
に、１３個の制御素子８０のそれぞれに接続するランプ
２１の組み合わせは、「ランプＣ１〜Ｃ４」、「ランプ
Ｍ１〜Ｍ４」、「ランプＭ５〜Ｍ８」、「ランプＭ９〜
Ｍ１２」、「ランプＥ１〜Ｅ４」、「ランプＥ５〜Ｅ
８」、「ランプＥ９〜Ｅ１２」、「ランプＥ１３〜Ｅ１
６」、「ランプＲ１〜Ｒ４」、「ランプＲ５〜Ｒ８」、
「ランプＲ９〜Ｒ１２」、「ランプＲ１３〜Ｒ１６」、
「ランプＲ１７〜Ｒ２０」としている。これらの組み合
わせはいずれも基板Ｗの中心から見て等価な位置の４つ
のランプ２１を１組にしたものである。

【００２８】上述のように、本実施形態においては、４
つのゾーンのそれぞれごとに温度計測を行い、その計測
結果に基づいて制御部９０がゾーンごとにランプ２１へ
の供給電力をフィードバック制御している。制御素子８
０のそれぞれに接続するランプ２１の組み合わせは以上
の通りであり、同一の制御素子８０に接続されたランプ
２１は同一のゾーンに対応することとなり、異なるゾー
ンにまたがって対応することはないため、ゾーンごとの
光量の制御に都合が良い。そして、本実施形態において
は、例えば、センターゾーンＣＺに対応するランプ２１
（ランプＣ１〜Ｃ４）への供給電力をＰ_Cとし、ミドル
ゾーンＭＺに対応するランプ２１（ランプＭ１〜Ｍ１
２）への供給電力をＰ_Mとし、エッジゾーンＥＺに対応
するランプ２１（ランプＥ１〜Ｅ１６）への供給電力を
Ｐ_Eとし、リングゾーンＲＺに対応するランプ２１（ラ
ンプＲ１〜Ｒ２０）への供給電力をＰ_Rとし、各ランプ
２１の光量を規定している。

【００２９】ここで、上述のようなゾーン制御におい
て、「ランプＭ９〜Ｍ１２」、「ランプＥ９〜Ｅ１６」
への供給電力が重要となる。例えば、「ランプＭ９〜Ｍ
１２」はミドルゾーンＭＺに対応させて配列されたラン
プ２１であるものの、「ランプＭ９〜Ｍ１２」のそれぞ
れが光を照射する単位照射領域はミドルゾーンＭＺとエ
ッジゾーンＥＺとの双方にまたがっている（図２参
照）。従って、「ランプＭ９〜Ｍ１２」への供給電力を
Ｐ_Mとすると、エッジゾーンＥＺに照射される光量が不
均一となるのである。換言すれば、ミドルゾーンＭＺに
対応させて配列されている「ランプＭ９〜Ｍ１２」がエ
ッジゾーンＥＺに干渉することとなり、その結果基板Ｗ
全体の温度分布の均一性が確保できなくなる。

【００３０】同様に、「ランプＥ９〜Ｅ１６」はエッジ
ゾーンＥＺに対応させて配列されたランプ２１であるも
のの、「ランプＥ９〜Ｅ１６」のそれぞれが光を照射す
る単位照射領域はエッジゾーンＥＺとリングゾーンＲＺ
との双方にまたがっている。従って、「ランプＥ９〜Ｅ
１６」への供給電力をＰ_Eとすると、リングゾーンＲＺ
に照射される光量が不均一となるのである。よって、上
記と同様に、エッジゾーンＥＺに対応させて配列されて
いる「ランプＥ９〜Ｅ１６」がリングゾーンＲＺに干渉
することとなり、基板Ｗ全体の温度分布の均一性が確保
できなくなる。

【００３１】このため、本実施形態においては、「ラン
プＭ９〜Ｍ１２」、「ランプＥ９〜Ｅ１６」への供給電
力については以下のようにしている。まず、「ランプＭ
９〜Ｍ１２」への供給電力については次の数１により算
定する。

【００３２】

【数１】

【００３３】数１において、αは０〜１の間の値であ
る。また、「ランプＥ９〜Ｅ１６」への供給電力につい
ては次の数２により算定する。

【００３４】

【数２】

【００３５】数２において、βは０〜１の間の値であ
る。すなわち、「ランプＭ９〜Ｍ１２」への供給電力に
ついては、ミドルゾーンＭＺにおける供給電力Ｐ_Mとエ
ッジゾーンＥＺにおける供給電力Ｐ_Eとに基づいて算定
し、それらの間の値とする。また、「ランプＥ９〜Ｅ１
６」への供給電力については、エッジゾーンＥＺにおけ
る供給電力Ｐ_EとリングゾーンＲＺにおける供給電力Ｐ_R
とに基づいて算定し、それらの間の値とする。ここで、
αおよびβの値は、予めシミュレーションおよびプロセ
ス結果より基板Ｗ全体の温度分布が均一となるような値
に定めておく。制御部９０は、予め定められたαおよび
βの値を用い、数１および数２から「ランプＭ９〜Ｍ１
２」、「ランプＥ９〜Ｅ１６」への供給電力を算定し、
その算定した電力を供給するように対応する制御素子８
０を制御する。

【００３６】このようにすれば、「ランプＭ９〜Ｍ１
２」からの照射光がミドルゾーンＭＺおよびエッジゾー
ンＥＺの双方における光量に及ぼす干渉は最小限に抑制
されるとともに、「ランプＥ９〜Ｅ１６」からの照射光
がエッジゾーンＥＺおよびリングゾーンＲＺの双方にお
ける光量に及ぼす干渉も最小限に抑制され、基板Ｗ全体
の温度分布の均一性が自動的に確実に確保できる。な
お、「ランプＭ９〜Ｍ１２」、「ランプＥ９〜Ｅ１６」
以外のランプ２１への供給電力については上述したよう
に、それぞれが対応するゾーンに応じた供給電力とす
る。

【００３７】ところで、「ランプＭ９〜Ｍ１２」、「ラ
ンプＥ９〜Ｅ１６」以外のランプ２１であっても厳密に
はその単位照射領域が２つのゾーンにまたがる場合があ
る。例えば、「ランプＣ１〜Ｃ４」について見れば、そ
の単位照射領域が厳密にはセンターゾーンＣＺとミドル
ゾーンＭＺとの双方にまたがっている（図２参照）。し
かし、例えば「ランプＣ１〜Ｃ４」については、その単
位照射領域の大部分がセンターゾーンＣＺに含まれてい
るため、ミドルゾーンＭＺに及ぼす干渉は実質的に無視
できる程度であり、センターゾーンＣＺにのみ光を照射
するランプであると考えることができる。また、「ラン
プＣ１〜Ｃ４」以外の他のランプ２１についても同様で
ある（但し、「ランプＭ９〜Ｍ１２」、「ランプＥ９〜
Ｅ１６」を除くのは勿論である）。従って、このような
ランプ２１については、実質的に１つのゾーンにのみ光
を照射するランプであるとみなして、それぞれが対応す
るゾーンに応じた供給電力を供給する。

【００３８】以上のように、本実施形態においては、ま
ずゾーンごとに実質的に当該ゾーンにのみ光を照射する
ランプ２１（「ランプＭ９〜Ｍ１２」、「ランプＥ９〜
Ｅ１６」以外のランプ２１）への供給電力、すなわちそ
れらランプ２１の光量を規定している。そして、隣接す
る２つのゾーンに光を照射するランプ２１（「ランプＭ
９〜Ｍ１２」、「ランプＥ９〜Ｅ１６」）への供給電
力、すなわちそれらランプ２１の光量については当該２
つのゾーンのそれぞれにのみ光を照射するランプ２１に
ついて規定された光量に基づいて算定している。従っ
て、２つのゾーンに光を照射するランプ２１による当該
２つのゾーンの光量への干渉が抑制されるとともに、作
業者が各制御素子単位で供給電力を割り振るという煩雑
な作業が不要となり、熱処理時における基板Ｗの温度分
布の均一性を確実かつ容易に確保することができる。

【００３９】特に、本実施形態においては、円形の基板
Ｗに対して四角柱形状の導光ロッド２５を介して光を照
射しており、正方形の照射領域の組み合わせによって光
照射を行うこととなる。四角柱形状の導光ロッド２５を
介して光を照射することにより単位照射領域内における
照度分布の均一性は向上するのであるが、正方形の単位
照射領域の組み合わせと円環状のゾーンとの間に非整合
な部分が生じる。上記に説明した本発明に係る技術は、
このような非整合な部分についても適当な光量を照射
し、基板Ｗの温度分布の均一性を確保するものである。

【００４０】＜３．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態においては、導光
ロッド２５を用いることによって正方形の照射領域を照
射するようにしていたが、これに限らず、所定形状の照
射領域を照射する光源を有し、２つのゾーンにまたがっ
て照射領域が存在するような態様であれば本発明に係る
技術を適用することができる。

【００４１】また、上記実施形態においては、５２本の
導光ロッド２５および５２個のランプ２１を配置してい
たが、これに限定されず、基板の大きさに応じて適当な
数にすることができる。

【００４２】また、上記実施形態においては、全体照射
領域ＡＲを４つのゾーンに分割していたが、これに限ら
ず、２以上のゾーンに分割する態様であれば良い。

【００４３】さらに、上記実施形態においては、制御素
子８０を介してランプ２１への供給電力を制御していた
が、制御部９０が直接複数のランプ２１への供給電力を
個別に制御するようにしても良い。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、複数の光源の全てによって光が照射される全体照射
領域を複数の部分照射領域に分割し、各部分照射領域ご
とに実質的に当該部分照射領域にのみ光を照射する光源
の光量を規定するとともに、隣接する２つの部分照射領
域に光を照射する光源の光量については当該２つの部分
照射領域のそれぞれにのみ光を照射する光源について規
定された光量に基づいて算定しているため、２つの部分
照射領域に光を照射する光源がそれら部分照射領域のい
ずれかにおける光量に干渉することが防止され、熱処理
時における基板の温度分布の均一性を確実かつ容易に確
保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱処理装置の一例の全体構成を示
す側面断面図である。

【図２】図１の複数のランプによって光が照射される照
射領域を示す図である。

【図３】図１のランプの制御機構を示す図である。

【符号の説明】

２０照射部２１ランプ２５導光ロッド４１均熱リング９０制御部ＡＲ全体照射領域ＣＺセンターゾーンＥＺエッジゾーンＭＺミドルゾーンＲＺリングゾーンＷ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/26 Ｊ (72)発明者三好浩司京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 4K056 AA09 BA01 BB06 CA18 FA04 4K061 AA01 AA05 BA11 DA05 GA06 4K063 AA05 BA12 CA03 FA13 FA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に光を照射して熱処理を行う熱処理
装置であって、前記光を照射する複数の光源と、前記複数の光源のそれぞれを制御して、前記複数の光源
のそれぞれから出射される光量を調節する光量制御手段
と、を備え、前記光量制御手段は、前記複数の光源の全てによって光が照射される全体照射
領域を複数の部分照射領域に分割し、各部分照射領域ご
とに実質的に当該部分照射領域にのみ光を照射する光源
の光量を規定するとともに、隣接する２つの部分照射領
域に光を照射する光源の光量については当該２つの部分
照射領域のそれぞれにのみ光を照射する光源について前
記規定された光量に基づいて算定することを特徴とする
熱処理装置。
【請求項２】請求項１記載の熱処理装置において、前記基板は円形であり、前記複数の光源のそれぞれが光を照射する照射領域の形
状は四角形であることを特徴とする熱処理装置。