JP7051560B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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このような要求に対しては、シリコンウェーハに1100℃以上の温度でバッチ熱処理や、急速昇降温熱処理(Rapid Thermal Process/s;以下、RTPと略称する)を施す技術が知られている。
このような要求に対しては、転位の伸展を阻害するような不純物元素(代表的には酸素)の濃度を意図的に高めるなどの工夫がなされている。
シリコン単結晶の育成において、チョクラルスキー法の場合、石英ルツボから酸素が溶融して結晶中に取り込まれるため、一般的にシリコンウェーハ中に溶存する酸素濃度が1×1018/cm3程度になるが、育成条件の調整にて酸素濃度を意図的に高めることもできる。
具体的には、(i)ウェーハを、急速熱アニーリング装置において、少なくとも1150℃の温度で、少なくとも1000ppmaの酸素濃度を有する雰囲気中で熱処理すること、あるいは(ii)ウェーハを急速熱アニーリング装置において少なくとも約1150℃の温度で熱処理し、その後、単結晶シリコンにおける空孔の数密度を、ウェーハが続いて酸素析出熱処理に供された場合に酸素析出物が形成されないような値に低下させるために、熱処理時に達成された最高温度から、空孔が比較的移動しやすい温度範囲への冷却速度を制御することが記載されている。この冷却速度としては、約20℃/秒未満であることが示されている。
具体的には、希ガス雰囲気中、1300℃以上シリコンの融点以下の温度で保持し、400℃以上800℃以下の温度まで一旦降温した後、酸化性雰囲気に切換えて、再度、1250℃以上シリコンの融点以下の温度で熱処理するシリコンウェーハの熱処理方法が記載されている。
その結果、本発明の熱処理が施されたシリコンウェーハがデバイス製造において様々な熱処理が施されたとしても、このシリコンウェーハが空孔と酸素の複合体(VOx)が抑制された、優勢点欠陥種が格子間Siであるシリコンウェーハであるため、BMDの成長が抑制され、固溶酸素濃度の減少を抑制でき、適正なバルク強度とすることができる。
また、前記第一および第二の熱処理工程における酸化性雰囲気が、酸素分圧が100%であることが望ましい。
即ち、石英ルツボに充填した多結晶シリコンを加熱してシリコン融液とし、このシリコン融液の液面上方から種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら引上げ、所望の直径まで拡径して直胴部を育成することでシリコン単結晶インゴットを製造する。
加工される。 即ち、シリコン単結晶インゴットを内周刃又はワイヤソー等によりウェーハ状にスライスした後、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、研磨等の加工工程を経て、シリコンウェーハを製造する。なお、ここで記載された加工工程は例示的なものであり、本発明は、この加工工程のみに限定されるものではない。
図1は、本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるRTPの熱処理シーケンスを示す概念図である。
本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるRTPにおける熱処理シーケンスは、所望の温度T0(例えば、500℃)で保持された、RTP装置の反応管内に前記製造されたシリコンウェーハを設置する。
この第1の熱処理工程に続いて、酸化性雰囲気中、第2の昇温速度ΔTu2で第2の温度T2から第3の温度T3まで急速昇温し、第3の温度T3を所定時間t2保持した後、第2の降温速度ΔTd2で第3の温度T3から降温する第2の熱処理工程を行う。尚、前記第2の温度T2での保持は所定時間t3で行う。
あるいはまた、1300℃以上1380℃以下(T1)まで昇温し、少なくとも5秒(t1)保持した後、一旦チャンバーから取り出し、800℃以下(T2)まで降温しても良い。このように、一旦チャンバーから取り出し、別のチャンバーで第2の熱処理を行う場合には、効率的に熱処理を行うことができる。
尚、前記第2の温度T2での所定時間t3は、1秒以上10秒以下で行われる。
まず、単結晶シリコンインゴットからスライスして得たシリコンウェーハは、CZ法で作成された単結晶に限定されるものではなく、FZ法により作成された結晶にも適用することができる。
またシリコンウェーハの固溶酸素濃度は、熱処理後の固溶酸素濃度を高く維持するために、1.1×1018/cm3以上、1.5×1018/cm3以下であることが好ましいが、特にこの範囲のシリコンウェーハに限定されるものではない。
前記第1の熱処理工程における雰囲気は、酸化性雰囲気であることが好ましい。
この第1の熱処理を酸化性雰囲気とすることで、シリコンウェーハ表面の酸化によってシリコンウェーハ表層に格子間Siが注入され、格子間Siが過飽和状態となるため、シリコンウェーハ表層のグローイン欠陥が消滅する。
尚、シリコンウェーハ表面の酸素濃度が増加するため、当該表面に存在するCOP(ボイド)の内壁に形成された内壁酸化膜に含まれる酸素がシリコンウェーハ内に溶解しにくくなり、シリコンウェーハ表面のグローイン欠陥の低減を図ることは難しいが、この領域はその後になされる研磨等により除去される。
図1に示すように、所望の温度T0(例えば、500℃)で保持されたシリコンウェーハを、第1の熱処理工程における最高到達温度である第1の温度T1に昇温する。
このとき、第1の昇温速度ΔTu1は、少なくとも10℃/sである。第1の熱処理の昇温速度が10℃/s未満の場合は、グローイン欠陥である酸素析出核が消滅する前に、BMDとなって成長する虞があるため、好ましくない。
また前記第1の昇温速度ΔTu1が150℃/secを超える場合には、急激すぎる温度変化に耐えられずシリコンウェーハにスリップが発生するため、好ましくない。
好ましくは、第1の昇温速度ΔTu1は、10℃/s~150℃/sである。
尚、ここでいう第1の温度T1は、RTP装置内にウェーハを設置した場合において、ウェーハを載置するステージに配置された放射温度計によって測定した、ウェーハの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内多点の平均温度(例えば、9点の平均温度)をいう。
保持時間が5秒未満では、グローイン欠陥が残留する虞があるため、好ましくない。
また、40秒を越えると、スリップが発生する危険性があるため、好ましくない。
好ましくは、第1の温度T1の保持時間t1は、10秒以上30秒以下である。
続いて、この第1の温度T1から、降温速度が25℃/s以上、120℃/s以下で、800℃以下まで降温する。
第1の熱処理の降温速度が120℃/sを超えると熱応力で、シリコンウェーハにスリップが発生し易くなるため好ましくない。
一方、第1の熱処理の降温速度が25℃/s未満である場合は、ウェーハ内へ微量ながら混入した金属不純物(例えばNi)があった場合に、表面近傍にシリサイドとして析出する危険性があるため、好ましくない。
したがって、降温速度は25℃/s以上、120℃/s以下が好ましい。
ここでいう第2の温度T2は、第1の温度T1と同様に、ウェーハを載置するステージに配置された放射温度計によって測定した、ウェーハの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内多点(本実施形態では9点)の平均温度をいう。
前記第2の温度T2が400℃未満である場合には、RTPとしての生産性が悪くなる
ため好ましくない。前記第2の温度T2が800℃を超える場合には、後述するVOxの発生を助長するため好ましくない。
このような空孔-酸素複合体は、長時間熱処理に曝されると、凝集してクラスター化し、酸素析出核になる。
即ち、この第1の熱処理において、シリコンウェーハ中のグローイン欠陥を効果的に消滅させることができるが、降温過程において、シリコンウェーハ中には、空孔と酸素の複合体(VOx)が形成される。この空孔-酸素複合体がクラスター化すると、新たな酸素析出核となり、この酸素析出核が周囲の酸素を吸収するとBMDへと成長する虞がある。
そのため、第2の熱処理で、第1の熱処理で生じた空孔と酸素の複合体(VOx)を消滅させることにより、酸素析出核の生成を抑制し、最終的にBMDを抑制する処理がなされる。
時間t3が1秒未満の場合には、ウェーハ面内温度ばらつきが大きい状態で第2の昇温が開始され、スリップが発生する危険性があるため、好ましくなく、また時間t3が60秒を超える場合には、チャンバからの金属汚染影響を受け易くなるため好ましくない。
前記第2の熱処理工程における雰囲気は、酸化性雰囲気であることが好ましい。
この第2の熱処理を酸化性雰囲気で行うことで、シリコンウェーハ表面の酸化によってシリコンウェーハ表層に格子間Siが注入され、優勢点欠陥種が格子間Siとなる。
また、前記酸化性雰囲気としては、酸素ガスが好適に用いられ、この酸素の分圧調整には、アルゴンガス等の不活性ガスを用いられるのが好ましい。
第2の温度T2に保持されたシリコンウェーハを、第2の熱処理工程における最高到達温度である第3の温度T3に昇温する。
また、第2の昇温速度ΔTu2は、少なくとも10℃/sである。第2の昇温速度が10℃/s未満の場合は、第1の熱処理工程で形成された空孔-酸素複合体(VOx)がクラスター化し、新たに形成された酸素析出核がBMDへと成長する虞があるため、好ましくない。
また、前記第2の昇温速度ΔTu2が150℃/secを超える場合には、急激すぎる温度変化に耐えられずシリコンウェーハにスリップが発生するため、好ましくない。好ましくは、10℃/s~150℃/sである。
この第3の温度T3は1150℃未満の場合は、第1の熱処理工程で形成された空孔-酸素複合体(VOx)が十分消滅しない虞があるため、好ましくない。
また、1220℃よりも高いと空孔濃度が増加してしまい(空孔優先となるため)、一旦消滅しても第3の温度T3から降温する冷却過程で、再び空孔-酸素複合体(VOx)が形成されるため好ましくない。
なお、ここでいう第3の温度T3は、第1の温度T1と同様に、ウェーハを載置するステージに配置された放射温度計によって測定した、ウェーハの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内多点の平均温度(例えば9点の平均温度)をいう。
保持時間が5秒未満では、第1の熱処理工程で形成された空孔-酸素複合体(VOx)が十分消滅しない虞があるため好ましくない。
また、30秒を越えると、チャンバからの金属汚染影響を受け易くなる ため、好ましくない。好ましくは、第1の温度T1の保持時間t1は、5秒以上30秒以下である。
続いて、この第3の温度T3から、降温速度が25℃/s以上、120℃/s以下で、冷却する。
第2の熱処理の降温速度が120℃/sを超えると熱応力で、シリコンウェーハにスリップが発生し易くなるため好ましくない。第2の熱処理の降温速度が25℃/s未満である場合は、ウェーハ内へ微量ながら混入した金属不純物(例えばNi)があった場合に、表面近傍にシリサイドとして析出する危険性があるため、好ましくない。したがって、降温速度は25℃/s以上、120℃/s以下が好ましい。
即ち、第1の熱処理と、第2の熱処理を連続的に行うことによって、グローイン欠陥が消滅し、且つ、デバイス製造で様々な熱処理が施されたとしてもBMD成長が抑制されるため、固溶酸素濃度の減少が抑制される。
その結果、グローイン欠陥が消滅した無欠陥層を有すると共に、固溶酸素濃度の減少を抑制でき、適正なバルク強度を有するシリコンウェーハを得ることができる。
まず、第1の処理工程におけるグローイン欠陥の消滅に対する温度依存性を検証した。
固溶酸素濃度が1.25×1018/cm3のφ300mmCZ-シリコンウェーハを用いて、表1に示される雰囲気下(酸素、アルゴン)で、昇温速度ΔTu1を50℃/s、表1に示される第1の温度T1まで昇温してから、30秒保持(t1)した後、降温速度ΔTd1120℃/sで冷却した。その後、シリコンウェーハを6μm研磨し、LPD密度を測定した(実施例1~実施例3、比較例1~8)。
またLPD密度の測定には、KLA-Tencor社製のSurfscan SP3を用い、LPD密度が0.2/cm2以下を良(○)とした。その結果を表1に示す。
尚、比較例1は、熱処理を行っていないシリコンウェーハである。また熱処理後シリコンウェーハを6μm研磨したのは、表面から1μm以下の領域におけるグローイン欠陥が消滅し難いためである。
次に、第1の処理工程におけるグローイン欠陥の消滅に対する酸素分圧依存性を検証した。
実験1と同様に、固溶酸素濃度が1.25×1018/cm3のφ300mmCZ-シリコンウェーハを用いて、表1に示される酸素分圧の雰囲気下で、昇温速度50℃/sで、1300℃まで昇温してから、30秒保持した後、120℃/sで冷却した。その後、シリコンウェーハを6μm研磨し、LPD密度を測定した(実施例4~実施例6、比較例9,10)。その結果を表2に示す。
尚、LPD密度の測定には、KLA-Tencor社製のSurfscan SP3を用い、LPD密度が0.2/cm2以下を良(○)とした。その結果を表2に示す。
したがって、酸素ガス25%~100%の雰囲気下、1300℃~1350℃の温度での熱処理で、LPD密度が低いことが認められた。
昇温速度ΔTu1、保持時間t1、降温速度ΔTd1の適正範囲を検証した。
実験1と同様に、固溶酸素濃度が1.25×1018/cm3のφ300mmCZ-シリコンウェーハを用いて、酸素分圧100%の雰囲気下で、表1に示す昇温速度ΔTu1、第1の温度T1、保持時間t1、降温速度ΔTd1で熱処理を行い、シリコンウェーハを6μm研磨し、LPD密度を測定した。LPD密度が0.2/cm2以下を良(○)とした。その結果を表3に示す。
また、保持時間t1は、3秒ではボイドが残留し(比較例18)、40秒でスリップが発生するため(比較例20)、好ましくないことが判明した。したがって、保持時間t1は、10秒以上30秒以下が好ましいことが判明した。
更に、降温速度ΔTd1は、20℃/sで金属シリサイドの形成が認められ(比較例15)、130℃/sでスリップが発生するため(比較例17)、好ましくないことが判明した。 したがって、降温速度は25℃/s以上、120℃/s以下が好ましいことが判明した。
実験1と同様に、固溶酸素濃度が1.25×1018/cm3のφ300mmCZ-シリコンウェーハを用いて、表4に示すように、第1の熱処理工程の雰囲気を酸素100%とし、第1の熱処理工程の昇温速度ΔTu1を50℃/s、第1の温度T1を1350℃とし、1350℃に昇温してから、保持時間t1を30秒とし、30秒保持した後、表3に示す降温速度で、700℃まで降温して、チャンバー内から取り出した。
その後、再度チャンバー内へウェーハを投入し、続けて第2の熱処理工程として、酸素100%雰囲気下、昇温速度ΔTu2を50℃/s、表4に示す第2の熱処理の最高温度T3まで昇温し、30秒保持し、表3に示す降温速度で冷却した。
その後、IRトモグラフ(レイテックス社製MO441)でウェーハに形成されたBMD密度を測定した。
また、FTIR(BIO-RAD社製 QS-612)を用いて、固溶酸素濃度を測定し、酸素の減少量を求めた。
図4(a)は比較例12、(b)は比較例13、(c)は比較例14、(d)は比較例17、(e)は実施例、(f)は比較例18を示している。この図において、黒い部分がBMDを示し、白い部分が無欠陥を示しており、(e)ではBMDが抑制されていることが分かる。
尚、2ステップ熱処理(780℃×3時間熱処理した後、1000℃×16時間の熱処理h)は、デバイスプロセスでの熱処理を考慮して行う熱処理である。
なお、2ステップ熱処理後の当該ウェーハの固溶酸素濃度は、1.16~1.19×1018/cm3であり、酸素濃度の減少が非常に少ないことが確認された。
昇温速度ΔTu2、保持時間t2、降温速度ΔTd2の適正範囲を検証した。
実験1と同様に、固溶酸素濃度が1.25×1018/cm3のφ300mmCZ-シリコンウェーハを用いて、第1の熱処理工程の雰囲気を酸素100%とし、第1の熱処理工程の昇温速度ΔTu1を50℃/s、第1の温度T1を1350℃とし、1350℃に昇温してから、保持時間t1を30秒とし、30秒保持した後、降温速度ΔTd1を120℃/秒とし、700℃まで降温して、チャンバー内から取り出した。
その後、再度チャンバー内へウェーハを投入し、酸素分圧100%の雰囲気下で、表6に示す昇温速度ΔTu2、第1の温度T1、保持時間t1、降温速度ΔTd1で熱処理を行い、シリコンウェーハを6μm研磨し、LPD密度を測定した。LPD密度が0.2/cm2以下を良(○)とした。その結果を表6に示す。
また、保持時間t2は、3秒ではBMDの成長が認められ(比較例18)、40秒でスリップが発生するため(比較例41)、好ましくないことが判明した。したがって、保持時間t2は、10秒以上30秒以下が好ましいことが判明した。
更に、降温速度ΔTd2は、20℃/sで金属シリサイドの形成が認められ(比較例36)、130℃/sでスリップが発生するため(比較例38)、好ましくないことが判明した。
したがって、降温速度は25℃/s以上、120℃/s以下が好ましいことが判明した。
また、本発明は、CZ結晶に限定されるものではなく、FZ結晶などにも適用が可能である。また、固溶酸素濃度水準は、好ましくは、1.1×1018/cm3以上、1.5×1018/cm3以下であるが制限があるものではなく、任意の結晶について効果が得られる。
Claims (5)
- 単結晶シリコンインゴットからスライスして得たシリコンウェーハを、酸素分圧が25%以上、100%の酸化性雰囲気下で、1300℃以上1380以下まで昇温して、少なくとも5秒保持し、120℃/sを越えない速度で、800℃以下まで冷却し、シリコンウェーハ中のグローイン欠陥を消滅させる第一の熱処理工程と、
酸素分圧が25%以上、100%の酸化性雰囲気下で、1150℃以上1220℃以下まで昇温して、少なくとも5秒保持し、120℃/sを越えない速度で、冷却し、前記第一の熱処理工程で生じた空孔と酸素の複合体(VOx)を消滅させる第二の熱処理工程と、を備え、
第一の熱処理工程の前記800℃以下の温度を1秒以上60秒以下保持した後に、第二の熱処理工程の昇温を連続的に行い、
更に、第二の熱処理工程の後、100%の酸化性雰囲気下で、780℃で3時間熱処理した後、1000℃で16時間熱処理を行い、この熱処理後のシリコンウェーハの酸素濃度が、前記第一の熱処理工程前のシリコンウェーハの酸素濃度から9.3×10 16 /cm 3 以下の減少量であることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 前記第二の熱処理工程の後に、表面及び表層を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記第一および第二の熱処理工程における酸化性雰囲気が、酸素分圧が100%である請求項1または請求項2記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記第一の熱処理工程における1300℃以上1380℃以下までの昇温速度が、少なくとも10℃/sであり、少なくとも5秒保持した後の降温速度が、25℃/s以上、120℃/s以下であり、
前記第二の熱処理工程における1150℃以上1220℃以下までも昇温速度が、少なくとも10℃/sであり、少なくとも5秒保持した後の降温速度が、25℃/s以上、120℃/s以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のシリコンウェーハの熱処理方法。 - 単結晶シリコンインゴットからスライスして得た、第一の熱処理工程前のシリコンウェーハの酸素濃度が、1.1×1018/cm3以上、1.5×1018/cm3以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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JP2011029429A (ja) | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
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JP2011029429A (ja) | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
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