JP2012069774A - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって5mmの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも4℃以上30℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行う。
【選択図】なし
Description
このようなシリコンウェーハの製造工程、又は、該シリコンウェーハを用いた半導体デバイス作製工程においては、例えば、ウェーハ表層部の欠陥を低減させること等を目的として、縦型ボートを用いた縦型熱処理装置による熱処理や、急速加熱・急速冷却熱処理(Rapid Thermal Process;以下、単に、RTPともいう)装置を用いた熱処理等が施される。
このようにウェーハ面内温度分布を制御することにより、高温熱処理時においてもウェーハの撓みを抑制することができる。
ウェーハのサポートリングとの接触箇所付近における撓みを抑制し、また、熱応力によるスリップ転位の発生を抑制する観点から、前記外周縁は上記範囲での温度設定とすることが好ましい。
本発明は、ウェーハを高速回転して熱処理を行うRTPであっても、上記のようにウェーハ面内温度分布を制御することにより、ウェーハの撓みを確実に抑制することができる。
したがって、本発明に係る方法による熱処理を施したシリコンウェーハは、半導体デバイス作製工程における歩留まり向上に寄与するものである。
本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを半導体デバイス作製等に供するために施す熱処理に関するものである。本発明に係る熱処理においては、前記シリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持する。
なお、前記サポートリングは、通常用いられているものでよく、その形状及び材質も、シリコンウェーハの高温熱処理に用いることができるものであれば、特に限定されるものではない。
ここで、ウェーハ外周部とは、ウェーハの外周縁から中心に向かって5mmの位置を指す。通常、この位置の近傍が、サポートリングに対してウェーハの荷重が作用する箇所となる。
ウェーハ面内温度分布をこのように制御することにより、高温熱処理時においてもウェーハの撓みが抑制され、ウェーハ支持治具であるサポートリングとの接触箇所からのスリップ転位の発生を抑制することができる。また、前記接触箇所でのウェーハとサポートリングとの摩擦によるパーティクルの発生を抑制することができ、該パーティクルのウェーハ表面への付着を抑制することができる。
また、ウェーハとサポートリングとの接触箇所付近は、該支持治具に対してウェーハの荷重が集中する箇所であることから、この箇所でのウェーハの撓みを抑制する観点から、ウェーハ外周部より外側の外周縁の温度は、前記外周部より低い温度とする。
前記温度差が4℃未満の場合は、上記のようなウェーハ中心部の撓みを抑制することが困難である。一方、前記温度差が30℃を超える場合は、ウェーハ面内における温度差が大きすぎて、熱応力によるスリップ転位が発生しやすくなる。
しかしながら、本手段(以下、手段1という)のみでは、ウェーハのスリップ転位を抑制する効果は十分であるとは言えない(後述する比較例参照)。
したがって、本手段(以下、手段2という)のみでも、ウェーハのスリップ転位を抑制する効果は十分であるとは言えない(後述する比較例参照)。
前記温度差を上記範囲内とすることにより、ウェーハ表面へのパーティクルの付着をより抑制することができる。
RTPは、通常、ウェーハを高速回転して熱処理を行うため、他の縦型ボート等を用いた熱処理よりも、さらに、ウェーハとサポートリングとの接触摩擦によりパーティクルが発生しやすい。
本発明は、このようにウェーハを高速回転して熱処理を行うRTPであっても、上記のようにウェーハ面内温度分布を制御することにより、ウェーハの撓みを確実に抑制することができる。
図1に、RTP装置の概要を示す。図1に示すRTP装置1は、ウェーハWを収容して熱処理を施すための反応管20と、反応管20内に設けられ、ウェーハWを支持するウェーハ支持部30と、ウェーハWを加熱する加熱部40とを備えている。
そして、ガス供給口21,23から、それぞれ、雰囲気ガスF1,F2を供給しながら、回転部32によりウェーハWを回転させて、加熱部40のハロゲンランプ41による加熱によって、ウェーハWの熱処理を行う。このとき、ウェーハWの面内温度分布の制御は、ウェーハ支持部30の下方に設置された放射温度計(図示せず)によってウェーハW中心から径方向の所定距離の各位置で温度を測定し、ハロゲンランプ41の個々の出力を調整することにより行う。
(試験1)
チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットからスライスして得られた両面が鏡面研磨された直径300mm、厚さ775μmのシリコンウェーハに対して、図1に示すようなRTP装置を用いて、RTPを行った。ウェーハの裏面の外周領域(外周縁から中心に向かって2mmまでの領域)をサポートリングにより保持し、雰囲気ガスとしてアルゴンガスを供給し、面内温度分布を制御して、ウェーハを500rpmで回転させながら、15秒間のRTPを行い、アニールウェーハを得た。
RTP中の各ウェーハについて、表面形状測定装置により、ウェーハの撓み量を測定した。
また、上記熱処理後の各ウェーハについて、ウェーハ表面検査装置(KLA-Tecnor社製Surfscan-SP2)を用いて、ウェーハ表面のLPD(Light Point Defect)を測定した。ウェーハ表面に付着した40nmより大きい(>40nm)サイズ及び120nmより大きい(>120nm)サイズのパーティクル数を測定した。
さらに、上記熱処理後の各ウェーハについて、X線トポグラフィ(株式会社リガク製XRT300)を用いて、最大スリップ長及びトータルスリップ長を測定した。
本試験において制御した面内温度分布及びその時の評価結果を表1にまとめて示す。
なお、ウェーハ外周部の温度を中心部の温度よりも4℃以上30℃以下の範囲で高くするのみの場合(比較例3)や、外周縁の温度を外周部の温度よりも低くするのみの場合(比較例2)は、ウェーハ表面に付着するパーティクル数及びスリップ転位の発生の抑制も十分でなかった。また、ウェーハ外周部の温度を中心部の温度より高くする場合(比較例4)には、パーティクル数、スリップ長ともに大きく悪化する傾向が認められた。
実施例3及び実施例4について、外周部と外周縁の温度差を変化させて、その他は試験1と同様な方法でRTPを行い、アニールウェーハを得た。
得られたアニールウェーハについて、試験1と同様な方法で評価を行った。
本試験において制御した面内温度分布及びその時の評価結果を表2にまとめて示す。
20 反応管
30 ウェーハ支持部
31 サポートリング
40 加熱部
Claims (3)
- シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、
前記シリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、
前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって5mmの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも4℃以上30℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記シリコンウェーハの外周縁の温度は、前記外周部の温度よりも2℃以上7℃以下の範囲で低くなるようにすることを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記熱処理は、急速加熱・急速冷却熱処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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