JP2003513442A - サブストレートを熱処理する方法及び装置 - Google Patents
サブストレートを熱処理する方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
本発明によれば、サブストレートを熱処理する間にサブストレートの上もしくは中で温度分布、特に均質な温度の分布を可能にするために、温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つのエレメントを有するプロセス室にてサブストレート、特に半導体ウェーハを熱処理する方法において、熱処理の間、サブストレート及び／又はプロセス室に対する前記エレメントの空間的な配置を変化させることが提案されている。さらに本発明によれば、温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つのエレメントを有するプロセス室において熱処理する装置であって、前記エレメントの空間的な配置をサブストレート及び／又はプロセス室に対して相対的に熱処理の間に変化させる装置が設けられている装置が提案されている。
Description
【０００１】
本発明はプロセス室における温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つのエレメ
ントを有するプロセス室においてサブストレート、特に半導体ウェーハを熱処理
する方法と装置に関する。
ントを有するプロセス室においてサブストレート、特に半導体ウェーハを熱処理
する方法と装置に関する。
【０００２】
このような装置は、同一出願人のＤＥ−Ａ−１９７３７８０２号によって公知
である。この装置においては透光性のプロセス室が熱処理される半導体ウェーハ
を受容するために設けられている。プロセス室内にあるサブストレートの温度を
変えるためにはプロセス室の外側に加熱ランプバンクが設けられている。所定の
プロセス結果を達成するための、特にサブストレート内の均質な温度分布を達す
るためには、プロセス室内でサブストレートに対して平行な平面にてサブストレ
ートを取囲む補償リング並びにサブストレートから間隔をおいて、これに対し平
行に延びる、ホットライナとも呼ばれる光変換板が設けられている。補償リング
の課題はウェーハの熱処理の間に発生する縁効果を阻止することである。ウェー
ハの縁において内部領域に対して迅速な加熱が加熱期にて阻止されかつ迅速な冷
却が冷却期にて阻止される。この場合には、補償リングを、同一出願人による未
公開のＤＥ−Ａ−１９８２１００７号に記載されているように複数のセグメント
から構成することが公知である。
である。この装置においては透光性のプロセス室が熱処理される半導体ウェーハ
を受容するために設けられている。プロセス室内にあるサブストレートの温度を
変えるためにはプロセス室の外側に加熱ランプバンクが設けられている。所定の
プロセス結果を達成するための、特にサブストレート内の均質な温度分布を達す
るためには、プロセス室内でサブストレートに対して平行な平面にてサブストレ
ートを取囲む補償リング並びにサブストレートから間隔をおいて、これに対し平
行に延びる、ホットライナとも呼ばれる光変換板が設けられている。補償リング
の課題はウェーハの熱処理の間に発生する縁効果を阻止することである。ウェー
ハの縁において内部領域に対して迅速な加熱が加熱期にて阻止されかつ迅速な冷
却が冷却期にて阻止される。この場合には、補償リングを、同一出願人による未
公開のＤＥ−Ａ−１９８２１００７号に記載されているように複数のセグメント
から構成することが公知である。
【０００３】
ホットライナは加熱ランプバンクから放射された放射光線を吸収し、これによ
ってホットライナは加熱されかつそれ自体ウェーハを加熱するための熱放射を放
出するために役立つ。このようなウェーハの間接的な加熱は、ウェーハの少なく
とも表面を直接的な光放射に対し遮って、ウェーハの上に構成された組織パター
ンを保護するために役立つ。このようなホットライナの作用は例えばＤＥ−Ａ−
４４３７３６１号に開示されており、繰返しを回避するためにここではこれを援
用する。
ってホットライナは加熱されかつそれ自体ウェーハを加熱するための熱放射を放
出するために役立つ。このようなウェーハの間接的な加熱は、ウェーハの少なく
とも表面を直接的な光放射に対し遮って、ウェーハの上に構成された組織パター
ンを保護するために役立つ。このようなホットライナの作用は例えばＤＥ−Ａ−
４４３７３６１号に開示されており、繰返しを回避するためにここではこれを援
用する。
【０００４】
これらのすべての装置においては、温度分布に影響を及ぼすエレメント、例え
ば補償リング及び／又は光変換板は熱処理の間、ウェーハの平面に対して平行に
かつ不動に保たれるように設けられている。ただＤＥ−Ａ−１９８２１００７号
ではウェーハの取出し及び装入の間、半導体ウェーハに対するアプロ−チを許す
ために役立つ補償リングの運動が記載されている。
ば補償リング及び／又は光変換板は熱処理の間、ウェーハの平面に対して平行に
かつ不動に保たれるように設けられている。ただＤＥ−Ａ−１９８２１００７号
ではウェーハの取出し及び装入の間、半導体ウェーハに対するアプロ−チを許す
ために役立つ補償リングの運動が記載されている。
【０００５】
上記装置から出発して本発明の課題は改善された温度均質性が達成される、サ
ブストレートを熱処理する方法及び装置を提供することである。
ブストレートを熱処理する方法及び装置を提供することである。
【０００６】
前記課題は冒頭に述べた方法において、熱処理の間、温度分布に影響を及ぼす
エレメントのサブストレート及び／又はプロセス室に対する空間的な配置を変化
させることで解決された。これにより簡単でかつ有効な形式で熱処理する間のプ
ロセス室内部の温度分布、ひいてはサブストレートの上もしくは中における温度
分布を変化させかつ与えられているプロセス条件にこれを適合させることができ
る。特にサブストレートの上もしくは中における温度分布を均質化することがで
きる。
エレメントのサブストレート及び／又はプロセス室に対する空間的な配置を変化
させることで解決された。これにより簡単でかつ有効な形式で熱処理する間のプ
ロセス室内部の温度分布、ひいてはサブストレートの上もしくは中における温度
分布を変化させかつ与えられているプロセス条件にこれを適合させることができ
る。特にサブストレートの上もしくは中における温度分布を均質化することがで
きる。
【０００７】
本発明の有利な実施例によれば、前記配置を変化させるための相対運動が熱処
理の温度経過に関連して制御され、ひいては温度経過に適合させられた温度分布
が達成される。有利には前記エレメントがサブストレート及び／又はプロセス室
に対して相対的に動かされる。当該エレメントを動かすことは、サブストレート
を動かすこととは異なってサブストレートの損傷の危険が小さくかつ有利である
。
理の温度経過に関連して制御され、ひいては温度経過に適合させられた温度分布
が達成される。有利には前記エレメントがサブストレート及び／又はプロセス室
に対して相対的に動かされる。当該エレメントを動かすことは、サブストレート
を動かすこととは異なってサブストレートの損傷の危険が小さくかつ有利である
。
【０００８】
有利には前記運動は傾動、旋回及び／又は直線運動である。この場合、直線運
動は上下の運動に限定されるものではなく、側方運動を含むことができる。
動は上下の運動に限定されるものではなく、側方運動を含むことができる。
【０００９】
本発明の特に有利な実施例では、前記エレメントは、サブストレートを該サブ
ストレートに対して平行な平面にて少なくとも部分的に取囲む補償部材、特に補
償リングであって、ウェーハの熱処理の間に発生する縁効果をコントロールする
ために役立つ。この場合には、エレメントは複数のセグメント、特にリングセグ
メントから成り、これらのセグメントの少なくとも１つが動かされると有利であ
る。複数のセグメントを設けることによって、プロセス室の内部及びサブストレ
ートの上もしくは中での温度分布の制御の改善が達成される。この場合、温度分
布の改善された制御のためには、各セグメントの運動は少なくとも１つの別のセ
グメントの配置に関連して制御される。さらに複数のセグメントは補償エレメン
トを有利な価格でも製作できるという利点を有する。
ストレートに対して平行な平面にて少なくとも部分的に取囲む補償部材、特に補
償リングであって、ウェーハの熱処理の間に発生する縁効果をコントロールする
ために役立つ。この場合には、エレメントは複数のセグメント、特にリングセグ
メントから成り、これらのセグメントの少なくとも１つが動かされると有利であ
る。複数のセグメントを設けることによって、プロセス室の内部及びサブストレ
ートの上もしくは中での温度分布の制御の改善が達成される。この場合、温度分
布の改善された制御のためには、各セグメントの運動は少なくとも１つの別のセ
グメントの配置に関連して制御される。さらに複数のセグメントは補償エレメン
トを有利な価格でも製作できるという利点を有する。
【００１０】
装置の簡易化された構造と簡易化された制御とにとっては、少なくとも２つの
セグメントが同時に動かされる。この場合にはセグメントは有利には対を成して
サブストレートに関して直径方向で向き合って位置しかつ向き合ったセグメント
対が同時に動かされる。これによりサブストレートに関する対称性が達成される
。
セグメントが同時に動かされる。この場合にはセグメントは有利には対を成して
サブストレートに関して直径方向で向き合って位置しかつ向き合ったセグメント
対が同時に動かされる。これによりサブストレートに関する対称性が達成される
。
【００１１】
室の幾何学的な形状に関連して、先に述べたＤＥ−Ａ−１９８２１００７号に
記載されているように、サブストレートの対称軸を通らない軸を中心としてセグ
メントを旋回させることが有利であることもある。
記載されているように、サブストレートの対称軸を通らない軸を中心としてセグ
メントを旋回させることが有利であることもある。
【００１２】
サブストレートを直接的な光放射に対して遮蔽するためには、当該エレメント
は、有利には光変換板であって、この光変換板が加熱装置の光放射を吸収し、サ
ブストレートを間接的に加熱するために熱を放射する。
は、有利には光変換板であって、この光変換板が加熱装置の光放射を吸収し、サ
ブストレートを間接的に加熱するために熱を放射する。
【００１３】
本発明の実施例においてはサブストレート及び／又はプロセス室に対して相対
的な少なくとも２つのエレメントの空間的な配置が変化させられ、これによって
プロセス室の内部及びサブストレートの上もしくは中の温度分布の良好な制御が
達成されている。本発明の別の実施例ではサブストレートの上もしくは中の温度
分布をコントロールするために少なくとも１つのエレメントとサブストレートと
が動かされる。
的な少なくとも２つのエレメントの空間的な配置が変化させられ、これによって
プロセス室の内部及びサブストレートの上もしくは中の温度分布の良好な制御が
達成されている。本発明の別の実施例ではサブストレートの上もしくは中の温度
分布をコントロールするために少なくとも１つのエレメントとサブストレートと
が動かされる。
【００１４】
さらに本発明の根底を成す課題は、冒頭に述べた形式の装置であって、温度分
布をコントロールするエレメントの、サブストレート及び／又はプロセス室に対
する空間的な配置を熱処理の間に変える装置が設けられている装置においても解
決された。この装置では方法に関してすでに述べた利点が得られる。
布をコントロールするエレメントの、サブストレート及び／又はプロセス室に対
する空間的な配置を熱処理の間に変える装置が設けられている装置においても解
決された。この装置では方法に関してすでに述べた利点が得られる。
【００１５】
サブストレートの熱処理に際して発生する縁効果をコントロールするためには
有利には１つのエレメントは、サブストレートを一平面内でほぼ取囲む補償エレ
メント、特に補償リングである。この場合、補償リングは有利にはサブストレー
ト平面に対し傾斜して配置される。
有利には１つのエレメントは、サブストレートを一平面内でほぼ取囲む補償エレ
メント、特に補償リングである。この場合、補償リングは有利にはサブストレー
ト平面に対し傾斜して配置される。
【００１６】
これによってウェーハ縁部にはシャドウ効果が生ぜしめられる。このシャドウ
効果は加熱値がきわめて高い場合に縁領域の迅速な加熱を阻止する。
効果は加熱値がきわめて高い場合に縁領域の迅速な加熱を阻止する。
【００１７】
さらに本発明の課題は、冒頭に述べた形式の装置において、温度分布の所定の
コントロールを達成するために、少なくとも１つのエレメントがサブストレート
平面に対して傾斜して配置されていることによって解決された。この場合、当該
エレメントは有利にはサブストレートをほぼ取囲む補償エレメント、特に補償リ
ングである。該補償エレメントはウェーハ縁部に加熱装置に対するシャドウ効果
を生ぜしめ、ひいては特に加熱値がきわめて高い場合に縁範囲の迅速すぎる加熱
を阻止する。有利には当該エレメントは光変換板である。
コントロールを達成するために、少なくとも１つのエレメントがサブストレート
平面に対して傾斜して配置されていることによって解決された。この場合、当該
エレメントは有利にはサブストレートをほぼ取囲む補償エレメント、特に補償リ
ングである。該補償エレメントはウェーハ縁部に加熱装置に対するシャドウ効果
を生ぜしめ、ひいては特に加熱値がきわめて高い場合に縁範囲の迅速すぎる加熱
を阻止する。有利には当該エレメントは光変換板である。
【００１８】
実施例
以下、図面に基づき本発明を詳細に説明する。
【００１９】
図１には半導体ウェーハ２を熱処理するための装置が概略的な側方断面図で示
されている。該装置１はプロセス室３を有し、該プロセス室３は上側と下側とに
石英ガラスから製作された壁５もしくは６を有している。壁５の上側には鏡面化
されかつ複数のランプ８の形をした加熱源が内部に設けられているランプバンク
又は室７が設けられている。壁６の下には室７と同様に内部にランプ１０の形を
した加熱源が設けられているランプバンク又は室９が設けられている。
されている。該装置１はプロセス室３を有し、該プロセス室３は上側と下側とに
石英ガラスから製作された壁５もしくは６を有している。壁５の上側には鏡面化
されかつ複数のランプ８の形をした加熱源が内部に設けられているランプバンク
又は室７が設けられている。壁６の下には室７と同様に内部にランプ１０の形を
した加熱源が設けられているランプバンク又は室９が設けられている。
【００２０】
プロセス室の側壁は例えば、当該室内に存在する電磁スペクトルの少なくとも
１部に対し所定のミラー作用を達成するために誘導層を備えていることができる
。さらに側壁の１７は半導体ウェーハ２の装入と取出しとを可能にするためにプ
ロセス室ドアを有している。
１部に対し所定のミラー作用を達成するために誘導層を備えていることができる
。さらに側壁の１７は半導体ウェーハ２の装入と取出しとを可能にするためにプ
ロセス室ドアを有している。
【００２１】
プロセス室３の内部には第１の下側の光変換板１２−ホットライナとも呼ばれ
る−が設けられている。この光変換板１２は下側のプロセス室壁６に対して平行
に延設されている。光変換板１２の上側にはスペーサ１３が設けられている。該
スペーサ１３の上には半導体ウェーハ２が載置されているので、半導体ウェーハ
２は下側の光変換板１２に対して間隔をおいて平行に保持されている。
る−が設けられている。この光変換板１２は下側のプロセス室壁６に対して平行
に延設されている。光変換板１２の上側にはスペーサ１３が設けられている。該
スペーサ１３の上には半導体ウェーハ２が載置されているので、半導体ウェーハ
２は下側の光変換板１２に対して間隔をおいて平行に保持されている。
【００２２】
半導体ウェーハ２の上側には別の光変換板１６が設けられている。この光変換
板１６は図１に示された第１の位置では、半導体ウェーハに対して平行にかつ間
隔をたもって保持されている。光変換板１２，１６は高い光吸収係数を有する材
料から成り、ランプ８，１０から放射された光を吸収し、次いで半導体ウェーハ
２を加熱するための熱放射を行なうために役立つ。
板１６は図１に示された第１の位置では、半導体ウェーハに対して平行にかつ間
隔をたもって保持されている。光変換板１２，１６は高い光吸収係数を有する材
料から成り、ランプ８，１０から放射された光を吸収し、次いで半導体ウェーハ
２を加熱するための熱放射を行なうために役立つ。
【００２３】
図２に示されているように上側の光変換板１６の位置は半導体ウェーハ２とプ
ロセス室とに関して変化可能である。上側の光変換板１６は図２においては半導
体ウェーハ２に対して傾斜して配置され、室内、ひいてはサブストレートの上も
しくは内の温度分布が変化させられるようになっている。上側の光変換板１６の
前記傾斜はウェーハの熱処理の間に調節され、傾斜位置の程度は熱処理の温度経
過及び／又は適当な測定装置、例えば図示されていないピロメータを介して測定
されるサブストレートの上もしくは中の温度分布に関連して調節される。
ロセス室とに関して変化可能である。上側の光変換板１６は図２においては半導
体ウェーハ２に対して傾斜して配置され、室内、ひいてはサブストレートの上も
しくは内の温度分布が変化させられるようになっている。上側の光変換板１６の
前記傾斜はウェーハの熱処理の間に調節され、傾斜位置の程度は熱処理の温度経
過及び／又は適当な測定装置、例えば図示されていないピロメータを介して測定
されるサブストレートの上もしくは中の温度分布に関連して調節される。
【００２４】
このように傾斜させられた板の別の利点は、これによってプロセスガス流に対
するコントロールされた干渉が可能であることである。これはプロセスガスが熱
いウェーハ表面で解離しかつ解離生成物がウェーハと反応する場合には常に有利
である。例としては例えばＨ２Ｏでのシリジュウムの酸窒化を挙げることができ
る。この場合にはＨ２Ｏはウェーハに対して平行に流れる。従来はきわめて均質
な酸窒化層を達成するためには、反応温度（７００℃〜１１５０℃）でガス流を
著しく減少させることが必要であった。しかしながらプロセスガス流のコントロ
ールされた減少は、光変換板１６のコントロールされた傾動よりも技術的に面倒
である。ウェーハに対して傾動させられた板では、コンスタントなプロセスガス
流で、ガス流減少に際して達成される酸窒化層の均質性と同様の均質性が達成さ
れる。ガス流減少と傾動とのコンビネーションは最適な均質性をもたらす。
するコントロールされた干渉が可能であることである。これはプロセスガスが熱
いウェーハ表面で解離しかつ解離生成物がウェーハと反応する場合には常に有利
である。例としては例えばＨ２Ｏでのシリジュウムの酸窒化を挙げることができ
る。この場合にはＨ２Ｏはウェーハに対して平行に流れる。従来はきわめて均質
な酸窒化層を達成するためには、反応温度（７００℃〜１１５０℃）でガス流を
著しく減少させることが必要であった。しかしながらプロセスガス流のコントロ
ールされた減少は、光変換板１６のコントロールされた傾動よりも技術的に面倒
である。ウェーハに対して傾動させられた板では、コンスタントなプロセスガス
流で、ガス流減少に際して達成される酸窒化層の均質性と同様の均質性が達成さ
れる。ガス流減少と傾動とのコンビネーションは最適な均質性をもたらす。
【００２５】
図１と図２には示されていないが下側の光変換板１２も、プロセス室の内部に
おける温度分布をさらに変化させるために、プロセス室３内に可動に配置されて
いることができる。例えば上側の光変換板を不動に配置しかつ下側の光変換板１
２を傾斜させて、ウェーハ２と上側の光変換板１６との間の傾斜位置を達成する
ことができる。光変換板を傾斜させる代わりに単に光変換板とサブストレート２
との間の間隔を減少させ、例えばウェーハの下面に対してウェーハの上面を強く
加熱するために例えば上方の光変換板１６を半導体ウェーハにより近づけるため
に、一方の光変換板とサブストレート２との間の間隔を減少させることもできる
。
おける温度分布をさらに変化させるために、プロセス室３内に可動に配置されて
いることができる。例えば上側の光変換板を不動に配置しかつ下側の光変換板１
２を傾斜させて、ウェーハ２と上側の光変換板１６との間の傾斜位置を達成する
ことができる。光変換板を傾斜させる代わりに単に光変換板とサブストレート２
との間の間隔を減少させ、例えばウェーハの下面に対してウェーハの上面を強く
加熱するために例えば上方の光変換板１６を半導体ウェーハにより近づけるため
に、一方の光変換板とサブストレート２との間の間隔を減少させることもできる
。
【００２６】
さらに両方の光変換板１２，１６をプロセス室３内に不動に配置し、ウェーハ
２を当該板に対して可動に保持しウェーハ２を相対的に当該板に対して可動に保
持することもできる。これは例えばテレスコープロッドとして構成されかつその
高さが光変換板１２，１６に対し傾斜配置するために互いに無関係に調節できる
スペーサ１３を介して行なうことができる。
２を当該板に対して可動に保持しウェーハ２を相対的に当該板に対して可動に保
持することもできる。これは例えばテレスコープロッドとして構成されかつその
高さが光変換板１２，１６に対し傾斜配置するために互いに無関係に調節できる
スペーサ１３を介して行なうことができる。
【００２７】
図３と図４とには本発明による熱処理装置の別の実施例が示されている。図３
と図４とにおいては同じ又は類似した構成部材である限り同じ関連符号が使用さ
れている。
と図４とにおいては同じ又は類似した構成部材である限り同じ関連符号が使用さ
れている。
【００２８】
装置１は第１実施例による装置１とほぼ同じ構造を有し、上方の光変換板１６
の代りにウェーハ２を取囲む補償リング２０が設けられている点だけで図１の装
置とは異っている。補償リング２０はウェーハ２をわずかな間隔をおいて取囲み
、加熱期における迅速な加熱並びに冷却期における迅速な冷却が阻止されること
で、ウェーハ２の加熱及び冷却の間の縁効果を阻止する。
の代りにウェーハ２を取囲む補償リング２０が設けられている点だけで図１の装
置とは異っている。補償リング２０はウェーハ２をわずかな間隔をおいて取囲み
、加熱期における迅速な加熱並びに冷却期における迅速な冷却が阻止されること
で、ウェーハ２の加熱及び冷却の間の縁効果を阻止する。
【００２９】
図３に示されているように補償リング２０は半導体ウェーハ２とほぼ同じ平面
に位置しているが、補償リング２０はウェーハのいくらか上側又は下側に配置さ
れていることもできる。
に位置しているが、補償リング２０はウェーハのいくらか上側又は下側に配置さ
れていることもできる。
【００３０】
図４に示されているように補償リング２０は半導体ウェーハ２に対して持ち上
げられている。このような持上げは、薄い層を製作するために秒あたり４００℃
までのきわめて高い加熱値を必要とし、不都合な拡散効果を避けるために最大温
度に達したあとで温度が瞬間的に再び下げられるいわゆるフラッシュプロセスに
て行なわれる。このようなプロセスについては例えば、本願と同じ出願日に同じ
出願人によって出願された「対象物を熱処理する方法」というタイトルを有する
ＤＥ−Ａ−・・・・・・・号明細書を引用し、繰返しを回避する。補償リングの
運動は先きの出願に記載した温度及び／又はプロセス雰囲気の変化に関連して制
御される。特に所定の時相関係をその間に形成することができる。高加熱の前及
び／又はその間に補償リング２０を移動させかつ該リングを当該位置に保持する
ことによってウェーハの縁の上には、外から入射する光線に対する影が形成され
、ひいては縁領域の速すぎる加熱が阻止される。続く冷却期の間にリング２０は
再び図３に示された位置にもたらされ、縁領域の迅速すぎる冷却が阻止される。
これによりウェーハ表面に亘る温度分布の均質性が著しく改善される。
げられている。このような持上げは、薄い層を製作するために秒あたり４００℃
までのきわめて高い加熱値を必要とし、不都合な拡散効果を避けるために最大温
度に達したあとで温度が瞬間的に再び下げられるいわゆるフラッシュプロセスに
て行なわれる。このようなプロセスについては例えば、本願と同じ出願日に同じ
出願人によって出願された「対象物を熱処理する方法」というタイトルを有する
ＤＥ−Ａ−・・・・・・・号明細書を引用し、繰返しを回避する。補償リングの
運動は先きの出願に記載した温度及び／又はプロセス雰囲気の変化に関連して制
御される。特に所定の時相関係をその間に形成することができる。高加熱の前及
び／又はその間に補償リング２０を移動させかつ該リングを当該位置に保持する
ことによってウェーハの縁の上には、外から入射する光線に対する影が形成され
、ひいては縁領域の速すぎる加熱が阻止される。続く冷却期の間にリング２０は
再び図３に示された位置にもたらされ、縁領域の迅速すぎる冷却が阻止される。
これによりウェーハ表面に亘る温度分布の均質性が著しく改善される。
【００３１】
図３と図４とにおいては補償リング２０は可動に示されているにも拘らず、補
償リング２０は不動に配置され、熱処理の間、ウェーハ２が例えば調節可能なス
ペーサ１３を介して補償リング２０に関して動かされることができる。さらにウ
ェーハ２と補償リング２０との間の相対運動を達成するために光変換板を動かす
ことも考えられる。
償リング２０は不動に配置され、熱処理の間、ウェーハ２が例えば調節可能なス
ペーサ１３を介して補償リング２０に関して動かされることができる。さらにウ
ェーハ２と補償リング２０との間の相対運動を達成するために光変換板を動かす
ことも考えられる。
【００３２】
図５と図６には半導体ウェーハ２を熱処理するための装置１の別の実施例が示
されている。図５と図６においては同じ又は似た構成部分である限り第１実施例
の場合と同じ符号が使用されている。
されている。図５と図６においては同じ又は似た構成部分である限り第１実施例
の場合と同じ符号が使用されている。
【００３３】
装置１はこの場合にも、上側と下側の透光性の壁部材５，６によって形成され
るプロセス室３を有している。この場合には鏡面化された室内に設けられた上方
と下方のライトバンクがプロセス室を制限する上方と下方の壁５，６に隣接して
設けられている。先きの実施例とは異なって、図５に示された実施例においては
プロセス室には光変換板は設けられていない。ウェーハ２は下方の透光性の壁５
から延設されたスペーサ１３を介してプロセス室３の中央に、しかも下方及び上
方の壁５，６に対し平行に保持されている。図６に示したように４つのリングセ
グメント２５ａ−ｄから成る補償リング２５は適当な形式でプロセス室３の内部
に保持されている。図５から判るように補償リング２５はウェーハ２に対して傾
斜して配置され、特にウェーハの高加熱に際し、ウェーハ２の縁部領域にシャド
ウ効果が生ぜしめられるようになっている。補償リングはこの位置に不動に保持
されていることができる。
るプロセス室３を有している。この場合には鏡面化された室内に設けられた上方
と下方のライトバンクがプロセス室を制限する上方と下方の壁５，６に隣接して
設けられている。先きの実施例とは異なって、図５に示された実施例においては
プロセス室には光変換板は設けられていない。ウェーハ２は下方の透光性の壁５
から延設されたスペーサ１３を介してプロセス室３の中央に、しかも下方及び上
方の壁５，６に対し平行に保持されている。図６に示したように４つのリングセ
グメント２５ａ−ｄから成る補償リング２５は適当な形式でプロセス室３の内部
に保持されている。図５から判るように補償リング２５はウェーハ２に対して傾
斜して配置され、特にウェーハの高加熱に際し、ウェーハ２の縁部領域にシャド
ウ効果が生ぜしめられるようになっている。補償リングはこの位置に不動に保持
されていることができる。
【００３４】
しかしながら先きの実施例の場合のように補償リング２５の位置を熱処理の間
に変化させるために補償リングを可動に構成することもできる。この場合には個
々のリングセグメント２５ａ−ｄは個別に又はすでに一緒に又は対を成して動か
されることができる。特に例えば直径方向で向き合ったリングセグメント２５ａ
と２５ｃとを一緒に動かしてウェーハ２に関して所定の対称性を生ぜしめること
もできる。同様に直径方向で向き合ったリングセグメント２５ｂと２５ｄとが同
時に動かされることもできる。図５に示したように補償リングを傾動させる代り
に補償リングもしくはその個々のリングセグメントを、例えば図４に示したよう
に持上げるか下降させることもできる。もちろん、セグメントの数は４つに限定
されるものではなく、それよりも多いか少ないセグメントが設けられていること
もできる。
に変化させるために補償リングを可動に構成することもできる。この場合には個
々のリングセグメント２５ａ−ｄは個別に又はすでに一緒に又は対を成して動か
されることができる。特に例えば直径方向で向き合ったリングセグメント２５ａ
と２５ｃとを一緒に動かしてウェーハ２に関して所定の対称性を生ぜしめること
もできる。同様に直径方向で向き合ったリングセグメント２５ｂと２５ｄとが同
時に動かされることもできる。図５に示したように補償リングを傾動させる代り
に補償リングもしくはその個々のリングセグメントを、例えば図４に示したよう
に持上げるか下降させることもできる。もちろん、セグメントの数は４つに限定
されるものではなく、それよりも多いか少ないセグメントが設けられていること
もできる。
【００３５】
図７には半導体ウェーハの熱処理の時間的な温度経過とそれに関連して制御さ
れる、図５に示されているような補償リングの運動を示した図である。熱処理の
開始にあたっては補償リング２５はほぼウェーハ２と同じ平面に位置している。
温度が上昇する間、補償リングはウェーハ平面に対し傾けられる。この場合、傾
き角と温度の時間的な経過との間には相関関係が与えられておりかつ加熱値の増
大に伴って傾き角は大きくなる。温度は最高値まで上昇させられ、次いで該温度
はただちに再び下降させられる。温度が低下する間、補償リングの傾きは減少さ
せられる。ウェーハの冷却は温度Ｔ′でストップされる。ウェーハはこの温度に
コンスタントに保たれる。この時点では補償リングは再びウェーハに対し平行で
かつウェーハの縁部領域が過度に冷却されることは阻止される。
れる、図５に示されているような補償リングの運動を示した図である。熱処理の
開始にあたっては補償リング２５はほぼウェーハ２と同じ平面に位置している。
温度が上昇する間、補償リングはウェーハ平面に対し傾けられる。この場合、傾
き角と温度の時間的な経過との間には相関関係が与えられておりかつ加熱値の増
大に伴って傾き角は大きくなる。温度は最高値まで上昇させられ、次いで該温度
はただちに再び下降させられる。温度が低下する間、補償リングの傾きは減少さ
せられる。ウェーハの冷却は温度Ｔ′でストップされる。ウェーハはこの温度に
コンスタントに保たれる。この時点では補償リングは再びウェーハに対し平行で
かつウェーハの縁部領域が過度に冷却されることは阻止される。
【００３６】
補償リングの上記運動によって、加熱期の間、縁部領域の迅速な加熱を阻止す
るために、ウェーハ縁部にシャドウが形成される。これによってウェーハ表面に
亘る温度分布の均質性が改善される。該均質性のさらなる改善は付加的なウェー
ハの回転によりかつ／又は加熱ランプの放射強度の調整により達成される。
るために、ウェーハ縁部にシャドウが形成される。これによってウェーハ表面に
亘る温度分布の均質性が改善される。該均質性のさらなる改善は付加的なウェー
ハの回転によりかつ／又は加熱ランプの放射強度の調整により達成される。
【００３７】
この改善された均質性は、きわめて高い加熱値が発生するいわゆるフラッシュ
プロセスの場合に特に必要である。このプロセスの場合には、当該装置のランプ
バンクは一般的に一杯の出力で働き、この結果、特に縁部領域に不均質性をもた
らすことがしばしばある。この場合にはウェーハはきわめて迅速に約９００℃か
ら１１５０℃に加熱される。ウェーハが加熱されるランプ値は１５０℃／ｓから
５００℃／ｓの領域にある。加熱の後でウェーハは再び迅速に冷却される。図８
にはこのようなフラッシュプロセスが概略的に示されている。補償エレメントの
運動によってこのようなフラッシュプロセスに際して、温度平均値からの基準偏
差をウェーハに亘って３％から１％に低減させることができるようになっている
。
プロセスの場合に特に必要である。このプロセスの場合には、当該装置のランプ
バンクは一般的に一杯の出力で働き、この結果、特に縁部領域に不均質性をもた
らすことがしばしばある。この場合にはウェーハはきわめて迅速に約９００℃か
ら１１５０℃に加熱される。ウェーハが加熱されるランプ値は１５０℃／ｓから
５００℃／ｓの領域にある。加熱の後でウェーハは再び迅速に冷却される。図８
にはこのようなフラッシュプロセスが概略的に示されている。補償エレメントの
運動によってこのようなフラッシュプロセスに際して、温度平均値からの基準偏
差をウェーハに亘って３％から１％に低減させることができるようになっている
。
【００３８】
このようなプロセスは特にインプラント（ドーピング）されたウェーハを活性
化するために使用される。この場合、この活性化プロセスは、特にわずかな侵入
深さでドーピングされている場合には、きわめて高い温度均質性を必要とする。
化するために使用される。この場合、この活性化プロセスは、特にわずかな侵入
深さでドーピングされている場合には、きわめて高い温度均質性を必要とする。
【００３９】
前述の均質性はウェーハ回転によるほかに、付加的な処理、例えばランプの制
御によって一層改善される。例えば図１から図５までには例えば棒形のランプを
有する上方のランプバンク８と下方のランプバンク９とが示されている。有利に
は１つのランプフィールドのランプの軸線は平行に延設されている。図面におい
ては、平行に配置された棒形のランプは図平面内へ延び込んでいる。このような
ランプフィールドのランプとしては例えばハロゲンランプが使用される。図５に
おいては補償リング２５の傾動軸は棒形ランプに対して平行に延びている。この
配置ではウェーハに対する補償リングの投影はその傾動軸の近くでは消えるよう
にわずかであるのに対し、この軸に対し直径方向で向き合ったウェーハ縁部では
最大である。ランプバンクの中央のランプの放射強度が外側のランプに対して適
当に弱められていることによって、ウェーハに亘る温度分布の均質性に必要であ
る放射プロフィールが与えられる。
御によって一層改善される。例えば図１から図５までには例えば棒形のランプを
有する上方のランプバンク８と下方のランプバンク９とが示されている。有利に
は１つのランプフィールドのランプの軸線は平行に延設されている。図面におい
ては、平行に配置された棒形のランプは図平面内へ延び込んでいる。このような
ランプフィールドのランプとしては例えばハロゲンランプが使用される。図５に
おいては補償リング２５の傾動軸は棒形ランプに対して平行に延びている。この
配置ではウェーハに対する補償リングの投影はその傾動軸の近くでは消えるよう
にわずかであるのに対し、この軸に対し直径方向で向き合ったウェーハ縁部では
最大である。ランプバンクの中央のランプの放射強度が外側のランプに対して適
当に弱められていることによって、ウェーハに亘る温度分布の均質性に必要であ
る放射プロフィールが与えられる。
【００４０】
他の実施例においては補償エレメントを傾動させるための旋回軸は、ランプバ
ンクのランプ軸線に対して平行に延びる代りに、前記ランプ軸線に対して任意の
角度：有利には９０゜を成して延びている。ウェーハ及び補助エレメントの保持
装置が回転可能に構成されていることによって、補償エレメントの傾動軸とラン
プ軸線との間の角度を当該プロセスの間にプロセス経過に関連して制御すること
が可能である。
ンクのランプ軸線に対して平行に延びる代りに、前記ランプ軸線に対して任意の
角度：有利には９０゜を成して延びている。ウェーハ及び補助エレメントの保持
装置が回転可能に構成されていることによって、補償エレメントの傾動軸とラン
プ軸線との間の角度を当該プロセスの間にプロセス経過に関連して制御すること
が可能である。
【００４１】
さらに、上方と下方のランプフィールドのハロゲンランプのランプ軸線は互い
に平行にも任意の角度で互いに交差させられて配置されていることもできる。
に平行にも任意の角度で互いに交差させられて配置されていることもできる。
【００４２】
同様に棒形ランプを有するランプフィールドとピボットランプを有するランプ
フィールドとの組合わせも考えられ得る。ピボットランプとは棒形ランプとは異
なって、フィラメント長さがランプガラス体の直径よりも長いランプを意味する
ものである。もちろん両方のランプフィールドをピボットランプだけで又はピボ
ットランプと棒形ランプとの組合わせだけで構成することもできる。このように
して特殊な要求に応じて個々の各ランプを制御することによって特殊な放射フィ
ールドを形成し、この放射フィールドでウェーハと機械的な補助エレメントとの
ランプバンクに対する瞬間的な相対的な空間的配置に関連してウェーハの温度の
均質性を最適化することができる。
フィールドとの組合わせも考えられ得る。ピボットランプとは棒形ランプとは異
なって、フィラメント長さがランプガラス体の直径よりも長いランプを意味する
ものである。もちろん両方のランプフィールドをピボットランプだけで又はピボ
ットランプと棒形ランプとの組合わせだけで構成することもできる。このように
して特殊な要求に応じて個々の各ランプを制御することによって特殊な放射フィ
ールドを形成し、この放射フィールドでウェーハと機械的な補助エレメントとの
ランプバンクに対する瞬間的な相対的な空間的配置に関連してウェーハの温度の
均質性を最適化することができる。
【００４３】
図７によるプロセス経過では補償リングがユニットとして傾動させられている
が、傾動運動の他に該リングを任意の方向へ移動させることもできる。類似した
形式で補償リングの個々のセグメントを動かすこともできる。補償リングを動か
す代りにウェーハ自体を補償リングに対して相対的に動かすこともできる。
が、傾動運動の他に該リングを任意の方向へ移動させることもできる。類似した
形式で補償リングの個々のセグメントを動かすこともできる。補償リングを動か
す代りにウェーハ自体を補償リングに対して相対的に動かすこともできる。
【００４４】
プロセス室３内に、温度分布に影響を及ぼす複数のエレメント、例えば補償リ
ングとホットライナとが、図４に示された実施例の場合のように設けられている
と、両方のエレメント、つまり補償リングと光変換板とを動かし、プロセス室の
内部の熱分布に影響を及ぼすことができる。個々の実施例の特徴は自由に他の実
施例の特徴と組合わせることが可能である。
ングとホットライナとが、図４に示された実施例の場合のように設けられている
と、両方のエレメント、つまり補償リングと光変換板とを動かし、プロセス室の
内部の熱分布に影響を及ぼすことができる。個々の実施例の特徴は自由に他の実
施例の特徴と組合わせることが可能である。
【図１】
本発明の第１実施例たる半導体ウェーハを熱処理するための装置を第１位置で
示した図。
示した図。
【図２】
図１の装置を第２位置で示した図。
【図３】
本発明の第２実施例たる半導体ウェーハを熱処理するための装置を第１位置で
示した図。
示した図。
【図４】
図３の装置を第２位置で示した図。
【図５】
本発明の第３実施例たる半導体ウェーハを熱処理するための装置の概略的な側
面図。
面図。
【図６】
図５に示された装置の平面図。
【図７】
本発明による装置の温度分布をコントロールするエレメントの位置を熱処理の
温度経過に関連して示した線図。
温度経過に関連して示した線図。
【図８】
時間的な温度経過のための別の実施を示した線図。
１ 熱処理する装置、 ２ 半導体ウェーハ、 ３ プロセス室、 ５，６
壁、 ７ 室、 ８ ランプ、 ９ 室、 １０ ランプ、 １１ 光変換板、
１２ 光変換板、 １３ スペーサ、 １６ 光変換板、 ２０ 補償リング
、 ２５ 補償リング
壁、 ７ 室、 ８ ランプ、 ９ 室、 １０ ランプ、 １１ 光変換板、
１２ 光変換板、 １３ スペーサ、 １６ 光変換板、 ２０ 補償リング
、 ２５ 補償リング
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１１月７日（２００１．１１．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
これらのすべての装置においては、温度分布に影響を及ぼすエレメント、例え
ば補償リング及び／又は光変換板は熱処理の間、ウェーハの平面に対して並列に
かつ不動に保たれるように設けられている。ただＤＥ−Ａ−１９８２１００７号
ではウェーハの取出し及び装入の間、半導体ウェーハに対するアプロ−チを許す
ために役立つ補償リングの運動が記載されている。 さらにＵＳ−４９８１８１５号明細書によれば半導体ウェーハを迅速に熱処理
するための方法であって、半導体ウェーハがウェーハを加熱するために円弧ラン
プで電自適に放射される方法が公知である。円弧ランプから発する放射をほぼ垂
直にウェーハに反射するためには円弧状のレフレクタが設けられている。さらに
この場合にはパラボラ形の横断面を備えた、ウェーハを半径方向で取囲む不動の
リング状のレフレクタが設けられている。リング状のレフレクタとウェーハとの
間には制御可能な熱放射器が設けられている。この熱放射器の放射強度は、ウェ
ーハの中央域と縁域とにおけるウェーハ温度のピイロメータ測定に関連して調節
される。 同様にＵＳ４８９１４８８号明細書には、プロセス室にて電磁放射で半導体ウ
ェーハを熱処理する方法と装置が開示されている。プロセス室の外側には電磁放
射をプロセス室内で変化させるために可動であるミラーが設けられている。
ば補償リング及び／又は光変換板は熱処理の間、ウェーハの平面に対して並列に
かつ不動に保たれるように設けられている。ただＤＥ−Ａ−１９８２１００７号
ではウェーハの取出し及び装入の間、半導体ウェーハに対するアプロ−チを許す
ために役立つ補償リングの運動が記載されている。 さらにＵＳ−４９８１８１５号明細書によれば半導体ウェーハを迅速に熱処理
するための方法であって、半導体ウェーハがウェーハを加熱するために円弧ラン
プで電自適に放射される方法が公知である。円弧ランプから発する放射をほぼ垂
直にウェーハに反射するためには円弧状のレフレクタが設けられている。さらに
この場合にはパラボラ形の横断面を備えた、ウェーハを半径方向で取囲む不動の
リング状のレフレクタが設けられている。リング状のレフレクタとウェーハとの
間には制御可能な熱放射器が設けられている。この熱放射器の放射強度は、ウェ
ーハの中央域と縁域とにおけるウェーハ温度のピイロメータ測定に関連して調節
される。 同様にＵＳ４８９１４８８号明細書には、プロセス室にて電磁放射で半導体ウ
ェーハを熱処理する方法と装置が開示されている。プロセス室の外側には電磁放
射をプロセス室内で変化させるために可動であるミラーが設けられている。
Claims (26)
- 【請求項１】 プロセス室における温度分布に影響を及ぼす少なくとも１つ
のエレメントを有するプロセス室においてサブストレート、特に半導体ウェーハ
を熱処理する方法において、熱処理の間に、サブストレート及び／又はプロセス
室に対する前記エレメントの空間的な配置を変化させることを特徴とする、サブ
ストレートを熱処理する方法。 - 【請求項２】 前記配置を変化させる相対運動を、熱処理の温度経過に関連
して制御する、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記エレメントをサブストレート及び／又はプロセス室に対
して動かす、請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】 前記エレメントを動かす運動が傾動、旋回及び／又は直線運
動である、請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 前記エレメントが、該サブストレートに対して平行な平面に
てサブストレートを少なくとも部分的に取囲む補償エレメント、特に補償リング
である、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 前記エレメントが複数のセグメント、特にリングセグメント
から成り、該セグメントの少なくとも１つが動かされる、請求項１から５までの
いずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 各セグメントの運動が、少なくとも１つの別のセグメントの
配置に関連して制御される、請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 少なくとも２つのセグメントが同時に動かされる、請求項６
又は７記載の方法。 - 【請求項９】 前記セグメントがサブストレートに関して直径方向で対を成
して向き合い、セグメント対が同時に動かされる、請求項６から８までのいずれ
か１項記載の方法。 - 【請求項１０】 前記エレメントが光変換板である、請求項１から９までの
いずれか１項記載の方法。 - 【請求項１１】 サブストレート及び／又はプロセス室に対して相対的な少
なくとも２つのエレメントの空間的な配置を変化させる、請求項１から１０まで
のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】 少なくとも１つのエレメントとサブストレートとが動かさ
れる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１３】 プロセス室における温度分布に影響を及ぼす少なくとも１
つのエレメントを有するプロセス室においてサブストレート、特に半導体ウェー
ハを熱処理する装置において、熱処理の間、サブストレート及び／又はプロセス
室（３）に対して相対的に前記エレメントの空間的な配置を変化させる装置を有
していることを特徴とする、サブストレートを熱処理する方法。 - 【請求項１４】 前記配置が熱処理の温度経過に関連して制御可能である、
請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 前記エレメント（１２，１６；２０，２５）がサブストレ
ート（２）及び／又はプロセス室（３）に対して相対的に運動可能である、請求
項１３又は１４記載の装置。 - 【請求項１６】 前記運動が傾動、旋回及び／又は直線運動である、請求項
１５記載の装置。 - 【請求項１７】 前記エレメント（２０；２５）がサブストレートに対して
平行な平面にてサブストレートをほぼ取囲む補償エレメント、特に補償リングで
ある、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１８】 前記補償リング（２０；２５）がサブストレート平面に対
し傾斜して配置されている、請求項１７記載の装置。 - 【請求項１９】 前記エレメント（２５）が複数のセグメント（２５ａ−ｄ
）、特にリングセグメントから成りかつ前記セグメントの少なくとも１つが移動
可能である、請求項１３から１８までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項２０】 各セグメント（２５ａ−ｄ）の運動が少なくとも１つの別
のセグメントの配置に関連して制御可能である、請求項１９記載の装置。 - 【請求項２１】 前記エレメント（１２，１６）が光変換板である、請求項
１３から２０までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項２２】 少なくとも２つのエレメントの空間的な配置がサブストレ
ート及び／又はプロセス室（１３）に対して相対的に変化可能である、請求項１
３から２１までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項２３】 少なくとも１つのエレメントとサブストレートとが運動可
能である、請求項１３から２２までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項２４】 プロセス室における温度分布に影響を及ぼす少なくとも１
つのエレメントを有するプロセス室においてサブストレート、特に半導体ウェー
ハを熱処理する装置において、少なくとも１つのエレメントがサブストレート（
２）の平面に関して傾斜して配置されていることを特徴とする、サブストレート
を熱処理する装置。 - 【請求項２５】 前記エレメントがサブストレートをほぼ取囲む補償エレメ
ント、特に補償リングである、請求項２４記載の装置。 - 【請求項２６】 前記エレメントが光変換板（１２，１６）である、請求項
２４又は２５記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19952017.8 | 1999-10-28 | ||
| DE19952017A DE19952017A1 (de) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| PCT/EP2000/010290 WO2001031689A1 (de) | 1999-10-28 | 2000-10-19 | Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003513442A true JP2003513442A (ja) | 2003-04-08 |
| JP5144867B2 JP5144867B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=7927218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001534189A Expired - Lifetime JP5144867B2 (ja) | 1999-10-28 | 2000-10-19 | サブストレートを熱処理する方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7041610B1 (ja) |
| EP (1) | EP1224688A1 (ja) |
| JP (1) | JP5144867B2 (ja) |
| KR (1) | KR100703259B1 (ja) |
| DE (1) | DE19952017A1 (ja) |
| TW (1) | TW483070B (ja) |
| WO (1) | WO2001031689A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018148129A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10051125A1 (de) | 2000-10-16 | 2002-05-02 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| DE10131673A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Infineon Technologies Ag | Tragevorrichtung für einen Wafer |
| DE102004025150B4 (de) * | 2004-05-21 | 2019-05-09 | Mattson Technology, Inc. | Lagebestimmung eines Halbleitersubstrats auf einer Rotationsvorrichtung |
| DE102004060188B4 (de) * | 2004-12-14 | 2011-06-16 | Infineon Technologies Ag | Prozess-Heizkammer und Verwendung derselben |
| US20060291833A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-28 | Mattson Techonology, Inc. | Switchable reflector wall concept |
| DE102007058002B4 (de) * | 2007-12-03 | 2016-03-17 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten |
| WO2019096375A1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for heat treatment of a substrate, apparatus for transporting a flexible substrate, and method for heat treatment of a substrate |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593921A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
| JPH01238116A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 加熱装置 |
| JPH01319934A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-26 | Siemens Ag | 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法 |
| JPH0277119A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JPH0513355A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-01-22 | Hitachi Ltd | ランプアニール装置 |
| JPH06242840A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Hitachi Ltd | 枚葉式熱処理装置および熱処理温度モニタ方法 |
| JPH06283503A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hitachi Ltd | 半導体基板の熱処理装置及び方法 |
| JPH06318558A (ja) * | 1991-02-26 | 1994-11-15 | Hitachi Vlsi Eng Corp | ランプアニール装置 |
| JPH10189468A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JPH11154649A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Sony Corp | 急速熱処理装置 |
| JP2001291710A (ja) * | 2001-02-15 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891488A (en) * | 1987-07-16 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
| DE4223133A1 (de) * | 1991-07-15 | 1993-01-21 | T Elektronik Gmbh As | Verfahren und vorrichtung fuer die schnelle thermische behandlung empfindlicher bauelemente |
| US5253324A (en) * | 1992-09-29 | 1993-10-12 | North Carolina State University | Conical rapid thermal processing apparatus |
| DE4437361C2 (de) | 1994-10-19 | 1997-05-15 | Ast Elektronik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung für die optische Schnellheizbehandlung empfindlicher elektronischer Bauelemente, insbesondere Halbleiterbauelemente |
| DE19737802A1 (de) | 1997-08-29 | 1999-03-11 | Steag Ast Elektronik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| DE19821007A1 (de) | 1998-05-11 | 1999-11-25 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| US6771895B2 (en) * | 1999-01-06 | 2004-08-03 | Mattson Technology, Inc. | Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers |
-
1999
- 1999-10-28 DE DE19952017A patent/DE19952017A1/de not_active Ceased
-
2000
- 2000-10-19 EP EP00972808A patent/EP1224688A1/de not_active Withdrawn
- 2000-10-19 WO PCT/EP2000/010290 patent/WO2001031689A1/de active Search and Examination
- 2000-10-19 JP JP2001534189A patent/JP5144867B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-19 US US10/111,737 patent/US7041610B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-19 KR KR1020027005516A patent/KR100703259B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-01-29 TW TW089122630A patent/TW483070B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593921A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
| JPH01238116A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 加熱装置 |
| JPH01319934A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-12-26 | Siemens Ag | 電磁放射照射による半導体円板の急速熱処理方法 |
| JPH0277119A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JPH06318558A (ja) * | 1991-02-26 | 1994-11-15 | Hitachi Vlsi Eng Corp | ランプアニール装置 |
| JPH0513355A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-01-22 | Hitachi Ltd | ランプアニール装置 |
| JPH06242840A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Hitachi Ltd | 枚葉式熱処理装置および熱処理温度モニタ方法 |
| JPH06283503A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hitachi Ltd | 半導体基板の熱処理装置及び方法 |
| JPH10189468A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JPH11154649A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Sony Corp | 急速熱処理装置 |
| JP2001291710A (ja) * | 2001-02-15 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018148129A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| US10861720B2 (en) | 2017-03-08 | 2020-12-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus of light irradiation type |
Also Published As
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