JP3958931B2 - 急速熱処理(rtp)システムのための膨張可能なエラストマエレメント - Google Patents
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Description
【0001】
1.発明の分野
本発明は、膨張可能なOリングを使用してRTPチャンバの本体に大きな透明石英板をシールし、これにより板に均一な圧力を提供するための装置及び方法に関する。
【0002】
2.発明の背景
急速熱処理(RTP)は、半導体処理のために使用することができる多目的光加熱法及び薄いシート、スラブ又はディスクとしての対象物又はウエハを加熱するための一般的な制御性のよい方法である。対象物は通常一度に1つチャンバ内へ挿入され、このチャンバは、強力な加熱ランプからの放射を透過させるために透明な、チャンバ壁部の少なくとも所定の部分を有している。壁部の透明部分は通常石英製であり、この透明部分は、3〜4ミクロンまでの波長の放射を透過させる。これらのランプは、通常タングステンハロゲンランプであるが、アークランプ又はその他のあらゆる可視放射源及び/又は近赤外放射源を使用してもよい。ランプからの放射は、壁部の透明部分を通過して、加熱したい対象物の表面へ送られる。対象物が、壁部の透明部分によって透過させられる近赤外又は可視スペクトル領域の光を吸収する限り、RTP技術は、種々異なる材料処理及び条件に対して温度及びプロセスガスの迅速な変化を許容する。RTPは、様々な半導体処理の“熱予算”を低減させ、また、材料が急速に冷却される場合に、“凍結”することができる様々な準安定状態の製造を許容する。
【0003】
RTPシステムは比較的新しい。最近の10〜15年に、このようなシステムは研究開発においてのみ使用された。作業の促進力は、温度の均一性を増大すること及び熱予算を減じるような加熱サイクル及びプロセスを発展することであっった。従来のRTP機械は、平らな板又はディスクとしての非構造的な均一の材料を加熱することができ、半導体処理プロセスにとって十分な板上の温度均一性を生ぜしめることができる。
【0004】
現在のRTPシステムにおける温度制御は、半導体ウエハの比較的構造化されていない特徴のない裏側の温度を測定する単色(若しくは狭い波長帯)の高温測定法によってほとんど行われる。温度測定の結果は、通常、加熱ランプ動力を制御するためにフィードバック制御において使用される。しかしながら、可変の放射率を備えた、裏側がコーティングされたウエハは、このように使用することができず、裏側の層は、通常エッチング除去されるか、温度は接触熱電対を使用して測定される。
【0005】
温度制御のより新たな方法は、米国特許第5359693号明細書に記載された、動力制御される開ループ加熱である。この特許は引用によりここに組み込まれる。
【0006】
引用によりここに組み込まれるドイツ連邦共和国特許第4223133号明細書には、RTP機械において比較的欠点のない材料を製造する方法が開示されている。装置により誘発される熱不均一性は、より均一な処理の要求によりここ数年で減少している。使用される技術の中で、個々のランプ動力の制御、円形のランプの使用、独立した動力制御を用いる半導体ウエハの回転であった。
【0007】
ほとんどのRTP機械は、一方の端部が開放した、薄い矩形の石英反応チャンバを有している。この反応チャンバは、従来公知の形式で結合された(“溶接された”)平らな石英板のセットから形成されている。真空使用目的のチャンバは、しばしば扁平な楕円形横断面を有している。チャンバは、平らな円筒状のパンケーキ状に形成することもできる。概して、チャンバは、加熱したい薄い対象物が水平に保持されるように使用されるが、対象物が鉛直又はあらゆる好都合な向きに保持されるように使用されてもよい。反応チャンバは、通常、ランプを、加熱したい対象物の近傍に配置するために薄い。反応チャンバは、ウエハ処理システムが動作中には、ニューマチック式に作動されるドアによって一方の端部において開閉される。ドアは、通常ステンレス鋼から形成されており、内側に取り付けられた石英板を有していてよい。プロセスガスは、ドアとは反対側からチャンバ内へ導入され、ドア側から排出される。プロセスガス流は、従来公知の形式で様々なマニホルドに結合されたコンピュータ制御弁によって制御される。
【0008】
ウエハサイズが300mmにまで増大するに従い、石英の“箱”は製造及び使用することが次第に高価となる。RTPチャンバ内の補助装置の量及びサイズも、同じ割合で増大する。しかしながら、種々異なる材料から形成されたRTPチャンバは、高温のウエハが長い波長の赤外放射を放射するという問題を有しており、この放射は、可視光及び近赤外光のみに対して透過性であるRTPシステムの石英壁を加熱してしまう。また、システムの透明な壁部を、不透明な壁部の異なる材料にシールすることは困難である。なぜならば、種々異なる材料の膨張の差が、RTPチャンバの様々な部分の相対的な移動につながるからである。膨張の差は、石英板の様々な部分における極めて不均一な力につながり、このような力が、極めて高価な板を割ってしまうおそれがある。
【0009】
石英板とRTPチャンバの他の部分との相対的な移動は、シール材料を擦り、チャンバの汚染を生ぜしめるおそれがある。この汚染は、特にシステムが極めてクリーンでなければならず、システムの壁部からウエハ蒸気の全ての跡を除去するためにシステム全体が焼かれなければならず、通常のシール材料が、良好なCVD成長を妨げるために十分な材料をガス発生するような、シリコン−ゲルマニウムの化学蒸着(CVD)にとって悪い。金属製ガスケットを使用しなければならず、この金属製ガスケットは、高圧で圧縮されなければならず、石英板の不均一な加熱に基づき、板は割れてしまう。
【0010】
3.関連する適用例
RTP原理に基づく反応装置では、しばしば、ウエハ処理プロセスの間、反応チャンバの一方の端部の横断面全体が開放している。このような構成が形成されるのは、様々なウエハホルダ、保護リング及び、ウエハよりも著しく大きな寸法を有しかつ厚いガス分散板を室内に導入しなければならず、また、プロセスが変更されたり例えば種々異なるウエハサイズが使用されたりした場合に容易かつ迅速に交換しなければならないからである。反応チャンバの寸法はこれらの補助的な部材を考慮して決定しなければならない。本発明の譲受人に譲渡されかつ引用によりここに組み込まれた米国特許第5580830号明細書は、ガス流を調整しかつプロセスチャンバにおける不純物を制御するためにガス流の重要性とドアに設けられた開口の使用とを教示している。
【0011】
慣用のRTPシステムにおいて加熱したいウエハは、通常、複数の石英ピン上に載置され、これらの石英ピンは、ウエハをシステムの反射壁に対して平行に正確に保持する。従来のシステムは、ウエハ、通常均一なシリコンウエハを、装備されたサセプタに載置させている。
【0012】
本発明の譲受人に譲渡されかつ引用によりここに組み込まれた係属中の特許出願第08/537409号明細書は、ウエハから分離されたサセプタ板の重要性を教示している。
【0013】
III−IV型半導体の急速熱処理は、シリコンのRTPほど成功していない。その理由の1つは、表面が、例えば砒化ガリウム(GaAs)の場合における砒素(As)の比較的高い蒸気圧力を有しているということである。表面領域は、Asが枯渇し、材料の質が悪化する。本発明の譲受人に譲渡された、引用によりここに組み込まれる継続中の特許出願第08/631265号明細書は、この問題を克服するための方法及び装置を提供している。
【0014】
発明の課題
本発明の課題は、クリーンかつ気密であり、チャンバの多くの加熱及び冷却サイクルの後にもクリーンかつ気密のままであるようなRTPシステムを提供することである。本発明の課題は、浄化のため及びチャンバへの補助装置の装填のために迅速かつ容易に分解されるようなRTPチャンバを提供することである。本発明の課題は、清浄度の超高真空標準にまで浄化することができるRTPチャンバを提供することである。
【0015】
発明の概要
RTPシステムの処理室の石英板窓は、膨張可能な弾性的なエレメントを使用してチャンバの本体にシールされている。前記エレメントは、RTPシステムの急速熱サイクルの間に窓及び本体が加熱及び冷却される場合に窓及び本体の相対的な移動に拘わらず窓に均一に押し付けられる。
【0016】
発明の詳細な説明
図1には、ランプ16及び18のセットからの放射によって加熱するために石英ピン14によって所定の位置に支持されたウエハ12を備えた、従来のRTPチャンバ10を示す横断面図が示されている。チャンバ10は、極めて研磨された内壁22を有するハウジング20によって支持されている。チャンバ10のための気密シールを形成するためにドア24が使用されている。ウエハ10の温度は、高温計26によって測定される。コンピュータ又はその他の制御手段28が高温計26から温度の読取りを受け取り、ランプ16及び18を制御し、予めプログラムされたスケジュールに従ってウエハを加熱する。コンピュータ28は、ガス流制御装置30を制御するためにも働き、このガス流制御装置30は、プロセスガス28をチャンバ10へ導入する。
【0017】
図2には、本発明の最も有利な実施例が示されている。ウエハ10は、石英ピン(図示せず)によって処理するための位置に保持されている。ランプ16の1つのセットが示されている。図2に示したRTPチャンバは、本体30と、少なくとも1つの板32とから成っており、この板32は、ランプ16又はRTPの技術において知られているようなその他の放射源からの放射に対して透過性である。チャンバの本体30は、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属から形成されていると有利である。ウエハ10を挿入するために開口(図示せず)が本体に加工されている。ウエハ12が加熱される場合にチャンバ内のプロセスガスを保持するためにこの開口をシールするために、ドア(図示せず)が使用されてよい。チャンバへのガス供給源は図示していない。ガス供給システム及びガス制御システムは当該技術分野においてよく知られている。本体30は、中空の円筒又は中空の矩形であってよい。
【0018】
板32及び32は、石英から形成されていると有利であり、これらの板は、ランプ16からの放射のほとんどに対してほぼ透過性である。しかしながら、石英は、約4ミクロンよりも長い波長を有する放射を吸収する。ウエハが高温の場合、ウエハは、4ミクロンよりも長い波長を有する遠赤外線においてエネルギを放射し、このような放射は、石英の板32において極めて容易に吸収される。チャンバの本体30は、容易に水冷却されてよく、板32は空気流によって冷却され、しかしながら、本体30と板32との温度差及び板32に亘って生じる温度差は、本体30と板32との相対的な移動を生ぜしめる。Oリングシールを使用し、板32を本体30に対してボルト締めする典型的なシール方法は、しばしば石英の板の割れを生ぜしめる。図2に示したように膨張可能なOリング等の膨張可能な部材34が使用されてよく、これにより、膨張可能な弾性的な部材が膨張させられた場合に板32に対して一定圧力を加える。膨張可能なOリング34を所定の位置に保持するために、Oリング溝を備えたリング35が示されている。板32をシールエレメント36に対して押し付けるために膨張可能なエレメント34を膨張させることによってシールが作動させられた場合にRTPチャンバの本体30と板32との間のガス流を妨げるために、シールエレメント36が使用されてよい。シールエレメント36は、エラストマ製のOリングであってよい。最も有利なシールエレメント36はテフロン(TM)等の完全にフッ素化された材料から形成されている。典型的なvitonOリングは、板32と本体30との相対的な移動によって擦られ、チャンバ及びウエハ12を汚染する。さらに、板32の中心から板の外側へ伝達される熱が、シールエレメント36へ引き渡され、シールエレメント36の温度を、シールエレメントが悪化して汚染を生ぜしめるような点にまで上昇させる。テフロン(TM)のシールエレメントを使用することによってこれらの両問題が回避される。図2に示した円で包囲した領域Aは、発明者によって予想される様々な実施例のうちのいくつかのための以下の図面に拡大図として示されている図面の領域を示している。
【0019】
膨張可能なエレメント34は、膨張可能なエラストマ製のエレメントであっても、所要の弾性を与えるための金属製ベローズ装置であってもよい。
【0020】
図3には、本発明の択一的な有利な実施例が示されており、この場合、膨張可能なエレメント34は、円形の石英の板32の周縁に沿って伸びている。板32と本体30との相対的な移動はこの場合膨張可能なOリングを圧縮し、膨張可能なOリングの表面の擦りにはつながらない。図3に示した実施例では、膨張可能なエレメント自体が、膨張させられた場合に板32を本体30に対してシールする。図3及びその他の実施例に示した実施例においては、膨張可能なエレメント34の多くの横断面が使用されてよい。膨張可能なエレメント34を膨張させるために使用される流体のためのラインはこれらの図面には示していない。
【0021】
図4には、図2の領域Aの拡大図が示されている。図5には、図3の対応する部分の図が示されている。図6には、テフロン製の薄いシート40によって、板32の温度が上昇した場合に図2の膨張可能なエラストマ製のエレメント34が板32に付着しないように保護されているような、システムのための対応する領域が示されている。また、図6には、板32の中心領域を取り囲むように不透明な石英42を備える板32が示されている。不透明な石英42は、多くの小さな真空充填された空所を有しており、これらの空所は、ランプ16からの可視光を分散させ、可視光及び近赤外光がエレメント34に伝達されることを妨げ、また、板32の中心から板32の周縁にまで熱で伝達される振動を低減する。
【0022】
図7には膨張可能なOリング34の概略図が示されており、このOリング34はシールするために及び本体30を板32にシールするために所要の圧力を加えるために使用される。
【0023】
図8には、超高真空技術分野において知られる軟質胴ガスケット又はシール44であるシールエレメントが示されている。このようなシールは、例えばSi−Ge CVDを行うためのチャンバにおいて最高純度が必要とされる場合に必要である。このような超高純度作業のための択一的でより有利なシールエレメントが図9に示されており、この場合、シールエレメントとして金属コーティングされた弾性的なエレメント46が示されている。
【0024】
前記詳述は単一エレメント石英又はその他の透明板を扱っているが、公知の形式で金属と結合された透明板が上に示した形式でシールされていてもよいことが発明者によって予測される。
【0025】
書き手は、RTPチャンバのシールを行うために多くの種々異なる膨張可能な弾性的なエレメントが使用されてよいと予測する。特に、このような使用のためにより高い温度の材料が使用され又は発明されてよく、特定の形状は、特定のプロセスによく適していてよい。このような新たな材料及び種々異なる形状の使用は、この開示の結果として当業者に明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 加熱ランプの2つの列を備えた従来の開放端部石英反応チャンバRTPシステムを示す図である。
【図2】 本発明の最も有利な実施例のRTPチャンバを示す図である。
【図3】 本発明の有利な実施例のRTPチャンバを示す図である。
【図4】 図2の領域Aの拡大図である。
【図5】 図3の領域の拡大図である。
【図6】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【図7】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【図8】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【図9】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【符号の説明】
10 RTPチャンバ、 12 ウエハ、 14 石英ピン、 16,18 ランプ、 20 ハウジング、 22 内壁、 24 ドア、 26 高温計、 28 コンピュータ、 30 ガス流制御装置、 32 板、 34 膨張可能な部材、 35 リング、 36 シールエレメント
1.発明の分野
本発明は、膨張可能なOリングを使用してRTPチャンバの本体に大きな透明石英板をシールし、これにより板に均一な圧力を提供するための装置及び方法に関する。
【0002】
2.発明の背景
急速熱処理(RTP)は、半導体処理のために使用することができる多目的光加熱法及び薄いシート、スラブ又はディスクとしての対象物又はウエハを加熱するための一般的な制御性のよい方法である。対象物は通常一度に1つチャンバ内へ挿入され、このチャンバは、強力な加熱ランプからの放射を透過させるために透明な、チャンバ壁部の少なくとも所定の部分を有している。壁部の透明部分は通常石英製であり、この透明部分は、3〜4ミクロンまでの波長の放射を透過させる。これらのランプは、通常タングステンハロゲンランプであるが、アークランプ又はその他のあらゆる可視放射源及び/又は近赤外放射源を使用してもよい。ランプからの放射は、壁部の透明部分を通過して、加熱したい対象物の表面へ送られる。対象物が、壁部の透明部分によって透過させられる近赤外又は可視スペクトル領域の光を吸収する限り、RTP技術は、種々異なる材料処理及び条件に対して温度及びプロセスガスの迅速な変化を許容する。RTPは、様々な半導体処理の“熱予算”を低減させ、また、材料が急速に冷却される場合に、“凍結”することができる様々な準安定状態の製造を許容する。
【0003】
RTPシステムは比較的新しい。最近の10〜15年に、このようなシステムは研究開発においてのみ使用された。作業の促進力は、温度の均一性を増大すること及び熱予算を減じるような加熱サイクル及びプロセスを発展することであっった。従来のRTP機械は、平らな板又はディスクとしての非構造的な均一の材料を加熱することができ、半導体処理プロセスにとって十分な板上の温度均一性を生ぜしめることができる。
【0004】
現在のRTPシステムにおける温度制御は、半導体ウエハの比較的構造化されていない特徴のない裏側の温度を測定する単色(若しくは狭い波長帯)の高温測定法によってほとんど行われる。温度測定の結果は、通常、加熱ランプ動力を制御するためにフィードバック制御において使用される。しかしながら、可変の放射率を備えた、裏側がコーティングされたウエハは、このように使用することができず、裏側の層は、通常エッチング除去されるか、温度は接触熱電対を使用して測定される。
【0005】
温度制御のより新たな方法は、米国特許第5359693号明細書に記載された、動力制御される開ループ加熱である。この特許は引用によりここに組み込まれる。
【0006】
引用によりここに組み込まれるドイツ連邦共和国特許第4223133号明細書には、RTP機械において比較的欠点のない材料を製造する方法が開示されている。装置により誘発される熱不均一性は、より均一な処理の要求によりここ数年で減少している。使用される技術の中で、個々のランプ動力の制御、円形のランプの使用、独立した動力制御を用いる半導体ウエハの回転であった。
【0007】
ほとんどのRTP機械は、一方の端部が開放した、薄い矩形の石英反応チャンバを有している。この反応チャンバは、従来公知の形式で結合された(“溶接された”)平らな石英板のセットから形成されている。真空使用目的のチャンバは、しばしば扁平な楕円形横断面を有している。チャンバは、平らな円筒状のパンケーキ状に形成することもできる。概して、チャンバは、加熱したい薄い対象物が水平に保持されるように使用されるが、対象物が鉛直又はあらゆる好都合な向きに保持されるように使用されてもよい。反応チャンバは、通常、ランプを、加熱したい対象物の近傍に配置するために薄い。反応チャンバは、ウエハ処理システムが動作中には、ニューマチック式に作動されるドアによって一方の端部において開閉される。ドアは、通常ステンレス鋼から形成されており、内側に取り付けられた石英板を有していてよい。プロセスガスは、ドアとは反対側からチャンバ内へ導入され、ドア側から排出される。プロセスガス流は、従来公知の形式で様々なマニホルドに結合されたコンピュータ制御弁によって制御される。
【0008】
ウエハサイズが300mmにまで増大するに従い、石英の“箱”は製造及び使用することが次第に高価となる。RTPチャンバ内の補助装置の量及びサイズも、同じ割合で増大する。しかしながら、種々異なる材料から形成されたRTPチャンバは、高温のウエハが長い波長の赤外放射を放射するという問題を有しており、この放射は、可視光及び近赤外光のみに対して透過性であるRTPシステムの石英壁を加熱してしまう。また、システムの透明な壁部を、不透明な壁部の異なる材料にシールすることは困難である。なぜならば、種々異なる材料の膨張の差が、RTPチャンバの様々な部分の相対的な移動につながるからである。膨張の差は、石英板の様々な部分における極めて不均一な力につながり、このような力が、極めて高価な板を割ってしまうおそれがある。
【0009】
石英板とRTPチャンバの他の部分との相対的な移動は、シール材料を擦り、チャンバの汚染を生ぜしめるおそれがある。この汚染は、特にシステムが極めてクリーンでなければならず、システムの壁部からウエハ蒸気の全ての跡を除去するためにシステム全体が焼かれなければならず、通常のシール材料が、良好なCVD成長を妨げるために十分な材料をガス発生するような、シリコン−ゲルマニウムの化学蒸着(CVD)にとって悪い。金属製ガスケットを使用しなければならず、この金属製ガスケットは、高圧で圧縮されなければならず、石英板の不均一な加熱に基づき、板は割れてしまう。
【0010】
3.関連する適用例
RTP原理に基づく反応装置では、しばしば、ウエハ処理プロセスの間、反応チャンバの一方の端部の横断面全体が開放している。このような構成が形成されるのは、様々なウエハホルダ、保護リング及び、ウエハよりも著しく大きな寸法を有しかつ厚いガス分散板を室内に導入しなければならず、また、プロセスが変更されたり例えば種々異なるウエハサイズが使用されたりした場合に容易かつ迅速に交換しなければならないからである。反応チャンバの寸法はこれらの補助的な部材を考慮して決定しなければならない。本発明の譲受人に譲渡されかつ引用によりここに組み込まれた米国特許第5580830号明細書は、ガス流を調整しかつプロセスチャンバにおける不純物を制御するためにガス流の重要性とドアに設けられた開口の使用とを教示している。
【0011】
慣用のRTPシステムにおいて加熱したいウエハは、通常、複数の石英ピン上に載置され、これらの石英ピンは、ウエハをシステムの反射壁に対して平行に正確に保持する。従来のシステムは、ウエハ、通常均一なシリコンウエハを、装備されたサセプタに載置させている。
【0012】
本発明の譲受人に譲渡されかつ引用によりここに組み込まれた係属中の特許出願第08/537409号明細書は、ウエハから分離されたサセプタ板の重要性を教示している。
【0013】
III−IV型半導体の急速熱処理は、シリコンのRTPほど成功していない。その理由の1つは、表面が、例えば砒化ガリウム(GaAs)の場合における砒素(As)の比較的高い蒸気圧力を有しているということである。表面領域は、Asが枯渇し、材料の質が悪化する。本発明の譲受人に譲渡された、引用によりここに組み込まれる継続中の特許出願第08/631265号明細書は、この問題を克服するための方法及び装置を提供している。
【0014】
発明の課題
本発明の課題は、クリーンかつ気密であり、チャンバの多くの加熱及び冷却サイクルの後にもクリーンかつ気密のままであるようなRTPシステムを提供することである。本発明の課題は、浄化のため及びチャンバへの補助装置の装填のために迅速かつ容易に分解されるようなRTPチャンバを提供することである。本発明の課題は、清浄度の超高真空標準にまで浄化することができるRTPチャンバを提供することである。
【0015】
発明の概要
RTPシステムの処理室の石英板窓は、膨張可能な弾性的なエレメントを使用してチャンバの本体にシールされている。前記エレメントは、RTPシステムの急速熱サイクルの間に窓及び本体が加熱及び冷却される場合に窓及び本体の相対的な移動に拘わらず窓に均一に押し付けられる。
【0016】
発明の詳細な説明
図1には、ランプ16及び18のセットからの放射によって加熱するために石英ピン14によって所定の位置に支持されたウエハ12を備えた、従来のRTPチャンバ10を示す横断面図が示されている。チャンバ10は、極めて研磨された内壁22を有するハウジング20によって支持されている。チャンバ10のための気密シールを形成するためにドア24が使用されている。ウエハ10の温度は、高温計26によって測定される。コンピュータ又はその他の制御手段28が高温計26から温度の読取りを受け取り、ランプ16及び18を制御し、予めプログラムされたスケジュールに従ってウエハを加熱する。コンピュータ28は、ガス流制御装置30を制御するためにも働き、このガス流制御装置30は、プロセスガス28をチャンバ10へ導入する。
【0017】
図2には、本発明の最も有利な実施例が示されている。ウエハ10は、石英ピン(図示せず)によって処理するための位置に保持されている。ランプ16の1つのセットが示されている。図2に示したRTPチャンバは、本体30と、少なくとも1つの板32とから成っており、この板32は、ランプ16又はRTPの技術において知られているようなその他の放射源からの放射に対して透過性である。チャンバの本体30は、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属から形成されていると有利である。ウエハ10を挿入するために開口(図示せず)が本体に加工されている。ウエハ12が加熱される場合にチャンバ内のプロセスガスを保持するためにこの開口をシールするために、ドア(図示せず)が使用されてよい。チャンバへのガス供給源は図示していない。ガス供給システム及びガス制御システムは当該技術分野においてよく知られている。本体30は、中空の円筒又は中空の矩形であってよい。
【0018】
板32及び32は、石英から形成されていると有利であり、これらの板は、ランプ16からの放射のほとんどに対してほぼ透過性である。しかしながら、石英は、約4ミクロンよりも長い波長を有する放射を吸収する。ウエハが高温の場合、ウエハは、4ミクロンよりも長い波長を有する遠赤外線においてエネルギを放射し、このような放射は、石英の板32において極めて容易に吸収される。チャンバの本体30は、容易に水冷却されてよく、板32は空気流によって冷却され、しかしながら、本体30と板32との温度差及び板32に亘って生じる温度差は、本体30と板32との相対的な移動を生ぜしめる。Oリングシールを使用し、板32を本体30に対してボルト締めする典型的なシール方法は、しばしば石英の板の割れを生ぜしめる。図2に示したように膨張可能なOリング等の膨張可能な部材34が使用されてよく、これにより、膨張可能な弾性的な部材が膨張させられた場合に板32に対して一定圧力を加える。膨張可能なOリング34を所定の位置に保持するために、Oリング溝を備えたリング35が示されている。板32をシールエレメント36に対して押し付けるために膨張可能なエレメント34を膨張させることによってシールが作動させられた場合にRTPチャンバの本体30と板32との間のガス流を妨げるために、シールエレメント36が使用されてよい。シールエレメント36は、エラストマ製のOリングであってよい。最も有利なシールエレメント36はテフロン(TM)等の完全にフッ素化された材料から形成されている。典型的なvitonOリングは、板32と本体30との相対的な移動によって擦られ、チャンバ及びウエハ12を汚染する。さらに、板32の中心から板の外側へ伝達される熱が、シールエレメント36へ引き渡され、シールエレメント36の温度を、シールエレメントが悪化して汚染を生ぜしめるような点にまで上昇させる。テフロン(TM)のシールエレメントを使用することによってこれらの両問題が回避される。図2に示した円で包囲した領域Aは、発明者によって予想される様々な実施例のうちのいくつかのための以下の図面に拡大図として示されている図面の領域を示している。
【0019】
膨張可能なエレメント34は、膨張可能なエラストマ製のエレメントであっても、所要の弾性を与えるための金属製ベローズ装置であってもよい。
【0020】
図3には、本発明の択一的な有利な実施例が示されており、この場合、膨張可能なエレメント34は、円形の石英の板32の周縁に沿って伸びている。板32と本体30との相対的な移動はこの場合膨張可能なOリングを圧縮し、膨張可能なOリングの表面の擦りにはつながらない。図3に示した実施例では、膨張可能なエレメント自体が、膨張させられた場合に板32を本体30に対してシールする。図3及びその他の実施例に示した実施例においては、膨張可能なエレメント34の多くの横断面が使用されてよい。膨張可能なエレメント34を膨張させるために使用される流体のためのラインはこれらの図面には示していない。
【0021】
図4には、図2の領域Aの拡大図が示されている。図5には、図3の対応する部分の図が示されている。図6には、テフロン製の薄いシート40によって、板32の温度が上昇した場合に図2の膨張可能なエラストマ製のエレメント34が板32に付着しないように保護されているような、システムのための対応する領域が示されている。また、図6には、板32の中心領域を取り囲むように不透明な石英42を備える板32が示されている。不透明な石英42は、多くの小さな真空充填された空所を有しており、これらの空所は、ランプ16からの可視光を分散させ、可視光及び近赤外光がエレメント34に伝達されることを妨げ、また、板32の中心から板32の周縁にまで熱で伝達される振動を低減する。
【0022】
図7には膨張可能なOリング34の概略図が示されており、このOリング34はシールするために及び本体30を板32にシールするために所要の圧力を加えるために使用される。
【0023】
図8には、超高真空技術分野において知られる軟質胴ガスケット又はシール44であるシールエレメントが示されている。このようなシールは、例えばSi−Ge CVDを行うためのチャンバにおいて最高純度が必要とされる場合に必要である。このような超高純度作業のための択一的でより有利なシールエレメントが図9に示されており、この場合、シールエレメントとして金属コーティングされた弾性的なエレメント46が示されている。
【0024】
前記詳述は単一エレメント石英又はその他の透明板を扱っているが、公知の形式で金属と結合された透明板が上に示した形式でシールされていてもよいことが発明者によって予測される。
【0025】
書き手は、RTPチャンバのシールを行うために多くの種々異なる膨張可能な弾性的なエレメントが使用されてよいと予測する。特に、このような使用のためにより高い温度の材料が使用され又は発明されてよく、特定の形状は、特定のプロセスによく適していてよい。このような新たな材料及び種々異なる形状の使用は、この開示の結果として当業者に明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 加熱ランプの2つの列を備えた従来の開放端部石英反応チャンバRTPシステムを示す図である。
【図2】 本発明の最も有利な実施例のRTPチャンバを示す図である。
【図3】 本発明の有利な実施例のRTPチャンバを示す図である。
【図4】 図2の領域Aの拡大図である。
【図5】 図3の領域の拡大図である。
【図6】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【図7】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【図8】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【図9】 本発明の有利な実施例を示す拡大図である。
【符号の説明】
10 RTPチャンバ、 12 ウエハ、 14 石英ピン、 16,18 ランプ、 20 ハウジング、 22 内壁、 24 ドア、 26 高温計、 28 コンピュータ、 30 ガス流制御装置、 32 板、 34 膨張可能な部材、 35 リング、 36 シールエレメント
Claims (14)
- 急速熱処理(RTP)チャンバにおいて、本体と、該本体の近傍に保持された少なくとも1つの板とが設けられており、該板の少なくとも一部が、RTPシステムの放射源からの放射に対し透過性であり、前記板が、前記本体に対して気密シールを形成しており、該気密シールが、膨張可能なエレメントによって形成されるようになっており、前記本体と前記板との間にシールエレメントが配置されており、膨張可能なエレメントが膨張させられた場合に該膨張可能なエレメントが板と本体とを互いに対して押し付けるようになっており、前記膨張可能なエレメントと板との間に耐高温材料が配置されていることを特徴とする、急速熱処理チャンバ。
- 前記耐高温材料がテフロンである、請求項1記載の装置。
- 前記シールエレメントが、テフロンシールエレメントである、請求項1記載の装置。
- 前記シールエレメントが、銅ガスケット超高真空シールエレメントである、請求項1記載の装置。
- 前記シールエレメントが、金属で被覆されたエラストマのシールエレメントである、請求項1記載の装置。
- 前記膨張可能なエレメントが、板と本体との間に配置されている、請求項1記載の装置。
- 前記板が、周縁部を有する円形の板であり、前記膨張可能なエレメントが、板の周縁部を取り囲むように配置されている、請求項1記載の装置。
- 前記板が、板の周縁の近傍に、放射を分散させる領域を有する石英の板である、請求項1記載の装置。
- 急速熱処理(RTP)システムにおいて、
放射源と、RTPチャンバとが設けられており、
該RTPチャンバが、本体と、該本体の近傍に保持された少なくとも1つの板とを有しており、該板の少なくとも一部が、放射源からの放射に対して透過性であり、前記板が、本体に対して気密シールを形成しており、気密シールが、膨張可能なエレメントによって形成されるようになっており、
さらに、RTPチャンバにガスを導入するためのガス制御手段と、
RTPチャンバ内に収容された対象物を加熱するために放射源を制御する手段と、対象物が加熱されている場合に該対象物を適切なガスで取り囲むために前記ガス制御手段を制御する手段とが設けられており、前記本体と前記板との間にシールエレメントが配置されており、前記膨張可能なエレメントが膨張させられた場合に該膨張可能なエレメントが板と本体とを互いに対して押し付けるようになっており、前記膨張可能なエレメントと板との間に耐高温材料が配置されていることを特徴とする、急速熱処理システム。 - 前記耐高温材料がテフロンである、請求項9記載のシステム。
- 前記シールエレメントが、テフロンシールエレメントである、請求項9記載のシステム。
- RTPシステムを用いて対象物を急速熱処理(RTP)する方法において、
本体と、該本体の近傍に保持された少なくとも1つの板とを有しており、該板の少なくとも一部がRTPシステムの放射源からの放射に対して透過性であり、前記板が、本体に対して気密シールを形成しており、該気密シールが、膨張可能なエレメントによって形成されるようになっているRTPチャンバに、対象物を配置し、
放射源からの放射によって対象物を加熱し、
前記本体と前記板との間にシールエレメントが配置されており、膨張可能なエレメントが膨張させられた場合に該膨張エレメントが板と本体とを互いに対して押し付けるようになっており、前記膨張可能なエレメントと前記板との間に耐高温材料が配置されていることを特徴とする、RTPシステムを用いて対象物を急速熱処理する方法。 - 前記耐高温材料がテフロンである、請求項12記載の方法。
- 前記シールエレメントが、テフロンシールエレメントである、請求項12記載の方法。
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