JPS60236216A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS60236216A JPS60236216A JP9259584A JP9259584A JPS60236216A JP S60236216 A JPS60236216 A JP S60236216A JP 9259584 A JP9259584 A JP 9259584A JP 9259584 A JP9259584 A JP 9259584A JP S60236216 A JPS60236216 A JP S60236216A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造に用いられる気相成長装置
に係り、特にエピタキシャル膜の気相成長をより大量に
行なうのに適した気相成長装置に関するものである。
に係り、特にエピタキシャル膜の気相成長をより大量に
行なうのに適した気相成長装置に関するものである。
気相成長装置は、（１）非晶質あるいは多結晶質膜（い
わゆるＣＶＤ膜）用と、（２）単結晶質膜（いわニルエ
ピタキシャル膜）用の２つのグループに分けられる。上
記（１）グループのうち非晶質の５ｉ０２膜％ Ｓｉ３
Ｎ４膜や多結晶質のＳｔ （ノンドープ）膜の気相成長
は、膜の生成が比較的容易であるため、ウニ・・を多数
平行に配列したいわゆる拡散炉型の装置番でより、比較
的皺産化が進められているが、十記（１）グループの中
でもリン（円やホウ素（１１１にドーグしｆｌ Ｉ’
Ｓ （ｌ膜やドーグト多結晶Ｓ１膜および（２）グ！（
−）のエビタキ／ヤル膜では、抵抗分布、膜厚５） イ
Ｈ； ｌ（おいて均一性が良く欠陥のない膜の生成が困
難Ｃあり、ｆΦ々の量産化技術の開発の試みにもかかわ
らず、成功していなかった。すなわち、拡散炉型の装置
としては、第１図に示すように、例えば抵抗ヒータなど
の加熱源１によって加熱される熱壁部の反応管２内に、
該反応管２の長手方向と垂面に多数のウニ・・３をそれ
ぞれ平行に配列し、反応管２の一端側に設けたガス供給
ノズル４から反応ガスを流入させ他端側に設けた排気口
５から排出させるようにしたものが提案されているが、
この装置は反応ガスがウェハ３と直角な方向に流れるた
め、膜厚の均一化（ｉ−はかるためには減圧化 −する
必要があり、この減圧化によって膜成長速度が減少する
欠点があり、特に膜抵抗率の分布（ドープト原子の分布
）を均一にすることが難しい。
わゆるＣＶＤ膜）用と、（２）単結晶質膜（いわニルエ
ピタキシャル膜）用の２つのグループに分けられる。上
記（１）グループのうち非晶質の５ｉ０２膜％ Ｓｉ３
Ｎ４膜や多結晶質のＳｔ （ノンドープ）膜の気相成長
は、膜の生成が比較的容易であるため、ウニ・・を多数
平行に配列したいわゆる拡散炉型の装置番でより、比較
的皺産化が進められているが、十記（１）グループの中
でもリン（円やホウ素（１１１にドーグしｆｌ Ｉ’
Ｓ （ｌ膜やドーグト多結晶Ｓ１膜および（２）グ！（
−）のエビタキ／ヤル膜では、抵抗分布、膜厚５） イ
Ｈ； ｌ（おいて均一性が良く欠陥のない膜の生成が困
難Ｃあり、ｆΦ々の量産化技術の開発の試みにもかかわ
らず、成功していなかった。すなわち、拡散炉型の装置
としては、第１図に示すように、例えば抵抗ヒータなど
の加熱源１によって加熱される熱壁部の反応管２内に、
該反応管２の長手方向と垂面に多数のウニ・・３をそれ
ぞれ平行に配列し、反応管２の一端側に設けたガス供給
ノズル４から反応ガスを流入させ他端側に設けた排気口
５から排出させるようにしたものが提案されているが、
この装置は反応ガスがウェハ３と直角な方向に流れるた
め、膜厚の均一化（ｉ−はかるためには減圧化 −する
必要があり、この減圧化によって膜成長速度が減少する
欠点があり、特に膜抵抗率の分布（ドープト原子の分布
）を均一にすることが難しい。
これに対し、第２図に示すように、抵抗ヒータ線などの
加熱源６によって加熱される半球面状のベルジャ７．８
にて形成される反応室９内Ｖこウニ・・３を立てて多数
配列し、その）三方に設けたガス供給ノズル１０から反
応ガスを流し、下方の排気１１１ ｌから排出すること
により、反応ガス全つ工・・３に泪って流すようにした
ものや、図示しないが、いわゆる横型の熱壁型反応管の
内部に多数のつ王・・を互いに産性にして反応管の長手
方向にイｊわせて配列し、該反応管の一端から他端に向
はウニ・・に沿って反応ガスを流すようにした装置も櫂
案されているが、これらの装置をエピタキ／ヤル膜の生
成に適用しようとすると、エビタキ／ヤル膜の場合には
反応温度が約１２００℃と高く、さらに反応管は熱壁で
あるため、壁面に付着した膜片が温度の昇降によって落
下し、特にウェハの１・方の熱壁部から落下した膜片が
ウニ・・表面に付着して不良の原因となっていた。
加熱源６によって加熱される半球面状のベルジャ７．８
にて形成される反応室９内Ｖこウニ・・３を立てて多数
配列し、その）三方に設けたガス供給ノズル１０から反
応ガスを流し、下方の排気１１１ ｌから排出すること
により、反応ガス全つ工・・３に泪って流すようにした
ものや、図示しないが、いわゆる横型の熱壁型反応管の
内部に多数のつ王・・を互いに産性にして反応管の長手
方向にイｊわせて配列し、該反応管の一端から他端に向
はウニ・・に沿って反応ガスを流すようにした装置も櫂
案されているが、これらの装置をエピタキ／ヤル膜の生
成に適用しようとすると、エビタキ／ヤル膜の場合には
反応温度が約１２００℃と高く、さらに反応管は熱壁で
あるため、壁面に付着した膜片が温度の昇降によって落
下し、特にウェハの１・方の熱壁部から落下した膜片が
ウニ・・表面に付着して不良の原因となっていた。
本発明の目的は、前述した（１）グループのようないわ
ゆるＣ Ｖ Ｄ膜はもちろんエビタキ／ヤル膜でもより
均一にして欠陥の少ない膜生成ができ、かつ量産が可能
な気相成長装置を提供するにある。
ゆるＣ Ｖ Ｄ膜はもちろんエビタキ／ヤル膜でもより
均一にして欠陥の少ない膜生成ができ、かつ量産が可能
な気相成長装置を提供するにある。
かかる目的を達成するための本発明は、鉛直方向に伸び
る反応管と、この反応管の内側に着脱可能に設けられた
均熱管と、反応管の周囲に設けられ反応管を実質的に透
過して均熱管を加熱する放射エネルギを発生する加熱源
と、反応管の上部に設けられたガス供給ノズルと、反応
管の下部に設けられた排気口と、均熱管内に位置すべく
反応管に対して出入可能に設けられ多数のウェハを互い
に略平行にしてかつ反応管の長手方向に対し略平行に位
置させるウェハ支持治具とからなり、均熱管を介して各
ウェハをより均一に加熱すると共に、実質的に高温にな
る均熱管がウニ・・の側方にのみ位置するようにし、こ
の均熱管から膜片なとの付たものである。
る反応管と、この反応管の内側に着脱可能に設けられた
均熱管と、反応管の周囲に設けられ反応管を実質的に透
過して均熱管を加熱する放射エネルギを発生する加熱源
と、反応管の上部に設けられたガス供給ノズルと、反応
管の下部に設けられた排気口と、均熱管内に位置すべく
反応管に対して出入可能に設けられ多数のウェハを互い
に略平行にしてかつ反応管の長手方向に対し略平行に位
置させるウェハ支持治具とからなり、均熱管を介して各
ウェハをより均一に加熱すると共に、実質的に高温にな
る均熱管がウニ・・の側方にのみ位置するようにし、こ
の均熱管から膜片なとの付たものである。
以下本考案の一実施例を示す第３図ないし７！、４図に
ついて説明する。２１は石英製の反応管で。
ついて説明する。２１は石英製の反応管で。
その長手方向が鉛直に位置するように設置されている。
反応管２１の上端は開放され、該上端部に０リングなど
の７一ル部材２２を介在させてガスリング２３が着脱可
能に設けられ、その上に７一ル部材２４を介してトップ
プレート２５が図７１＜シない昇降装置により開閉可能
に設けられている。
の７一ル部材２２を介在させてガスリング２３が着脱可
能に設けられ、その上に７一ル部材２４を介してトップ
プレート２５が図７１＜シない昇降装置により開閉可能
に設けられている。
トッププレート２５には内部に冷却流体の流路２５ａが
設けられている。なお、図示しないが、ガスリング２３
Ｖｃも同様の流路が設けられている。
設けられている。なお、図示しないが、ガスリング２３
Ｖｃも同様の流路が設けられている。
反応管２１の内側には、均熱管２６が着脱０丁能に係合
されている。反応管２１の周囲には、赤外線加熱用のラ
ンプ２７および反射板２８を複数配列したランプブロッ
ク２９が設けられている。前記均熱管２６は、ランプ２
７から石英製の反応管２１を透過してくる赤外線を所定
の割合で吸収して加熱される材料、例えばＳｉ、ＳｉＣ
，カーボ／−マたＶｉＳｉ０２等で形成されている。
されている。反応管２１の周囲には、赤外線加熱用のラ
ンプ２７および反射板２８を複数配列したランプブロッ
ク２９が設けられている。前記均熱管２６は、ランプ２
７から石英製の反応管２１を透過してくる赤外線を所定
の割合で吸収して加熱される材料、例えばＳｉ、ＳｉＣ
，カーボ／−マたＶｉＳｉ０２等で形成されている。
ガスリング２３には、複数のカス供給ノズル３゜が設け
られ、反応管２１の上部ｅこ反応ガスやパージガスなど
の気相成長工程において必要な種々のガスを噴出するよ
うになっている。ｌた、ガスリング２３には、複数のパ
ージガスノズル３１が設けられている。パージガスノズ
ル３１ ノ先端１−１、均熱管２６のフランジ部２６ａ
を抜き差し０■能に貫通して均熱管２６と反応管２１と
の間に入り、この間にＮ２、ｔｌ ２ などのパージガ
スを供給するようになっている。反応管２１の下部には
排気口３２が開けられている。
られ、反応管２１の上部ｅこ反応ガスやパージガスなど
の気相成長工程において必要な種々のガスを噴出するよ
うになっている。ｌた、ガスリング２３には、複数のパ
ージガスノズル３１が設けられている。パージガスノズ
ル３１ ノ先端１−１、均熱管２６のフランジ部２６ａ
を抜き差し０■能に貫通して均熱管２６と反応管２１と
の間に入り、この間にＮ２、ｔｌ ２ などのパージガ
スを供給するようになっている。反応管２１の下部には
排気口３２が開けられている。
トッププレート２５の内面中央ＶＣはホルダ３３が取付
けられ、このホルダ３３にウニノ・支持治具３４の上端
部を着脱自在に係合させるようになっている。ウニノ・
支持治具３４は、反応管２１の中心線に対して垂直な平
面内に位置する２本で１組のウェハ支持棒３４ａ（ｉ−
２組備え、これらのウニ・・支持棒３４ａに間隔を置い
て設けた溝にウニ・・３５全嵌人させ、第３図および第
４図に示すように、多数の該ウニ・・３５を互いに平行
にして反応管２Ｉの長手方向に沿って、すなわち鉛直に
立てて位置させるようＫなっている。なお、これらのウ
ェハ３５は、鉛直状態から若［傾斜させて表面を上方に
向け、この表面により積極的に反応ガスを接触させ膜生
成速度全増加させることも考えられる。
けられ、このホルダ３３にウニノ・支持治具３４の上端
部を着脱自在に係合させるようになっている。ウニノ・
支持治具３４は、反応管２１の中心線に対して垂直な平
面内に位置する２本で１組のウェハ支持棒３４ａ（ｉ−
２組備え、これらのウニ・・支持棒３４ａに間隔を置い
て設けた溝にウニ・・３５全嵌人させ、第３図および第
４図に示すように、多数の該ウニ・・３５を互いに平行
にして反応管２Ｉの長手方向に沿って、すなわち鉛直に
立てて位置させるようＫなっている。なお、これらのウ
ェハ３５は、鉛直状態から若［傾斜させて表面を上方に
向け、この表面により積極的に反応ガスを接触させ膜生
成速度全増加させることも考えられる。
次いで本装置の作用について説明する。トノシブレート
２５を図示しない昇降装置によってにケ１させ、予めウ
ニ・・３５をセットしたウニノ・支持冶具３４をホルダ
３３に係合させる。次いで、トップグレート２５を下降
させ、第３図に不すように、密閉する。このとき、ウニ
・・３５−は均熱管２６中に位置する。次に、排気口３
２から排気しつ′″）ガス供給ノズル３０およびノ（−
ジガスノズル３１からＮ２ガスを、次いで１４２ガスｋ
Ｋして反応管２１内をＨ２ガスに置換し、ランプ２７に
通電して、該ランプ２７から強力な赤外線を発生させる
。ランプ２７からの赤外線は直接および反射板２８を介
して反応管２１に照射される。この赤外線は反応管２１
が石英で形成されているため、該反応管２１を実質的に
透過して内部の均熱管２６に達する。
２５を図示しない昇降装置によってにケ１させ、予めウ
ニ・・３５をセットしたウニノ・支持冶具３４をホルダ
３３に係合させる。次いで、トップグレート２５を下降
させ、第３図に不すように、密閉する。このとき、ウニ
・・３５−は均熱管２６中に位置する。次に、排気口３
２から排気しつ′″）ガス供給ノズル３０およびノ（−
ジガスノズル３１からＮ２ガスを、次いで１４２ガスｋ
Ｋして反応管２１内をＨ２ガスに置換し、ランプ２７に
通電して、該ランプ２７から強力な赤外線を発生させる
。ランプ２７からの赤外線は直接および反射板２８を介
して反応管２１に照射される。この赤外線は反応管２１
が石英で形成されているため、該反応管２１を実質的に
透過して内部の均熱管２６に達する。
均熱管２６は前記赤外線を吸収して発熱昇温し、その内
部空間に対して恒温壁として働き、該空間内をほぼ均一
に加熱し、そこに置かれているウェハ３５を所定の気相
成長温度に加熱する。なお、前記ランプ２８による加熱
中は、トッププレート２５の流路２５ａおよびガスリン
グ２３やランプブロック２９の図示しない流路に冷却流
体を流し、これらを冷却すると共に、反応管２１の外表
面にも冷却空気を吹き付けて冷却する。
部空間に対して恒温壁として働き、該空間内をほぼ均一
に加熱し、そこに置かれているウェハ３５を所定の気相
成長温度に加熱する。なお、前記ランプ２８による加熱
中は、トッププレート２５の流路２５ａおよびガスリン
グ２３やランプブロック２９の図示しない流路に冷却流
体を流し、これらを冷却すると共に、反応管２１の外表
面にも冷却空気を吹き付けて冷却する。
ウニ・・３５が所定の気相成長層＃に達したならば、ガ
ス供給ノズル３０から反応ガスを供給してウェハ３５に
気相成長層を形成する。このとき、反応ガスは互いに平
行に配列されているウニノ・３５の間をそれらに沿って
流れるため、膜厚および抵抗率分布の均一化がはかれる
。これらをより効率的に行うために前述したようにウニ
ノ・３５を若干傾斜させたり、各ウニ・・３５０間隔を
完全な平行とせず、交互に若干勾配を持たせてもよい。
ス供給ノズル３０から反応ガスを供給してウェハ３５に
気相成長層を形成する。このとき、反応ガスは互いに平
行に配列されているウニノ・３５の間をそれらに沿って
流れるため、膜厚および抵抗率分布の均一化がはかれる
。これらをより効率的に行うために前述したようにウニ
ノ・３５を若干傾斜させたり、各ウニ・・３５０間隔を
完全な平行とせず、交互に若干勾配を持たせてもよい。
他方、パージガスノズル３１からはＨ２ガスを流し続け
、均熱管２６と反応管２１との間に反応ガスが流入しな
いようにし、反応管２１の内面と均熱管２６の外周面に
反応生成物が付着することを防止する。
、均熱管２６と反応管２１との間に反応ガスが流入しな
いようにし、反応管２１の内面と均熱管２６の外周面に
反応生成物が付着することを防止する。
この反応管２１の内面に対する反応生成物の付着は、前
記１−１２ガスすなわち・く−ジガスによる反応ガスの
パージと、前記冷却空気による外側からの冷却によって
より確実に達成される。また、ウニ・・３５の上方に位
置するトッププレート２５は、 Ａｊｌ記のように流路
２５ａを流れる冷却流体によ′ｐて冷却されているため
、反応生成物の付着は押えられる。他方、均熱管２６の
内面は、高温であり、反応ガスに直接接触するため、反
応生成物が付着するが、これは該均熱管２６を介して行
なわれるウェハ３５の加熱に悪影響を及ぼすことはなく
、また付着物がはく離して落下しても、これはガス供給
ノズル３０から供給されて排気口３２へ向かう下向キの
ガス流によって下方へ確実に落下するため、ウニノ・３
５へ付着することはほとんどない。
記１−１２ガスすなわち・く−ジガスによる反応ガスの
パージと、前記冷却空気による外側からの冷却によって
より確実に達成される。また、ウニ・・３５の上方に位
置するトッププレート２５は、 Ａｊｌ記のように流路
２５ａを流れる冷却流体によ′ｐて冷却されているため
、反応生成物の付着は押えられる。他方、均熱管２６の
内面は、高温であり、反応ガスに直接接触するため、反
応生成物が付着するが、これは該均熱管２６を介して行
なわれるウェハ３５の加熱に悪影響を及ぼすことはなく
、また付着物がはく離して落下しても、これはガス供給
ノズル３０から供給されて排気口３２へ向かう下向キの
ガス流によって下方へ確実に落下するため、ウニノ・３
５へ付着することはほとんどない。
第５図は、本発明の他の実施例を示すもので、ガス供給
ノズル３ＯＡ’ｅ多数の小孔を有する／ヤワー状に形成
し、て、反応ガスの流れを層流とし、より均一な気相成
長層が得られるようにしたものである。なお、このガス
供給ノズル３０Ａは、ウェハ３５の出入の障害にならな
いようトップグレート２５Ｖｃ取付けられている。その
他の構造は、第３図および第４図と同様であるため、説
明を省略する。
ノズル３ＯＡ’ｅ多数の小孔を有する／ヤワー状に形成
し、て、反応ガスの流れを層流とし、より均一な気相成
長層が得られるようにしたものである。なお、このガス
供給ノズル３０Ａは、ウェハ３５の出入の障害にならな
いようトップグレート２５Ｖｃ取付けられている。その
他の構造は、第３図および第４図と同様であるため、説
明を省略する。
第６図は、本発明のさらに他の実施例を示すもので、放
射エネルギの発生源として高周波コイル３６を用いたも
のである。この場合、均熱管２６は被誘導加熱物として
作用するので、その材料はカーボン、Ｓｉ、ＳｉＣ等の
電気導体で形成される。
射エネルギの発生源として高周波コイル３６を用いたも
のである。この場合、均熱管２６は被誘導加熱物として
作用するので、その材料はカーボン、Ｓｉ、ＳｉＣ等の
電気導体で形成される。
第７図は、本発明のさらに他の実施例を示すもので、シ
ャワー状のガス供給ノズルを符号３０Ｂ。
ャワー状のガス供給ノズルを符号３０Ｂ。
３０ Ｃで示すように半径方向に複数のリング状に分割
し、それぞれの反応ガス流量の割合を可変にして、気相
成長層のより一層の均一化をはかるようにしたものであ
る。また、この第７図は、ウニノ・７ ３５と排気口３２との間にバッファ板Ａ”設け、均熱管
２６内の断面全体にわたるガスの流量分布を適宜に設定
し得るようにした例をも示している。
し、それぞれの反応ガス流量の割合を可変にして、気相
成長層のより一層の均一化をはかるようにしたものであ
る。また、この第７図は、ウニノ・７ ３５と排気口３２との間にバッファ板Ａ”設け、均熱管
２６内の断面全体にわたるガスの流量分布を適宜に設定
し得るようにした例をも示している。
第８図は、本発明のさらに他の実施例を示すもので、ウ
ェハ支持治具３４に石英、カーボン、Ｓｉ、ＳｉＣなど
の材料で形成したウニノ・支持板３８を設け、ウェハ３
５をこのウニノ・支持板３８Ｖｃ密着させて保持するこ
とにより、反応ガスの温度や流れの変動によるウェハ３
５の温度変化をより小さく押えるようにしたものである
。
ェハ支持治具３４に石英、カーボン、Ｓｉ、ＳｉＣなど
の材料で形成したウニノ・支持板３８を設け、ウェハ３
５をこのウニノ・支持板３８Ｖｃ密着させて保持するこ
とにより、反応ガスの温度や流れの変動によるウェハ３
５の温度変化をより小さく押えるようにしたものである
。
なお、本発明における反応管２１および均熱管２６は、
平行に多数配列されたウニ・・３５の開閉形状に合わせ
て断面全角形にしてもよい。
平行に多数配列されたウニ・・３５の開閉形状に合わせ
て断面全角形にしてもよい。
以上述べたように本発明によれば、多数のつ工・・を反
応管内により密に配列する為一度により多くのウェハを
処理できると共に、膜厚、抵抗率分布などがより均一で
、反応容器内に付着した反応生成物のはく離に伴なう欠
陥も少ない良好な気相成長層が得られる。
応管内により密に配列する為一度により多くのウェハを
処理できると共に、膜厚、抵抗率分布などがより均一で
、反応容器内に付着した反応生成物のはく離に伴なう欠
陥も少ない良好な気相成長層が得られる。
第１図および第２図は従来の量産型気相成長装置のそれ
ぞれ異なる例を示す概要断面図、第３図は本発明の一実
施例を示す断面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線によ
る横断面図、第５図ないし第８図は本発明のそれぞれ異
なる実施例を示す概要断面図である。 ２１ ・・・反応管、２３・・・ガスリング、２５・・
・トッププレート、２６・・均熱管、２７・・・ランプ
（加熱源）、２８・・反射板、３０．３０へ３０Ｂ、
３０Ｃ・ガス供給ノズル、３１・・・パージガスノズル
、３２・・・排気口、３３・・ホルダ、３４・・ ウェ
ハ支持治具、３５・・ウェハ、３６・・・高周波コイル
（加熱源）、３７・・・バッファ板、 ３８・・・ウニ
・・支持板。 出願人 東芝機械株式会社 第１図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 昭和６０年３月１３目 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第９２５９５号 ２ 発明の名称 気相成長装置 ３、補正をする者 特許出願人 〒１０４ 住 所 東京都中央区銀座４丁目２番１１号４゜補正の
対象 明細書の１特許請求の範囲 発明の詳細な説明および
図面の簡単な説明」の欄 補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 ２）明細書第５頁４〜１３行 ［鉛直方向に・・・とからなり、］を次のように訂正す
る。 ［鉛直方向に配置された反応容器と、反応容器の内側に
立てて着脱′１ｌｒＪ能に設けられた均熱管と、反応容
器の周囲に設けられ反応容器を実質的に透過して均熱管
を加熱する放射エネルギーを発生する加熱源と、均熱管
内に位置され多数のウェハを略鉛直方向に立てて配列す
るウニ・・支持治具と、ウニ・・に沿って均熱管内に反
応ガスを流すガス給排手段とからなり、−］ ３） 同第５貴下から３行 「排気口へ導き得る」を 「排出し得る」と訂正する。 ４）同第６頁２行。 「反応管Ｊを 「反応容器（以下反応管という）」と訂正する。 ５）同第１２頁下から８行 「反応管」を 「反応容器−］と訂正する。 ６）同第１３頁５行 「反応管」を １反応容器」と訂正する。 特許請求の範囲 １ 鉛直方向に配置された反応容器と、同反応容器の内
側に立てて着脱可能に設けられた均熱管と、前記反応容
器の周囲に設けられ前記反応容器を実質的に透過して前
記均熱管を加熱する放射エネルギを全装置。 ３ 加熱源が高周波誘導加熱用ワークコイルであること
を特徴とする特許請求の範囲第１′−またけ２項記載の
気相成長装置。 ４ 加熱源がランプであることを特徴とする特許請求の
範囲第１または２項記載の気相成長装置。 ５ ウニ・・支持治具が熱伝導の良好な材質の板状のウ
ニ・・支持板を有し、該ウニ・・支持板の表面にウド・
を耳ヌ付けるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１．２．３または４項記載の気相成長装置。 ６ 反応容器と均熱管との間にパージガスを供給するよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１．２．３
１ ７１！たけ５項記載の気相成長装置。
ぞれ異なる例を示す概要断面図、第３図は本発明の一実
施例を示す断面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線によ
る横断面図、第５図ないし第８図は本発明のそれぞれ異
なる実施例を示す概要断面図である。 ２１ ・・・反応管、２３・・・ガスリング、２５・・
・トッププレート、２６・・均熱管、２７・・・ランプ
（加熱源）、２８・・反射板、３０．３０へ３０Ｂ、
３０Ｃ・ガス供給ノズル、３１・・・パージガスノズル
、３２・・・排気口、３３・・ホルダ、３４・・ ウェ
ハ支持治具、３５・・ウェハ、３６・・・高周波コイル
（加熱源）、３７・・・バッファ板、 ３８・・・ウニ
・・支持板。 出願人 東芝機械株式会社 第１図 第５図 第６図 手続補正書（自発） 昭和６０年３月１３目 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第９２５９５号 ２ 発明の名称 気相成長装置 ３、補正をする者 特許出願人 〒１０４ 住 所 東京都中央区銀座４丁目２番１１号４゜補正の
対象 明細書の１特許請求の範囲 発明の詳細な説明および
図面の簡単な説明」の欄 補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり訂正する。 ２）明細書第５頁４〜１３行 ［鉛直方向に・・・とからなり、］を次のように訂正す
る。 ［鉛直方向に配置された反応容器と、反応容器の内側に
立てて着脱′１ｌｒＪ能に設けられた均熱管と、反応容
器の周囲に設けられ反応容器を実質的に透過して均熱管
を加熱する放射エネルギーを発生する加熱源と、均熱管
内に位置され多数のウェハを略鉛直方向に立てて配列す
るウニ・・支持治具と、ウニ・・に沿って均熱管内に反
応ガスを流すガス給排手段とからなり、−］ ３） 同第５貴下から３行 「排気口へ導き得る」を 「排出し得る」と訂正する。 ４）同第６頁２行。 「反応管Ｊを 「反応容器（以下反応管という）」と訂正する。 ５）同第１２頁下から８行 「反応管」を 「反応容器−］と訂正する。 ６）同第１３頁５行 「反応管」を １反応容器」と訂正する。 特許請求の範囲 １ 鉛直方向に配置された反応容器と、同反応容器の内
側に立てて着脱可能に設けられた均熱管と、前記反応容
器の周囲に設けられ前記反応容器を実質的に透過して前
記均熱管を加熱する放射エネルギを全装置。 ３ 加熱源が高周波誘導加熱用ワークコイルであること
を特徴とする特許請求の範囲第１′−またけ２項記載の
気相成長装置。 ４ 加熱源がランプであることを特徴とする特許請求の
範囲第１または２項記載の気相成長装置。 ５ ウニ・・支持治具が熱伝導の良好な材質の板状のウ
ニ・・支持板を有し、該ウニ・・支持板の表面にウド・
を耳ヌ付けるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１．２．３または４項記載の気相成長装置。 ６ 反応容器と均熱管との間にパージガスを供給するよ
うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１．２．３
１ ７１！たけ５項記載の気相成長装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ 鉛直方向に伸びる反応管と、同反応管の内側に着脱
可能に設けられた均熱管と、前記反応管の同曲に設けら
れ前記反応管を実質的に透過して炉記均熱管全加熱する
放射エネルギを発生する加熱源と、前記反応管の上部に
設けられたガス供給ノズルと、前記反応管の下部に設け
られた排気口と、前記均熱管内に位置すべく反応管に対
して出入可能に設けられ多数のウェハを互いに略平行に
してかつ反応管の長子方向に対し略平行に位置させるウ
ェハ支持治具とからなる気相成長装置。 ２ 加熱源が高周波誘導加熱用ワークコイルであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置
。 ３ 加熱源がラングであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の気相成長装置。 ４ ウェハ支持治具が熱伝導の良好な材質の板状取付け
るようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１．２
１ｆＣ，は３項記載の気相成長装置。 ５、反応管と均熱管との間にパージガスを供給するよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第’＋ ２＋３
４ｆｃは４項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9259584A JPS60236216A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9259584A JPS60236216A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236216A true JPS60236216A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14058798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9259584A Pending JPS60236216A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236216A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920918A (en) * | 1989-04-18 | 1990-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pressure-resistant thermal reactor system for semiconductor processing |
| US5452396A (en) * | 1994-02-07 | 1995-09-19 | Midwest Research Institute | Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate |
| US5795396A (en) * | 1989-03-31 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming crystalline film |
| US5970213A (en) * | 1993-03-02 | 1999-10-19 | Balzers Und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellscaft | Apparatus for heating a transparent substrate utilizing an incandescent lamp and a heating disk emitting infrared wavelengths |
| JP2013055201A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP9259584A patent/JPS60236216A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795396A (en) * | 1989-03-31 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming crystalline film |
| US4920918A (en) * | 1989-04-18 | 1990-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pressure-resistant thermal reactor system for semiconductor processing |
| US5970213A (en) * | 1993-03-02 | 1999-10-19 | Balzers Und Leybold Deutschland Holding Aktiengesellscaft | Apparatus for heating a transparent substrate utilizing an incandescent lamp and a heating disk emitting infrared wavelengths |
| US5452396A (en) * | 1994-02-07 | 1995-09-19 | Midwest Research Institute | Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate |
| US5577157A (en) * | 1994-02-07 | 1996-11-19 | Midwest Research Institute | Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate |
| JP2013055201A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
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