JP2007227461A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながら急速加熱することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、被処理ウエーハの温度を測定する温度測定手段と、前記被処理ウエーハを加熱するランプ光源と、前記被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持するサポートリングを有する熱処理装置であって、少なくとも前記温度測定手段は、前記被処理ウエーハの温度およびサポートリングの温度をそれぞれ独立して測定するものであり、該測定結果に基づいて前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御するものであることを特徴とする熱処理装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、被処理ウエーハを加熱するランプ光源と被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持するサポートリングを有する熱処理装置および熱処理方法に関するものである。

半導体基板の製造工程においては、さまざまな熱処理が行われている。熱処理装置としては、たとえば光照射によって基板を急速に加熱する急速加熱装置（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ装置 以下ＲＴＡ装置という）が用いられている。

ＲＴＡ装置は一般にハロゲンランプを加熱源として、窒素ガス等の所定のガス雰囲気中で当該ランプから光照射を行うことによって数秒で基板を所望の温度（例えば１，２００℃）にまで昇温し、１０秒程度保持した後、数秒で急速に冷却する装置である。

高温処理中は、ウエーハ内における温度のばらつき（例えば２℃／ｃｍを超える）により、応力がシリコンウエーハ内に滑り転位（スリップ転位）を生じさせる。そこで温度のウエーハ面内均一性を達成するために、信頼性の高いリアルタイムのウエーハ面内の多点温度測定による閉ループ温度制御が必要である。

ＲＴＡ装置の温度測定では、基板からの放射光の強度を非接触で計測する放射温度計を用いた温度計測が主流になっている。
放射温度計を用いたウエーハ面内の多点温度測定による閉ループ温度制御の方法については、例えば特許文献１や特許文献２により詳細に説明されている。

ここで特許文献２に記載されているＲＴＡシステムにおけるウエーハ面内の多点温度測定による閉ループ温度制御の概要について図２を用いて簡単に説明する。
チャンバー１０１の上方には複数のハロゲンランプ１０２を備えた光源１０３を配置してある。ハロゲンランプ１０２は同心円状にハニカム状に配置されており、中心から同心円状に複数ゾーンに分けられている。

ハロゲンランプ１０２の各ゾーンはマルチゾーンランプドライバー１０４により別々に電力が独立して供給され、マルチゾーンランプドライバー１０４はマルチ入力・マルチ出力温度コントローラー１０５によってゾーンごとに独立して制御されている。
被処理ウエーハ１０６はチャンバー１０１内に設置されているサポートリング１０７でウエーハ外周部を保持されている。

ウエーハ１０６の裏面に対向してウエーハの中心から周辺に向かって複数配置された温度センサー１０８によりウエーハ中心部から周辺部のウエーハ面内の放射光強度が計測される。コントローラー１０５は温度センサー１０８の放射光強度信号を受け取り、予め登録されている放射光強度とウエーハ温度の関係（温度校正曲線）よりウエーハの温度に換算し、コントローラー１０５に供給される所定の温度サイクルプロファイル１０９により特定されるウエーハ温度を達成させるように、ランプドライバー１０４を介してハロゲンランプ１０２の各ゾーンの電力レベルを調整する。

このようにウエーハの中心から周辺部までの温度を計測してそれぞれのゾーンを温度制御するので、ウエーハ全面が均一に加熱されるように思われる。しかし、実際にはウエーハとサポートリングの材質や形状の差に起因する光吸収係数の違いや熱容量の違い、さらにはサポートリングを保持する支持リング１１０を通して熱伝導による熱の移動があることから、ウエーハとサポートリングでは加熱率の違いが生じて、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハの容認しがたい温度勾配を生成させることになる。

ウエーハとサポートリングの温度勾配を減少させるために、サポートリングの形状を変えたり、表面をコーティングして光吸収を調整させる方法が提案されている（例えば特許文献３参照）。

この場合においても、ウエーハの直径や厚さなどの形状や表面の酸化膜の有無などによりウエーハの光吸収特性が変化すれば、それに応じてサポートリングの形状やコーティングの調整が必要であり、困難さがあると同時に、加熱保持温度や昇温速度が変わった場合に全く同一の加熱率を得ることは不可能である。

上述したように、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配を生じさせずに、ウエーハの中心から周辺部までを簡便に均一に加熱できる熱処理装置が求められていた。

特開２００１−３１３２６９号公報 特許第２７１１２３９号公報 実用新案登録第３１０９８４０号公報

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配をできるだけ生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる熱処理装置の提供にある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、被処理ウエーハの温度を測定する温度測定手段と、前記被処理ウエーハを加熱するランプ光源と、前記被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持するサポートリングを有する熱処理装置であって、少なくとも前記温度測定手段は、前記被処理ウエーハの温度およびサポートリングの温度をそれぞれ独立して測定するものであり、該測定結果に基づいて前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御するものであることを特徴とする熱処理装置を提供する（請求項１）。

このような、被処理ウエーハの温度およびサポートリングの温度を別個に測定する温度測定手段を有し、該測定結果に基づいて前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングを別個に加熱するランプ光源の供給電力を別個に制御するものである熱処理装置を用いれば、被処理ウエーハおよびサポートリングの材質や形状等の違いにより生じる加熱率の差を解消でき、両者を均一に加熱することが可能となる。その結果、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配をほとんど生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる。

この場合、前記温度測定手段は、予め前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度と実温度の関係を測定することにより得られた各校正曲線に基づいて、前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度の各測定値から前記被処理ウエーハおよびサポートリングの温度をそれぞれ求めるものであることが好ましい（請求項２）。

このような温度測定手段であれば、被処理ウエーハおよびサポートリングの温度をより正確に測定することができ、より精密な温度制御が可能となる。従って、ウエーハを一層均一に加熱することができる。

また、前記サポートリングは０．７−１．２μｍの波長域における光透過率が５％以下であるものであることが好ましい（請求項３）。

このようなサポートリングは一定の光照射加熱効率を有するので、ウエーハとサポートリングをより均一に加熱することができる。また、このようなサポートリングは、放射温度計の測定波長である０．７−１．２μｍの波長域の光透過率が小さいため、放射温度計でサポートリングのより正確な温度測定が可能となる。従って、温度測定手段として放射温度計を有する熱処理装置に適している。

また、本発明は、サポートリングで被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持しながら、ランプ光源により前記被処理ウエーハを加熱する熱処理方法であって、前記被処理ウエーハの温度および前記サポートリングの温度をそれぞれ独立に測定し、該温度の測定結果に基づいて、前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御して被処理ウエーハを熱処理することを特徴とする熱処理方法を提供する（請求項４）。

このように被処理ウエーハの温度およびサポートリングの温度を別個に測定し、該温度の測定結果に基づいて、前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングを別個に加熱する前記ランプ光源の供給電力を別個に制御して被処理ウエーハを熱処理する熱処理方法であれば、被処理ウエーハおよびサポートリングの材質や形状等の違いにより生じる加熱率の差を解消でき、両者を均一に加熱することが可能となる。その結果、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配をほとんど生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる。

また、前記温度の測定を、前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度をそれぞれ測定して、予め前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度と実温度の関係を測定することにより得られた各校正曲線に基づいて、前記被処理ウエーハの温度および前記サポートリングの温度をそれぞれ求めることにより行うことが好ましい（請求項５）。

このような温度の測定を行えば、被処理ウエーハおよびサポートリングの温度をより正確に測定することができ、より精密な温度制御が可能となる。従って、ウエーハを一層均一に加熱することができる。

以上説明したように、本発明によれば、被処理ウエーハ及び被処理ウエーハと接触するサポートリングを均一に加熱できるようになり、被処理ウエーハとサポートリングの温度差を小さくできる。従って、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配を生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる。

以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明者は、上記問題点について鋭意検討した結果、ウエーハ周辺部でウエーハとサポートリングの加熱率が異なる原因を見出した。すなわち、ウエーハ周辺部の裏面で温度を計測して、これをフィードバック信号として計測部位に対応するウエーハ周辺部ゾーンの加熱ランプの電力レベルを調整した場合には、同一ランプ出力の光がウエーハとサポートリングに照射されることになるが、両者の材質や形状の差に起因する光吸収係数の違いや熱容量の違い、さらにはサポートリングを保持する支持リングを通して熱伝導による熱の移動がある。その結果、ウエーハとサポートリングでは加熱率の違いが生じて、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハの容認しがたい温度勾配を生成させることになるのである。
この知見を元に、本発明者はウエーハとサポートリングを均一に加熱することができる熱処理装置について検討を重ね、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、少なくとも、被処理ウエーハの温度を測定する温度測定手段と、前記被処理ウエーハを加熱するランプ光源と、前記被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持するサポートリングを有する熱処理装置であって、少なくとも前記温度測定手段は、前記被処理ウエーハの温度およびサポートリングの温度をそれぞれ独立して測定するものであり、該測定結果に基づいて前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御するものであることを特徴とする熱処理装置を提供する。

このように、本発明の熱処理装置は、被処理ウエーハとサポートリングの温度を別個に計測して、計測データをフィードバック信号として、被処理ウエーハとサポートリングを個別に加熱制御できるものである。従って、被処理ウエーハとサポートリングの材質や形状他の違いにより生じる加熱率の差を解消でき、両者を均一に加熱することが可能となる。その結果、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配を生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる。

さらに、前記熱処理装置において、前記温度測定手段は、予め前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度と実温度の関係を測定することにより得られた各校正曲線に基づいて、前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度の各測定値から前記被処理ウエーハおよびサポートリングの温度をそれぞれ求めるものであることが好ましい。

上記各校正曲線は、たとえば次のように予め求めておくことができる。熱電対を被処理ウエーハおよびサポートリングに取り付けた後、加熱処理を行う。このとき、温度センサーの信号強度すなわち被処理ウエーハとサポートリングから放射される放射光強度と、熱電対で直接計測した被処理ウエーハとサポートリングの実温度の関係を計測して、各校正曲線（ウエーハ温度校正曲線、サポートリング温度校正曲線）を求めておくことができる。
この各校正曲線を用いれば、同条件のウエーハおよびサポートリングを用いる以後の加熱処理において、温度センサーで測定した放射光強度から実温度への換算を正確に行うことができる。この実温度をフィードバック信号に用いることで、より精密な温度制御が可能となり、被処理ウエーハとサポートリングを一層均一に加熱することが可能となる。

上記本発明に係る熱処理装置の一例について、図１を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

チャンバー１内に戴置された被処理ウエーハ６は、ウエーハ外周部でサポートリング７により保持されている。サポートリング７は、支持リング１０により保持されている。
被処理ウエーハ６の種類は、特に限定されず、たとえばＳｉ、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、ｐ−Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ａｌ等を挙げることができる。

サポートリング７の材質は、特に限定されず、たとえば一般的なＲＴＡ装置に採用されているＳｉＣやＳｉＣをコートしたグラファイト等を用いることができる。
また、サポートリング７は、０．７−１．２μｍの波長域における光透過率が５％以下であるものであることが好ましい。これは、ウエーハとサポートリングを均一に加熱するためには、サポートリング自身の光照射加熱の効率がある程度高いことが望ましく、すなわち赤外線領域での光吸収係数が高いことが望ましいからである。また、温度測定手段として放射温度計を用いるためには、放射温度計の測定波長である０．７−１．２μｍの波長域の光透過率が小さいことが必要であるからであり、前記光透過率が１％以下であることがより望ましい。

また、温度測定手段は、被処理ウエーハ６の温度を測定する温度センサー８、サポートリング７の温度を測定する温度センサー１１、マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー５の一部により構成されている。ウエーハ６の裏面に対向してウエーハの中心から周辺に向かって複数配置された温度センサー８により、ウエーハ中心部から周辺部のウエーハ面内の放射光強度が計測される。さらに、温度センサー８の外周部に配置された温度センサー１１により、サポートリング７の放射光強度が計測される。放射光強度測定には、たとえば９００ｎｍ用の放射温度計を用いることができる。

温度センサー８または１１にて計測した放射光強度は、マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー５に入力される。コントローラー５に予め登録されている放射光強度とウエーハ６の実温度の関係（ウエーハ温度校正曲線）に基づいて、温度センサー８の放射光強度からウエーハ６の実温度が求められる。また、コントローラー５に予め登録されている放射光強度とサポートリング７の実温度の関係（サポートリング温度校正曲線）に基づいて、温度センサー１１の放射光強度からサポートリング７の実温度が求められる。

また、被処理ウエーハ６を加熱するランプ光源として、チャンバー１の上方に複数のハロゲンランプ２を備えた光源３が配置されている。ハロゲンランプ２は同心円状にハニカム状に配置されており、中心から同心円状に複数ゾーンに分けられて配置されている。被処理ウエーハとサポートリングは異なるゾーンにより加熱され、すなわち、被処理ウエーハとサポートリングは別個のハロゲンランプによりそれぞれ加熱されるようになっている。

さらに、ハロゲンランプ２の各ゾーンはマルチゾーンランプドライバー４により別々に電力が供給される。マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー５がマルチゾーンランプドライバー４を介して、各ゾーンのハロゲンランプ２の供給電力を個別に制御する。これにより、被処理ウエーハとサポートリングを別個に加熱するランプの供給電力をそれぞれ変更制御することができる。従って、供給電力に差をつけた別個のランプで被処理ウエーハとサポートリングをそれぞれ独立に加熱制御することができる。

前記マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー５は、前記求められたウエーハ６の実温度およびサポートリング７の実温度を参照して、温度サイクルプロファイル９に特定される所望のウエーハ温度レシピが達成され、かつウエーハ６およびサポートリング７が均一に加熱されるように、マルチゾーンランプドライバー４を介して、各ゾーンのハロゲンランプ２への供給電力を個別に制御する。これにより、ウエーハ６およびサポートリング７の温度が、両者を個別に加熱するハロゲンランプ２の供給電力にフィードバックされて、ウエーハ６およびサポートリング７が均一に加熱される。

これにより、被処理ウエーハとサポートリングの材質や形状の差に起因する光吸収係数の違いや熱容量の違いがあっても、それに応じて供給電力に差をつけた別個のランプで被処理ウエーハとサポートリングを加熱することで、両者を均一に加熱することができるようになる。その結果、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配を生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる。

このように、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができれば、熱処理によってウエーハにスリップ転位が発生するのを防止することができ、高品質なウエーハを得ることができる。

また、本発明においては、上記熱処理装置を用いた熱処理方法が提供される。すなわち、サポートリングで被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持しながら、ランプ光源により前記被処理ウエーハを加熱する熱処理方法であって、前記被処理ウエーハの温度および前記サポートリングの温度をそれぞれ独立に測定し、該温度の測定結果に基づいて、前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御して被処理ウエーハを熱処理することを特徴とする熱処理方法が提供される。

また、上記熱処理方法において、前記温度の測定を、前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度をそれぞれ測定して、予め前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度と実温度の関係を測定することにより得られた各校正曲線に基づいて、前記被処理ウエーハの温度および前記サポートリングの温度をそれぞれ求めることにより行うことが好ましい。

上記本発明に係る熱処理方法の一例について、図１の装置を用いる場合につき説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
最初に、図１に示すように、チャンバー１内に被処理ウエーハ６を戴置して、サポートリング７によりウエーハ外周部を保持する。
次に、チャンバー１の上方の複数のハロゲンランプ２を備えた光源３によりウエーハ６およびサポートリング７を個別に加熱する。

上記加熱中、ウエーハ６の裏面に対向してウエーハの中心から周辺に向かって複数配置された温度センサー８により、ウエーハ中心部から周辺部のウエーハ６面内の放射光強度を計測する。さらに、温度センサー８の外周部に配置された温度センサー１１により、サポートリング７の放射光強度を計測する。

温度センサー８および１１にて計測した放射光強度は、マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー５に入力される。コントローラー５に予め登録されている放射光強度とウエーハ６の実温度の関係（ウエーハ温度校正曲線）に基づいて、温度センサー８の放射光強度からウエーハ６の実温度を求める。また、コントローラー５に予め登録されている放射光強度とサポートリング７の実温度の関係（サポートリング温度校正曲線）に基づいて、温度センサー１１の放射光強度からサポートリング７の実温度を求める。

前記マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー５により、前記求められたウエーハ６の実温度およびサポートリング７の実温度を参照して、温度サイクルプロファイル９に特定される所望のウエーハ温度レシピが達成されるように、かつウエーハ６およびサポートリング７の温度差が生じることなく均一に加熱されるように、マルチゾーンランプドライバー４を介して、ウエーハ６およびサポートリング７を個別に加熱するハロゲンランプ２の供給電力をゾーンごとにそれぞれ独立して制御する。

これにより、被処理ウエーハとサポートリングの材質や形状の差に起因する光吸収係数の違いや熱容量の違いがあっても、それに対応して供給電力に差をつけた別個のランプで被処理ウエーハとサポートリングを別々に加熱することができるので、両者を均一に加熱することができる。その結果、ウエーハとサポートリングの接触する部分でウエーハに温度勾配を生じさせずに、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができる。

このように、ウエーハ中心から周辺部まで均一な温度分布を維持しながらウエーハを急速加熱することができれば、加熱によるスリップ転位の発生を防止することができ、高品質なウエーハを得ることができる。

以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例）
被処理ウエーハ６として、直径３００ｍｍのシリコンウエーハを用意した。図１に示すように、サポートリング７で被処理ウエーハ６の外周部を保持しながら、ハロゲンランプ２により被処理ウエーハ６およびサポートリング７を別個に加熱した。加熱条件は、最終到達温度を１１００℃とし、昇温速度は１００℃／秒とした。加熱中、ウエーハ６の温度は、温度センサー８により測定し、サポートリング７の温度は温度センサー１１により測定し、該温度の測定結果に基づいて、ウエーハ６およびサポートリング７が均一に加熱されるように、ウエーハ６およびサポートリング７を別個に加熱するハロゲンランプ２の供給電力をゾーンごとにそれぞれ制御した。
上記加熱中に、ウエーハ６の中心部における加熱速度Ｒ_Ｃおよびウエーハ６の外周部における加熱速度Ｒ_Ｒを測定し、加熱速度比Ｒ_Ｃ／Ｒ_Ｒを求めたところ、１．０１となった。

（比較例）
図２に示すように、ウエーハ１０６の温度を温度センサー１０８により測定し、該温度の測定結果に基づいて、ウエーハ１０６が均一に加熱されるように、ハロゲンランプ１０２の供給電力を制御した以外は、上記実施例と同条件で加熱を行った。
実施例と同様に、上記加熱中に、ウエーハ１０６の中心部における加熱速度Ｒ_Ｃおよびウエーハ１０６の外周部における加熱速度Ｒ_Ｒを測定し、加熱速度比Ｒ_Ｃ／Ｒ_Ｒを求めたところ、１．２０となった。

上記結果から、ウエーハおよびサポートリングの温度を個別に測定して、ウエーハおよびサポートリングを均一に加熱した実施例においては、ウエーハの中心部および外周部でほぼ均一な加熱速度が保たれていた。一方、ウエーハの面内の温度のみ測定して、ウエーハを均一に加熱しようとした比較例においては、ウエーハの中心部および外周部で加熱速度に差が生じていることが分かった。

従って、本発明に従って被処理ウエーハおよびサポートリングの温度を別個に測定し、その測定結果に基づいて両者が均一に加熱されるように、ウエーハおよびサポートリングを別個に加熱する前記ランプ光源の供給電力を別個に制御することで、被処理ウエーハ全体を均一に急速加熱することができることが確認できた。

尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

本発明に係る熱処理装置の一例を示す概略図である。 従来の熱処理装置の一例を示す概略図である。

符号の説明

１、１０１…チャンバー、 ２、１０２…ハロゲンランプ、 ３、１０３…光源、
４、１０４…マルチゾーンランプドライバー、
５、１０５…マルチ入力・マルチ出力温度コントローラー、
６、１０６…被処理ウエーハ、 ７、１０７…サポートリング、
８、１０８…温度センサー、 ９、１０９…温度サイクルプロファイル、
１０、１１０…支持リング、 １１…温度センサー。

Claims (5)

1. 少なくとも、被処理ウエーハの温度を測定する温度測定手段と、前記被処理ウエーハを加熱するランプ光源と、前記被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持するサポートリングを有する熱処理装置であって、少なくとも前記温度測定手段は、前記被処理ウエーハの温度およびサポートリングの温度をそれぞれ独立して測定するものであり、該測定結果に基づいて前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御するものであることを特徴とする熱処理装置。
2. 前記温度測定手段は、予め前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度と実温度の関係を測定することにより得られた各校正曲線に基づいて、前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度の各測定値から前記被処理ウエーハおよびサポートリングの温度をそれぞれ求めるものであることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
3. 前記サポートリングは０．７−１．２μｍの波長域における光透過率が５％以下であるものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱処理装置。
4. サポートリングで被処理ウエーハを該ウエーハの外周部で保持しながら、ランプ光源により前記被処理ウエーハを加熱する熱処理方法であって、前記被処理ウエーハの温度および前記サポートリングの温度をそれぞれ独立に測定し、該温度の測定結果に基づいて、前記被処理ウエーハおよび前記サポートリングをそれぞれ加熱する前記ランプ光源の供給電力を独立して制御して被処理ウエーハを熱処理することを特徴とする熱処理方法。
5. 前記温度の測定を、前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度をそれぞれ測定して、予め前記被処理ウエーハおよびサポートリングの放射光強度と実温度の関係を測定することにより得られた各校正曲線に基づいて、前記被処理ウエーハの温度および前記サポートリングの温度をそれぞれ求めることにより行うことを特徴とする請求項４に記載の熱処理方法。

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