JP6086056B2 - 熱処理方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
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- H01L21/67306—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
熱処理を実施するための熱処理装置として、複数のウェーハを所定の間隔をあけて同時処理するバッチ式のものが広く用いられている。特に、ウェーハを水平に支持した状態で縦方向に配置するタイプを縦型炉と呼ぶ。また、垂直に近い角度に立てた状態で横方向に配置するタイプを横型炉と呼ぶ。
特に、高温熱処理では、熱に対する耐久性が高いSiC製の支持部材が広く使用されている。支持部材の形状にはさまざまなものがあるが、縦型炉用の支持部材として一般的なものは、3本、または、4本の垂直な支柱を2枚の板状部材(天板と底板)で連結し、支柱の一部に溝を水平方向に形成したものである。ウェーハはその溝の水平面上に載置されて支持される。
このようにすれば、スリップ転位を低コストで確実に抑制できる
このようにすれば、1つの支持部材の使用時間を増加することでコストを更に低減できる。
本発明の熱処理方法では、図1に示すような縦型熱処理炉を用いることができる。
図1に示すように、縦型熱処理炉10は反応室11を有し、反応室11の内部には支持部材13(ウェーハボート)が配置されている。反応室11の周囲にはヒータ12が設けられている。
本発明の熱処理方法における熱処理条件には、第1の条件と第2の条件があり、これら条件と使用する支持部材13の組み合わせが決定される。具体的には、支持部材13を、第1または第2の条件のいずれかの高温熱処理に一定期間継続して用いた後、もう一方の条件の高温熱処理に一定期間継続して用いるように、支持部材と熱処理条件を切り替える。
このように、支持部材と熱処理条件を切り替えて熱処理を行うことにより、以下に詳述するように、スリップ転位を抑制できる。
第1の条件及び第2の条件の熱処理温度が1000℃未満では、スリップ転位の発生が抑制されてしまうため、本発明の効果が十分に得られなくなる。一方、1350℃以下の温度とすることで、スリップ転位が大幅に増加することを確実に防ぐことができるので好ましい。
或いは、熱処理後のウェーハのスリップ転位の量を測定し、この量が予め設定した閾値を超えるまでの期間を上記一定期間としても良い。
スリップ転位の発生には、ウェーハと接触する支持部材の表面状態が大きく影響する。特に、CVD−SiCコートを施した支持部材の表面は粗いため、支持部材にウェーハを載置すると、微小な隆起状部で点接触として支持される。そのため、ウェーハの自重による内部応力が局部的に大きくなり、スリップ転位が発生しやすいと考えられる。
一般的な熱処理においては、炉内に高純度のガスを一種類、または複数種類混合して供給する。半導体ウェーハの熱処理に用いられる代表的なガス種として、酸素、窒素、水素、アルゴン等が用いられる。これまで、長期間使用することによって生じる支持部材表面の形状変化は、これらガス種によらず共通の現象と考えられていた。実際に、アルゴン雰囲気、及び酸素雰囲気で熱処理した場合のいずれにおいても、それぞれの支持部材でスリップ転位の発生の増加が見られる。
元々、CVD−SiCコートされた支持部材の表面には、サイズが1〜5μm程度の粒塊が存在し、それぞれの粒塊は先鋭的な形状をしている。このような支持部材表面がアルゴンなどの希ガス(不活性ガス)雰囲気下で熱処理を長期間受けると、先鋭的な粒塊の先端部分に丸みを生じる。一方、酸素雰囲気下で熱処理を長期間受けると、その先端部分がより先鋭的な形状に変化する。このように、アルゴン雰囲気と酸素雰囲気で生じる先端形状の変化はそれぞれ逆の傾向を示す。
希ガス雰囲気下で熱処理を長期間実施した場合、上記のように、支持部材表面にある粒塊の先端部分が丸みを帯びることにより、この先端部分とウェーハとの接触面積が増加する。これにより、ウェーハと支持部材が互いに対して横方向にずれる際の摩擦が大きくなる。実際に、熱処理中のウェーハは熱膨張により支持部材に対して横方向にずれている。このとき摩擦が小さければ、両者は滑らかにずれることになるが、摩擦が大きければ、ずれが開始するまでの横方向の応力が増加し、この応力によってスリップ転位が増加すると考えられる。
このように、スリップ転位の悪化メカニズムは希ガス雰囲気と酸素雰囲気の2つの雰囲気下で異なっており、それぞれは逆の特徴を持っている。
本発明の熱処理方法に従って、シリコン単結晶ウェーハの高温熱処理を行った。図1に示すような縦型熱処理炉を2つ用い、それぞれの縦型熱処理炉で第1の条件の熱処理、及び第2の条件の熱処理を行った。2つの縦型熱処理炉に設けられている支持部材は、CVD−SiCコートされた4点支持型のSiC製の同一仕様のものとした。
第1の条件の高温熱処理は、アルゴン雰囲気、最高温度が1200℃、最高温度の保持時間が1時間、最高温度の保持時間前後に昇降温のステップを含める条件で実施した。第2の条件の高温熱処理は、酸素雰囲気、最高温度が1050℃、最高温度の保持時間が1時間、最高温度の保持時間前後に昇降温のステップを含める条件で実施した。
図2に第1の条件の高温熱処理を施したウェーハのスリップ量と処理バッチ数の関係を示す。図3に第2の条件の高温熱処理を施したウェーハのスリップ量と処理バッチ数の関係を示す。なお、図2、3の横軸の処理バッチ数は、1バッチ当たり10回の熱処理に相当するようにして示し、また、支持部材の使用初期のデータを一部省略してスリップ転位が増加し始める少し前からのデータのみを示している。
このように、本発明の熱処理方法に従って、支持部材と熱処理条件を切り替えて熱処理することにより、スリップ転位を低減できることが確認できた。
なお、従来のように、切り替えを行わず、支持部材を使用し続けた場合、スリップ量はさらに増加し続けることが予測される。
13…支持部材、 14…ガス導入管、 15…ガス排気管、
W…半導体ウェーハ。
Claims (4)
- 複数の半導体ウェーハを、SiCでコートされた支持部材上にそれぞれ水平に載置し、縦型熱処理炉内で熱処理を行う熱処理方法において、
前記支持部材を、CVD−SiCコートされたものとし、第1または第2の条件のいずれかの熱処理に一定期間継続して用いた後、もう一方の条件の熱処理に一定期間継続して用いるように、前記支持部材と熱処理条件を切り替えて熱処理をすることにより、前記支持部材の表面の粒塊の形状変化を、丸み形状と先鋭形状間で切り替えるものであり、
前記第1の条件の熱処理は、1000℃以上1350℃以下の温度で、希ガスを含みかつ酸素を含まない雰囲気下での熱処理であり、前記第2の条件の熱処理は、1000℃以上1350℃以下の温度で、酸素を含みかつ希ガスを含まない雰囲気下での熱処理であることを特徴とする熱処理方法。 - 前記希ガスをアルゴンガスとすることを特徴とする請求項1に記載の熱処理方法。
- 前記第1及び第2の条件の熱処理をそれぞれ継続する前記一定期間を、200時間以上、400時間以下とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱処理方法。
- 前記支持部材と熱処理条件の切り替えを複数回繰り返すことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の熱処理方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013244374A JP6086056B2 (ja) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 熱処理方法 |
US15/022,846 US9922842B2 (en) | 2013-11-26 | 2014-10-27 | Heat treatment method |
EP14865182.1A EP3035373B1 (en) | 2013-11-26 | 2014-10-27 | Heat treatment method |
KR1020167009150A KR102105367B1 (ko) | 2013-11-26 | 2014-10-27 | 열처리방법 |
CN201480052178.9A CN105580119B (zh) | 2013-11-26 | 2014-10-27 | 热处理方法 |
SG11201602010VA SG11201602010VA (en) | 2013-11-26 | 2014-10-27 | Heat treatment method |
PCT/JP2014/005417 WO2015079621A1 (ja) | 2013-11-26 | 2014-10-27 | 熱処理方法 |
TW103138382A TWI588904B (zh) | 2013-11-26 | 2014-11-05 | Heat treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013244374A JP6086056B2 (ja) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015103717A JP2015103717A (ja) | 2015-06-04 |
JP6086056B2 true JP6086056B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=53198599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013244374A Active JP6086056B2 (ja) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 熱処理方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9922842B2 (ja) |
EP (1) | EP3035373B1 (ja) |
JP (1) | JP6086056B2 (ja) |
KR (1) | KR102105367B1 (ja) |
CN (1) | CN105580119B (ja) |
SG (1) | SG11201602010VA (ja) |
TW (1) | TWI588904B (ja) |
WO (1) | WO2015079621A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7251458B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-04-04 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3505934B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2004-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持構造及び熱処理装置 |
US6062853A (en) | 1996-02-29 | 2000-05-16 | Tokyo Electron Limited | Heat-treating boat for semiconductor wafers |
JPH10233368A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型ウエハボート |
JP2002324830A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 基板熱処理用保持具、基板熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板熱処理用保持具の製造方法及び基板熱処理用保持具の構造決定方法 |
JP2002274983A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-25 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | SiC膜を被覆した半導体製造装置用部材およびその製造方法 |
JP4396105B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2010-01-13 | 信越半導体株式会社 | 縦型熱処理用ボート及び半導体ウエーハの熱処理方法 |
KR100877129B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2009-01-07 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 열처리용 웨이퍼 지지구 및 열처리 장치 |
JP2005101161A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US7888685B2 (en) * | 2004-07-27 | 2011-02-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | High purity silicon carbide structures |
US7601227B2 (en) * | 2005-08-05 | 2009-10-13 | Sumco Corporation | High purification method of jig for semiconductor heat treatment |
EP1793021A3 (en) * | 2005-12-02 | 2009-01-14 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method for semiconductor processing using silicon carbide article |
JP4290187B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-07-01 | コバレントマテリアル株式会社 | 半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法 |
KR100818842B1 (ko) | 2006-12-27 | 2008-04-01 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법 |
JP5051909B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-10-17 | コバレントマテリアル株式会社 | 縦型ウエハボート |
JP5211543B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2013-06-12 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ支持治具およびこれを備えた縦型熱処理用ボートならびにウエーハ支持治具の製造方法 |
JP5071217B2 (ja) | 2008-04-17 | 2012-11-14 | 信越半導体株式会社 | 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法 |
JP2010283153A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、熱処理装置、及び熱処理用部材 |
JP5439305B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2014-03-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン基板の製造方法及びシリコン基板 |
JP2013048218A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法 |
JP5997552B2 (ja) | 2011-09-27 | 2016-09-28 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの熱処理方法 |
TWI523107B (zh) | 2011-09-27 | 2016-02-21 | 環球晶圓日本股份有限公司 | 矽晶圓之熱處理方法 |
-
2013
- 2013-11-26 JP JP2013244374A patent/JP6086056B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-27 US US15/022,846 patent/US9922842B2/en active Active
- 2014-10-27 KR KR1020167009150A patent/KR102105367B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-27 WO PCT/JP2014/005417 patent/WO2015079621A1/ja active Application Filing
- 2014-10-27 EP EP14865182.1A patent/EP3035373B1/en active Active
- 2014-10-27 CN CN201480052178.9A patent/CN105580119B/zh active Active
- 2014-10-27 SG SG11201602010VA patent/SG11201602010VA/en unknown
- 2014-11-05 TW TW103138382A patent/TWI588904B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201526112A (zh) | 2015-07-01 |
JP2015103717A (ja) | 2015-06-04 |
CN105580119B (zh) | 2018-02-06 |
EP3035373A1 (en) | 2016-06-22 |
KR20160089342A (ko) | 2016-07-27 |
US9922842B2 (en) | 2018-03-20 |
EP3035373A4 (en) | 2017-04-12 |
US20160233107A1 (en) | 2016-08-11 |
WO2015079621A1 (ja) | 2015-06-04 |
CN105580119A (zh) | 2016-05-11 |
EP3035373B1 (en) | 2018-06-06 |
SG11201602010VA (en) | 2016-04-28 |
TWI588904B (zh) | 2017-06-21 |
KR102105367B1 (ko) | 2020-04-28 |
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