JPS60253212A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS60253212A JPS60253212A JP10864584A JP10864584A JPS60253212A JP S60253212 A JPS60253212 A JP S60253212A JP 10864584 A JP10864584 A JP 10864584A JP 10864584 A JP10864584 A JP 10864584A JP S60253212 A JPS60253212 A JP S60253212A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- reactive gas
- semiconductor substrates
- gas
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、紫外線により気相膜の形成全促進させるよう
にした気相成長装置に関する。
にした気相成長装置に関する。
この種の気相成長装置としては従来、たとえば第１図に
示すようなものが知られている。すなわち、図中１は反
応室で、この反応室１内にはサセプタ２が設けられ、と
のサセプタ２上には複数枚のシリコンウェハ３が載置さ
れている。
示すようなものが知られている。すなわち、図中１は反
応室で、この反応室１内にはサセプタ２が設けられ、と
のサセプタ２上には複数枚のシリコンウェハ３が載置さ
れている。
また、上記反応室１の下方部には赤外線ランデ４が配設
され、上方部には紫外線ランプ５が配設されている。
され、上方部には紫外線ランプ５が配設されている。
しかして、気相膜の形成時にはガス供給管６により反応
室１内に反応ガスが供給されるとともに赤外線ランデ４
が発光されてサセプタを介してウェハ３が加熱される。
室１内に反応ガスが供給されるとともに赤外線ランデ４
が発光されてサセプタを介してウェハ３が加熱される。
反応室１内に供給された反応ガスは紫外線を吸収して電
子的に励起して解離、化合し、さらに加熱されたウェハ
３の熱エネルギーを受けて反応が加速されウェハ３の表
面に気相膜を形成する。
子的に励起して解離、化合し、さらに加熱されたウェハ
３の熱エネルギーを受けて反応が加速されウェハ３の表
面に気相膜を形成する。
しかしながら、従来のものはウェハ３をサセプタ２上に
平面的に載置するものであるため、ウェハ３を大量処理
する場合には、サセプタ２の面積を大きくしなければな
らない。このため、ウェハ３・・・の全体に対し、反応
ガスを均一的に供給することが困難となり、膜形成速度
にばらつきがでてくるという不都合があった。
平面的に載置するものであるため、ウェハ３を大量処理
する場合には、サセプタ２の面積を大きくしなければな
らない。このため、ウェハ３・・・の全体に対し、反応
ガスを均一的に供給することが困難となり、膜形成速度
にばらつきがでてくるという不都合があった。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的
とするところは、半導体基板を紫外線を利用して多量に
処理する場合であっても均一な気相膜を形成できるよう
にした気相成長装置を提供しようとすることにある。
とするところは、半導体基板を紫外線を利用して多量に
処理する場合であっても均一な気相膜を形成できるよう
にした気相成長装置を提供しようとすることにある。
本発明は上記目的を達成するため、複数の半導体基板を
その板面が対向する状態に平行で、かつ、前記反応ガス
の流れ方向に沿って配設保持する保持具を備えるととも
に、反応ガスの流れに対して上流側の反応管の外周部に
紫外線供給源を設け、下流側で前記保持具により保持さ
れている半導体基板に対応位置の反応管の外周部に半導
体基板を加熱するための加熱源を設け、紫外線によって
励起した反応ガスを加熱源によって加熱されている多数
の半導体基板の間にそれらに沿って流すようにしたもの
である。
その板面が対向する状態に平行で、かつ、前記反応ガス
の流れ方向に沿って配設保持する保持具を備えるととも
に、反応ガスの流れに対して上流側の反応管の外周部に
紫外線供給源を設け、下流側で前記保持具により保持さ
れている半導体基板に対応位置の反応管の外周部に半導
体基板を加熱するための加熱源を設け、紫外線によって
励起した反応ガスを加熱源によって加熱されている多数
の半導体基板の間にそれらに沿って流すようにしたもの
である。
以下、本発明を第２図に示す一実施例を参照して説明す
る。図中１１は石英製の管体１２によって構成された反
応室で、この反応室１１の上部側には反応ガスを供給す
るジャワ状のノズルＩ３が設けられ、下部側には排気管
１４が設けられている。また、上記反応室１ノ内には保
持具１５が設けられ、この保持具１５により、半導体基
板としての複数枚のウェハ１６・・・が立位状態でその
板面を互いに対向して平行に支持されている。また、前
記ウェハ１６・・・は上記管体１２の長手方向、すなわ
ち反応ガスの流れ方向に対しても平行に配置保持されて
いる。
る。図中１１は石英製の管体１２によって構成された反
応室で、この反応室１１の上部側には反応ガスを供給す
るジャワ状のノズルＩ３が設けられ、下部側には排気管
１４が設けられている。また、上記反応室１ノ内には保
持具１５が設けられ、この保持具１５により、半導体基
板としての複数枚のウェハ１６・・・が立位状態でその
板面を互いに対向して平行に支持されている。また、前
記ウェハ１６・・・は上記管体１２の長手方向、すなわ
ち反応ガスの流れ方向に対しても平行に配置保持されて
いる。
また、上記反応管１１内には赤外線を吸収する材料によ
って成形された均熱管１７が上記ウェハ１６・・・を囲
繞するように設けられている。
って成形された均熱管１７が上記ウェハ１６・・・を囲
繞するように設けられている。
また、上記反応管１１の外側部にはウェハ１６の加熱源
として赤外線ランプ１８が配設されているとともに前記
赤外線ランプ１８の上部側に位置して紫外線供給源とし
ての紫外線ランプ１９が配設されている。また、上記反
応管１２内の上部側にはパージガスあるい［ＨＣｔ（塩
化水素）ガスを供給するための冷却用のノズル２０が設
けられ、このノズル２０の噴出口２０ａ５− は反応管１２の上部側に着脱可能に嵌入した内管２１の
内壁面に向けられている。内管２１は管体１２と同様に
石英のような紫外線を透過する材料で形成されている。
として赤外線ランプ１８が配設されているとともに前記
赤外線ランプ１８の上部側に位置して紫外線供給源とし
ての紫外線ランプ１９が配設されている。また、上記反
応管１２内の上部側にはパージガスあるい［ＨＣｔ（塩
化水素）ガスを供給するための冷却用のノズル２０が設
けられ、このノズル２０の噴出口２０ａ５− は反応管１２の上部側に着脱可能に嵌入した内管２１の
内壁面に向けられている。内管２１は管体１２と同様に
石英のような紫外線を透過する材料で形成されている。
前記ノズル２０から供給されるガスは、上記紫外線ラン
デ１９と対向する反応管Ｉ２の実質的に内壁面を形成す
る内管２１の内壁面を冷却するようになっている。
デ１９と対向する反応管Ｉ２の実質的に内壁面を形成す
る内管２１の内壁面を冷却するようになっている。
しかして、ウェハ１６・・・に気相膜を形成する場合に
は、まず、赤外線ランプＩ８・・・が発熱され、均熱管
１７を介してウェハ１６・・・全体を１００〜５００’
Ｃ程度に加熱する。しかるのち、ノズルＩ３から反応ガ
スをジャワ状に供給するとともにこれに紫外線ランプ１
９から紫外線を供給する。これにより、反応ガスは紫外
線エネルギーを吸収して励起され、分解、化合反応を生
じ、さらに、ウェハ１６・・・の表面において熱エネル
ギーを吸収しつつ膜となって堆積されることになる。
は、まず、赤外線ランプＩ８・・・が発熱され、均熱管
１７を介してウェハ１６・・・全体を１００〜５００’
Ｃ程度に加熱する。しかるのち、ノズルＩ３から反応ガ
スをジャワ状に供給するとともにこれに紫外線ランプ１
９から紫外線を供給する。これにより、反応ガスは紫外
線エネルギーを吸収して励起され、分解、化合反応を生
じ、さらに、ウェハ１６・・・の表面において熱エネル
ギーを吸収しつつ膜となって堆積されることになる。
この膜形成時において、複数枚のウェハ１６・・・は立
位状態に平行で、かつ反応ガスの流れに沿６一 って平行であるため、ウェハ１６・・・全多量処理して
も反応ガスを各ウェハ１６・・・に対し、均一的に供給
することができ、ウェハ１６・・・に形成される膜厚に
ばらつきを生じることがない。
位状態に平行で、かつ反応ガスの流れに沿６一 って平行であるため、ウェハ１６・・・全多量処理して
も反応ガスを各ウェハ１６・・・に対し、均一的に供給
することができ、ウェハ１６・・・に形成される膜厚に
ばらつきを生じることがない。
また、内管２１の内壁面はノズル２０からのパージガス
やＨＣｔガスによシ反応生成物の付着を防止され、紫外
線の透過を阻害しないようにしてはいるが、若干の反応
生成物が付着することもある。この場合には、内管２１
を清浄なものと交換する。
やＨＣｔガスによシ反応生成物の付着を防止され、紫外
線の透過を阻害しないようにしてはいるが、若干の反応
生成物が付着することもある。この場合には、内管２１
を清浄なものと交換する。
なお、本発明は上記一実施例に限られることなく、例え
ばウェハの加熱源としては高周波コイルを用い均熱管を
誘導加熱によって加熱してもよい等、その要旨の範囲内
で種々変更実施可能なことは勿論である。
ばウェハの加熱源としては高周波コイルを用い均熱管を
誘導加熱によって加熱してもよい等、その要旨の範囲内
で種々変更実施可能なことは勿論である。
本発明は以上説明したように、保持具により複数枚の半
導体基板をその板面が対向する状態で平行に、かつ、反
応ガスの流れ方向に平行に配置保持して加熱源により加
熱し、上流側に設けた紫外線供給源にて励起した反応ガ
スを前記半導体基板に沿って流すようにしたから、スペ
ースを広く必要とすることすく、低温度加熱での気相成
長を多数枚の各半導体基板に対しより均一に行なうこと
が可能になるという効果を奏するものである。
導体基板をその板面が対向する状態で平行に、かつ、反
応ガスの流れ方向に平行に配置保持して加熱源により加
熱し、上流側に設けた紫外線供給源にて励起した反応ガ
スを前記半導体基板に沿って流すようにしたから、スペ
ースを広く必要とすることすく、低温度加熱での気相成
長を多数枚の各半導体基板に対しより均一に行なうこと
が可能になるという効果を奏するものである。
第１図は従来例を示す側断面図、第２図は本発明の一実
施例である気相成長装置を示す側断面図である。 １１・・・反応室、１６・・・ウニ・・（半導体基板）
、１５・・・保持具、１８・・・加熱源、１９・・・紫
外線供給源。
施例である気相成長装置を示す側断面図である。 １１・・・反応室、１６・・・ウニ・・（半導体基板）
、１５・・・保持具、１８・・・加熱源、１９・・・紫
外線供給源。
Claims (5)
- （１）反応室内にその一端側から反応ガスを供給して複
数枚の半導体基板に気相成長させて他端側から排気する
ものにおいて、前記複数枚の半導体基板をその板面が対
向する状態に平行で、かつ、前記反応ガスの流れ方向に
沿って平行に配置保持する保持具を備えるとともに反応
室の一端側の外周部に紫外線供給源、他端側の外周部に
半導体基板の加熱源を配設しかつ、反応室内に複数枚の
半導体基板を囲繞するように設けられて前記半導体基板
の加熱源からのエネルギにて加熱される均熱管を備えた
ことｆ、％徴とする気相成長装置。 - （２） 紫外線供給源は水銀ランプで、半導体基板の加
熱源はハロダン２ンデであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の気相成長装置Ｑ - （３）反応ガスを供給するノズルはシャワー状に形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の気相成長装置。 - （４）反応室の一端側の内壁面全冷却する冷却用ノズル
を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３
項いずれか記載の気相成長装置０ - （５）冷却用ノズルはパージガスあるいはＨＣｔガスを
供給することを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10864584A JPS60253212A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10864584A JPS60253212A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60253212A true JPS60253212A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14490051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10864584A Pending JPS60253212A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60253212A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121324A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
| FR2950080A1 (fr) * | 2009-09-17 | 2011-03-18 | Essilor Int | Procede et dispositif de depot chimique en phase gazeuse d'un film polymere sur un substrat |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP10864584A patent/JPS60253212A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121324A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
| FR2950080A1 (fr) * | 2009-09-17 | 2011-03-18 | Essilor Int | Procede et dispositif de depot chimique en phase gazeuse d'un film polymere sur un substrat |
| WO2011033208A1 (fr) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | Essilor International (Compagnie Générale d'Optique) | Procédé et dispositif de dépôt chimique en phase gazeuse d'un film polymère sur un substrat |
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