JP5542383B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
シリコンウェーハの熱処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5542383B2 JP5542383B2 JP2009174024A JP2009174024A JP5542383B2 JP 5542383 B2 JP5542383 B2 JP 5542383B2 JP 2009174024 A JP2009174024 A JP 2009174024A JP 2009174024 A JP2009174024 A JP 2009174024A JP 5542383 B2 JP5542383 B2 JP 5542383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heat treatment
- silicon wafer
- sec
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Description
その一例として、水素及び/または不活性ガス雰囲気下、1000℃以上1350℃以下の温度で50時間以下の熱処理を行った後、800℃以上1350℃以下の温度範囲で50時間以下の酸化熱処理を行う技術が知られている(例えば、特許文献1)。
図1は、本発明のシリコンウェーハの熱処理方法に用いられるRTP装置の一例の概要を示す断面図である。
本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法は、チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して、所定の製造条件によりRTPを行う。
すなわち、石英ルツボに充填した多結晶シリコンを加熱してシリコン融液とし、このシリコン融液の液面上方から種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら引上げ、所望の直径まで拡径して直胴部を育成することでシリコン単結晶インゴットを製造する。
すなわち、シリコン単結晶インゴットを内周刃又はワイヤソー等によりウェーハ状にスライスした後、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、研磨等の加工工程を経て、シリコンウェーハを製造する。なお、ここで記載された加工工程は例示的なものであり、本発明は、この加工工程のみに限定されるものではない。
図2は、本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるRTPの熱処理シーケンスを示す概念図である。
前記第1のガス雰囲気として窒素ガスを用いた場合には、RTPにおいてシリコンウェーハの表面に窒化膜が形成されてしまうため好ましくない。また、前記第1のガス雰囲気として水素ガスを用いた場合には、後述するガス雰囲気の切り替え時において、第2のガス雰囲気に含まれる酸素ガスと混合する可能性があり、爆発の危険性があるため好ましくない。
例えば、前記希ガス雰囲気中に酸素が含まれている場合には、第1の熱処理工程において、シリコンウェーハ表面の酸素濃度が増加するため、当該表面に存在するCOPの内壁に形成された内壁酸化膜に含まれる酸素がシリコンウェーハ内に溶解しにくくなるため、シリコンウェーハ表面のGrown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい。
前記希ガス雰囲気には、アルゴンガスが好適に用いられる。
前記第1の温度T1が1300℃未満である場合には、RTPにおけるGrown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい。
前記第1の温度T1は、装置寿命の観点から1300℃以上1380℃以下であることがより好ましい。
ここでいう第2の温度T2は、第1の温度T1と同様に、図1に示すようなRTP装置10内にウェーハWを設置した場合において、ウェーハWの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内多点(本実施形態では9点)の平均温度のことをいう。
前記第2の温度T2が400℃未満である場合には、RTPとしての生産性が悪くなるため好ましくない。前記第2の温度T2が800℃を超える場合には、シリコンウェーハの表面荒れが大きくなるため好ましくない。
なお、ここでいう「vol.%含有する」とは、図1を用いて説明すると反応管20内に供給する際の酸素含有雰囲気中に含まれる酸素ガスの含有率(vol.%)のことをいう。
前記酸素ガスの含有率が20vol.%未満である場合には、RTPにおけるGrown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい。
前記酸素含有雰囲気中に含まれる酸素以外のガスは希ガスであることが好ましい。また、前記希ガスは、アルゴンガスを好適に用いることができる。
なお、前記ガスの切り替えを800℃以下で行うのであれば、第1の熱処理工程における降温時、又は、第2の熱処理工程における昇温時に行ってもよい。なお、前記ガスの切り替えが800℃以下であっても、第1の熱処理工程の昇温時や、第2の熱処理工程の降温時で行う場合には、Grown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい(前者の場合はシリコンウェーハ表面の酸素濃度が増加するため、後者の場合は導入される格子間シリコン(以下、i−Siという)が少ないため)。
なお、ここでいう第3の温度T3は、第1の温度T1と同様に、図1に示すようなRTP装置10内にウェーハWを設置した場合において、ウェーハWの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内多点(本実施形態では9点)の平均温度のことをいう。
前記第3の温度T3が1250℃未満である場合には、RTPにおけるGrown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい。
前記第3の温度T3は、装置寿命の観点から1300℃以上1380℃以下であることがより好ましい。
第1の熱処理工程で、希ガス雰囲気中でRTPを行うと、シリコンウェーハの表面の酸素は外方拡散されると共に、1300℃以上シリコンの融点以下の高温時においてCOPの内壁酸化膜に含まれる酸素がシリコンウェーハ内に溶解する(図3(a))。この状態で第2の熱処理工程において、雰囲気ガスを酸素ガスが20vol.%以上100vol.%以下含有する酸素含有雰囲気に切り替えることで、シリコンウェーハ内に急激に酸素が固溶し、かつ、i−Siが多く導入される(図3(b))。このi−Siが、前記内壁酸化膜が除去されたCOP内に埋まることによってCOPが消滅し、いわゆるDZ(Denuted Zone)層が形成される(図3(c))。
前記第1の昇温速度ΔTu1が10℃/sec未満である場合には、生産性が悪いという問題がある。また、前記第1の昇温速度ΔTu1が150℃/secを超える場合には、急激すぎる温度変化に耐えられずシリコンウェーハにスリップが発生する問題がある。
第1の降温速度ΔTd1が20℃/sec未満である場合は、RTPにおけるGrown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい。第1の降温速度ΔTd1が、150℃/secを超える場合には、急激すぎる温度変化に耐えられずシリコンウェーハにスリップが発生する問題がある。
前記第2の昇温速度ΔTu2が20℃/sec未満である場合には、RTPにおけるGrown−in欠陥の低減力を向上させることが難しい。また、前記第2の昇温速度ΔTu2が150℃/secを超える場合には、急激すぎる温度変化に耐えられずシリコンウェーハにスリップが発生する問題がある。
第2の降温速度ΔTd2が10℃/sec未満である場合は、生産性が悪いという問題がある。第2の降温速度ΔTd2が、150℃/secを超える場合には、急激すぎる温度変化に耐えられずシリコンウェーハにスリップが発生するという問題がある。
(試験1)
CZ法により、P型、結晶面方位(001)、固溶酸素濃度[Oi]1.2×1018atoms/cm3(1970−1979年度版Old ASTMによる換算係数からの算出値)、抵抗23〜25Ω/cmであるシリコン単結晶インゴットを作製した。
この際、窒化珪素膜で被膜されたシリコンウェーハを投入する窒素ドープ処理を行い、引上速度を平均で1.2mm/minに調整すると共に、シリコン単結晶の育成時に転位クラスタが発生しないように、引上速度Vと、1300℃における結晶軸方向の温度勾配Gを制御することでV/Gを制御しながら引き上げを行った。
次に、得られたシリコン単結晶インゴットを、ワイヤソーによりウェーハ状に切断し、ベベル加工、ラッピング、エッチング、研磨を施して、両面研磨された直径が300mmのシリコンウェーハを作製した。
・第1のガス雰囲気:アルゴン100vol.%
・第2のガス雰囲気:酸素100vol.%
・T0:500℃
・T2:600℃
・ΔTu1:50℃/sec
・ΔTd1:50℃/sec
・ΔTu2:25℃/sec
・ΔTd2:25℃/sec
・t1:15sec
・t2:15sec
・t3:15sec
更に、RTPを行ったシリコンウェーハに対して、Totalスリップ長を評価した。この評価はウェーハ全体をX線トポグラフィ(リガク社製XRT300、004回折)で測定し、ウェーハ全体で確認された複数のスリップの各々の長さを測定し、すべてのスリップの長さの合計値をTotalスリップ長として評価した。
また、Totalスリップ長については、すべての条件においてスリップの発生は認められず0mmであった。
試験1と同様な方法で両面研磨された直径が300mmのシリコンウェーハを作製した。
次に、図1に示すようなRTP装置10を用いて、図2に示すような熱処理シーケンスにて、第2のガス雰囲気の酸素含有量を10%から100%の範囲でそれぞれ振って、前記作製したシリコンウェーハのRTPを行った。なお、第2のガス雰囲気の酸素以外のガスとしては、アルゴンガスを用いた。
・第1のガス雰囲気:アルゴン100vol.%
・T0:500℃
・T2:600℃
・T1、T3:1300℃
・ΔTu1:50℃/sec
・ΔTd1:50℃/sec
・ΔTu2:25℃/sec
・ΔTd2:25℃/sec
・t1:15sec
・t2:15sec
・t3:15sec
また、Totalスリップ長については、すべての条件においてスリップの発生は認められず0mmであった。
試験1と同様な方法で両面研磨された直径が300mmのシリコンウェーハを作製した。
次に、図1に示すようなRTP装置10を用いて、図2に示すような熱処理シーケンスにて、第2の温度T2を300℃から900℃の範囲でそれぞれ振って、前記作製したシリコンウェーハのRTPを行った。
・第1のガス雰囲気:アルゴン100vol.%
・第2のガス雰囲気:酸素100vol.%
・T0:500℃
・T1、T3:1300℃
・ΔTu1:50℃/sec
・ΔTd1:50℃/sec
・ΔTu2:25℃/sec
・ΔTd2:25℃/sec
・t1:15sec
・t2:15sec
・t3:15sec
図4の横軸は第2温度T2(℃)であり、縦軸は表面粗さ:RMS(nm)である。
表1に示すように、第2の温度T2(℃)が800℃以下で、表面粗さが大きく減少することが認められた。
また、Totalスリップ長については、すべての条件においてスリップの発生は認められず0mmであった。
試験1と同様な方法で両面研磨された直径が300mmのシリコンウェーハを作製した。
次に、図1に示すようなRTP装置10を用いて、図2に示すような熱処理シーケンスにて、第1の雰囲気から第2の雰囲気における切り替えタイミングを振って、前記作製したシリコンウェーハのRTPを行った。
なお、その他の共通条件は実施例1と同様である。
次に、RTPを行ったシリコンウェーハに対して、試験1と同様な方法でLSTD密度を、試験3と同様な方法で表面粗さをそれぞれ測定した。
試験1と同様な方法で両面研磨された直径が300mmのシリコンウェーハを作製した。
・第2のガス雰囲気:酸素100vol.%
・T0:500℃
・T1、T3:1300℃
・T2:600℃
・ΔTu1:75℃/sec
・ΔTd1:10〜170℃/secでの範囲で計15条件
・ΔTu2:25℃/sec
・ΔTd2:25℃/sec
・t1:15sec
・t2:15sec
・t3:15sec
なお、以上の結果のうち上限値(150℃/sec以下)については、第2の熱処理工程における第2の降温速度ΔTd2にも、同様に適用することができるものと考えられる。
試験1と同様な方法で両面研磨された直径が300mmのシリコンウェーハを作製した。
・第2のガス雰囲気:酸素100vol.%
・T0:500℃
・T1、T3:1300℃
・T2:600℃
・ΔTu1:75℃/sec
・ΔTd1:25℃/sec
・ΔTu2:10〜170℃/secでの範囲で計15条件
・ΔTd2:25℃/sec
・t1:15sec
・t2:15sec
・t3:15sec
なお、以上の結果のうち上限値(150℃/sec以下)については、第1の熱処理工程における第1の昇温速度ΔTu1にも、同様に適用することができるものと考えられる。
20 反応管
30 ランプ
40 ウェーハ支持部
Claims (2)
- チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して、希ガス雰囲気中、第1の昇温速度で1300℃以上シリコンの融点以下の第1の温度まで急速昇温し、前記第1の温度を保持した後、第1の降温速度で400℃以上800℃以下の第2の温度まで急速降温する第1の熱処理工程と、
前記第1の熱処理工程に続いて、前記希ガス雰囲気から酸素ガスを20vol.%以上100vol.%以下含有する酸素含有雰囲気に切り替えた後、第2の昇温速度で前記第2の温度から1250℃以上シリコンの融点以下の第3の温度まで急速昇温し、前記第3の温度で保持した後、第2の降温速度で前記第3の温度から急速降温する第2の熱処理工程と、
を備えたことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記第1の温度は1300℃以上1380℃以下であり、前記第3の温度は1250℃以上1380℃以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009174024A JP5542383B2 (ja) | 2009-07-27 | 2009-07-27 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
KR1020127001166A KR101313462B1 (ko) | 2009-07-27 | 2010-05-17 | 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 |
CN201080033825.3A CN102473614B (zh) | 2009-07-27 | 2010-05-17 | 硅晶片的热处理方法 |
PCT/JP2010/003294 WO2011013280A1 (ja) | 2009-07-27 | 2010-05-17 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
US13/387,125 US8399341B2 (en) | 2009-07-27 | 2010-05-17 | Method for heat treating a silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009174024A JP5542383B2 (ja) | 2009-07-27 | 2009-07-27 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029429A JP2011029429A (ja) | 2011-02-10 |
JP5542383B2 true JP5542383B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=43528955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009174024A Active JP5542383B2 (ja) | 2009-07-27 | 2009-07-27 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8399341B2 (ja) |
JP (1) | JP5542383B2 (ja) |
KR (1) | KR101313462B1 (ja) |
CN (1) | CN102473614B (ja) |
WO (1) | WO2011013280A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5583053B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2014-09-03 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP2013163598A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-22 | Globalwafers Japan Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
CN103835000A (zh) * | 2012-11-20 | 2014-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种高温改善多晶硅表面粗糙度的方法 |
JP6565624B2 (ja) * | 2015-11-16 | 2019-08-28 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP7051560B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-04-11 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP7014694B2 (ja) | 2018-10-15 | 2022-02-01 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
CN112939616A (zh) * | 2021-02-22 | 2021-06-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷烧结方法及采用该方法制成的陶瓷件 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011178B2 (ja) | 1998-01-06 | 2000-02-21 | 住友金属工業株式会社 | 半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置 |
JP2001144275A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-05-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせsoiウエーハの製造方法および貼り合わせsoiウエーハ |
JP3731417B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2006-01-05 | 株式会社Sumco | 点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法 |
JP4154881B2 (ja) | 2001-10-03 | 2008-09-24 | 株式会社Sumco | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
JP4432317B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2010-03-17 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの熱処理方法 |
KR100531552B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2005-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-07-27 JP JP2009174024A patent/JP5542383B2/ja active Active
-
2010
- 2010-05-17 US US13/387,125 patent/US8399341B2/en active Active
- 2010-05-17 CN CN201080033825.3A patent/CN102473614B/zh active Active
- 2010-05-17 WO PCT/JP2010/003294 patent/WO2011013280A1/ja active Application Filing
- 2010-05-17 KR KR1020127001166A patent/KR101313462B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011013280A1 (ja) | 2011-02-03 |
US20120184091A1 (en) | 2012-07-19 |
CN102473614A (zh) | 2012-05-23 |
CN102473614B (zh) | 2014-12-10 |
US8399341B2 (en) | 2013-03-19 |
KR101313462B1 (ko) | 2013-10-01 |
KR20120024970A (ko) | 2012-03-14 |
JP2011029429A (ja) | 2011-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5561918B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
KR20100014191A (ko) | 실리콘 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼의 제조방법, 및 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법 | |
JP5542383B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP2010040587A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
KR20130082111A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 | |
WO2007013189A1 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP2002187794A (ja) | シリコンウェーハおよびこれに用いるシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2016152370A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5590644B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP5997552B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP5262021B2 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
JP5944643B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
TWI523107B (zh) | 矽晶圓之熱處理方法 | |
JP2013163597A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5427636B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP2010040588A (ja) | シリコンウェーハ | |
JP5550180B2 (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
JP5583053B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP6317700B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP7051560B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 | |
JP2014168090A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP5441261B2 (ja) | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120322 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121206 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5542383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |