JPH04311573A - 光cvd装置 - Google Patents
光cvd装置Info
- Publication number
- JPH04311573A JPH04311573A JP7796091A JP7796091A JPH04311573A JP H04311573 A JPH04311573 A JP H04311573A JP 7796091 A JP7796091 A JP 7796091A JP 7796091 A JP7796091 A JP 7796091A JP H04311573 A JPH04311573 A JP H04311573A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- passage
- cooling medium
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光CVD装置に関するも
のである。
のである。
【0002】
【従来の技術】絶縁膜などの成膜装置として、光CVD
装置が知られている。図2は従来例の断面図である。図
示の通り、処理容器であるチャンバ1の上部開口には、
石英などからなる光透過窓2が取り付けられ、この上方
には光源3が配置されている。そして、チャンバ1内の
基台4の上にはヒータ5が設けられ、この上に被処理物
である半導体ウエハ6がセットされる。チャンバ1の上
部には反応ガスを供給する給気口7が設けられ、下方に
は排気口8が設けられ、これによってチャンバ1の内部
は所定ガス圧の反応ガスで満たされるようになっている
。上記の光CVD装置において、ヒータ5によって半導
体ウエハ6を加熱し、反応ガスを供給しながら光照射す
ると、半導体ウエハ6上にデポジション膜が堆積される
。
装置が知られている。図2は従来例の断面図である。図
示の通り、処理容器であるチャンバ1の上部開口には、
石英などからなる光透過窓2が取り付けられ、この上方
には光源3が配置されている。そして、チャンバ1内の
基台4の上にはヒータ5が設けられ、この上に被処理物
である半導体ウエハ6がセットされる。チャンバ1の上
部には反応ガスを供給する給気口7が設けられ、下方に
は排気口8が設けられ、これによってチャンバ1の内部
は所定ガス圧の反応ガスで満たされるようになっている
。上記の光CVD装置において、ヒータ5によって半導
体ウエハ6を加熱し、反応ガスを供給しながら光照射す
ると、半導体ウエハ6上にデポジション膜が堆積される
。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の装置
によって、厚いデポジション膜を堆積したり、あるいは
デポジション膜の堆積を複数枚の半導体ウエハ6につい
て繰り返していくと、ヒータ5からの放熱によって光透
過窓2およびチャンバ1が徐々に加熱され、これらの内
面にデポジション膜が堆積することがあった。特に、光
透過窓2の内面に付着したデポジション膜は、光源3か
らチャンバ1の内部への光照射効率を低下させ、成膜速
度の低下や、膜質の低下を招いていた。
によって、厚いデポジション膜を堆積したり、あるいは
デポジション膜の堆積を複数枚の半導体ウエハ6につい
て繰り返していくと、ヒータ5からの放熱によって光透
過窓2およびチャンバ1が徐々に加熱され、これらの内
面にデポジション膜が堆積することがあった。特に、光
透過窓2の内面に付着したデポジション膜は、光源3か
らチャンバ1の内部への光照射効率を低下させ、成膜速
度の低下や、膜質の低下を招いていた。
【0004】そこで本発明は、光透過窓の内面への汚物
の付着を防止できる光CVD装置を提供することを目的
とする。
の付着を防止できる光CVD装置を提供することを目的
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光CVD装
置は、反応ガスの供給および排ガスの排出を可能に構成
された処理容器と、この処理容器内に配設され、所定の
位置にセットされた被処理物を加熱する加熱手段と、処
理容器に形成された開口部に取り付けられて当該処理容
器を密封する光照射窓と、この光照射窓を介して被処理
物を臨む位置に設けられた光源とを備え、さらに、光照
射窓の内部には、光源からの光を透過する材料からなる
冷却媒体を流通させるための通路が形成され、当該通路
には冷却媒体を圧入する圧入手段が接続されていること
を特徴とする。
置は、反応ガスの供給および排ガスの排出を可能に構成
された処理容器と、この処理容器内に配設され、所定の
位置にセットされた被処理物を加熱する加熱手段と、処
理容器に形成された開口部に取り付けられて当該処理容
器を密封する光照射窓と、この光照射窓を介して被処理
物を臨む位置に設けられた光源とを備え、さらに、光照
射窓の内部には、光源からの光を透過する材料からなる
冷却媒体を流通させるための通路が形成され、当該通路
には冷却媒体を圧入する圧入手段が接続されていること
を特徴とする。
【0006】
【作用】本発明の構成によれば、光透過窓は冷却媒体に
よって冷却されるので、加熱手段の放熱により温度上昇
することがなく、従って光透過窓の内面にデポジション
膜が堆積されることがない。
よって冷却されるので、加熱手段の放熱により温度上昇
することがなく、従って光透過窓の内面にデポジション
膜が堆積されることがない。
【0007】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【0008】図1は実施例に係る光CVD装置の断面図
である。これが図2の従来例と異なるのは、光透過窓2
が下板21と上板22で構成され、これらの間に冷却媒
体を流通させる冷媒通路23が形成されていることであ
る。この場合、冷却媒体としてはヘリウムのような気体
を用いることができ、また水のような液体を用いてもよ
い。但し、光源3からの光を透過し得ないものは適さな
い。また、下板21および上板22としては石英を用い
得るが、光源3からの光を透過できるものであれば、特
に限定されない。
である。これが図2の従来例と異なるのは、光透過窓2
が下板21と上板22で構成され、これらの間に冷却媒
体を流通させる冷媒通路23が形成されていることであ
る。この場合、冷却媒体としてはヘリウムのような気体
を用いることができ、また水のような液体を用いてもよ
い。但し、光源3からの光を透過し得ないものは適さな
い。また、下板21および上板22としては石英を用い
得るが、光源3からの光を透過できるものであれば、特
に限定されない。
【0009】次に、上記実施例の作用を説明する。まず
、半導体ウエハ6をヒータ5の上面にセットし、内部を
真空または不活性ガスの雰囲気とする。次に、ヒータ5
に通電し、半導体ウエハ6を加熱して、所定温度になっ
たら給気口7より反応ガスを導入する。同時に、光源3
を点灯してチャンバ1の内部を光照射すると、反応ガス
に光化学反応が生じて半導体ウエハ6の表面にデポジシ
ョン膜が堆積される。このとき、下板21は冷却媒体の
流通により低温に保たれているので、下板21の内面に
デポジション膜が付着することはない。このため、厚い
デポジション膜を光CVDで堆積したり、多数の半導体
ウエハ6に次々とデポジション膜を堆積するのに特に適
している。
、半導体ウエハ6をヒータ5の上面にセットし、内部を
真空または不活性ガスの雰囲気とする。次に、ヒータ5
に通電し、半導体ウエハ6を加熱して、所定温度になっ
たら給気口7より反応ガスを導入する。同時に、光源3
を点灯してチャンバ1の内部を光照射すると、反応ガス
に光化学反応が生じて半導体ウエハ6の表面にデポジシ
ョン膜が堆積される。このとき、下板21は冷却媒体の
流通により低温に保たれているので、下板21の内面に
デポジション膜が付着することはない。このため、厚い
デポジション膜を光CVDで堆積したり、多数の半導体
ウエハ6に次々とデポジション膜を堆積するのに特に適
している。
【0010】次に、本発明者による具体例を説明する。
まず、実施例として図1と同様の装置を用い、反応ガス
としてTEOS(テトロエトキシラン)を100[SC
CM]O3 を5[SCCM]の割合で供給し、半導体
ウエハ6をヒータ5により400℃とした。その結果、
酸化膜の成膜速度は200オングストローム/分となり
、BHF(1:10)に対するエッチングレートは10
00オングストローム/分となり、共に良好な結果が得
られた。比較例としては、図2のような従来装置を用い
、同様の条件(但し、光透過窓は冷却しない)で酸化膜
を形成した。この場合には、成膜速度は50オングスト
ローム/分と遅く、またBHFに対するエッチングレー
トも3000オングストローム/分と大きく、全体とし
てポーラスな酸化膜となっていた。
としてTEOS(テトロエトキシラン)を100[SC
CM]O3 を5[SCCM]の割合で供給し、半導体
ウエハ6をヒータ5により400℃とした。その結果、
酸化膜の成膜速度は200オングストローム/分となり
、BHF(1:10)に対するエッチングレートは10
00オングストローム/分となり、共に良好な結果が得
られた。比較例としては、図2のような従来装置を用い
、同様の条件(但し、光透過窓は冷却しない)で酸化膜
を形成した。この場合には、成膜速度は50オングスト
ローム/分と遅く、またBHFに対するエッチングレー
トも3000オングストローム/分と大きく、全体とし
てポーラスな酸化膜となっていた。
【0011】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明では、
光透過窓は冷却媒体によって冷却されるので、加熱手段
の放熱により温度上昇することがなく、従って光透過窓
2の内面にデポジション膜が堆積されることがない。こ
のため、光透過窓の内面への汚物の付着を防止できる光
CVD装置が得られる。
光透過窓は冷却媒体によって冷却されるので、加熱手段
の放熱により温度上昇することがなく、従って光透過窓
2の内面にデポジション膜が堆積されることがない。こ
のため、光透過窓の内面への汚物の付着を防止できる光
CVD装置が得られる。
【図1】本発明の実施例に係る光CVD装置の断面図で
ある。
ある。
【図2】従来の光CVD装置の断面図である。
1…チャンバ、2…光透過窓、23…冷媒通路、3…光
源、5…ヒータ、6…半導体ウエハ。 代理人弁理士 長谷川 芳樹
源、5…ヒータ、6…半導体ウエハ。 代理人弁理士 長谷川 芳樹
Claims (1)
- 【請求項1】反応ガスの供給および排ガスの排出を可能
に構成された処理容器と、この処理容器内に配設され、
所定の位置にセットされた被処理物を加熱する加熱手段
と、前記処理容器に形成された開口部に取り付けられて
当該処理容器を密封する光照射窓と、この光照射窓を介
して前記被処理物を臨む位置に設けられた光源とを備え
る光CVD装置において、前記光照射窓の内部には、前
記光源からの光を透過する材料からなる冷却媒体を流通
させるための通路が形成され、当該通路には前記冷却媒
体を圧入する圧入手段が接続されていることを特徴とす
る光CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7796091A JPH04311573A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7796091A JPH04311573A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光cvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04311573A true JPH04311573A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13648549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7796091A Pending JPH04311573A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 光cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04311573A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5368647A (en) * | 1991-06-26 | 1994-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-excited processing apparatus for manufacturing a semiconductor device that uses a cylindrical reflecting surface |
WO2002053800A3 (en) * | 2001-01-02 | 2002-10-17 | Mattson Thermal Products Inc | Windows used in thermal processing chambers |
JP2003500865A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-01-07 | ステアーグ シーヴイディー システムズ リミテッド | 冷却されるウィンドウ |
JP2008053561A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Meidensha Corp | 酸化膜形成方法とその装置 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP7796091A patent/JPH04311573A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5368647A (en) * | 1991-06-26 | 1994-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-excited processing apparatus for manufacturing a semiconductor device that uses a cylindrical reflecting surface |
JP2003500865A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-01-07 | ステアーグ シーヴイディー システムズ リミテッド | 冷却されるウィンドウ |
WO2002053800A3 (en) * | 2001-01-02 | 2002-10-17 | Mattson Thermal Products Inc | Windows used in thermal processing chambers |
JP2008053561A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Meidensha Corp | 酸化膜形成方法とその装置 |
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