JP2015081764A - 支持装置、基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の支持ユニットは、上下方向に所定の長さだけ延設され、上部に基板が載置される支持体と、前記支持体の内部に配設さ れる嵌入体と、を備える。これにより、基板を工程チャンバーの内部に搬入する前に直接的な方式または間接的な方式により支持ユニットを基板の工程温度と同一または類似の温度に予熱することにより、支持ユニットによる基板の熱損失を抑制または防止することができる。したがって、生産される基板の品質を向上させることができて基板の歩留まりを増大させることができ、処理装置の効率性及び生産性を増大させることができる。
【選択図】図6
Description
このため、従来には、工程チャンバー10内にピン状の支持体40が用いられて基板Sと支持体40との接触面積を最小化させていた。そして、ヒーティングブロック20に収容された熱源25の作動により放出される放射光により約500〜600℃の雰囲気下で工程が行われる。
1、100 基板処理装置
10、110 チャンバー
20、200 ヒーティングブロック
25、250 熱源
30、300 透過窓
40、400 支持ユニット
420 支持体
422 嵌入溝
425a 嵌入体
425b 嵌入体
425c 嵌入体
500 加熱制御器
Claims (15)
- 上下方向に所定の長さだけ延設され、上部に基板が載置される支持体と、
前記支持体の内部に配設される嵌入体と、
を備える支持ユニットが少なくとも一つ以上配設されることを特徴とする支持装置。 - 前記支持体は透過性及び熱伝導性を有する材質で形成され、前記嵌入体は耐熱性及び熱伝導性を有する材質で形成され、
前記嵌入体は前記支持体よりも熱伝導性が高いことを特徴とする請求項1に記載の支持装置。 - 前記嵌入体には、前記嵌入体の温度を制御する加熱制御器が接続されることを特徴とする請求項2に記載の支持装置。
- 前記嵌入体は前記支持体と同一または類似の形状に、且つ、前記支持体の幅よりも狭く形成されることを特徴とする請求項3に記載の支持装置。
- 前記嵌入体は前記支持体の幅よりも狭く形成され、上下方向に所定の長さだけ延びて左右方向に折り曲げられる折曲部を有することを特徴とする請求項4に記載の支持装置。
- 前記嵌入体は、黒鉛、メタル及びコイルのうちの少なくともいずれか一種であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の支持装置。
- 内部空間を形成する工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの上部及び下部のうちの少なくともいずれか一方の個所に配設され、熱源を備えるヒーティングブロックと、
前記ヒーティングブロックに対向する個所に少なくとも一つ以上配設され、内部に嵌入体が配設される支持ユニットと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記支持ユニットは、
上下方向に延設される支持体と、前記支持体の内部に配設される嵌入体と、を備え、
前記嵌入体は、耐熱性及び熱伝導性を有することを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記工程チャンバーの外側には前記嵌入体を加熱するために電源を印加する加熱制御器が配設され、
前記加熱制御器は、基板の工程温度を確認した後、前記嵌入体を前記基板の工程温度と同じ温度または工程温度よりも5〜10%低い温度に加熱することを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記工程チャンバーの内側下部には、
前記嵌入体と前記加熱制御器を連結するための経路を形成する下部ブロックが配設されることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記嵌入体は、前記熱源から放出された熱を吸収して発熱する材質で形成され、耐熱性及び熱伝導性を有することを特徴とする請求項9または請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記ヒーティングブロックと前記工程チャンバーとの間に透過窓が配設され、
前記透過窓と前記支持体は光透過性を有する材質で形成されることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 基板を準備する過程と、
工程チャンバーの内部に配設される基板の支持ユニットを予熱する過程と、
前記基板を前記工程チャンバーの内部に搬入して前記支持ユニットの上に載置する過程と、
前記基板を加熱する過程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記支持ユニットの予熱は、
前記工程チャンバーの上に設けられる熱源から放出される熱により加熱される間接加熱方式と、
前記支持ユニットに接続される加熱制御器により加熱される直接加熱方式のうちの少なくともいずれか一方の方式により行われることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。 - 前記支持ユニットを予熱する過程において、前記支持ユニットは前記基板が処理される工程温度と同じ温度または工程温度よりも5〜10%低い温度に予熱されることを特徴とする請求項14に記載の基板処理方法。
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