JP4744671B2 - 枚葉式処理装置 - Google Patents
枚葉式処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4744671B2 JP4744671B2 JP2000149208A JP2000149208A JP4744671B2 JP 4744671 B2 JP4744671 B2 JP 4744671B2 JP 2000149208 A JP2000149208 A JP 2000149208A JP 2000149208 A JP2000149208 A JP 2000149208A JP 4744671 B2 JP4744671 B2 JP 4744671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- processing apparatus
- wafer
- wafer processing
- support column
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、枚葉式処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造においては、被処理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、成膜、エッチング、アニール等の各種の処理を施す処理装置が用いられている。この処理装置の一つとして、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式処理装置が知られている。
【０００３】
この枚葉式処理装置は、処理容器内にウエハを載置する載置台を備え、この載置台上にウエハを載置して所定の処理を施すようになっている。例えば、酸化処理を施す処理装置としては、載置台がセラミック製で内部に抵抗発熱体を備え、処理容器内の上方から処理ガスとしてオゾン（Ｏ3）を導入し、紫外線の照射によりオゾンを酸素（Ｏ2）と活性酸素（Ｏ+）に分解してウエハの表面に供給するようにしたもの等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記処理装置においては、載置台の表面が電気的絶縁状態にあることから、紫外線の照射によるイオンや電子により処理中にウエハおよび載置台に静電気が帯電し、帯電した静電気を速やかに逃すことができなかった。このため、処理後にウエハを載置台上から搬出する場合、ウエハが静電吸着力（クーロン力）により載置台上に張り付いて、ウエハを載置台上からスムーズに引き離すことが困難になり、ウエハを載置台の上面から剥離するのに大きな力を要することから、ウエハを損傷する恐れがあった。
【０００５】
このような問題を解決するために、例えば前記載置台の上面に導電性の載置板を載置し、この導電性載置板から導線によりアースをとって静電気を除電するなどの対策がとられているが、導電性載置板や導線の引き回しによる部品の追加や構造の煩雑化、メンテナンス性の悪化およびコストアップを招いていた。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、載置台に帯電する静電気を簡単な構造で除電することができ、メンテナンス性およびコスト的に優れた枚葉式処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、処理容器内に被処理体を載置する電気絶縁性の載置台を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜を形成し、前記載置台が金属製の処理容器内の底部に立設された電気絶縁性の支柱を有し、この支柱の表面にも導電性被膜が形成され、前記載置台に帯電した静電気を支柱の表面の導電性被膜を通じて処理容器に逃すように構成されていることを特徴とする。
【０００９】
前記載置台がセラミック製で、内部に抵抗発熱体を備えていることが好ましい。
【００１０】
前記前記導電性被膜が導電性セラミックからなることが好ましい。
【００１１】
前記導電性被膜が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されていることが好ましい。前記支柱が下端にフランジ部を有し、処理容器の底部には前記支柱の下端の前記フランジ部が金属製の上下のフランジ押えを介してネジ止めにより固定されていることが好ましい。前記処理容器の内面は耐食性を持たせると共に被処理体に対する金属汚染を防止するための表面処理が施されており、前記支柱が前記金属製のフランジ押えを介して接触している前記処理容器の内面の接触部分において前記表面処理が予め取り除かれていることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を示す枚葉式処理装置の断面図、図２は同処理装置の概略的構成を示す図である。
【００１３】
これらの図において、１は被処理体例えば半導体ウエハｗに例えば酸化処理を施すのに適するように構成された枚葉式処理装置（具体的には枚葉式熱処理装置）である。この枚葉式処理装置１は、耐熱性を有する材料例えば金属製好ましくはアルミニウム製の処理容器（プロセスチャンバ）２を備えている。この処理容器２の内面は、耐食性を持たせると共にウエハに対する金属汚染を防止するために、表面処理例えばアルマイト処理が施されていることが好ましい。
【００１４】
この処理容器２内には、ウエハｗを載置する載置台（サセプタ）３が設けられている。この載置台３は、耐熱性、電気絶縁性およびウエハに対して非汚染性の材料例えば焼結された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックにより円板状に形成されている。この載置台３の内部には、抵抗発熱体４が面状に配置されて密封状態に設けられている。すなわち、載置台３は、ウエハｗに対して金属汚染のないクリーンな、いわゆるセラミックヒータを有する構造になっており、載置台３の上面に載置されたウエハを所定の温度に加熱制御可能に構成されている。
【００１５】
前記載置台３は、処理容器２の底部に立設された支柱５を有し、この支柱５の上端に載置台３が一体的に設けられている。この支柱５は、載置台３と同じ材料例えばセラミックにより中空円柱状ないし円筒状に形成されている。支柱５は、下端にフランジ部５ａを有している。処理容器２の底部には、開口部６が形成されていると共に、この開口部５を内側から気密に塞ぐように前記支柱５の下端フランジ部５ａが金属製例えばアルミニウム製の上下のフランジ押え７，８を介してネジ止めにより固定されている。載置台３の内部に設けられた抵抗発熱体４や温度センサ等の電線ケーブル９は、支柱５の中空部を通して処理容器２の底部開口部６から外部に引き出されている。
【００１６】
前記載置台３に帯電する静電気を処理容器２側に逃がすために、載置台３の表面および支柱５の表面には、導電性被膜１０が形成されている。また、処理容器２は、接地（アース）されている。前記導電性被膜１０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の導電性セラミックからなることが好ましい。前記導電性被膜１０は、載置台３の表面および支柱５の表面に、例えば溶射により形成されていてもよいが、炭化珪素（ＳｉＣ）を原料とする化学気相成長法（ＣＶＤ）により所定の膜厚例えば２０〜１００μｍ程度に形成されていることが好ましい。なお、通電性を確保するために、支柱５が金属製のフランジ押え７，８を介して接触している処理容器２内面の接触部分における表面処理（アルマイト処理）は、マスキング等によって予め取除かれている。
【００１７】
前記処理容器２は、高さ方向略中間部で上下に分割可能に構成され、その載置台３の位置する上側部分の内径が、支柱５の位置する下側部分の内径よりも大きく形成されている。処理容器２の天井部は、開閉可能（着脱可能）な蓋体１１により構成されている。この蓋体１１には、前記載置台３と対向する箇所にこれよりも大きな開口部１２が形成され、この開口部１２には、処理ガスとして例えばオゾンを導入するための石英製のリング状のシャワーヘッド１３が設けられ、その下面に有する多数のガス噴射孔１４から載置台３上のウエハｗに向ってオゾンが噴射されるようになっている。
【００１８】
前記蓋体１１の上部には、開口部１２を覆うように例えば紫外線を透過可能な透明な石英板からなる透過窓１５が気密に取付けられている。そして、この透過窓１５の上部には、ランプ室１６が設けられ、このランプ室１６内には複数本の紫外線ランプ１７が設けられている。この紫外線ランプ１７から発する紫外線が透過窓１５を透過して前記オゾンに照射されることにより、オゾンが酸素（Ｏ2）と活性酸素（Ｏ+）に分解されてウエハｗの表面に供給されるようになっている。
【００１９】
前記処理容器２の底部側の側壁には、排気口１８が形成され、この排気口１８には、処理容器２内を所定の圧力に減圧制御可能な図示しない減圧ポンプおよび圧力制御機構を備えた排気系１９が接続されている。また、処理容器２の天井側の側壁には、処理容器２内に対して図示しない搬送アームによりウエハｗを搬入搬出するための搬出入口２０が形成されていると共に、この搬出入口２０を気密に開閉可能なゲートバルブ２１が設けられている。
【００２０】
前記載置台３には、図示しない搬送アームと載置台３との間でウエハｗの受け渡しを行うために、ウエハｗの下面を押し上げ下げ可能な複数例えば３本のリフトピン２２が貫通可能なピン孔２３が形成されている。リフトピン２２は、処理容器２の外側に設けられた駆動部（例えばエアシリンダ）２４に共通の昇降アーム２５を介して連結され、昇降駆動されるようになっている。
【００２１】
次に、以上の構成からなる枚葉式処理装置の作用を述べる。先ず、搬出入口２０のゲートバルブ２１を開けて図示しない搬送アームによりウエハｗを処理容器２内に搬入し、リフトピン２２を上昇させることによりウエハｗを搬送アームからリフトピン２２に受け渡す。次いで、リフトピン２２を降下させてウエハｗを載置台３の上面に載置し、ゲートバルブ２１を閉じる。
【００２２】
次に、載置台３に内蔵した抵抗発熱体４によりウエハｗを所定のプロセス温度に加熱すると共に、処理容器２内を減圧排気により所定のプロセス圧力に維持しつつ、処理ガスとしてオゾンを供給して処理を開始する。オゾンは、シャワーヘッド１３のガス噴射孔１４から載置台３上のウエハｗに向けて噴射される。これと同時に、ランプ室１６内の紫外線ランプ１７を点灯して紫外線を照射させる。この紫外線は、透過窓１５を透過して、処理容器２内のオゾンを主体成分とする処理ガス雰囲気中に注がれる。オゾンは、紫外線の照射により酸素と活性酸素に分解され、その活性酸素により載置台３上のウエハｗに所定の処理例えば酸化処理が施される。
【００２３】
このような処理中に、ウエハｗおよび載置台３には紫外線の照射によるイオンや電子により静電気が帯電するが、載置台３の表面および支柱５の表面が導電性被膜１０で覆われていて処理容器２に電気的に接続、アースされているため、ウエハｗおよび載置台３に帯電した静電気が順次処理容器２側に逃がされて除電されることになる。
【００２４】
従って、処理後、ウエハｗを搬出するためにリフトピン２２により載置台３の上面から持ち上げる際に、静電吸着力（クーロン力）が発生しないため、ウエハｗが載置台３の上面に張り付くことがなく、ウエハｗを載置台３上からスムーズに引き離すことができる。これにより、ウエハｗを載置台３の上面から小さな力で持ち上げることができるので、ウエハｗを損傷する恐れはない。
【００２５】
このように、前記枚葉式処理装置によれば、処理容器２内にウエハｗを載置する電気絶縁性の載置台３を備えていても、載置台３の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜１０が形成されているため、載置台３に帯電する静電気を簡単な構造で除電することが可能となり、載置台３上のウエハｗの張り付きを防止することができる。また、載置台３の表面に導電性被膜１０を形成するだけで、導電性の載置板や導線の引き回しなどの部品の追加を伴わないので、構造が簡素化され、メンテナンスが容易になると共にコストの低減が図れる。
【００２６】
前記載置台３が金属製の処理容器２内の底部に立設された電気絶縁性の支柱５を有し、この支柱５の表面にも導電性被膜１０が形成され、載置台３に帯電した静電気を支柱５の表面の導電性被膜１０を通じて処理容器２に逃すように構成されているため、支柱５を有する載置台３であっても帯電する静電気を簡単な構造で処理容器２側に逃がして除電することができる。また、前記載置台３がセラミック製で、内部に抵抗発熱体４を備えているため、載置台３上に載置されたウエハｗを加熱して熱処理することができる。
【００２７】
前記導電性被膜１０が導電性セラミックからなるため、単なる金属体と違ってウエハｗを金属汚染する恐れがない。また、前記導電性被膜１０が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されているため、載置台３の表面や支柱５の表面に高純度の炭化珪素の導電性被膜１０を一体に積層形成することができ、導電性被膜１０の剥離やウエハｗの金属汚染を発生する恐れがない。
【００２８】
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。本発明は、酸化処理以外に、例えば成膜処理、エッチング処理、拡散処理、アニール処理、プラズマを用いた処理等を行う処理装置にも適用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハ以外に、例えばガラス基板、ＬＣＤ基板等も適用可能である。
【００２９】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００３０】
処理容器内に被処理体を載置する電気絶縁性の載置台を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜を形成してなるため、載置台に帯電する静電気を簡単な構造で除電することができ、載置台上の被処理体の張り付きを防止することができ、部品の追加を伴わないので、メンテナンス性およびコスト的に優れる。
【００３１】
前記載置台が金属製の処理容器内の底部に立設された電気絶縁性の支柱を有し、この支柱の表面にも導電性被膜が形成され、載置台に帯電した静電気を支柱の表面の導電性被膜を通じて処理容器に逃すように構成されているため、支柱を有する載置台であっても帯電する静電気を簡単な構造で処理容器側に逃がして除電することができる。
【００３２】
前記載置台がセラミック製で、内部に抵抗発熱体を備えているため、載置台上に載置された被処理体を加熱して熱処理することができると共に、セラミック製であるが故に静電気が帯電し易い載置台の静電気の帯電による問題を有効に解消することができる。
【００３３】
前記導電性被膜が導電性セラミックからなるため、被処理体を金属汚染する恐れがない。
【００３４】
前記導電性被膜が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されているため、載置台の表面や支柱の表面に高純度の炭化珪素の導電性被膜を一体形成することができ、導電性被膜の剥離や被処理体の金属汚染を発生する恐れがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す枚葉式処理装置の断面図である。
【図２】同処理装置の概略的構成を示す図である。
【符号の説明】
ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
１ 枚葉式処理装置
２ 処理容器
３ 載置台
５ 支柱
１０ 導電性被膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、枚葉式処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造においては、被処理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、成膜、エッチング、アニール等の各種の処理を施す処理装置が用いられている。この処理装置の一つとして、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式処理装置が知られている。
【０００３】
この枚葉式処理装置は、処理容器内にウエハを載置する載置台を備え、この載置台上にウエハを載置して所定の処理を施すようになっている。例えば、酸化処理を施す処理装置としては、載置台がセラミック製で内部に抵抗発熱体を備え、処理容器内の上方から処理ガスとしてオゾン（Ｏ3）を導入し、紫外線の照射によりオゾンを酸素（Ｏ2）と活性酸素（Ｏ+）に分解してウエハの表面に供給するようにしたもの等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記処理装置においては、載置台の表面が電気的絶縁状態にあることから、紫外線の照射によるイオンや電子により処理中にウエハおよび載置台に静電気が帯電し、帯電した静電気を速やかに逃すことができなかった。このため、処理後にウエハを載置台上から搬出する場合、ウエハが静電吸着力（クーロン力）により載置台上に張り付いて、ウエハを載置台上からスムーズに引き離すことが困難になり、ウエハを載置台の上面から剥離するのに大きな力を要することから、ウエハを損傷する恐れがあった。
【０００５】
このような問題を解決するために、例えば前記載置台の上面に導電性の載置板を載置し、この導電性載置板から導線によりアースをとって静電気を除電するなどの対策がとられているが、導電性載置板や導線の引き回しによる部品の追加や構造の煩雑化、メンテナンス性の悪化およびコストアップを招いていた。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、載置台に帯電する静電気を簡単な構造で除電することができ、メンテナンス性およびコスト的に優れた枚葉式処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、処理容器内に被処理体を載置する電気絶縁性の載置台を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜を形成し、前記載置台が金属製の処理容器内の底部に立設された電気絶縁性の支柱を有し、この支柱の表面にも導電性被膜が形成され、前記載置台に帯電した静電気を支柱の表面の導電性被膜を通じて処理容器に逃すように構成されていることを特徴とする。
【０００９】
前記載置台がセラミック製で、内部に抵抗発熱体を備えていることが好ましい。
【００１０】
前記前記導電性被膜が導電性セラミックからなることが好ましい。
【００１１】
前記導電性被膜が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されていることが好ましい。前記支柱が下端にフランジ部を有し、処理容器の底部には前記支柱の下端の前記フランジ部が金属製の上下のフランジ押えを介してネジ止めにより固定されていることが好ましい。前記処理容器の内面は耐食性を持たせると共に被処理体に対する金属汚染を防止するための表面処理が施されており、前記支柱が前記金属製のフランジ押えを介して接触している前記処理容器の内面の接触部分において前記表面処理が予め取り除かれていることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を示す枚葉式処理装置の断面図、図２は同処理装置の概略的構成を示す図である。
【００１３】
これらの図において、１は被処理体例えば半導体ウエハｗに例えば酸化処理を施すのに適するように構成された枚葉式処理装置（具体的には枚葉式熱処理装置）である。この枚葉式処理装置１は、耐熱性を有する材料例えば金属製好ましくはアルミニウム製の処理容器（プロセスチャンバ）２を備えている。この処理容器２の内面は、耐食性を持たせると共にウエハに対する金属汚染を防止するために、表面処理例えばアルマイト処理が施されていることが好ましい。
【００１４】
この処理容器２内には、ウエハｗを載置する載置台（サセプタ）３が設けられている。この載置台３は、耐熱性、電気絶縁性およびウエハに対して非汚染性の材料例えば焼結された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックにより円板状に形成されている。この載置台３の内部には、抵抗発熱体４が面状に配置されて密封状態に設けられている。すなわち、載置台３は、ウエハｗに対して金属汚染のないクリーンな、いわゆるセラミックヒータを有する構造になっており、載置台３の上面に載置されたウエハを所定の温度に加熱制御可能に構成されている。
【００１５】
前記載置台３は、処理容器２の底部に立設された支柱５を有し、この支柱５の上端に載置台３が一体的に設けられている。この支柱５は、載置台３と同じ材料例えばセラミックにより中空円柱状ないし円筒状に形成されている。支柱５は、下端にフランジ部５ａを有している。処理容器２の底部には、開口部６が形成されていると共に、この開口部５を内側から気密に塞ぐように前記支柱５の下端フランジ部５ａが金属製例えばアルミニウム製の上下のフランジ押え７，８を介してネジ止めにより固定されている。載置台３の内部に設けられた抵抗発熱体４や温度センサ等の電線ケーブル９は、支柱５の中空部を通して処理容器２の底部開口部６から外部に引き出されている。
【００１６】
前記載置台３に帯電する静電気を処理容器２側に逃がすために、載置台３の表面および支柱５の表面には、導電性被膜１０が形成されている。また、処理容器２は、接地（アース）されている。前記導電性被膜１０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の導電性セラミックからなることが好ましい。前記導電性被膜１０は、載置台３の表面および支柱５の表面に、例えば溶射により形成されていてもよいが、炭化珪素（ＳｉＣ）を原料とする化学気相成長法（ＣＶＤ）により所定の膜厚例えば２０〜１００μｍ程度に形成されていることが好ましい。なお、通電性を確保するために、支柱５が金属製のフランジ押え７，８を介して接触している処理容器２内面の接触部分における表面処理（アルマイト処理）は、マスキング等によって予め取除かれている。
【００１７】
前記処理容器２は、高さ方向略中間部で上下に分割可能に構成され、その載置台３の位置する上側部分の内径が、支柱５の位置する下側部分の内径よりも大きく形成されている。処理容器２の天井部は、開閉可能（着脱可能）な蓋体１１により構成されている。この蓋体１１には、前記載置台３と対向する箇所にこれよりも大きな開口部１２が形成され、この開口部１２には、処理ガスとして例えばオゾンを導入するための石英製のリング状のシャワーヘッド１３が設けられ、その下面に有する多数のガス噴射孔１４から載置台３上のウエハｗに向ってオゾンが噴射されるようになっている。
【００１８】
前記蓋体１１の上部には、開口部１２を覆うように例えば紫外線を透過可能な透明な石英板からなる透過窓１５が気密に取付けられている。そして、この透過窓１５の上部には、ランプ室１６が設けられ、このランプ室１６内には複数本の紫外線ランプ１７が設けられている。この紫外線ランプ１７から発する紫外線が透過窓１５を透過して前記オゾンに照射されることにより、オゾンが酸素（Ｏ2）と活性酸素（Ｏ+）に分解されてウエハｗの表面に供給されるようになっている。
【００１９】
前記処理容器２の底部側の側壁には、排気口１８が形成され、この排気口１８には、処理容器２内を所定の圧力に減圧制御可能な図示しない減圧ポンプおよび圧力制御機構を備えた排気系１９が接続されている。また、処理容器２の天井側の側壁には、処理容器２内に対して図示しない搬送アームによりウエハｗを搬入搬出するための搬出入口２０が形成されていると共に、この搬出入口２０を気密に開閉可能なゲートバルブ２１が設けられている。
【００２０】
前記載置台３には、図示しない搬送アームと載置台３との間でウエハｗの受け渡しを行うために、ウエハｗの下面を押し上げ下げ可能な複数例えば３本のリフトピン２２が貫通可能なピン孔２３が形成されている。リフトピン２２は、処理容器２の外側に設けられた駆動部（例えばエアシリンダ）２４に共通の昇降アーム２５を介して連結され、昇降駆動されるようになっている。
【００２１】
次に、以上の構成からなる枚葉式処理装置の作用を述べる。先ず、搬出入口２０のゲートバルブ２１を開けて図示しない搬送アームによりウエハｗを処理容器２内に搬入し、リフトピン２２を上昇させることによりウエハｗを搬送アームからリフトピン２２に受け渡す。次いで、リフトピン２２を降下させてウエハｗを載置台３の上面に載置し、ゲートバルブ２１を閉じる。
【００２２】
次に、載置台３に内蔵した抵抗発熱体４によりウエハｗを所定のプロセス温度に加熱すると共に、処理容器２内を減圧排気により所定のプロセス圧力に維持しつつ、処理ガスとしてオゾンを供給して処理を開始する。オゾンは、シャワーヘッド１３のガス噴射孔１４から載置台３上のウエハｗに向けて噴射される。これと同時に、ランプ室１６内の紫外線ランプ１７を点灯して紫外線を照射させる。この紫外線は、透過窓１５を透過して、処理容器２内のオゾンを主体成分とする処理ガス雰囲気中に注がれる。オゾンは、紫外線の照射により酸素と活性酸素に分解され、その活性酸素により載置台３上のウエハｗに所定の処理例えば酸化処理が施される。
【００２３】
このような処理中に、ウエハｗおよび載置台３には紫外線の照射によるイオンや電子により静電気が帯電するが、載置台３の表面および支柱５の表面が導電性被膜１０で覆われていて処理容器２に電気的に接続、アースされているため、ウエハｗおよび載置台３に帯電した静電気が順次処理容器２側に逃がされて除電されることになる。
【００２４】
従って、処理後、ウエハｗを搬出するためにリフトピン２２により載置台３の上面から持ち上げる際に、静電吸着力（クーロン力）が発生しないため、ウエハｗが載置台３の上面に張り付くことがなく、ウエハｗを載置台３上からスムーズに引き離すことができる。これにより、ウエハｗを載置台３の上面から小さな力で持ち上げることができるので、ウエハｗを損傷する恐れはない。
【００２５】
このように、前記枚葉式処理装置によれば、処理容器２内にウエハｗを載置する電気絶縁性の載置台３を備えていても、載置台３の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜１０が形成されているため、載置台３に帯電する静電気を簡単な構造で除電することが可能となり、載置台３上のウエハｗの張り付きを防止することができる。また、載置台３の表面に導電性被膜１０を形成するだけで、導電性の載置板や導線の引き回しなどの部品の追加を伴わないので、構造が簡素化され、メンテナンスが容易になると共にコストの低減が図れる。
【００２６】
前記載置台３が金属製の処理容器２内の底部に立設された電気絶縁性の支柱５を有し、この支柱５の表面にも導電性被膜１０が形成され、載置台３に帯電した静電気を支柱５の表面の導電性被膜１０を通じて処理容器２に逃すように構成されているため、支柱５を有する載置台３であっても帯電する静電気を簡単な構造で処理容器２側に逃がして除電することができる。また、前記載置台３がセラミック製で、内部に抵抗発熱体４を備えているため、載置台３上に載置されたウエハｗを加熱して熱処理することができる。
【００２７】
前記導電性被膜１０が導電性セラミックからなるため、単なる金属体と違ってウエハｗを金属汚染する恐れがない。また、前記導電性被膜１０が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されているため、載置台３の表面や支柱５の表面に高純度の炭化珪素の導電性被膜１０を一体に積層形成することができ、導電性被膜１０の剥離やウエハｗの金属汚染を発生する恐れがない。
【００２８】
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。本発明は、酸化処理以外に、例えば成膜処理、エッチング処理、拡散処理、アニール処理、プラズマを用いた処理等を行う処理装置にも適用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハ以外に、例えばガラス基板、ＬＣＤ基板等も適用可能である。
【００２９】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００３０】
処理容器内に被処理体を載置する電気絶縁性の載置台を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜を形成してなるため、載置台に帯電する静電気を簡単な構造で除電することができ、載置台上の被処理体の張り付きを防止することができ、部品の追加を伴わないので、メンテナンス性およびコスト的に優れる。
【００３１】
前記載置台が金属製の処理容器内の底部に立設された電気絶縁性の支柱を有し、この支柱の表面にも導電性被膜が形成され、載置台に帯電した静電気を支柱の表面の導電性被膜を通じて処理容器に逃すように構成されているため、支柱を有する載置台であっても帯電する静電気を簡単な構造で処理容器側に逃がして除電することができる。
【００３２】
前記載置台がセラミック製で、内部に抵抗発熱体を備えているため、載置台上に載置された被処理体を加熱して熱処理することができると共に、セラミック製であるが故に静電気が帯電し易い載置台の静電気の帯電による問題を有効に解消することができる。
【００３３】
前記導電性被膜が導電性セラミックからなるため、被処理体を金属汚染する恐れがない。
【００３４】
前記導電性被膜が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されているため、載置台の表面や支柱の表面に高純度の炭化珪素の導電性被膜を一体形成することができ、導電性被膜の剥離や被処理体の金属汚染を発生する恐れがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す枚葉式処理装置の断面図である。
【図２】同処理装置の概略的構成を示す図である。
【符号の説明】
ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
１ 枚葉式処理装置
２ 処理容器
３ 載置台
５ 支柱
１０ 導電性被膜
Claims (6)
- 処理容器内に被処理体を載置する電気絶縁性の載置台を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜を形成し、前記載置台が金属製の処理容器内の底部に立設された電気絶縁性の支柱を有し、この支柱の表面にも導電性被膜が形成され、前記載置台に帯電した静電気を支柱の表面の導電性被膜を通じて処理容器に逃すように構成されていることを特徴とする枚葉式処理装置。
- 前記載置台がセラミック製で、内部に抵抗発熱体を備えていることを特徴とする請求項１記載の枚葉式処理装置。
- 前記導電性被膜が導電性セラミックからなることを特徴とする請求項１または２記載の枚葉式処理装置。
- 前記導電性被膜が炭化珪素を原料とする化学気相成長法により形成されていることを特徴とする請求項１，２または３記載の枚葉式処理装置。
- 前記支柱が下端にフランジ部を有し、処理容器の底部には前記支柱の下端の前記フランジ部が金属製の上下のフランジ押えを介してネジ止めにより固定されていることを特徴とする請求項１，２，３または４記載の枚葉式処理装置。
- 前記処理容器の内面は耐食性を持たせると共に被処理体に対する金属汚染を防止するための表面処理が施されており、前記支柱が前記金属製のフランジ押えを介して接触している前記処理容器の内面の接触部分において前記表面処理が予め取り除かれていることを特徴とする請求項５記載の枚葉式処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000149208A JP4744671B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 枚葉式処理装置 |
| US09/855,493 US6719849B2 (en) | 2000-05-22 | 2001-05-16 | Single-substrate-processing apparatus for semiconductor process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000149208A JP4744671B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 枚葉式処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332465A JP2001332465A (ja) | 2001-11-30 |
| JP4744671B2 true JP4744671B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=18655097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000149208A Expired - Fee Related JP4744671B2 (ja) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | 枚葉式処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6719849B2 (ja) |
| JP (1) | JP4744671B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5079949B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
| KR100752800B1 (ko) | 2003-03-12 | 2007-08-29 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체처리용의 기판유지구조 및 플라즈마 처리장치 |
| JP2005072559A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2005317749A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用保持体及びそれを搭載した半導体製造装置 |
| US7220632B2 (en) * | 2005-02-24 | 2007-05-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a semiconductor device and an optical device and structure thereof |
| JP4616734B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-01-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| TWM292242U (en) * | 2005-11-23 | 2006-06-11 | Celetech Semiconductor Inc | Radio frequency grounding rod |
| JP2010021171A (ja) | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる半導体製造装置 |
| JP5614352B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ローディングユニット及び処理システム |
| US20120258259A1 (en) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Amit Bansal | Apparatus and method for uv treatment, chemical treatment, and deposition |
| JP5851131B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2016-02-03 | 株式会社アルバック | 静電チャック、真空処理装置 |
| JP5932592B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 除電用治具及びそれを用いた基板処理装置並びに基板処理装置の除電方法 |
| JP5765504B1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-08-19 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05273513A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Fujitsu General Ltd | 投写装置 |
| JPH09237824A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kyocera Corp | 物品保持装置 |
| JPH10229115A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ウェハ用真空チャック |
| JP2000077507A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板の支持装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60729A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-05 | Fujitsu Ltd | 抵抗加熱装置 |
| JPH0243731A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Toshiba Corp | 半導体用気相成長装置 |
| JPH04199730A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Toshiba Corp | 搬送装置 |
| JP2978620B2 (ja) * | 1992-01-20 | 1999-11-15 | ウシオ電機株式会社 | レジスト膜のアッシング装置 |
| CH689767A5 (de) * | 1992-03-24 | 1999-10-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage. |
| JPH06151084A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | 帯電除去用セラミックスおよびその製造用組成物 |
| US5665167A (en) * | 1993-02-16 | 1997-09-09 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit |
| JPH07240457A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ反応装置 |
| US6106630A (en) * | 1997-08-07 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Ceramic-coated heating assembly for high temperature processing chamber |
| JP4531185B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2010-08-25 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
-
2000
- 2000-05-22 JP JP2000149208A patent/JP4744671B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-16 US US09/855,493 patent/US6719849B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05273513A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Fujitsu General Ltd | 投写装置 |
| JPH09237824A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Kyocera Corp | 物品保持装置 |
| JPH10229115A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ウェハ用真空チャック |
| JP2000077507A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板の支持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010052321A1 (en) | 2001-12-20 |
| US6719849B2 (en) | 2004-04-13 |
| JP2001332465A (ja) | 2001-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3362552B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP4744671B2 (ja) | 枚葉式処理装置 | |
| JP2000124195A (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JPH05291158A (ja) | 熱処理装置 | |
| US20100307686A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2003347278A (ja) | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4124543B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JPH09283498A (ja) | 減圧処理装置 | |
| KR100605884B1 (ko) | 표면 처리 방법 및 장치 | |
| JP3162955B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4680350B2 (ja) | 枚葉式処理装置 | |
| WO2004021425A1 (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JP3253002B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2009200142A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP3297857B2 (ja) | クラスタツール装置 | |
| JP4124800B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JPH11204443A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JP3281525B2 (ja) | ガス成分除去処理装置及びこれを用いたクラスタツール装置 | |
| WO2000074123A1 (fr) | Fenetre transparente pour chambre de traitement d'appareil de traitement et son procede de production | |
| JPH05243190A (ja) | プラズマ装置 | |
| JP3130009B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JPH07183280A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3261440B2 (ja) | アルミニウム膜の成膜方法 | |
| JP2509820B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH098011A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070410 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070410 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070410 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110412 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110412 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |