JP5997552B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
CZ法によりV/G値(V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値)を制御して原子空孔(COP)が多く取り込まれ、スライスされた際にウェーハの面内の一部にOSFリングが発生しているV−リッチ領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成し、該領域からスライスされた両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ(直径300mm、厚さ775μm、酸素濃度1.2〜1.3×1018atoms/cm3)を、400℃で保持された周知のRTP装置の反応空間内に投入し、図7に示すような温度シーケンスにて、酸素100%ガス(流量20slm)雰囲気中、昇温速度を50℃/秒、最高到達温度の保持時間15秒(ただし、比較例1に関しては30秒)にて、最高到達温度及び降温速度を変化させて第1の熱処理を行って、熱処理条件の異なる複数のウェーハを作製した。
また、レイテックス社製LSTDスキャナMO601を用いて、前記第2の熱処理を行ったウェーハの表面から深さ5μm領域までの表層部の欠陥数を評価し、その欠陥密度を算出した。
前記第1の熱処理における最高到達温度を1325℃、1350℃、1380℃として、降温速度(℃/秒)を50℃/秒として、更に、第2の最高到達温度を変化させて、その他は試験1と同様な条件で、第2の熱処理を行った。
20 反応室
30 ウェーハ保持部
40 加熱部
T1 第1の最高到達温度
T2 第2の最高到達温度
T3 中間温度
Claims (2)
- チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325℃以上1400℃以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して前記第1の最高到達温度を保持した後、50℃/秒以上250℃/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、
前記第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、900℃以上1250℃以下の範囲内の第2の最高到達温度まで1℃/分以上20℃/分以下の昇温速度で昇温して前記第2の最高到達温度を保持した後、降温する第2の熱処理を行う工程と、
を備えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記第1の熱処理における降温速度は、120℃/秒以上250℃/秒以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196014A JP5997552B2 (ja) | 2011-09-27 | 2012-09-06 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
US13/626,151 US20130078588A1 (en) | 2011-09-27 | 2012-09-25 | Method for heat-treating silicon wafer |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011210809 | 2011-09-27 | ||
JP2011210809 | 2011-09-27 | ||
JP2012196014A JP5997552B2 (ja) | 2011-09-27 | 2012-09-06 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084920A JP2013084920A (ja) | 2013-05-09 |
JP5997552B2 true JP5997552B2 (ja) | 2016-09-28 |
Family
ID=47911647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012196014A Active JP5997552B2 (ja) | 2011-09-27 | 2012-09-06 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130078588A1 (ja) |
JP (1) | JP5997552B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9064823B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for qualifying a semiconductor wafer for subsequent processing |
US10141413B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer strength by control of uniformity of edge bulk micro defects |
JP6086056B2 (ja) | 2013-11-26 | 2017-03-01 | 信越半導体株式会社 | 熱処理方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3144631B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2001-03-12 | 住友金属工業株式会社 | シリコン半導体基板の熱処理方法 |
US6828690B1 (en) * | 1998-08-05 | 2004-12-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices |
JP2002184779A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ |
JP2005522879A (ja) * | 2002-04-10 | 2005-07-28 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 理想的酸素析出シリコンウエハにおいてデヌーデッドゾーン深さを制御する方法 |
KR100779341B1 (ko) * | 2003-10-21 | 2007-11-23 | 가부시키가이샤 섬코 | 고저항 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 에피택셜 웨이퍼 및soi 웨이퍼의 제조 방법 |
JP2006261632A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-09-28 | Sumco Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
JP5103745B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-12-19 | 株式会社Sumco | 高周波ダイオードおよびその製造方法 |
KR101313326B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-09-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 후속 열처리에 의해 산소 침전물로 되는 유핵의 분포가제어된 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
JP5167654B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-03-21 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
KR101043011B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2011-06-21 | 실트로닉 아게 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
US8476149B2 (en) * | 2008-07-31 | 2013-07-02 | Global Wafers Japan Co., Ltd. | Method of manufacturing single crystal silicon wafer from ingot grown by Czocharlski process with rapid heating/cooling process |
JP5561918B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-07-30 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
JP2010040588A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハ |
JP2010147248A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Siltronic Ag | アニールウェハおよびアニールウェハの製造方法 |
US8252700B2 (en) * | 2009-01-30 | 2012-08-28 | Covalent Materials Corporation | Method of heat treating silicon wafer |
JP2011171377A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
-
2012
- 2012-09-06 JP JP2012196014A patent/JP5997552B2/ja active Active
- 2012-09-25 US US13/626,151 patent/US20130078588A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20130078588A1 (en) | 2013-03-28 |
JP2013084920A (ja) | 2013-05-09 |
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