JP2003059852A - 基板の熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板支持部材と基板との間での熱伝導の、円
周方向における差によって基板の周縁部に現れる影響を
低減させ、基板面内の温度均一性を向上させることがで
きる装置を提供する。 【解決手段】 ウエハＷを支持するウエハ支持リング１
０の内周縁部上面を段付き面に形成して、ウエハの周端
面と僅かな間隙を介しウエハを取り囲むように対向する
環状壁面１２、および、ウエハの周縁部下面と対向する
水平壁面１６を形設し、水平壁面に、ウエハ下面に当接
してウエハを支持する凸状支持部１８を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、熱処理炉内へ半
導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を１枚ずつ搬
入し光照射により基板を加熱して熱処理する基板の熱処
理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
例えばランプアニール装置のように、熱処理炉内へ基板
を１枚ずつ搬入し基板へ光を照射して基板を加熱し熱処
理する枚葉式の基板熱処理装置が、各種の工程で広く使
用されている。図４に、ランプアニール装置の概略構成
の１例を模式的に側断面で示す。

【０００３】図４に示したランプアニール装置は、基
板、例えば半導体ウエハＷの搬入および搬出を行うため
の開口５２を有する熱処理炉５０を備えている。熱処理
炉５０の上部炉壁は、赤外線透過性を有する材料、例え
ば石英ガラスによって形成され、光入射窓５４となって
いる。熱処理炉５０の開口５２側には、前室５６が連接
して設けられている。前室５６の外側開口面は、ゲート
バルブ５８によって開閉自在に閉塞され、閉塞時には、
熱処理炉５０の内部を気密に保持することができる構造
となっている。また、図示していないが、前室５６の外
側開口面と対向する側に、熱処理前のウエハＷを熱処理
炉５０内へ搬入し熱処理後のウエハＷを熱処理炉５０内
から搬出するハンドリングアームを備えたウエハ搬出入
装置が配設されている。

【０００４】熱処理炉５０の内部には、例えば石英ガラ
スで円筒状に形成されたリング保持筒６０が配設されて
おり、リング保持筒６０の上端部に、例えば炭化珪素
（ＳｉＣ）等のセラミックスによって薄板状に形成さ
れ、かつ、内径がウエハＷの直径より小さく外径がウエ
ハＷの直径より大きいリング状に形成されたウエハ支持
リング６２が水平姿勢で固着されている。ウエハＷは、
このウエハ支持リング６２によって水平姿勢に支持され
る。リング保持筒６０は、図示しないウエハ回転機構に
取着されており、ウエハ支持リング６２上に支持された
ウエハＷは、ウエハ回転機構によって回転させられるよ
うになっている。また、熱処理炉５０内へのウエハＷの
搬入および熱処理炉５０内からのウエハＷの搬出の際
に、ウエハ搬出入装置のウエハハンドリングアームとウ
エハ支持リング６２との間でのウエハＷの受け渡し操作
のために、ウエハＷの下面に当接してウエハＷを支持す
る複数本、例えば３本の支持ピン６６を有しそれら支持
ピン６６を上下方向へ往復移動させるウエハ移載機構６
４が設けられている。

【０００５】また、熱処理炉５０の内部には、ウエハ支
持リング６２上に支持されたウエハＷの上面に対向し
て、赤外線透過性を有する材料、例えば石英ガラスによ
って形成され多数のガス吹出し孔が穿設されたシャワー
プレート６８が配設されている。このシャワープレート
６８と光入射窓５４との間は、処理ガスが導入されるガ
ス導入室７０となっており、このガス導入室７０に連通
するガス導入口７２は、図示しないガス供給路を通して
処理ガス供給源に接続されている。そして、処理ガス供
給源から供給されガス導入室７０内に導入された処理ガ
スは、シャワープレート６８の多数のガス吹出し孔を通
ってウエハ支持リング６２上のウエハＷの上面全体に向
かって均等に吹き出すようになっている。ガス導入口７
２の下方には、別のガス導入口７４が設けられており、
このガス導入口７４から熱処理炉５０内へパージガスが
導入されるようになっている。また、図示していない
が、熱処理炉５０には、熱処理炉５０内からガスを排出
するための排気口が設けられている。

【０００６】熱処理炉５０の上方には、光入射窓５４に
対向してランプハウス７６が設けられている。ランプハ
ウス７６には、ハロゲンランプ、アークランプ、キセノ
ンランプ等の複数のランプ７８が配設されている。そし
て、各ランプ７８から放射された光は、光入射窓５４を
透過して熱処理炉５０内のウエハ支持リング６２上に支
持されたウエハＷの上面に照射される。

【０００７】また、熱処理炉５０の下部炉壁は、ステン
レス鋼等で形成され鏡面に研磨された反射板８０となっ
ている。反射板８０には、図示していないが、複数の放
射温度計が取り付けられており、これらの放射温度計に
よりウエハＷの複数個所の温度およびウエハ支持リング
６２の温度がそれぞれ測定される。

【０００８】上記したような構成のランプアニール装置
において、ウエハ支持リング６２は、図５の（ａ）に平
面図を、（ｂ）に拡大縦断面図を示すように、その内周
縁部上面が段付き面とされて、ウエハＷの周端面と僅か
な間隙を介しウエハＷを取り囲むように対向する環状壁
面８２、および、ウエハＷの下面に当接してウエハＷを
支持する支持平面８４を有している。このウエハ支持リ
ング６２は、その支持平面８４とウエハＷの周縁部下面
とがウエハＷの全周にわたり２ｍｍ〜４ｍｍ程度重なり
合って面接触した状態でウエハＷを支持する。

【０００９】ウエハＷは、その周端面がウエハ支持リン
グ６２の環状壁面８２と対向して環状壁面８２に全周を
取り囲まれた状態で、光照射によって加熱される。この
とき、ウエハ支持リング６２も、ウエハＷと一緒に光照
射を受けて昇温する。また、ウエハＷの冷却時には、ウ
エハＷと共に降温する。したがって、ウエハＷとウエハ
支持リング６２とは、連続した１枚の板状体とみなすこ
とができる。このようにしてウエハ支持リング６２でウ
エハＷを支持することにより、ウエハＷの周縁部からの
熱放散と中央部からの熱放散とを同等にして、ウエハＷ
の周縁部と中央部との間で温度差が生じないようにして
いる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】益々微細化が進む半導
体デバイスの製造工程で使用されるランプアニール装置
等の枚葉式ウエハ熱処理装置においては、ウエハ面内の
温度均一性を向上させることが重要があり、そのため
に、加熱源である複数のランプの光照射強度を調整した
り、ウエハを加熱源に対して回転させたりするなどの手
段を講じている。ところが、ウエハとは異なり、ＳｉＣ
等のセラミックスで製作されたウエハ支持リングは、そ
れ自体に円周方向における熱容量差があったり、ウエハ
支持リングとリング保持筒などとの接触部分が円周方向
において構造的に不均一であったり、ウエハ支持リング
面内の位置により、リング自体の肉厚のばらつきによる
熱容量の変化やリングの表面状態の違いによる赤外線吸
収量の差があったり、ウエハとウエハ支持リングとの重
なり代が円周方向における位置によって異なっていたり
することがある。そして、上記したように、ウエハ支持
リングの支持平面とウエハの周縁部下面とは面接触して
いる。このため、ウエハ支持リングの円周方向における
熱容量や赤外線吸収量のばらつき、ウエハ支持リングと
の接触部分の円周方向における構造的不均一、ウエハと
ウエハ支持リングとの重なり代の円周方向におけるばら
つきなどにより、ウエハ支持リングとウエハとの間での
熱伝導による熱の移動量がウエハの円周方向において変
化することになる。この結果、ランプの光照射強度を調
整するなどしても、円周方向における移動熱量の差によ
る影響が、ウエハ支持リングと面接触するウエハの周縁
部に強調され温度のうねりとなって現れ、ウエハ面内の
温度均一性を向上させることができない、といった問題
点がある。

【００１１】また、ウエハ支持リングは、熱応力による
変形を生じる可能性があり、その度合いは、ウエハ支持
リングの外径寸法を大きくするほど大きくなる。ウエハ
支持リングが熱応力により変形すると、ウエハとの接触
状態が円周方向において変化する可能性がある。この結
果、ウエハ支持リングとウエハとの間での熱伝導による
熱の移動量がウエハの円周方向において変化し、その影
響がウエハの周縁部に現れ、ウエハ面内の温度均一性が
低下する、といった問題点がある。

【００１２】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板支持部材と基板との間での熱伝
導の、円周方向における差によって基板の周縁部に現れ
る影響を低減させ、基板面内の温度均一性を向上させる
ことができる基板の熱処理装置を提供することを目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
上部炉壁が光透過性材料で形成され、内部に基板が搬入
されて保持される熱処理炉と、内径が基板の直径より小
さく外径が基板の直径より大きいリング状薄板からな
り、前記熱処理炉内において基板を水平姿勢に支持する
基板支持部材と、前記熱処理炉内に保持された基板の上
面に対向して配設され、前記上部炉壁を通して基板に光
を照射して基板を加熱する加熱手段と、を備えた基板の
熱処理装置において、前記基板支持部材の内周縁部上面
を段付き面に形成して、基板の周端面と僅かな間隙を介
し基板を取り囲むように対向する環状壁面、および、基
板の周縁部下面と対向する水平壁面を形設し、その水平
壁面に、基板の下面に当接して基板を支持する凸状支持
部を形成したことを特徴とする。

【００１４】請求項２に係る発明は、上部炉壁が光透過
性材料で形成され、内部に基板が搬入されて保持される
熱処理炉と、内径が基板の直径より小さく外径が基板の
直径より大きいリング状薄板からなり、前記熱処理炉内
において基板を水平姿勢に支持する基板支持部材と、前
記熱処理炉内に保持された基板の上面に対向して配設さ
れ、前記上部炉壁を通して基板に光を照射して基板を加
熱する加熱手段と、を備えた基板の熱処理装置におい
て、前記基板支持部材を、内径が基板の直径より小さく
外径が基板の直径より大きいリング状薄板の内周縁部上
面を段付き面に形成して、基板の周端面と僅かな間隙を
介し基板を取り囲むように対向する環状壁面、および、
基板の周縁部下面に当接して基板を支持する支持平面が
形設された内側部材と、内径が前記内側部材の外径より
小さく外径が内側部材の外径より大きいリング状薄板か
らなり内側部材を水平姿勢に支持する外側部材と、から
構成したことを特徴とする。

【００１５】請求項３に係る発明は、請求項２記載の熱
処理装置において、前記外側部材の内周縁部上面を段付
き面に形成して、前記内側部材の周端面と僅かな間隙を
介し内側部材を取り囲むように対向する環状壁面、およ
び、内側部材の周縁部下面と対向する水平壁面を形設
し、その水平壁面に、前記内側部材の下面に当接して内
側部材を支持する凸状支持部を形成したことを特徴とす
る。

【００１６】請求項１に係る発明の基板の熱処理装置に
おいて、基板と基板支持部材とは、基板支持部材の水平
壁面に形成された凸状支持部を介して接触しているだけ
で、基板支持部材との接触部分が小さいので、基板支持
部材と基板との間での熱伝導による熱の移動量が少な
い。したがって、基板支持部材の円周方向における熱容
量および赤外線吸収量のばらつきや基板支持部材との接
触部分の円周方向における構造的不均一による影響が、
基板の周縁部に温度のうねりとなって現れる度合いが低
減する。また、基板と基板支持部材との接触部分の面積
は、基板の円周方向において常に均等になるので、基板
と基板支持部材との重なり代の円周方向におけるばらつ
きにより基板支持部材と基板との間での熱伝導による熱
の移動量が基板の円周方向において変化する、といった
ことがない。このため、基板面内の温度均一性を向上さ
せることが可能になる。また、基板の周縁部と重なる基
板支持部材の内周縁部は、基板支持部材の水平壁面と基
板下面との間に隙間が形成されるように薄く形成される
ので、その部分の熱容量が小さくなる。したがって、基
板支持部材との間での熱移動によって基板の周縁部で急
激な温度低下を生じることが防がれる。

【００１７】請求項２に係る発明の基板の熱処理装置に
おいては、基板支持部材が、内側部材と外側部材との互
いに分離した２つの部材から構成されているので、１枚
のリング状薄板からなる基板支持部材における半径方向
の温度勾配に比べ、内側部材および外側部材のそれぞれ
における半径方向の温度勾配が小さくなる。このため、
基板支持部材を構成する内側部材および外側部材のそれ
ぞれの熱応力が、１枚のリング状薄板からなる基板支持
部材に比べて小さくなる。したがって、基板支持部材が
１枚のリング状薄板から構成される場合に比べて、熱応
力による基板支持部材の変形によって基板との接触状態
が円周方向において変化する程度が小さくなる。このた
め、基板支持部材と基板との間での熱伝導による熱の移
動量の、基板の円周方向における変化が低減するので、
基板面内の温度均一性を向上させることが可能になる。
また、基板支持部材を構成する内側部材および外側部材
のそれぞれの熱応力が小さくなるので、基板支持部材の
耐久性が向上する。

【００１８】請求項３に係る発明の熱処理装置では、内
側部材と外側部材とは、外側部材の水平壁面に形成され
た凸状支持部を介して接触しているだけで、外側部材と
の接触部分が小さいので、外側部材と内側部材との間で
の熱伝導による熱の移動量が少ない。したがって、外側
部材の円周方向における熱容量および赤外線吸収量のば
らつきや外側部材との接触部分の円周方向における構造
的不均一による影響が、内側部材を介して基板の周縁部
に温度のうねりとなって現れる度合いが低減する。ま
た、内側部材と外側部材との接触部分の面積は、内側部
材の円周方向において常に均等になるので、内側部材と
外側部材との重なり代の円周方向におけるばらつきによ
り外側部材と内側部材との間での熱伝導による熱の移動
量が内側部材の円周方向において変化する、といったこ
とがない。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１ないし図３を参照しながら説明する。

【００２０】図１は、この発明の実施形態の１例を示
し、（ａ）は、基板の熱処理装置、例えば図４に示した
ようなランプアニール装置の構成要素であるウエハ支持
リングを半導体ウエハと共に示す平面図であり、（ｂ）
は、その拡大縦断面図である。ランプアニール装置の基
本構成は、図４に示した従来の装置と同様であるので、
ここでは、その説明を省略する。

【００２１】ウエハ支持リング１０は、従来と同様に、
例えばＳｉＣ等のセラミックスによって薄板状に形成さ
れ、かつ、内径がウエハＷの直径より小さく外径がウエ
ハＷの直径より大きいリング状に形成されている。ま
た、このウエハ支持リング１０は、その内周縁部上面が
段付き面に形成されており、ウエハＷの周端面と僅かな
間隙を介しウエハＷを取り囲むように対向する環状壁面
１２を有している。そして、このウエハ支持リング１０
では、ウエハＷの周縁部と重なり合う内周縁部が、図５
に示した従来のウエハ支持リング６２に比べて薄く形成
され、その内周薄板部１４の上面をなす水平壁面１６
に、ウエハＷの下面に当接してウエハＷを支持する凸状
支持部１８が全周にわたって一定幅で形成されている。
凸状支持部１８は、例えば、ウエハＷの周縁より０．５
ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは１ｍｍ〜４ｍｍだけ内側に当
接するように設けられ、また、幅寸法が０．１ｍｍ〜３
ｍｍ、好ましくは０．２５ｍｍ〜０．８５ｍｍ程度とさ
れる。ウエハＷの下面とウエハ支持リング１０とは線状
に接触するので、ウエハＷの下面とウエハ支持リング１
０の水平壁面１６とは、隙間をもって、例えば０．０５
ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程
度の隙間を介しほぼ平行をなして対向することになる。

【００２２】このような構成を有するウエハ支持リング
１０では、その水平壁面１６に形成された凸状支持部１
８を介してウエハＷと線状に接触するだけであり、従来
の装置のようにウエハＷとウエハ支持リング６２とが面
接触する場合に比べ、ウエハＷとウエハ支持リング１０
との接触部分が著しく小さくなっている。このため、ウ
エハ支持リング１０とウエハＷとの間での熱伝導による
熱の移動量が少なくなる。この結果、ウエハ支持リング
１０自体に円周方向における熱容量差があったり、ウエ
ハ支持リング１０とリング保持筒などとの接触部分が円
周方向において構造的に不均一であったり、ウエハ支持
リング１０自体の肉厚のばらつきにより、ウエハ支持リ
ング１０面上の位置によって熱容量に差があったり、ウ
エハ支持リング１０の表面状態の違いにより、ウエハ支
持リング１０面上の位置によって赤外線吸収量に差があ
ったりしても、それらによる影響が、ウエハＷの周縁部
に温度のうねりとなって現れる度合いが低減することに
なる。また、平面視でウエハＷとウエハ支持リング１０
との重なり代が円周方向における位置によって異なって
いても、ウエハＷとウエハ支持リング１０とは、一定幅
の凸状支持部１８の形成部分で接触しているだけである
ので、ウエハＷとウエハ支持リング１０との接触部分の
面積は、ウエハＷの円周方向において常に均等になる。
このため、ウエハＷとウエハ支持リング１０との間での
熱伝導による熱の移動量がウエハＷの円周方向において
変化する、といったことがない。これらのことにより、
ウエハＷの面内の温度均一性が向上することになる。ま
た、ウエハＷの周縁部と重なり合うウエハ支持リング１
０の内周薄板部１４は、その水平壁面１６とウエハＷと
の間に隙間が形成されるように薄く形成されているの
で、その部分の熱容量が小さい。このため、ウエハ支持
リング１０との間での熱移動によってウエハＷの周縁部
で急激な温度低下を生じることが防がれる。

【００２３】図２は、図１に示した実施形態の変形例を
示し、（ａ）は、ウエハ支持リングを半導体ウエハと共
に示す平面図であり、（ｂ）は、その拡大縦断面図であ
る。このウエハ支持リング２０も、図１に示したウエハ
支持リング１０と同様に、内周縁部上面が段付き面に形
成され、ウエハＷの周端面と僅かな間隙を介しウエハＷ
を取り囲むように対向する環状壁面２２、および、上面
をなす水平壁面２６がウエハＷと僅かな隙間を介しほぼ
平行をなして対向する内周薄板部２４を有している。そ
して、このウエハ支持リング２０では、内周薄板部２４
の水平壁面２６に、同一形状の微小突起からなる複数、
図示例では８つの凸状支持部２８が円周方向に等配され
て形成されている。このウエハ支持リング２０において
も、図１に示したウエハ支持リング１０と同様の作用効
果が得られる。

【００２４】図３は、図１および図２に示したものとは
異なる実施形態の１例を示し、（ａ）は、ウエハ支持リ
ングを半導体ウエハと共に示す平面図であり、（ｂ）
は、その拡大縦断面図である。このウエハ支持リング３
０は、それぞれＳｉＣ等のセラミックスによって薄板状
に形成された内側リング３２と外側リング３４との２つ
の薄板状リングから構成されている。内側リング３２と
外側リング３４とは、互いに分離しており、内側リング
３２は、内径がウエハＷの直径より小さく外径がウエハ
Ｗの直径より大きく、外側リング３４は、内径が内側リ
ング３２の外径より小さく外径が内側リング３２の外径
より大きい。

【００２５】内側リング３２は、その内周縁部上面が段
付き面に形成されて、ウエハＷの周端面と僅かな間隙を
介しウエハＷを取り囲むように対向する環状壁面３６、
および、ウエハＷの下面に当接してウエハＷを支持する
支持平面３８を有している。また、外側リング３４は、
その内周縁部上面が段付き面に形成されて、内側リング
３２の周端面を取り囲むように対向する環状壁面４０を
有し、また、内側リング３２の外周縁部と重なり合う内
周縁部が薄く形成され、その内周薄板部４２の上面をな
す水平壁面４４に、内側リング３２の下面に当接して内
側リング３２を支持する凸状支持部４６が全周にわたっ
て一定幅で形成されている。そして、内側リング３２の
下面と外側リング３４とは線状に接触するので、内側リ
ング３２の下面と外側リング３４の水平壁面４４とは、
隙間を介在させほぼ平行をなして対向している。

【００２６】このように互いに分離した内側リング３２
と外側リング３４との２つの薄板状リングから構成され
たウエハ支持リング３０では、１枚のリング状薄板から
構成されたウエハ支持リングにおける半径方向の温度勾
配に比べ、内側リング３２および外側リング３４のそれ
ぞれにおける半径方向の温度勾配が小さくなる。このた
め、ウエハ支持リング３０を構成する内側リング３２お
よび外側リング３４のそれぞれの熱応力が、１枚のリン
グ状薄板からなるウエハ支持リングに比べて小さくな
る。この結果、ウエハ支持リングが１枚のリング状薄板
から構成される場合に比べて、熱応力による内側リング
３２の変形によってウエハＷとの接触状態が円周方向に
おいて変化する程度が小さくなるので、内側リング３２
とウエハＷとの間での熱伝導による熱の移動量の、ウエ
ハＷの円周方向における変化が低減する。これにより、
ウエハＷの面内の温度均一性が向上することになる。ま
た、ウエハ支持リング３０を構成する内側リング３２お
よび外側リング３４のそれぞれの熱応力が小さくなるの
で、ウエハ支持リング３０の耐久性が向上する。

【００２７】また、内側リング３２と外側リング３４と
は、外側リング３４の水平壁面４４に形成された凸状支
持部４６を介して接触しているだけであるので、外側リ
ング３４と内側リング３２との間での熱伝導による熱の
移動量が少ない。この結果、外側リング３４の円周方向
における熱容量および赤外線吸収量のばらつきなどによ
る影響が、内側リング３２を介してウエハＷの周縁部に
温度のうねりとなって現れる度合いが低減する。また、
平面視で内側リング３２と外側リング３４との重なり代
が円周方向における位置によって異なっていても、内側
リング３２と外側リング３４とは、一定幅の凸状支持部
４６で接触しているだけであるので、内側リング３２と
外側リング３４との接触部分の面積は、ウエハＷの円周
方向において常に均等になる。このため、内側リング３
２と外側リング３４との間での熱伝導による熱の移動量
が内側リング３２の円周方向において変化する、といっ
たことがない。

【００２８】なお、図３に示したウエハ支持リング３０
において、外側リング３４の内周縁部を、図２に示した
ような構造としてもよい。また、図３に示した実施形態
では、外側リング３４の水平壁面４４に凸状支持部４６
を形成し、その凸状支持部４６を内側リング３２の下面
に当接させて、外側リング３４で内側リング３２を支持
しているが、外側リングの水平壁面に凸状支持部を形成
せずに、外側リングの内周薄板部の上面を単なる支持平
面として、内側リング３２の下面に外側リングを面接触
させて、外側リングで内側リング３２を支持するように
してもよい。また、内側リング３２の内周縁部を、図１
や図２に示したような構造とすることもできる。

【００２９】

【発明の効果】請求項１および請求項２に係る各発明の
基板の熱処理装置を使用すると、基板支持部材と基板と
の間での熱伝導の、円周方向における差によって基板の
周縁部に現れる影響を低減させることができるので、基
板面内の温度均一性を向上させることができる。また、
請求項２に係る発明の熱処理装置では、基板支持部材の
耐久性を向上させることができる。

【００３０】請求項３に係る発明の熱処理装置では、基
板面内の温度均一性をより向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態の１例を示し、（ａ）は、
基板の熱処理装置の構成要素であるウエハ支持リングを
半導体ウエハと共に示す平面図であり、（ｂ）は、その
拡大縦断面図である。

【図２】図１に示した実施形態の変形例を示し、（ａ）
は、ウエハ支持リングを半導体ウエハと共に示す平面図
であり、（ｂ）は、その拡大縦断面図である。

【図３】図１および図２に示したものとは異なる実施形
態の１例を示し、（ａ）は、ウエハ支持リングを半導体
ウエハと共に示す平面図であり、（ｂ）は、その拡大縦
断面図である。

【図４】ランプアニール装置の概略構成の１例を模式的
に示す側断面図である。

【図５】従来のランプアニール装置におけるウエハ支持
リングの構成例を示し、（ａ）は、ウエハ支持リングを
半導体ウエハと共に示す平面図であり、（ｂ）は、その
拡大縦断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ １０、２０、３０ ウエハ支持リング １２、２２ ウエハ支持リングの環状壁面 １４、２４ ウエハ支持リングの内周薄板部 １６、２６ ウエハ支持リングの水平壁面 １８、２８ ウエハ支持リングの凸状支持部 ３２ 内側リング ３４ 外側リング ３６ 内側リングの環状壁面 ３８ 内側リングの支持平面 ４０ 外側リングの環状壁面 ４２ 外側リングの内周薄板部 ４４ 外側リングの水平壁面 ４６ 外側リングの凸状支持部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 光和 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 伊藤 禎朗 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上部炉壁が光透過性材料で形成され、内
   部に基板が搬入されて保持される熱処理炉と、 内径が基板の直径より小さく外径が基板の直径より大き
   いリング状薄板からなり、前記熱処理炉内において基板
   を水平姿勢に支持する基板支持部材と、 前記熱処理炉内に保持された基板の上面に対向して配設
   され、前記上部炉壁を通して基板に光を照射して基板を
   加熱する加熱手段と、を備えた基板の熱処理装置におい
   て、 前記基板支持部材の内周縁部上面を段付き面に形成し
   て、基板の周端面と僅かな間隙を介し基板を取り囲むよ
   うに対向する環状壁面、および、基板の周縁部下面と対
   向する水平壁面を形設し、その水平壁面に、基板の下面
   に当接して基板を支持する凸状支持部を形成したことを
   特徴とする基板の熱処理装置。
2. 【請求項２】 上部炉壁が光透過性材料で形成され、内
   部に基板が搬入されて保持される熱処理炉と、 内径が基板の直径より小さく外径が基板の直径より大き
   いリング状薄板からなり、前記熱処理炉内において基板
   を水平姿勢に支持する基板支持部材と、 前記熱処理炉内に保持された基板の上面に対向して配設
   され、前記上部炉壁を通して基板に光を照射して基板を
   加熱する加熱手段と、を備えた基板の熱処理装置におい
   て、 前記基板支持部材を、 内径が基板の直径より小さく外径が基板の直径より大き
   いリング状薄板の内周縁部上面を段付き面に形成して、
   基板の周端面と僅かな間隙を介し基板を取り囲むように
   対向する環状壁面、および、基板の周縁部下面に当接し
   て基板を支持する支持平面が形設された内側部材と、 内径が前記内側部材の外径より小さく外径が内側部材の
   外径より大きいリング状薄板からなり内側部材を水平姿
   勢に支持する外側部材と、から構成したことを特徴とす
   る基板の熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記外側部材の内周縁部上面が段付き面
   に形成されて、前記内側部材の周端面と僅かな間隙を介
   し内側部材を取り囲むように対向する環状壁面、およ
   び、内側部材の周縁部下面と対向する水平壁面が形設さ
   れ、その水平壁面に、前記内側部材の下面に当接して内
   側部材を支持する凸状支持部が形成された請求項２記載
   の基板の熱処理装置。