JPH04311573A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ＣＶＤ装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】絶縁膜などの成膜装置として、光ＣＶＤ
装置が知られている。図２は従来例の断面図である。図
示の通り、処理容器であるチャンバ１の上部開口には、
石英などからなる光透過窓２が取り付けられ、この上方
には光源３が配置されている。そして、チャンバ１内の
基台４の上にはヒータ５が設けられ、この上に被処理物
である半導体ウエハ６がセットされる。チャンバ１の上
部には反応ガスを供給する給気口７が設けられ、下方に
は排気口８が設けられ、これによってチャンバ１の内部
は所定ガス圧の反応ガスで満たされるようになっている
。上記の光ＣＶＤ装置において、ヒータ５によって半導
体ウエハ６を加熱し、反応ガスを供給しながら光照射す
ると、半導体ウエハ６上にデポジション膜が堆積される
。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の装置
によって、厚いデポジション膜を堆積したり、あるいは
デポジション膜の堆積を複数枚の半導体ウエハ６につい
て繰り返していくと、ヒータ５からの放熱によって光透
過窓２およびチャンバ１が徐々に加熱され、これらの内
面にデポジション膜が堆積することがあった。特に、光
透過窓２の内面に付着したデポジション膜は、光源３か
らチャンバ１の内部への光照射効率を低下させ、成膜速
度の低下や、膜質の低下を招いていた。

【０００４】そこで本発明は、光透過窓の内面への汚物
の付着を防止できる光ＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ＣＶＤ装
置は、反応ガスの供給および排ガスの排出を可能に構成
された処理容器と、この処理容器内に配設され、所定の
位置にセットされた被処理物を加熱する加熱手段と、処
理容器に形成された開口部に取り付けられて当該処理容
器を密封する光照射窓と、この光照射窓を介して被処理
物を臨む位置に設けられた光源とを備え、さらに、光照
射窓の内部には、光源からの光を透過する材料からなる
冷却媒体を流通させるための通路が形成され、当該通路
には冷却媒体を圧入する圧入手段が接続されていること
を特徴とする。

【０００６】

【作用】本発明の構成によれば、光透過窓は冷却媒体に
よって冷却されるので、加熱手段の放熱により温度上昇
することがなく、従って光透過窓の内面にデポジション
膜が堆積されることがない。

【０００７】

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。

【０００８】図１は実施例に係る光ＣＶＤ装置の断面図
である。これが図２の従来例と異なるのは、光透過窓２
が下板２１と上板２２で構成され、これらの間に冷却媒
体を流通させる冷媒通路２３が形成されていることであ
る。この場合、冷却媒体としてはヘリウムのような気体
を用いることができ、また水のような液体を用いてもよ
い。但し、光源３からの光を透過し得ないものは適さな
い。また、下板２１および上板２２としては石英を用い
得るが、光源３からの光を透過できるものであれば、特
に限定されない。

【０００９】次に、上記実施例の作用を説明する。まず
、半導体ウエハ６をヒータ５の上面にセットし、内部を
真空または不活性ガスの雰囲気とする。次に、ヒータ５
に通電し、半導体ウエハ６を加熱して、所定温度になっ
たら給気口７より反応ガスを導入する。同時に、光源３
を点灯してチャンバ１の内部を光照射すると、反応ガス
に光化学反応が生じて半導体ウエハ６の表面にデポジシ
ョン膜が堆積される。このとき、下板２１は冷却媒体の
流通により低温に保たれているので、下板２１の内面に
デポジション膜が付着することはない。このため、厚い
デポジション膜を光ＣＶＤで堆積したり、多数の半導体
ウエハ６に次々とデポジション膜を堆積するのに特に適
している。

【００１０】次に、本発明者による具体例を説明する。 まず、実施例として図１と同様の装置を用い、反応ガス
としてＴＥＯＳ（テトロエトキシラン）を１００［ＳＣ
ＣＭ］Ｏ３　を５［ＳＣＣＭ］の割合で供給し、半導体
ウエハ６をヒータ５により４００℃とした。その結果、
酸化膜の成膜速度は２００オングストローム／分となり
、ＢＨＦ（１：１０）に対するエッチングレートは１０
００オングストローム／分となり、共に良好な結果が得
られた。比較例としては、図２のような従来装置を用い
、同様の条件（但し、光透過窓は冷却しない）で酸化膜
を形成した。この場合には、成膜速度は５０オングスト
ローム／分と遅く、またＢＨＦに対するエッチングレー
トも３０００オングストローム／分と大きく、全体とし
てポーラスな酸化膜となっていた。

【００１１】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明では、
光透過窓は冷却媒体によって冷却されるので、加熱手段
の放熱により温度上昇することがなく、従って光透過窓
２の内面にデポジション膜が堆積されることがない。こ
のため、光透過窓の内面への汚物の付着を防止できる光
ＣＶＤ装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る光ＣＶＤ装置の断面図で
ある。

【図２】従来の光ＣＶＤ装置の断面図である。

【符号の説明】

１…チャンバ、２…光透過窓、２３…冷媒通路、３…光
源、５…ヒータ、６…半導体ウエハ。 代理人弁理士　　長谷川　　芳樹

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】反応ガスの供給および排ガスの排出を可能
   に構成された処理容器と、この処理容器内に配設され、
   所定の位置にセットされた被処理物を加熱する加熱手段
   と、前記処理容器に形成された開口部に取り付けられて
   当該処理容器を密封する光照射窓と、この光照射窓を介
   して前記被処理物を臨む位置に設けられた光源とを備え
   る光ＣＶＤ装置において、前記光照射窓の内部には、前
   記光源からの光を透過する材料からなる冷却媒体を流通
   させるための通路が形成され、当該通路には前記冷却媒
   体を圧入する圧入手段が接続されていることを特徴とす
   る光ＣＶＤ装置。