JPH03200322A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03200322A JPH03200322A JP34106089A JP34106089A JPH03200322A JP H03200322 A JPH03200322 A JP H03200322A JP 34106089 A JP34106089 A JP 34106089A JP 34106089 A JP34106089 A JP 34106089A JP H03200322 A JPH03200322 A JP H03200322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction vessel
- etching gas
- semiconductor substrate
- gas
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばシリコン（Ｓｔ）基板等の半導体基板
に誘電体やポリシリコン膜等を形成する場合に使用する
半導体製造装置に関するものである。
に誘電体やポリシリコン膜等を形成する場合に使用する
半導体製造装置に関するものである。
従来、この種の半導体製造装置としては、第２図に示す
ようなＬＰＧＶＤ （低圧化学気相成長）装置が採用さ
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号１で示す箱状の支持体には上方に開口する貫
通孔２が設けられており、この貫通孔２の開口周縁には
加熱装置としてのヒータ３を内蔵する筒体４が固定され
ている。
ようなＬＰＧＶＤ （低圧化学気相成長）装置が採用さ
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号１で示す箱状の支持体には上方に開口する貫
通孔２が設けられており、この貫通孔２の開口周縁には
加熱装置としてのヒータ３を内蔵する筒体４が固定され
ている。
５はガス供給管６およびガス排出管７の一部がその内部
に臨む反応容器で、前記筒体４および前記支持体１内に
各々臨む上下２つの有底箱体８．９からなり、このうち
下方の有底箱体９には上方の有底箱体８内に石英ボート
１０を挿抜する挿抜口１１が設けられている。また、上
方の有底箱体８内には、前記石英ボート１０によって例
えばＳｔウェハ等の半導体基板１２が挿抜自在に収容さ
れる。１３は前記挿抜口１１を開閉する蓋体としてのキ
ャンプで、前記支持体１内に進退自在に設けられており
、−側に前記石英ボート１０を保持するように構成され
ている。なお、１４は前記ガス排出管７から前記反応容
器５内の空気や反応ガス（例えば５ｉＨ４）を反応容器
外に排気するためのポンプである。また、１５は半導体
基板１２０反応容器５内への挿抜時に前記キャップ１３
を昇降する昇降機である。
に臨む反応容器で、前記筒体４および前記支持体１内に
各々臨む上下２つの有底箱体８．９からなり、このうち
下方の有底箱体９には上方の有底箱体８内に石英ボート
１０を挿抜する挿抜口１１が設けられている。また、上
方の有底箱体８内には、前記石英ボート１０によって例
えばＳｔウェハ等の半導体基板１２が挿抜自在に収容さ
れる。１３は前記挿抜口１１を開閉する蓋体としてのキ
ャンプで、前記支持体１内に進退自在に設けられており
、−側に前記石英ボート１０を保持するように構成され
ている。なお、１４は前記ガス排出管７から前記反応容
器５内の空気や反応ガス（例えば５ｉＨ４）を反応容器
外に排気するためのポンプである。また、１５は半導体
基板１２０反応容器５内への挿抜時に前記キャップ１３
を昇降する昇降機である。
このように構成された半導体製造装置においては、ヒー
タ３によって常時高温（例えば６００℃）に設定された
反応容器５内に半導体基板１２を挿入し、次いでキャッ
プ１３によって挿抜口１１を閉塞し、しかる後反応容器
５内を真空排気してから、反応容器５内に反応ガスを供
給することにより半導体基板１２の表面に薄膜を形成す
ることができる。
タ３によって常時高温（例えば６００℃）に設定された
反応容器５内に半導体基板１２を挿入し、次いでキャッ
プ１３によって挿抜口１１を閉塞し、しかる後反応容器
５内を真空排気してから、反応容器５内に反応ガスを供
給することにより半導体基板１２の表面に薄膜を形成す
ることができる。
ところで、従来の半導体製造装置においては、反応容器
５内への半導体基板１２の挿入時に支持体１内が空気雰
囲気であることから、半導体基板１２の表面に空気中の
０□による酸化によって自然酸化膜（膜厚が約２０人で
ある）が発生し、半導体基板１２の表面上に例えばポリ
シリコン膜等の導電膜を形成する場合に半導体基板１２
と導電膜との間に介在していた。この結果、半導体基板
１２と導電膜間の電気抵抗が著しく高くなり、半導体基
板処理上の信頼性が低下するという問題があつた。
５内への半導体基板１２の挿入時に支持体１内が空気雰
囲気であることから、半導体基板１２の表面に空気中の
０□による酸化によって自然酸化膜（膜厚が約２０人で
ある）が発生し、半導体基板１２の表面上に例えばポリ
シリコン膜等の導電膜を形成する場合に半導体基板１２
と導電膜との間に介在していた。この結果、半導体基板
１２と導電膜間の電気抵抗が著しく高くなり、半導体基
板処理上の信頼性が低下するという問題があつた。
そこで、反応容器５内にエツチングガスを供給して自然
酸化膜を選択的に除去することが考えられるが、この場
合自然酸化膜のエツチング速度を抑制するためにはヒー
タ３をスイッチＯＦＦする必要があった。この結果、膜
形成時にはヒータ３を再度スイッチＯＮして反応容器５
を加熱しなければならず、このため反応容器５内が所定
の温度になるまでに多大の時間を費やし、半導体基板処
理上の稼働率が低下するという不都合があった。
酸化膜を選択的に除去することが考えられるが、この場
合自然酸化膜のエツチング速度を抑制するためにはヒー
タ３をスイッチＯＦＦする必要があった。この結果、膜
形成時にはヒータ３を再度スイッチＯＮして反応容器５
を加熱しなければならず、このため反応容器５内が所定
の温度になるまでに多大の時間を費やし、半導体基板処
理上の稼働率が低下するという不都合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、半導
体基板処理上の信頼性および稼働率を高めることができ
る半導体製造装置を提供するものである。
体基板処理上の信頼性および稼働率を高めることができ
る半導体製造装置を提供するものである。
本発明に係る半導体製造装置は、ガス供給口およびガス
排出口を有しその内部に半導体基板を挿抜自在に収容す
る反応容器と、この反応容器の周囲に進退自在に設けら
れ容器加熱用の加熱装置とを備え、反応容器内にエツチ
ングガスを供給する管体を臨ませたものである。
排出口を有しその内部に半導体基板を挿抜自在に収容す
る反応容器と、この反応容器の周囲に進退自在に設けら
れ容器加熱用の加熱装置とを備え、反応容器内にエツチ
ングガスを供給する管体を臨ませたものである。
本発明においては、加熱装置を反応容器から後退させた
状態で反応容器内にエツチングガスを供給することがで
きると共に、エツチングガス排出後に予め高温に保持さ
れた加熱装置によって反応容器を加熱することができる
。
状態で反応容器内にエツチングガスを供給することがで
きると共に、エツチングガス排出後に予め高温に保持さ
れた加熱装置によって反応容器を加熱することができる
。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る半導体製造装置を示す断面図で、
同図において第２図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
同図において第２図と同一の部材については同一の符号
を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号２１で示すものは加熱装置としての
ヒータ２２を内蔵する筒体で、前記反応容器５の周囲に
設けられ、かつレール２３に支持環２４を介して昇降自
在に保持されている。２５は前記反応容器５内にエツチ
ングガスを供給する管体で、前記両有底箱体８．９のう
ち下方の有底箱体９に挿通固定されている。
ヒータ２２を内蔵する筒体で、前記反応容器５の周囲に
設けられ、かつレール２３に支持環２４を介して昇降自
在に保持されている。２５は前記反応容器５内にエツチ
ングガスを供給する管体で、前記両有底箱体８．９のう
ち下方の有底箱体９に挿通固定されている。
このように構成された半導体製造装置においては、ヒー
タ２２を反応容器５から上方に後退させた状態で反応容
器５内にエラチンガスを供給することができる。
タ２２を反応容器５から上方に後退させた状態で反応容
器５内にエラチンガスを供給することができる。
したがって、本実施例においては、半導体基板１２上の
シリコン酸化膜（厚さが５０Å以上）を除去することな
く、自然酸化膜（厚さが約２０人）のみを除去して所望
の膜形成を行うことができるから、従来導電膜を形成す
る場合に生じる電気抵抗の上昇を抑制することができる
。
シリコン酸化膜（厚さが５０Å以上）を除去することな
く、自然酸化膜（厚さが約２０人）のみを除去して所望
の膜形成を行うことができるから、従来導電膜を形成す
る場合に生じる電気抵抗の上昇を抑制することができる
。
また、本実施例においては、エツチングガス排出後に予
め高温に保持されたヒータ２２によって反応容器５を加
熱することができるから、反応容器５の加熱時間を大幅
に短縮することができる。
め高温に保持されたヒータ２２によって反応容器５を加
熱することができるから、反応容器５の加熱時間を大幅
に短縮することができる。
次に、本発明における半導体製造装置を用いて半導体基
板１２の表面に例えばポリシリコン膜を堆積する方法に
ついて説明する。
板１２の表面に例えばポリシリコン膜を堆積する方法に
ついて説明する。
先ず、昇降機１５によってキャンプ１３を上昇させるこ
とにより、有底箱体９の挿抜口１１を閉塞すると共に、
石英ボート１０の半導体基板１２を反応容器５内に挿入
する。このとき、筒体２１は反応容器５の上方に待機し
ている。次いで、ポンプ１４によってガス排出管７から
反応容器５内を真空排気する。しかる後、管体２５から
反応容器５内に弗酸ガスを供給する。このとき、反応容
器５内は室温に保持されているため、弗酸ガスのシリコ
ン酸化膜に対するエツチング速度を１人／ｌ１ｉｎ程度
（約３００〜１０００℃の高温時と比較して小さい）に
設定することができ、半導体基板１２上のシリコン酸化
膜（厚さが５０Å以上）が除去されることなく、自然酸
化膜（厚さが約２０人）のみが除去される。また、一般
に反応容器５および石英ボート１０についても、弗酸ガ
スによるエツチング量が小さくなることから、使用寿命
を高めることができる。さらに、エツチングガスとして
弗酸ガスを使用したから、半導体基板１２のＳｉがエツ
チングされることがない。そして、ポンプ１４によって
ガス排出管７から反応容器５内の弗酸ガスを排出し、予
め高温（７００℃）に保持されたヒータ２２を内蔵する
筒体２１を下降させて反応容器５を加熱した後、反応容
器５内にガス供給管６から反応ガスとしてのＳｉＨ４ガ
スを供給して熱分解する。
とにより、有底箱体９の挿抜口１１を閉塞すると共に、
石英ボート１０の半導体基板１２を反応容器５内に挿入
する。このとき、筒体２１は反応容器５の上方に待機し
ている。次いで、ポンプ１４によってガス排出管７から
反応容器５内を真空排気する。しかる後、管体２５から
反応容器５内に弗酸ガスを供給する。このとき、反応容
器５内は室温に保持されているため、弗酸ガスのシリコ
ン酸化膜に対するエツチング速度を１人／ｌ１ｉｎ程度
（約３００〜１０００℃の高温時と比較して小さい）に
設定することができ、半導体基板１２上のシリコン酸化
膜（厚さが５０Å以上）が除去されることなく、自然酸
化膜（厚さが約２０人）のみが除去される。また、一般
に反応容器５および石英ボート１０についても、弗酸ガ
スによるエツチング量が小さくなることから、使用寿命
を高めることができる。さらに、エツチングガスとして
弗酸ガスを使用したから、半導体基板１２のＳｉがエツ
チングされることがない。そして、ポンプ１４によって
ガス排出管７から反応容器５内の弗酸ガスを排出し、予
め高温（７００℃）に保持されたヒータ２２を内蔵する
筒体２１を下降させて反応容器５を加熱した後、反応容
器５内にガス供給管６から反応ガスとしてのＳｉＨ４ガ
スを供給して熱分解する。
このようにして、半導体基板１２の表面にポリシリコン
膜を堆積させることができる。
膜を堆積させることができる。
なお、本実施例においては、Ｓｉウェハからなる半導体
基板１２に適用する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、Ｓｉウェハ以外の材料からなる半
導体基板１２にも実施例と同様に適用可能である。
基板１２に適用する例を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、Ｓｉウェハ以外の材料からなる半
導体基板１２にも実施例と同様に適用可能である。
また、本実施例においては、エツチングガスとして弗酸
ガスを使用し、半導体基板１２上にポリシリコン膜を形
成する場合を示したが、本発明は他のエラチンガスを使
用して他の導電膜を形成する場合であっても何等差し支
えない。
ガスを使用し、半導体基板１２上にポリシリコン膜を形
成する場合を示したが、本発明は他のエラチンガスを使
用して他の導電膜を形成する場合であっても何等差し支
えない。
さらに、本実施例においては、低圧化学気相成長装置で
ある場合を示したが、本発明はこれに限定されず、この
他例えばプラズマＣＶＤ装置あるいは拡散装置等の成膜
装置でもよいことは勿論である。
ある場合を示したが、本発明はこれに限定されず、この
他例えばプラズマＣＶＤ装置あるいは拡散装置等の成膜
装置でもよいことは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、ガス供給口および
ガス排出口を有しその内部に半導体基板を挿抜自在に収
容する反応容器と、この反応容器の周囲に進退自在に設
けられ容器加熱用の加熱装置とを備え、反応容器内にエ
ツチングガスを供給する管体を臨ませたので、加熱装置
を反応容器から上方に後退させた状態で反応容器内にエ
ラチンガスを供給することができる。したがって、半導
体基板上の自然酸化膜を除去して膜形成を行うことがで
きるから、従来導電膜を形成する場合に生じる電気抵抗
の上昇を抑制することができ、半導体基板処理上の信幀
性を高めることができる。また、エツチングガス排出後
に予め高温に保持された加熱装置によって反応容器を加
熱することができるから、反応容器の加熱時間を大幅に
短縮することができ、半導体基板処理上の稼働率を高め
ることもできる。
ガス排出口を有しその内部に半導体基板を挿抜自在に収
容する反応容器と、この反応容器の周囲に進退自在に設
けられ容器加熱用の加熱装置とを備え、反応容器内にエ
ツチングガスを供給する管体を臨ませたので、加熱装置
を反応容器から上方に後退させた状態で反応容器内にエ
ラチンガスを供給することができる。したがって、半導
体基板上の自然酸化膜を除去して膜形成を行うことがで
きるから、従来導電膜を形成する場合に生じる電気抵抗
の上昇を抑制することができ、半導体基板処理上の信幀
性を高めることができる。また、エツチングガス排出後
に予め高温に保持された加熱装置によって反応容器を加
熱することができるから、反応容器の加熱時間を大幅に
短縮することができ、半導体基板処理上の稼働率を高め
ることもできる。
第１図は本発明に係る半導体製造装置を示す断面図、第
２図は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 ５・・・・反応容器、６・・・・ガス供給管、・ガス排
出管、１２・・・・半導体基板、２１・・・・筒体、２
２・・・・ヒータ、２５・・・・管体。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 半導イト袋１Ｆネ」乏
２図は従来の半導体製造装置を示す断面図である。 ５・・・・反応容器、６・・・・ガス供給管、・ガス排
出管、１２・・・・半導体基板、２１・・・・筒体、２
２・・・・ヒータ、２５・・・・管体。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 半導イト袋１Ｆネ」乏
Claims (1)
- ガス供給口およびガス排出口を有しその内部に半導体基
板を挿抜自在に収容する反応容器と、この反応容器の周
囲に進退自在に設けられ容器加熱用の加熱装置とを備え
、前記反応容器内にエッチングガスを供給する管体を臨
ませたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34106089A JPH03200322A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34106089A JPH03200322A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200322A true JPH03200322A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18342870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34106089A Pending JPH03200322A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200322A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| KR101690021B1 (ko) * | 2016-01-19 | 2016-12-27 | 주식회사 메이크순 | 슬리브형 배관연결구 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP34106089A patent/JPH03200322A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658417A (en) * | 1992-12-08 | 1997-08-19 | Nec Corporation | HF vapor selective etching method and apparatus |
| US6024888A (en) * | 1992-12-08 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Vapor selective etching method and apparatus |
| KR101690021B1 (ko) * | 2016-01-19 | 2016-12-27 | 주식회사 메이크순 | 슬리브형 배관연결구 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4285184B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| TWI416630B (zh) | 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 | |
| US7632758B2 (en) | Process and apparatus for forming oxide film, and electronic device material | |
| KR101028605B1 (ko) | 처리 장치 | |
| TWI331364B (ja) | ||
| JP3954833B2 (ja) | バッチ式真空処理装置 | |
| KR100786399B1 (ko) | 반도체 처리용 매엽식 열처리 장치 및 방법 | |
| KR100605884B1 (ko) | 표면 처리 방법 및 장치 | |
| WO2004021425A1 (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JP4744671B2 (ja) | 枚葉式処理装置 | |
| JP3578155B2 (ja) | 被処理体の酸化方法 | |
| JPH03200322A (ja) | 半導体製造装置 | |
| EP1422316B1 (en) | Method for cleaning reaction container | |
| JP2012104569A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2744933B2 (ja) | 縦型処理装置及び処理装置 | |
| JP2009021560A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| JPH05326477A (ja) | 半導体基板表面のハロゲン除去方法 | |
| JP4112591B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| JPH07153695A (ja) | 成膜方法 | |
| JP3173698B2 (ja) | 熱処理方法及びその装置 | |
| JP2005079280A (ja) | 酸化方法 | |
| JP3261440B2 (ja) | アルミニウム膜の成膜方法 | |
| JPH04188721A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH03243777A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03134153A (ja) | 酸化膜形成方法及びその装置 |