JPH0574725A - 減圧式ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧式ｃｖｄ装置Info
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- JPH0574725A JPH0574725A JP23755091A JP23755091A JPH0574725A JP H0574725 A JPH0574725 A JP H0574725A JP 23755091 A JP23755091 A JP 23755091A JP 23755091 A JP23755091 A JP 23755091A JP H0574725 A JPH0574725 A JP H0574725A
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- Japan
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- reaction chamber
- wafer
- wall
- cvd apparatus
- silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】減圧式ＣＶＤ装置において反応室内壁に形成さ
れる薄膜の剥離により発塵を防止する事を目的とする。 【構成】ウェーハ４を載せるウェーハボートとして、炭
化珪素質ウェーハボート３を用いる。反応室１内には、
この炭化珪素質ウェーハボート３に電気を供給する為の
電極１０を有しており、炭化珪素質ウェーハボート３と
接触する構造になっている。電気が供給された炭化珪素
質ウェーハボート３は、自るが発熱し、ウェーハ４を加
熱する。又、反応室１は、水冷シャケット９を有してお
り、輻射熱により昇温を防止する構造となっている。 【効果】材料ガス７導入時に反応室１内壁は低温である
為、反応室内壁に薄膜は形成されない。従って反応室１
内壁からの薄膜剥離による発塵は防止できる。
れる薄膜の剥離により発塵を防止する事を目的とする。 【構成】ウェーハ４を載せるウェーハボートとして、炭
化珪素質ウェーハボート３を用いる。反応室１内には、
この炭化珪素質ウェーハボート３に電気を供給する為の
電極１０を有しており、炭化珪素質ウェーハボート３と
接触する構造になっている。電気が供給された炭化珪素
質ウェーハボート３は、自るが発熱し、ウェーハ４を加
熱する。又、反応室１は、水冷シャケット９を有してお
り、輻射熱により昇温を防止する構造となっている。 【効果】材料ガス７導入時に反応室１内壁は低温である
為、反応室内壁に薄膜は形成されない。従って反応室１
内壁からの薄膜剥離による発塵は防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造用減圧式Ｃ
ＶＤ装置にかかり、特にウェーハの加熱方法に関する。
ＶＤ装置にかかり、特にウェーハの加熱方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造用減圧式ＣＶＤ装置は
図３に示すように、真空シール用０リング８により内部
が減圧可能な密閉構造となっている反応室１をヒーター
２により外部から加熱する構造になっている。
図３に示すように、真空シール用０リング８により内部
が減圧可能な密閉構造となっている反応室１をヒーター
２により外部から加熱する構造になっている。
【０００３】次に図３の従来技術の動作について説明す
る。
る。
【０００４】ハッチ１１を開き、ウェーハホルダー１３
に搭載された半導体ウェーハ４を反応室１内に挿入す
る。
に搭載された半導体ウェーハ４を反応室１内に挿入す
る。
【０００５】ウェーハホルダー１３及び半導体ウェーハ
４は、ヒーター２により加熱されて高温になった反応室
１の外囲器１４による輻射熱により所定の温度に加熱さ
れる。
４は、ヒーター２により加熱されて高温になった反応室
１の外囲器１４による輻射熱により所定の温度に加熱さ
れる。
【０００６】次に真空ポンプ５により反応室内を減圧し
た後にバルブ６を開き材料ガス７を導入する。
た後にバルブ６を開き材料ガス７を導入する。
【０００７】材料ガス７の導入により、例えばＳi Ｈ4
（シラン）が６００℃〜１１００℃でＳi （シリコン）
と２Ｈ2 （水素）とに分解し、この反応が気相と、半導
体ウェーハ４との界面にて進行し、この化学気相成長
（ＣＶＤ）により半導体ウェーハ表面にシリコン薄膜を
形成するものである。
（シラン）が６００℃〜１１００℃でＳi （シリコン）
と２Ｈ2 （水素）とに分解し、この反応が気相と、半導
体ウェーハ４との界面にて進行し、この化学気相成長
（ＣＶＤ）により半導体ウェーハ表面にシリコン薄膜を
形成するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
用減圧ＣＶＤ装置は、反応室を外部からヒーターで加熱
する事により、半導体ウェーハを加熱する構造なので、
反応室内壁全体が化学気相成長に必要な温度に加熱され
る。
用減圧ＣＶＤ装置は、反応室を外部からヒーターで加熱
する事により、半導体ウェーハを加熱する構造なので、
反応室内壁全体が化学気相成長に必要な温度に加熱され
る。
【０００９】その結果化学気相成長により薄膜は反応室
内壁（外囲器の内壁）においても形成される。
内壁（外囲器の内壁）においても形成される。
【００１０】この反応室内に形成された薄膜は反応室を
構成している材料と膨張係数が異なる為、半導体ウェー
ハの入出炉時に生じる反応室の温度変化により、あるい
は、ウェーハボートと、反応室内壁の接触により剥離
し、半導体ウェーハの表面に異物として付着することい
う問題点があった。
構成している材料と膨張係数が異なる為、半導体ウェー
ハの入出炉時に生じる反応室の温度変化により、あるい
は、ウェーハボートと、反応室内壁の接触により剥離
し、半導体ウェーハの表面に異物として付着することい
う問題点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の減圧式ＣＶＤ装
置は、反応室内に発熱体への電気供給用の電極を有し、
又、ウェーハボートは、通電時に反熱体として作用する
炭化珪素を用いている。又、反応室を冷却する為の水冷
ジャケットを有している。
置は、反応室内に発熱体への電気供給用の電極を有し、
又、ウェーハボートは、通電時に反熱体として作用する
炭化珪素を用いている。又、反応室を冷却する為の水冷
ジャケットを有している。
【００１２】かかる本発明の構体によれば、半導体ウェ
ーハが載ったウェーハボートは、反応室内にて、電極に
より電気を供給されると自らが発熱し昇温する。同時に
ウェーハも熱伝導によりウェーハボートと同じ温度に加
熱される事になる。
ーハが載ったウェーハボートは、反応室内にて、電極に
より電気を供給されると自らが発熱し昇温する。同時に
ウェーハも熱伝導によりウェーハボートと同じ温度に加
熱される事になる。
【００１３】一方、反応室は輻射熱により昇温を防ぐ為
水冷ジャケットにより冷却することができる。
水冷ジャケットにより冷却することができる。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１は、本発明の一実施例であるバッチ式
減圧ＣＶＤ装置の断面図である。
減圧ＣＶＤ装置の断面図である。
【００１６】図２は本発明の他の実施例である枚葉式減
圧ＣＶＤ装置の断面図である。
圧ＣＶＤ装置の断面図である。
【００１７】反応室１はウェーハ４の出し入れの為にハ
ッチ１１を有しており真空シール用０リング８により密
閉可能な構造になっている。
ッチ１１を有しており真空シール用０リング８により密
閉可能な構造になっている。
【００１８】図１のバッチ式減圧ＣＶＤ装置の場合、半
導体ウェーハ４を載せた炭化珪素質ウェーハボート３を
反応室１内の一対の電極１０の上に乗せる。
導体ウェーハ４を載せた炭化珪素質ウェーハボート３を
反応室１内の一対の電極１０の上に乗せる。
【００１９】一方、図２の枚葉式減圧ＣＶＤ装置の場
合、反応室１内の一対の電極１０の上に乗っている炭化
珪素質ウェーハサセプター１３に半導体ウェーハ４を載
せる。
合、反応室１内の一対の電極１０の上に乗っている炭化
珪素質ウェーハサセプター１３に半導体ウェーハ４を載
せる。
【００２０】次に真空ポンプ５により反応室１内を減圧
状態にし一対の電極１０により、電源スリッチ１２を閉
とし炭化珪素質ウェーハボート３又は炭化珪素質ウェー
ハサセプター１３に通電する。
状態にし一対の電極１０により、電源スリッチ１２を閉
とし炭化珪素質ウェーハボート３又は炭化珪素質ウェー
ハサセプター１３に通電する。
【００２１】通電により、炭化珪素質ウェーハ３又は炭
化珪素質ウェーハサセプター１３は加熱昇温する為、ウ
ェーハ４も化学気相成長が起こる温度迄加熱される。
化珪素質ウェーハサセプター１３は加熱昇温する為、ウ
ェーハ４も化学気相成長が起こる温度迄加熱される。
【００２２】また、炭化珪素質ウェーハボート３又は炭
化珪素質ウェーハサセプター１３の加熱に伴い反応室１
の内壁が輻射熱により加熱するが反応室１の外壁（外囲
器１４の外壁）に水冷ジャケット９を有しており常時冷
却する為、反応室１の内壁は化学気相成長が起こる温度
迄昇温しない。
化珪素質ウェーハサセプター１３の加熱に伴い反応室１
の内壁が輻射熱により加熱するが反応室１の外壁（外囲
器１４の外壁）に水冷ジャケット９を有しており常時冷
却する為、反応室１の内壁は化学気相成長が起こる温度
迄昇温しない。
【００２３】従って、バルブ６を開とした材料ガス７の
導入により、半導体ウェーハ４の上に薄膜たとえばシリ
コン薄膜は形成されるが、反応室１の内壁にたとえばシ
ランの分解によりシリコン薄膜は形成されず、従来の不
具合は、解決する。
導入により、半導体ウェーハ４の上に薄膜たとえばシリ
コン薄膜は形成されるが、反応室１の内壁にたとえばシ
ランの分解によりシリコン薄膜は形成されず、従来の不
具合は、解決する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、炭化珪
素質ウェーハボートあるいは炭化珪素質ウェーハサセプ
ターに通電する事によりそれ自体を発熱させ半導体ウェ
ーハを加熱する。
素質ウェーハボートあるいは炭化珪素質ウェーハサセプ
ターに通電する事によりそれ自体を発熱させ半導体ウェ
ーハを加熱する。
【００２５】この為反応室内の加熱部分を半導体ウェー
ハ及びウェーハボートあるいはウェーハサセプターのみ
に限定する事が可能になり反応室内壁は常時低温を保つ
事が可能になる。
ハ及びウェーハボートあるいはウェーハサセプターのみ
に限定する事が可能になり反応室内壁は常時低温を保つ
事が可能になる。
【００２６】その結果材料ガス導入時に反応室内壁に薄
膜は形成されず、反応室内壁から異物が発生しないとい
う効果を有する。
膜は形成されず、反応室内壁から異物が発生しないとい
う効果を有する。
【００２７】又、半導体ウェーハの出し入れ時に反応室
内は常温である為、ウェーハの自然酸化膜の成長も抑制
できるという２次的効果も有する。
内は常温である為、ウェーハの自然酸化膜の成長も抑制
できるという２次的効果も有する。
【図１】本発明の一実施例のバッチ式減圧ＣＶＤ装置の
断面図。
断面図。
【図２】本発明の他の実施例の枚葉式減圧ＣＶＤ装置の
断面図。
断面図。
【図３】従来のバッチ式減圧ＣＶＤ装置の断面図。
１ 反応室 ２ ヒーター ３ 炭化珪素質ウェーハボート ４ ウェーハ ５ 真空ポンプ ６ バルブ ７ 材料ガス ８ 真空シール用０リング ９ 水冷シャケット １０ 電極 １１ ハッチ １２ 電源スイッチ １３ 炭化珪素質ウェーハサセプター １４ 反応室の外囲器
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造用減圧式ＣＶＤ装置におい
て、半導体ウェーハボート又はウェーハサセプターの材
質が炭化珪素であり、反応室内に、このウェーハボート
又は、ウェーハサセプターを発熱体として作用させる為
の電極を有する事を特徴とする減圧式ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記反応室の外囲器の外壁側に水冷冷却
手段を具備した請求項１記載の減圧式ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記ＣＶＤ装置はバッチ式である請求項
１記載の減圧式ＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記ＣＶＤ装置は枚葉式である請求項１
記載の減圧式ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23755091A JPH0574725A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 減圧式ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23755091A JPH0574725A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 減圧式ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574725A true JPH0574725A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17016996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23755091A Pending JPH0574725A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 減圧式ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103123907A (zh) * | 2011-11-18 | 2013-05-29 | 豪客能源科技股份有限公司 | 热处理的基板承载设备 |
| JP2015015382A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57176717A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing device |
| JPS60200519A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 発熱体 |
| JPS63222427A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Fujitsu Ltd | 高温処理炉 |
| JPH01122994A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-16 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 化学気相成長法 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP23755091A patent/JPH0574725A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57176717A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Hitachi Ltd | Vapor phase growing device |
| JPS60200519A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 発熱体 |
| JPS63222427A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Fujitsu Ltd | 高温処理炉 |
| JPH01122994A (ja) * | 1987-11-05 | 1989-05-16 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 化学気相成長法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103123907A (zh) * | 2011-11-18 | 2013-05-29 | 豪客能源科技股份有限公司 | 热处理的基板承载设备 |
| JP2015015382A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |