JPH1140505A - 管体継手部の冷却構造 - Google Patents
管体継手部の冷却構造Info
- Publication number
- JPH1140505A JPH1140505A JP9209673A JP20967397A JPH1140505A JP H1140505 A JPH1140505 A JP H1140505A JP 9209673 A JP9209673 A JP 9209673A JP 20967397 A JP20967397 A JP 20967397A JP H1140505 A JPH1140505 A JP H1140505A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling water
- wall surface
- pipe joint
- water channel
- flange
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L53/00—Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L53/00—Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
- F16L53/70—Cooling of pipes or pipe systems
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置に於いて、ウェーハ成膜時等に
生成される反応副生成物がインレットフランジ等の管体
継手部の内壁面に付着しない様、管体継手部の内壁面を
高温に維持する。 【解決手段】Ｏリング３６を介在させて接合される管体
継手部２５にＯリング冷却用の冷却水路３１を形成し、
該冷却水路と前記管体継手部内壁面との間に遮断溝３４
を設け、前記管体継手部内壁面から前記冷却水路への熱
移動を遮断し、前記管体継手部内壁面を高温状態に維持
する。
生成される反応副生成物がインレットフランジ等の管体
継手部の内壁面に付着しない様、管体継手部の内壁面を
高温に維持する。 【解決手段】Ｏリング３６を介在させて接合される管体
継手部２５にＯリング冷却用の冷却水路３１を形成し、
該冷却水路と前記管体継手部内壁面との間に遮断溝３４
を設け、前記管体継手部内壁面から前記冷却水路への熱
移動を遮断し、前記管体継手部内壁面を高温状態に維持
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に於
ける管体継手部、特に各種加熱装置を構成する部材をＯ
リングを介在させて気密に接合する際に用いられるイン
レットフランジ等管体継手部の冷却構造に関するもので
ある。
ける管体継手部、特に各種加熱装置を構成する部材をＯ
リングを介在させて気密に接合する際に用いられるイン
レットフランジ等管体継手部の冷却構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は、ウェーハ或はガラス
基板等の被処理基板に種々の薄膜を生成し、或はエッチ
ング等を行い、被処理基板表面に多数の半導体素子を形
成するものである。
基板等の被処理基板に種々の薄膜を生成し、或はエッチ
ング等を行い、被処理基板表面に多数の半導体素子を形
成するものである。
【０００３】斯かる半導体製造装置の一連の処理工程に
於いて、被処理基板に成膜処理する工程があり、成膜処
理を行う装置の一つに縦型炉がある。
於いて、被処理基板に成膜処理する工程があり、成膜処
理を行う装置の一つに縦型炉がある。
【０００４】縦型炉は、図２に示す様に、有天筒状のヒ
ータ１、上端が閉塞し下端が開放された筒状のアウター
チューブ２、上端が開放された筒状のインナーチューブ
３、筒状のインレットフランジ４、円盤状の炉口キャッ
プ５により構成されている。
ータ１、上端が閉塞し下端が開放された筒状のアウター
チューブ２、上端が開放された筒状のインナーチューブ
３、筒状のインレットフランジ４、円盤状の炉口キャッ
プ５により構成されている。
【０００５】被処理基板への成膜処理は、前記インナー
チューブ３によって画成される反応室６内を高温で、真
空状態に維持して行う必要がある為、前記アウターチュ
ーブ２下端に前記インレットフランジ４がＯリングを介
在させ気密に接合され、該インレットフランジ４下端は
前記炉口キャップ５により気密に閉塞されているが、前
記Ｏリングは熱で劣化する特性を有する。
チューブ３によって画成される反応室６内を高温で、真
空状態に維持して行う必要がある為、前記アウターチュ
ーブ２下端に前記インレットフランジ４がＯリングを介
在させ気密に接合され、該インレットフランジ４下端は
前記炉口キャップ５により気密に閉塞されているが、前
記Ｏリングは熱で劣化する特性を有する。
【０００６】従って、従来より前記インレットフランジ
４内部に冷却水を流通させ、前記Ｏリングが熱により劣
化するのを防止している。
４内部に冷却水を流通させ、前記Ｏリングが熱により劣
化するのを防止している。
【０００７】図３に於いて、従来のインレットフランジ
の冷却構造について説明する。
の冷却構造について説明する。
【０００８】前記インレットフランジ４は上部に鍔状の
上端フランジ７、下部に下端フランジ８を有し、内面に
内鍔９を有し、前記上端フランジ７の上面に内周に沿っ
て前記インレットフランジ４の肉厚より薄い肉厚の凸部
１０を有する段差面１１を形成し、前記上端フランジ７
の内部で前記段差面１１の前記凸部１０側の下側には断
面形状が横長短冊状の円環冷却水路１２が前記インレッ
トフランジ４と同心に設けられ、該冷却水路１２の前記
反応室６側側面は前記インレットフランジ４の外壁面１
３と同一鉛直面上に位置している。
上端フランジ７、下部に下端フランジ８を有し、内面に
内鍔９を有し、前記上端フランジ７の上面に内周に沿っ
て前記インレットフランジ４の肉厚より薄い肉厚の凸部
１０を有する段差面１１を形成し、前記上端フランジ７
の内部で前記段差面１１の前記凸部１０側の下側には断
面形状が横長短冊状の円環冷却水路１２が前記インレッ
トフランジ４と同心に設けられ、該冷却水路１２の前記
反応室６側側面は前記インレットフランジ４の外壁面１
３と同一鉛直面上に位置している。
【０００９】前記凸部１０上面には前記アウターチュー
ブ２のフランジ部１４が立設され、該フランジ部１４と
前記段差面１１で形成される下部空隙１５には前記凸部
１０側から上端Ｏリング１６、下部クッション材１７が
嵌入され、前記段差面１１の外側上面には断面が逆Ｌ字
形のカバー１８が前記フランジ部１４の外周部を全周に
亘り覆う様に設けられ、又、前記フランジ部１４の上面
と前記カバー１８の下面で形成される上部空隙１９には
上部クッション材２０が嵌入され、前記アウターチュー
ブ２と前記インレットフランジ４は気密に接合されてい
る。前記下端フランジ８の下面は前記炉口キャップ５に
より下端Ｏリング２１を介在させて気密に閉塞され、前
記内鍔９の内面には全周に亘り円環状のインナーチュー
ブ受け２２が接合され、該インナーチューブ受け２２に
は前記インナーチューブ３が立設されている。
ブ２のフランジ部１４が立設され、該フランジ部１４と
前記段差面１１で形成される下部空隙１５には前記凸部
１０側から上端Ｏリング１６、下部クッション材１７が
嵌入され、前記段差面１１の外側上面には断面が逆Ｌ字
形のカバー１８が前記フランジ部１４の外周部を全周に
亘り覆う様に設けられ、又、前記フランジ部１４の上面
と前記カバー１８の下面で形成される上部空隙１９には
上部クッション材２０が嵌入され、前記アウターチュー
ブ２と前記インレットフランジ４は気密に接合されてい
る。前記下端フランジ８の下面は前記炉口キャップ５に
より下端Ｏリング２１を介在させて気密に閉塞され、前
記内鍔９の内面には全周に亘り円環状のインナーチュー
ブ受け２２が接合され、該インナーチューブ受け２２に
は前記インナーチューブ３が立設されている。
【００１０】前記反応室６内で成膜処理が行われている
間、前記冷却水路１２には図示しない冷却水配管を介し
て冷却水が循環され、該冷却水により前記上端Ｏリング
１６が冷却される。
間、前記冷却水路１２には図示しない冷却水配管を介し
て冷却水が循環され、該冷却水により前記上端Ｏリング
１６が冷却される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のインレ
ットフランジ４では、前記冷却水路１２内部に冷却水が
循環されると、前記インレットフランジ４の内壁面２３
も冷却され、前記反応室６内でウェーハ成膜時に生成さ
れる反応副生成物の一部は前記内壁面２３により冷却さ
れ固化し、排出されずに該内壁面２３に付着する。付着
堆積した前記反応副生成物は剥離するとパーティクルと
なって前記反応室６内に逆拡散し、前記ウェーハに付着
して製品の品質、歩留まりを低下させる。
ットフランジ４では、前記冷却水路１２内部に冷却水が
循環されると、前記インレットフランジ４の内壁面２３
も冷却され、前記反応室６内でウェーハ成膜時に生成さ
れる反応副生成物の一部は前記内壁面２３により冷却さ
れ固化し、排出されずに該内壁面２３に付着する。付着
堆積した前記反応副生成物は剥離するとパーティクルと
なって前記反応室６内に逆拡散し、前記ウェーハに付着
して製品の品質、歩留まりを低下させる。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、反応副生成物
がインレットフランジ等の管体継手部の内壁面へ付着し
ない様、管体継手部の内壁面を高温に維持する管体継手
部の冷却構造を提供しようとするものである。
がインレットフランジ等の管体継手部の内壁面へ付着し
ない様、管体継手部の内壁面を高温に維持する管体継手
部の冷却構造を提供しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｏリングを介
在させて接合される管体継手部にＯリング冷却用の冷却
水路を形成し、該冷却水路と前記管体継手部内壁面との
間に遮断溝を設けた管体継手部の冷却構造に係り、前記
内壁面から前記冷却水路への熱移動を遮断し、前記管体
継手部内壁面を高温状態に維持する。
在させて接合される管体継手部にＯリング冷却用の冷却
水路を形成し、該冷却水路と前記管体継手部内壁面との
間に遮断溝を設けた管体継手部の冷却構造に係り、前記
内壁面から前記冷却水路への熱移動を遮断し、前記管体
継手部内壁面を高温状態に維持する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。尚、図１中、図３中で示したも
のと同等のものには同符号を付してある。
実施の形態を説明する。尚、図１中、図３中で示したも
のと同等のものには同符号を付してある。
【００１５】図中２５はインレットフランジを示し、該
インレットフランジ２５は上部に鍔状の上端フランジ２
６、下部に下端フランジ２７を有し、内面に内鍔２８を
有し、前記上端フランジ２６の上面には内面側に前記イ
ンレットフランジ２５の肉厚と同厚の凸部２９を有する
段差面３０を形成し、前記上端フランジ２６の内部で前
記段差面３０の前記凸部２９側の下側には、断面形状が
横長短冊状の円環冷却水路３１が前記インレットフラン
ジ２５と同心に設けられ、該冷却水路３１の反応室６側
側面は前記インレットフランジ２５の外壁面３２より外
側に位置している。又、前記冷却水路３１と前記インレ
ットフランジ２５の内壁面３３との間の前記凸部２９に
は前記冷却水路３１と同心に全周に亘り遮断溝３４が刻
設され、前記インレットフランジ２５の肉厚は前記遮断
溝３４の幅に相当する分厚くなっている。該遮断溝３４
は断面形状が縦長短冊状で該遮断溝３４の底面は前記冷
却水路３１の底面と同一、若しくは更に下方となってい
る。
インレットフランジ２５は上部に鍔状の上端フランジ２
６、下部に下端フランジ２７を有し、内面に内鍔２８を
有し、前記上端フランジ２６の上面には内面側に前記イ
ンレットフランジ２５の肉厚と同厚の凸部２９を有する
段差面３０を形成し、前記上端フランジ２６の内部で前
記段差面３０の前記凸部２９側の下側には、断面形状が
横長短冊状の円環冷却水路３１が前記インレットフラン
ジ２５と同心に設けられ、該冷却水路３１の反応室６側
側面は前記インレットフランジ２５の外壁面３２より外
側に位置している。又、前記冷却水路３１と前記インレ
ットフランジ２５の内壁面３３との間の前記凸部２９に
は前記冷却水路３１と同心に全周に亘り遮断溝３４が刻
設され、前記インレットフランジ２５の肉厚は前記遮断
溝３４の幅に相当する分厚くなっている。該遮断溝３４
は断面形状が縦長短冊状で該遮断溝３４の底面は前記冷
却水路３１の底面と同一、若しくは更に下方となってい
る。
【００１６】前記凸部２９上面には前記アウターチュー
ブ２のフランジ部１４が立設され、該フランジ部１４と
前記段差面３０で形成される下部空隙３５には前記凸部
２９側から上端Ｏリング３６、下部クッション材３７が
嵌入され、前記段差面３０の外側上面には断面が逆Ｌ字
形のカバー３８が前記フランジ部１４の外周部を全周に
亘り覆う様に設けられ、又、前記フランジ部１４の上面
と前記カバー３８の下面で形成される上部空隙３９に上
部クッション材４０が嵌入され、前記アウターチューブ
２と前記インレットフランジ２５は気密に接合されてい
る。前記下端フランジ２７の下面は前記炉口キャップ５
により下端Ｏリング２１を介在させて気密に閉塞され、
前記内鍔２８には円環状のインナーチューブ受け２２が
下側から内嵌され、該インナーチューブ受け２２には前
記インナーチューブ３が立設されている。
ブ２のフランジ部１４が立設され、該フランジ部１４と
前記段差面３０で形成される下部空隙３５には前記凸部
２９側から上端Ｏリング３６、下部クッション材３７が
嵌入され、前記段差面３０の外側上面には断面が逆Ｌ字
形のカバー３８が前記フランジ部１４の外周部を全周に
亘り覆う様に設けられ、又、前記フランジ部１４の上面
と前記カバー３８の下面で形成される上部空隙３９に上
部クッション材４０が嵌入され、前記アウターチューブ
２と前記インレットフランジ２５は気密に接合されてい
る。前記下端フランジ２７の下面は前記炉口キャップ５
により下端Ｏリング２１を介在させて気密に閉塞され、
前記内鍔２８には円環状のインナーチューブ受け２２が
下側から内嵌され、該インナーチューブ受け２２には前
記インナーチューブ３が立設されている。
【００１７】前記反応室６内で成膜処理が行われている
間、前記冷却水路３１には図示しない冷却水配管を介し
て冷却水が循環され、該冷却水により前記上端Ｏリング
３６が冷却される。一方、前記反応室６内は前記ヒータ
１により加熱され高温となり、前記インレットフランジ
２５の内壁面３３も高温となる。高温となった該内壁面
３３から前記冷却水路３１方向への熱移動は、前記内壁
面３３と冷却水路３１間の距離が延長されたことにより
困難となると共に、前記遮断溝３４により遮断される。
従って、前記内壁面３３に対する前記冷却水路３１を流
通する冷却水による冷却効果が大幅に減少し、前記内壁
面３３は高温状態に維持される。
間、前記冷却水路３１には図示しない冷却水配管を介し
て冷却水が循環され、該冷却水により前記上端Ｏリング
３６が冷却される。一方、前記反応室６内は前記ヒータ
１により加熱され高温となり、前記インレットフランジ
２５の内壁面３３も高温となる。高温となった該内壁面
３３から前記冷却水路３１方向への熱移動は、前記内壁
面３３と冷却水路３１間の距離が延長されたことにより
困難となると共に、前記遮断溝３４により遮断される。
従って、前記内壁面３３に対する前記冷却水路３１を流
通する冷却水による冷却効果が大幅に減少し、前記内壁
面３３は高温状態に維持される。
【００１８】尚、上記実施の形態に於いては、縦型炉に
於けるインレットフランジについて説明したが、高温流
体を使用する装置、或は配管系の管継手として実施でき
ることはいうまでもない。
於けるインレットフランジについて説明したが、高温流
体を使用する装置、或は配管系の管継手として実施でき
ることはいうまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応室
内でウェーハ成膜時に生成される反応副生成物は冷却水
路が形成されたインレットフランジ等の管体継手部の内
壁面により冷却されず固化しない為、管体継手部の内壁
面に付着することなく外部に排出される。従って、反応
副生成物が管体継手部の内壁面に付着後、付着堆積した
反応副生成物が剥離し、パーティクルとなって反応室内
に逆拡散し、ウェーハに付着することもなく、製品の品
質、歩留まりを向上させることができる。又、管体継手
部の内壁面に反応副生成物が付着しない為管体継手部の
メンテナンス時の作業が容易となり、更に、管体継手部
のメンテナンスサイクルを延長でき、装置の稼働率が向
上する。更に、反応副生成物が腐食性のものであっても
管体継手部内壁面の腐食を防止でき、管体継手部の耐用
年数を延長することが可能となる等、種々の優れた効果
を発揮する。
内でウェーハ成膜時に生成される反応副生成物は冷却水
路が形成されたインレットフランジ等の管体継手部の内
壁面により冷却されず固化しない為、管体継手部の内壁
面に付着することなく外部に排出される。従って、反応
副生成物が管体継手部の内壁面に付着後、付着堆積した
反応副生成物が剥離し、パーティクルとなって反応室内
に逆拡散し、ウェーハに付着することもなく、製品の品
質、歩留まりを向上させることができる。又、管体継手
部の内壁面に反応副生成物が付着しない為管体継手部の
メンテナンス時の作業が容易となり、更に、管体継手部
のメンテナンスサイクルを延長でき、装置の稼働率が向
上する。更に、反応副生成物が腐食性のものであっても
管体継手部内壁面の腐食を防止でき、管体継手部の耐用
年数を延長することが可能となる等、種々の優れた効果
を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す正断面図である。
【図２】縦型炉についての概略説明図である。
【図３】従来例を示す正断面図である。
２５ インレットフランジ ２６ 上端フランジ ２９ 凸部 ３０ 段差面 ３１ 冷却水路 ３３ 内壁面 ３４ 遮断溝 ３６ 上端Ｏリング
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｏリングを介在させて接合される管体継
手部にＯリング冷却用の冷却水路を形成し、該冷却水路
と前記管体継手部内壁面との間に遮断溝を設けたことを
特徴とする管体継手部の冷却構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9209673A JPH1140505A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 管体継手部の冷却構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9209673A JPH1140505A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 管体継手部の冷却構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140505A true JPH1140505A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16576722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9209673A Pending JPH1140505A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 管体継手部の冷却構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140505A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442472B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-30 | 동부전자 주식회사 | 저압화학기상증착 설비에서 플래넘에 쿨런트를 공급하는장치 및 방법 |
| KR100557990B1 (ko) * | 1999-11-18 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 종형 확산로의 진공 누설 방지용 플랜지 |
| KR100655079B1 (ko) | 2005-11-11 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이의 기밀유지장치 |
| JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JP2021181854A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 中外炉工業株式会社 | 熱処理炉 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP9209673A patent/JPH1140505A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557990B1 (ko) * | 1999-11-18 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 종형 확산로의 진공 누설 방지용 플랜지 |
| KR100442472B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-30 | 동부전자 주식회사 | 저압화학기상증착 설비에서 플래넘에 쿨런트를 공급하는장치 및 방법 |
| KR100655079B1 (ko) | 2005-11-11 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이의 기밀유지장치 |
| JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JP2016146393A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US9487863B2 (en) | 2015-02-06 | 2016-11-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP2021181854A (ja) * | 2020-05-19 | 2021-11-25 | 中外炉工業株式会社 | 熱処理炉 |
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