JPH04350168A - 減圧ｃｖｄ装置の使用方法 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置の使用方法Info
- Publication number
- JPH04350168A JPH04350168A JP12105091A JP12105091A JPH04350168A JP H04350168 A JPH04350168 A JP H04350168A JP 12105091 A JP12105091 A JP 12105091A JP 12105091 A JP12105091 A JP 12105091A JP H04350168 A JPH04350168 A JP H04350168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- temp
- durability
- pressure cvd
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程にお
ける減圧ＣＶＤ装置に使用されているＯリングの耐久性
向上方法に関するものである。
ける減圧ＣＶＤ装置に使用されているＯリングの耐久性
向上方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体製造工程の減圧ＣＶＤ
装置１には図２に示すようにアウターチューブ２とフラ
ンジ５のあいだをシールするためのＯリング４が使用さ
れている。このＯリング４はスタンバイ時、ローディン
グ時、アンローディング時には、図２に示すように炉口
が開いているために、ヒーター３により加熱されたアウ
ターチューブ２からの輻射熱によりフランジ５が加熱さ
れて温度が上昇し、アウターチューブ２とフランジ５に
はさまれたＯリング４も温度が上昇し、プロセス温度で
ある７００℃以上の高温にさらされる機会が多く、Ｏリ
ング４の耐久性を劣化させることになる。
装置１には図２に示すようにアウターチューブ２とフラ
ンジ５のあいだをシールするためのＯリング４が使用さ
れている。このＯリング４はスタンバイ時、ローディン
グ時、アンローディング時には、図２に示すように炉口
が開いているために、ヒーター３により加熱されたアウ
ターチューブ２からの輻射熱によりフランジ５が加熱さ
れて温度が上昇し、アウターチューブ２とフランジ５に
はさまれたＯリング４も温度が上昇し、プロセス温度で
ある７００℃以上の高温にさらされる機会が多く、Ｏリ
ング４の耐久性を劣化させることになる。
【０００３】Ｏリング４の耐久性を向上するためには、
Ｏリング４をプロセス温度である７００℃以上の高温に
さらされないように冷却水路６に流す冷却水の流量を増
加させて冷却効率を高めればよい。また、Ｏリング４を
耐熱性の高い材質で作成すればよい。
Ｏリング４をプロセス温度である７００℃以上の高温に
さらされないように冷却水路６に流す冷却水の流量を増
加させて冷却効率を高めればよい。また、Ｏリング４を
耐熱性の高い材質で作成すればよい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｏリン
グ４の耐久性を向上するために、冷却水の流量を増加し
てＯリング４の冷却効率を高めようとした場合、プロセ
ス時に冷却水によりフランジ５までが冷却されてフラン
ジ５の温度が低下してしまうために、フランジ５に反応
生成物が多く付着してパーティクルの発生源となる。そ
れ故、冷却水の流量をあまり増加することはできない。 また、Ｏリング４を耐熱性の高い材質、例えば、カルデ
ッツ（Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製）で作成すればよいのであ
るが、この場合、コストが数十倍と非常に高くなり実用
的ではない。
グ４の耐久性を向上するために、冷却水の流量を増加し
てＯリング４の冷却効率を高めようとした場合、プロセ
ス時に冷却水によりフランジ５までが冷却されてフラン
ジ５の温度が低下してしまうために、フランジ５に反応
生成物が多く付着してパーティクルの発生源となる。そ
れ故、冷却水の流量をあまり増加することはできない。 また、Ｏリング４を耐熱性の高い材質、例えば、カルデ
ッツ（Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製）で作成すればよいのであ
るが、この場合、コストが数十倍と非常に高くなり実用
的ではない。
【０００５】この発明は、プロセス時に反応生成物をフ
ランジ５に付着させないようにしてパーティクルの発生
を抑えながら、スタンバイ時、ローディング時、アンロ
ーディング時のＯリング４の温度上昇を抑えることによ
り、従来より使用している材質のＯリング４の耐久性を
向上することを目的としている。
ランジ５に付着させないようにしてパーティクルの発生
を抑えながら、スタンバイ時、ローディング時、アンロ
ーディング時のＯリング４の温度上昇を抑えることによ
り、従来より使用している材質のＯリング４の耐久性を
向上することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】先に述べたような課題を
解決するために、この発明は、減圧ＣＶＤ装置において
、ヒーター温度およびまたは冷却水流量を制御すること
により、スタンバイ時、ローディング時、アンローディ
ング時の設定温度を、プロセス時の設定温度より低く設
定した減圧ＣＶＤ装置におけるＯリングの耐久性向上方
法である。
解決するために、この発明は、減圧ＣＶＤ装置において
、ヒーター温度およびまたは冷却水流量を制御すること
により、スタンバイ時、ローディング時、アンローディ
ング時の設定温度を、プロセス時の設定温度より低く設
定した減圧ＣＶＤ装置におけるＯリングの耐久性向上方
法である。
【０００７】
【作用】この発明では、減圧ＣＶＤ装置において、ヒー
ター温度およびまたは冷却水流量を制御することにより
、スタンバイ時、ローディング時、アンローディング時
の設定温度を、プロセス時の設定温度より低く設定する
ように減圧ＣＶＤ装置の制御を容易に行うことができる
。
ター温度およびまたは冷却水流量を制御することにより
、スタンバイ時、ローディング時、アンローディング時
の設定温度を、プロセス時の設定温度より低く設定する
ように減圧ＣＶＤ装置の制御を容易に行うことができる
。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００９】図１はこの発明の減圧ＣＶＤ装置における
Ｏリングの耐久性向上方法に使用する減圧ＣＶＤ装置の
冷却水流量およびヒーター温度と、各状態における設定
温度のフローチャート、図２は減圧ＣＶＤ装置のスタン
バイ時、ローディング時、アンローディング時の状態を
示す一部断面図、図３は減圧ＣＶＤ装置のプロセス時の
状態を示す一部断面図である。
Ｏリングの耐久性向上方法に使用する減圧ＣＶＤ装置の
冷却水流量およびヒーター温度と、各状態における設定
温度のフローチャート、図２は減圧ＣＶＤ装置のスタン
バイ時、ローディング時、アンローディング時の状態を
示す一部断面図、図３は減圧ＣＶＤ装置のプロセス時の
状態を示す一部断面図である。
【００１０】図２に示すように、減圧ＣＶＤ装置１はア
ウターチューブ２、ヒーター３、Ｏリング４、フランジ
５により構成され、アウターチューブ２は常にヒーター
３により加熱されている。そして、スタンバイ時、ロー
ディング時、アンローディング時には、炉口が開いてい
るためにヒーター３で加熱されたアウターチューブ２か
らの輻射熱によりフランジ５が加熱されて温度が上昇し
、フランジ５とアウターチューブ２のあいだをシールし
ているＯリング４の温度も上昇する。また、フランジ５
には冷却水路６が設けられ、冷却水路６に冷却水を流す
ことによりフランジ５を冷却し、Ｏリング４が過剰に加
熱されることのないようにしている。
ウターチューブ２、ヒーター３、Ｏリング４、フランジ
５により構成され、アウターチューブ２は常にヒーター
３により加熱されている。そして、スタンバイ時、ロー
ディング時、アンローディング時には、炉口が開いてい
るためにヒーター３で加熱されたアウターチューブ２か
らの輻射熱によりフランジ５が加熱されて温度が上昇し
、フランジ５とアウターチューブ２のあいだをシールし
ているＯリング４の温度も上昇する。また、フランジ５
には冷却水路６が設けられ、冷却水路６に冷却水を流す
ことによりフランジ５を冷却し、Ｏリング４が過剰に加
熱されることのないようにしている。
【００１１】図３に示すように、減圧ＣＶＤ装置１はプ
ロセス時、すなわち石英ボート７がアウターチューブ２
内に収納されている時には、石英ボート７の下部に設け
られた石英キャップ８がアウターチューブ２の下部にま
で入り込んでアウターチューブ２からフランジ５に輻射
される熱を遮るために、フランジ５の加熱が抑えられＯ
リング４の温度上昇も抑えられる。
ロセス時、すなわち石英ボート７がアウターチューブ２
内に収納されている時には、石英ボート７の下部に設け
られた石英キャップ８がアウターチューブ２の下部にま
で入り込んでアウターチューブ２からフランジ５に輻射
される熱を遮るために、フランジ５の加熱が抑えられＯ
リング４の温度上昇も抑えられる。
【００１２】そこで、減圧ＣＶＤ装置１においてプロセ
ス時以外、すなわちスタンバイ時、ローディング時、ア
ンローディング時にアウターチューブ２からの輻射熱に
より加熱されるフランジ５の温度を下げてやればＯリン
グ４の温度上昇を抑えることが可能となる。
ス時以外、すなわちスタンバイ時、ローディング時、ア
ンローディング時にアウターチューブ２からの輻射熱に
より加熱されるフランジ５の温度を下げてやればＯリン
グ４の温度上昇を抑えることが可能となる。
【００１３】そのためにこの発明では、減圧ＣＶＤ装置
１の設定温度を図１の設定温度のフローチャートに示す
ように、スタンバイ時Ａ、ローディング時Ｂおよびアン
ローディング時Ｄにプロセス時Ｃのプロセス温度である
７００℃以上より低く７００℃以下に設定するように制
御する。
１の設定温度を図１の設定温度のフローチャートに示す
ように、スタンバイ時Ａ、ローディング時Ｂおよびアン
ローディング時Ｄにプロセス時Ｃのプロセス温度である
７００℃以上より低く７００℃以下に設定するように制
御する。
【００１４】温度設定の制御は、減圧ＣＶＤ装置１のヒ
ーター３の温度を図１のヒーター温度のフローチャート
に示すように、スタンバイ時Ａ、ローディング時Ｂ、プ
ロセス時Ｃおよびアンローディング時Ｄにコントロール
することにより制御することができる。また、減圧ＣＶ
Ｄ装置１の冷却水路６に流す冷却水を図１の冷却水流量
のフローチャートに示すように、スタンバイ時Ａ、ロー
ディング時Ｂ、プロセス時Ｃおよびアンローディング時
Ｄにコントロールすることにより制御することができる
。あるいは減圧ＣＶＤ装置１のヒーター温度と冷却水流
量の両方を同時にスタンバイ時Ａ、ローディング時Ｂ、
プロセス時Ｃおよびアンローディング時Ｄにコントロー
ルすることにより制御することができる。
ーター３の温度を図１のヒーター温度のフローチャート
に示すように、スタンバイ時Ａ、ローディング時Ｂ、プ
ロセス時Ｃおよびアンローディング時Ｄにコントロール
することにより制御することができる。また、減圧ＣＶ
Ｄ装置１の冷却水路６に流す冷却水を図１の冷却水流量
のフローチャートに示すように、スタンバイ時Ａ、ロー
ディング時Ｂ、プロセス時Ｃおよびアンローディング時
Ｄにコントロールすることにより制御することができる
。あるいは減圧ＣＶＤ装置１のヒーター温度と冷却水流
量の両方を同時にスタンバイ時Ａ、ローディング時Ｂ、
プロセス時Ｃおよびアンローディング時Ｄにコントロー
ルすることにより制御することができる。
【００１５】なお、図１に示した冷却水流量およびヒー
ター温度のフローチャートと設定温度のフローチャート
のあいだにタイミングのズレがあるが、このタイミング
のズレは熱容量の影響を避けるために設けられた処置で
ある。
ター温度のフローチャートと設定温度のフローチャート
のあいだにタイミングのズレがあるが、このタイミング
のズレは熱容量の影響を避けるために設けられた処置で
ある。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、減圧
ＣＶＤ装置において、ヒーター温度およびまたは冷却水
流量を制御することにより、スタンバイ時、ローディン
グ時、アンローディング時の設定温度を、プロセス時の
設定温度より低く設定することにより減圧ＣＶＤ装置の
設定温度を容易に制御することができ、減圧ＣＶＤ装置
に使用しているＯリングの耐久性を向上することができ
る。
ＣＶＤ装置において、ヒーター温度およびまたは冷却水
流量を制御することにより、スタンバイ時、ローディン
グ時、アンローディング時の設定温度を、プロセス時の
設定温度より低く設定することにより減圧ＣＶＤ装置の
設定温度を容易に制御することができ、減圧ＣＶＤ装置
に使用しているＯリングの耐久性を向上することができ
る。
【図１】この発明の減圧ＣＶＤ装置におけるＯリングの
耐久性向上方法に使用する減圧ＣＶＤ装置の冷却水流量
およびヒーター温度と、各状態における設定温度のフロ
ーチャート。
耐久性向上方法に使用する減圧ＣＶＤ装置の冷却水流量
およびヒーター温度と、各状態における設定温度のフロ
ーチャート。
【図２】減圧ＣＶＤ装置のスタンバイ時、ローディング
時、アンローディング時の状態を示す一部断面図。
時、アンローディング時の状態を示す一部断面図。
【図３】減圧ＣＶＤ装置のプロセス時の状態を示す一部
断面図である。
断面図である。
１ 減圧ＣＶＤ装置
２ アウターチューブ
３ ヒーター
４ Ｏリング
５ フランジ
６ 冷却水路
７ 石英ボート
８ 石英キャップ
Claims (1)
- 【請求項１】減圧ＣＶＤ装置において、ヒーター温度お
よびまたは冷却水流量を制御することにより、スタンバ
イ時、ローディング時、アンローディング時の設定温度
を、プロセス時の設定温度より低く設定したことを特徴
とする減圧ＣＶＤ装置におけるＯリングの耐久性向上方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12105091A JPH04350168A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 減圧ｃｖｄ装置の使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12105091A JPH04350168A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 減圧ｃｖｄ装置の使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350168A true JPH04350168A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14801594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12105091A Pending JPH04350168A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 減圧ｃｖｄ装置の使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04350168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112563159A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质 |
| CN112563159B (zh) * | 2019-09-25 | 2024-06-11 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12105091A patent/JPH04350168A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112563159A (zh) * | 2019-09-25 | 2021-03-26 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质 |
| JP2021052092A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法 |
| CN112563159B (zh) * | 2019-09-25 | 2024-06-11 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5368648A (en) | Sealing apparatus | |
| US5561087A (en) | Method of forming a uniform thin film by cooling wafers during CVD | |
| JPH04264716A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3958931B2 (ja) | 急速熱処理（ｒｔｐ）システムのための膨張可能なエラストマエレメント | |
| US6287984B1 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH04350168A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置の使用方法 | |
| JP2002256440A (ja) | 熱処理装置 | |
| US6129043A (en) | Gas tube with heating apparatus | |
| JPS6224630A (ja) | 熱酸化膜形成方法及びその装置 | |
| JP2000306838A (ja) | 半導体基板の処理装置及び処理方法 | |
| JPH07321037A (ja) | 冷却装置が補強された急速熱処理装置 | |
| JPH1140505A (ja) | 管体継手部の冷却構造 | |
| JPH05206048A (ja) | ランプアニール装置 | |
| US20230089509A1 (en) | Furnace opening structure, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS56161832A (en) | Gaseous phase treatment device | |
| KR20050058842A (ko) | 반도체 제조장치 | |
| JPH06173010A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS62244123A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3070130B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JPH10209141A (ja) | 半導体製造装置及び膜形成方法 | |
| US4963090A (en) | Reverse flow furnace/retort system | |
| JPS642668B2 (ja) | ||
| JPS6086821A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0745546A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0574725A (ja) | 減圧式ｃｖｄ装置 |