KR101990533B1 - 배치식 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

배치식 기판처리장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치는, 상하로 적층되게 복수의 기판(10) 로딩되는 보트(200)를 포함하는 배치식 기판처리장치(100)로서, 기판(10)의 저부를 지지하며 기판(10)이 안착되는 링 홀더(ring holder; 300); 보트(200)의 수직 프레임(220, 240)으로부터 돌출되게 배치되고, 링 홀더(300)의 저부를 지지하며 링 홀더(300)가 안착되는 지지로드(260); 및 링 홀더(300)의 외주면의 외측에서 링 홀더(300)와 동일 평면상의 공간을 점유하면서 보트(300)로 진입하며, 기판(10)의 저부를 지지하여 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 기판(10)을 보트(200)에 로딩하거나 보트(200)로부터 언로딩을 수행하는 엔드 이펙터(end effector; 400)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

배치식 기판처리장치{BATCH TYPE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE}
본 발명은 배치식 기판처리장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 링 홀더 상에 안착된 기판을 바텀-리프트(bottom-lift) 방식의 엔드 이펙터(end effector)를 이용하여 로딩/언로딩을 수행할 수 있는 배치식 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치는 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.
증착 장치는 반도체의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학기상 증착장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리기상 증착장치가 있다.
어닐링 장치는 반도체 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 과정을 수행하는 장치이다.
도 1은 종래의 배치식 기판처리장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 종래의 배치식 기판처리장치의 평면도 및 단면도이다. 이와 같은 종래의 배치식 기판처리장치는 한국등록특허공보 제772462호에 개시되어 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 배치식 기판처리장치는, 내부에 수용공간을 형성하도록 하부가 개방된 개구부를 갖고 반도체 제조공정을 처리하기 위한 반응챔버(미도시)에, 복수의 기판(10)들이 상하로 적층되어 로딩(loading)되는 보트(20)가 설치된다.
그리고, 보트(20)로의 기판(10)의 로딩 및 언로딩은 로봇아암의 엔드 이펙터(end effector; 40)를 통해 스테이지(미도시)에 설치된 카세트(미도시)로부터 이송된다.
보트(20)는 기둥형으로 형성된 3개의 수직 프레임(22)을 포함하며, 각각의 수직 프레임(22)으로부터 기판(10)의 개수와 동일하게 지지로드(26)가 돌출되게 형성되어 있다.
3개의 수직 프레임(22)으로부터 동일 평면 상에 돌출된 3개의 지지로드(26)는 링 홀더(ring holder; 30)의 저부를 지지한다. 이때, 지지로드(26)는 링 홀더(30)의 원주저부가 120°로 등분할된 3점을 지지한다.
링 홀더(30)의 상부에는 기판(10)이 안착될 수 있다. 링 형상의 링 홀더(30)는 기판(10)의 저부를 원형의 테두리면상으로 지지할 수 있다.
링 홀더(30) 및 링 홀더(30)의 외측공간을 간섭하는 지지로드(26)에 의해서 기판(10)의 저부공간이 폐쇄되며, 지지로드(26)의 점유공간을 제외한 기판(10)의 상부공간만이 노출됨에 따라서 탑-에지-그립(top-edge-grip) 방식의 엔드 이펙터(40)로 기판(10)의 로딩/언로딩을 수행할 수 있다. 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)가 보트(20) 내로 평면상 작업경로로 진입할 때 지지로드(26)와의 간섭을 피하기 위해서, 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)의 폭은 양측에서 방사형으로 돌출된 두개의 지지로드(26)의 간격 사이로 삽입되는 크기를 가지고, 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)의 단부에 회피홈부(28)를 마련하여 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)의 작업경로와 수평한 방향으로 돌출된 나머지 하나의 지지로드(26)와의 간섭을 회피할 수 있다.
그러나, 종래의 배치식 기판처리장치는 기판(10)의 저부공간이 폐쇄되어 엔드 이펙터(40)의 진입이 방해되고, 기판(10)의 상부공간만이 노출되어 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)를 채용하여 로딩/언로딩을 수행함에 따라서 기판(10) 사이의 피치(P) 간격이 넓어지게 되는 문제점이 있었다. 구체적으로, 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)는 기판(10)의 상부에서 하강하여 기판(10) 양 단부를 그립하기 위해 최소한의 작업공간(a)이 확보되어야 하므로, 이러한 제한은 피치(P) 간격을 벌리게 되며, 보트(20)에 로딩될 수 있는 기판(10)의 개수를 감소시키는 문제점이 있었다.
또한, 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)는 기판(10)을 그립하기 위해서 복잡한 구성을 가지게 되며, 엔드 이펙터(40)가 보트(20) 내에 진입하는 단계, 엔드 이펙터(40)가 하강하여 기판(10)을 그립하는 단계, 및 엔드 이펙터(40)가 상승하여 기판(10)을 언로딩하는 단계를 거치기 때문에 공정 시간이 늘어나게 되는 문제점이 있었다.
또한, 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터(40)가 기판(10)을 그립하기 때문에, 기판(10)의 상부가 로딩/언로딩 중 오염물질에 노출될 가능성이 높고, 상대적으로 엔드 이펙터(40)와 기판(10)의 상부가 접촉함에 따라서 기판(10)의 상부에 스크래치가 생기는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 링 홀더 상에 안착된 기판을 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 처리할 수 있는 배치식 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 사이의 피치가 감소하여 보트에 로딩되는 기판의 개수를 증가시킴으로써 단위공정당 기판의 처리량을 증가시킬 수 있는 배치식 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 구조가 간단한 엔드 이펙터를 채용한 배치식 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩 시간을 감소시켜 공정 시간을 획기적으로 감소시킨 배치식 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치는, 상하로 적층되게 복수의 기판이 로딩되는 보트를 포함하는 배치식 기판처리장치로서, 기판의 저부를 지지하며 기판이 안착되는 링 홀더(ring holder); 보트의 수직 프레임으로부터 돌출되게 배치되고, 링 홀더의 저부를 지지하며 링 홀더가 안착되는 지지로드; 및 링 홀더의 외주면의 외측에서 링 홀더와 동일 평면상의 공간을 점유하면서 보트로 진입하며, 기판의 저부를 지지하여 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 기판을 보트에 로딩하거나 보트로부터 언로딩을 수행하는 엔드 이펙터(end effector)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치는, 상하로 적층되게 복수의 기판이 로딩되는 보트를 포함하는 배치식 기판처리장치로서, 기판의 저부를 지지하며 기판이 안착되는 링 홀더(ring holder); 보트의 수직 프레임으로부터 돌출되게 배치되고, 91° 내지 150°의 간격으로 분할되어 링 홀더를 3점 지지 방식으로 안착되도록 하는 지지로드; 및 링 홀더의 외주면의 외측에서 링 홀더와 동일 평면상의 공간을 점유하면서 보트로 진입하며, 기판의 저부를 지지하여 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 기판을 보트에 로딩하거나 보트로부터 언로딩을 수행하는 엔드 이펙터(end effector)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 링 홀더 상에 안착된 기판을 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 처리할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기판 사이의 피치가 감소하여 보트에 로딩되는 기판의 개수를 증가시킴으로써 단위공정당 기판의 처리량을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 구조가 간단한 엔드 이펙터를 채용할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩 시간을 감소시켜 공정 시간을 획기적으로 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 대면적 기판을 최적화된 크기의 링 홀더로 지지함으로써 기판의 휘어짐을 방지하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 배치식 기판처리장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 종래의 배치식 기판처리장치의 평면도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치의 평면도 및 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치의 평면도 및 단면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 기판은 반도체 기판, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.
배치식 기판처리장치의 구성
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치를 나타내는 사시도, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치의 평면도 및 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치(100)는 보트(200), 링 홀더(ring holder; 300) 및 바텀-리프트(bottom-lift) 방식의 엔드 이펙터(end effector; 400)를 포함한다.
보트(200)는 상하로 적층되게 복수의 기판(10)이 로딩될 수 있는 배치식 기판처리장치용 보트이다. 보트(200)의 재질은 석영(quartz), 실리콘 카바이드(SiC), 흑연(graphite), 카본 복합재(carbon composite), 실리콘(Si) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보트(200)는 기둥형으로 형성된 복수의 수직 프레임(220, 240)을 포함하며, 바람직하게는 3개의 수직 프레임(220, 240)을 포함할 수 있다. 이하에서는 보트(200)의 수직 프레임(220, 240)이 3개인 것으로 상정하여 설명한다.
수직 프레임(220, 240)은 보트(200)의 단면 원주상에 대해 반원을 점유하여 설치되며, 수직 프레임(220, 240)이 점유하지 않은 원주상의 부분은 엔드 이펙터(400)의 삽입을 허용하는 전면개방부(5)를 이루게 되어 기판(10)의 로딩/언로딩을 허용하게 된다.
한편, 도 3 및 도 4에서는 엔드 이펙터(400)의 작업경로와 수평한 방향에 위치하는 수직 프레임(240)을 기준으로 나머지 두 수직 프레임(220)과의 각도(A)가 91°인 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 엔드 이펙터(400)가 보트(200) 내로 삽입을 허용하는 범위 내에서 수직 프레임(240)과 수직 프레임(220)과의 각도(A)가 91° 내지 120°를 이루어 배치될 수도 있다. 자세한 내용은 도 5 및 도 6에서 후술한다.
각각의 수직 프레임(220, 240)에는 보트(200)의 내측으로 동일 평면 상에 돌출되는 지지로드(support rod; 260)가 일정한 높이 간격으로 배치될 수 있다.
지지로드(260)는 링 홀더(300)의 저부를 지지하여 링 홀더(300)가 안착될 수 있도록 한다. 지지로드(260)는 91° 내지 150°의 간격으로 분할하여 3점 지지 방식으로 링 홀더(300)를 지지함으로써, 링 홀더(300)가 지지로드(260) 상에 안착될 수 있다.
지지로드(260)의 단부에는 링 홀더(300)가 보다 고정적으로 안착될 수 있도록 단차(262)가 형성될 수 있다.
기판(10)을 초고온의 범위(약 1200 내지 1350 ℃)에서 열처리를 수행하는 경우에는 기판(10) 및 링 홀더(300)에서 소정의 처짐 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 링 홀더(300)를 120°로 등분할 되게 3점 지지를 하여 지지로드(260)가 균등하게 링 홀더(300) 및 링 홀더(300) 상부의 기판(10)의 무게를 지지할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
그러나, 기판(10)을 중온 내지 고온의 범위(약 500 내지 800 ℃)에서 열처리를 수행하는 경우에는 기판(10) 및 링 홀더(300)에서 처짐 현상이 다소 줄어들 수 있기 때문에, 링 홀더(300)를 120°로 등분할 되게 3점 지지를 할 필요성이 완화된다. 따라서, 중온 내지 고온의 범위에서 열처리를 수행하는 경우에는 지지로드(260)와 링 홀더(300)가 접촉하는 3점의 간격을 91° 내지 150°로 분할할 수 있다. 구체적으로, 엔드 이펙터(400)의 작업경로와 수평한 방향에 위치하는 수직 프레임(240)에서 중심점(C) 방향을 향해 돌출된 지지로드(260')와 링 홀더(300)가 접촉하는 점과, 이웃하는 두개의 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")와 링 홀더(300)가 접촉하는 점 사이의 각도(B)는 91° 내지 150°가 될 수 있다.
링 홀더(300)는 고온 열처리 과정에서 기판의 실리콘 격자의 결정 결함인 슬립의 발생을 막기 위해 사용되며, 대구경화(300 mm, 450 mm) 되어가는 기판(10)의 저부를 지지하여 구조적으로 처짐을 방지하기 위해 사용된다. 링 홀더(300)는 고온환경과 반응공정의 화학환경에 대응하기 위하여 세라믹 계열, 예를 들어 실리콘 카바이드(SiC)로 형성될 수 있으며, 이 외에도 석영(quartz), 흑연(graphite), 카본 복합재(carbon composite) 또는 실리콘(Si) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
링 홀더(300)는 기판(10)을 안정적으로 지지하기 위하여 중심축[또는 중심점(C)]이 일치하도록 배치되는 것이 바람직하다. 여기서 중심축[또는 중심점(C)]이란, 링 홀더(300)의 무게중심의 법선[또는 무게중심점(원점)] 또는 기판(10)의 무게중심의 법선[또는 무게중심점(원점)]으로 이해될 수 있다. 한편, 링 홀더(300)가 효과적으로 기판(10)의 전 면적에 걸쳐 균등하게 지지하기 위해서, 링 홀더(300)의 직경은 기판(10)의 직경의 0.6 내지 0.8배가 될 수 있다. 특히, 링 홀더(300)의 내측과 외측에 기판(10)의 면적을 1/2씩 지지시키기 위하여, 링 홀더(300)의 직경은 기판(10)의 직경의 0.7배가 되도록 하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 공정 온도, 기판의 크기 및 강도 등을 고려하여 링 홀더(300)의 직경을 적절하게 변경할 수 있을 것이다.
또한, 기판(10)의 직경이 300 mm 일 때, 링 홀더(300)의 링 폭은 2내지 25 mm 일 수 있으며, 더 바람직하게 링 폭은 2 내지 5 mm 일 수 있다. 링 홀더(300)의 직경(외경)을 기판(10)의 직경의 0.7배인 210 mm로 채용하는 경우, 링 홀더의(300)의 링 폭을 2 내지 25 mm 로 설정함에 따라 기판(10)이 링 홀더(300)와 접촉하는 면적의 비율이 약 1.85 내지 20.56 %가 될 수 있고, 링 홀더(300)의 링 폭을 2 내지 5 mm로 설정함에 따라 기판(10)이 링 홀더(300)와 접촉하는 면적의 비율이 약 1.85 내지 4.56 %가 될 수 있다. 다른 실시예로, 링 홀더(300)의 직경(외경)을 199 mm 로 채용하는 경우, 링 홀더의(300)의 링 폭을 2 내지 25 mm 로 설정함에 따라 기판(10)이 링 홀더(300)와 접촉하는 면적의 비율이 약 1.85 내지 15.56 %가 될 수 있고, 링 홀더(300)의 링 폭을 2 내지 5 mm로 설정함에 따라 기판(10)이 링 홀더(300)와 접촉하는 면적의 비율이 약 1.75 내지 4.31 %가 될 수 있다. 따라서, 링 홀더(300)의 링 폭을 2 내지 5 mm로 설정하면, 기판(10)의 대략 5 % 보다 낮은 수준의 면적만이 링 홀더(300)와 접촉하므로 기판(10)의 처짐을 방지함과 동시에 기판(10) 하부의 스크래치를 더욱 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
한편, 기판(10)의 직경이 450 mm 일 때에도 링 홀더(300)의 링 폭을 조절하여, 기판(10)의 처짐을 방지함과 동시에 기판(10) 하부의 스크래치를 감소시키는 범위에서 기판(10)과 링 홀더(300)의 접촉하는 면적의 비율을 조절할 수 있을 것이다.
엔드 이펙터(400)는 바텀-리프트 방식으로 기판(10)을 보트(200)에 로딩하거나 보트(200)로부터 언로딩을 수행할 수 있다.
다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터(400)는 링 홀더(300)의 외주면의 외측에서 링 홀더(300)와 동일 평면상의 공간을 점유하면서 보트(200)로 진입하며, 기판(10)의 저부를 지지하여 기판(100)의 로딩/언로딩을 수행할 수 있다. 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터(400)가 보트(200) 내부로 진입할 때 링 홀더(300)와의 간섭을 피하기 위하여, 엔드 이펙터(400)는 U-포크 형태를 가질 수 있다. 또한, 도 4의 (b)의 평면도에 도시된 바와 같이, 엔드 이펙터(400)가 U-포크 형태를 가짐으로써 수직 프레임(240)에서 돌출된 지지로드(260')와의 간섭 문제도 자연스럽게 해결될 수 있다. 또한, 도 4의 (b)의 단면도에 도시된 바와 같이, 엔드 이펙터(400)는 지지로드(260")보다 높게 위치하여 지지로드(260")와 겹치지 않으면서 링 홀더(300)와는 겹치게 되는 상태의 높이로 보트(200) 내부에 진입하므로 두개의 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")와의 간섭 문제도 해결될 수 있다. 다시 말해, 엔드 이펙터(400)는 두개의 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")보다 높이 위치하고 있으므로 간섭 문제가 해결될 수 있다.
또한, 링 홀더(300)와의 간섭을 피함과 동시에 기판(10)을 안정적이고 효과적으로 지지할 수 있도록, 엔드 이펙터(400)의 양 내측면간의 거리(d1)는 링 홀더(300)의 직경보다 크고, 엔드 이펙터(400)의 양 외측면간의 거리(d2)는 기판(10)의 직경보다 작은 것이 바람직하다.
일 실시예로, 기판(10)의 직경이 300 mm일 때, 엔드 이펙터(400)의 양 내측면간의 거리(d1)는 200 내지 220 mm, 양 외측면간의 거리(d2)는 244 내지 260 mm의 범위에서 채용하여, 링 홀더(300) 및 두 개의 수직 프레임(220)과의 간섭을 피할 수 있고, 기판(10)을 용이하게 로딩/언로딩 할 수 있다.
다른 실시예로, 기판(10)의 직경이 450 mm일 때, 엔드 이펙터(400)의 양 내측면간의 거리(d1)는 300 내지 330 mm, 양 외측면간의 거리(d2)는 366 내지 390 mm의 범위에서 채용하여, 링 홀더(300) 및 두 개의 수직 프레임(220)과의 간섭을 피할 수 있고, 기판(10)을 용이하게 로딩/언로딩 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치를 나타내는 사시도, 도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배치식 기판처리장치의 평면도 및 단면도이다. 이하의 도 5 및 도 6의 설명에서는 상술한 도 3 및 4의 설명과 차이점에 대해서만 기술하고 중복되는 설명은 생략한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")의 방향이 중심점(C)을 향해 있는 것을 확인할 수 있다. 도 3 및 도 4의 배치식 기판처리장치(100)는 수직 프레임(240)과 두개의 수직 프레임(220)의 각도(A)를 고정한 후[일 예로, 91°], 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")의 돌출각도를 조정하여, 수직 프레임(240)에서 중심점(C) 방향을 향해 돌출된 지지로드(260')와 링 홀더(300)가 접촉하는 점과, 이웃하는 두개의 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")와 링 홀더(300)가 접촉하는 점 사이의 각도(B)가 91° 내지 150°가 되는 범위에서 링 홀더(300)의 3점 지지가 되는 방식이다. 즉, 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")의 방향이 중심점(C)을 향하지 않을 수 있다.
반면에, 도 5 및 도 6의 배치식 기판처리장치(100')는 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")의 방향이 중심점(C)을 향해 있으므로, 수직 프레임(240)과 두개의 수직 프레임(220)의 각도(A)를 조정하는 것만으로, 지지로드(260)와 링 홀더(300)가 접촉하는 점의 각도(B)를 조정할 수 있다. 다만, 이 경우에 각도(A 또는 B)가 120°를 초과하면 엔드 이펙터(400)의 보트(200) 진입시에 수직 프레임(220) 또는 지지로드(260")와 엔드 이펙터(400)간의 간섭이 발생할 수 있으므로, 각도(A 또는 B)를 91° 내지 120°로 유지할 수 있으며, 바람직하게는 105°를 유지할 수 있다.
배치식 기판처리장치의 동작 과정
이하에서는, 도 4 및 도6을 참조하여 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터(400)를 채용한 배치식 기판처리장치(100)의 동작 과정을 살펴본다. 도 4 및 도 6은 기판(10)의 언로딩 과정을 도시하고 있으나, 로딩 과정은 언로딩 과정을 역으로 수행한 것으로 이해될 수 있다.
도 4의 (a) 및 도 6의 (a)를 참조하면, 수직 프레임(220, 240)으로부터 돌출되게 배치된 3개의 지지로드(260)의 단부 상에 링 홀더(300)가 안착되며, 링 홀더(300)와 중심축[또는 중심점(C)]이 일치되도록 링 홀더(300)의 상부에 기판(10)이 안착된다.
이어서, 도 4의 (b) 및 도 6의 (b)를 참조하면, 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터(400)가 보트(200)의 전면개방부(5)를 통해 진입한다. 이때, 엔드 이펙터(400)는 링 홀더(300)의 외주면을 감쌀 수 있도록 U-포크 형태를 가지며, 링 홀더(300)의 외주면의 외측에서 동일 평면상의 공간을 점유하고 두개의 수직 프레임(220)에서 돌출된 지지로드(260")보다 높이 위치하고 있으므로, 링 홀더(300) 또는 지지로드(260)와의 간섭을 피하면서 진입하여 기판(10)의 저부에 위치할 수 있다. 그리고, 엔드 이펙터(400)는 기판(10)을 들어올려 기판(10)과 링 홀더(300)가 소정 높이(R)만큼 이격될 수 있게 한다.
이어서, 도 4의 (c) 및 도 6의 (c)를 참조하면, 엔드 이펙터(400)는 기판(10)만을 지지한 채 보트(200)로부터 언로딩을 수행할 수 있다.
이처럼 본 발명의 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터(400)를 채용함으로써, 기판(10)과 링 홀더(300)가 이격이 되는 높이(R)만으로도 기판(10)의 로딩/언로딩을 수행할 수 있는 이점이 있다. 다시 말해, 기판의 상부에서 하강하여 기판의 양 단부를 그립하기 위한 최소한의 작업공간(a), 엔드 이펙터의 두께, 기판의 두께 및 링 홀더의 높이까지 고려하여 피치(P) 간격을 형성하는 탑-에지-그립 방식의 배치식 기판처리장치와 비교하여, 본 발명의 바텀-리프트 방식의 배치식 기판처리장치는 기판과 링 홀더가 이격 가능한 높이(R), 기판의 두께 및 링 홀더의 높이만을 고려하여 피치(P) 간격을 형성할 수 있으므로, 결국 대폭 줄어든 피치(P) 간격을 확보할 수 있다. 따라서, 보트에 로딩되는 기판의 개수를 증가시킴으로써 단위공정 당 기판의 처리량을 증가시킬 있는 이점이 있다.
또한, 기판을 그립하기 위한, 복잡한 구성을 가지는 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터를 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터로 대체할 수 있으므로 구조가 간단해지고, 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터를 사용하여 기판의 로딩 및 언로딩 시간을 감소시켜 공정 시간을 획기적으로 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
5: 전면개방부
10: 기판
20, 200: 보트
22, 24, 220, 240: 수직 프레임
26, 260: 지지로드
28: 회피홈부
30, 300: 링 홀더
40: 탑-에지-그립 방식의 엔드 이펙터
400: 바텀-리프트 방식의 엔드 이펙터

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 상하로 적층되게 복수의 기판이 로딩되는 보트를 포함하는 배치식 기판처리장치로서,
    복수의 기판의 저부를 지지하며 기판이 안착되는 복수의 링 홀더(ring holder);
    보트에 설치된 제1, 2, 3 수직 프레임;
    링 홀더를 3점 지지 방식으로 안착되도록 하기 위해, 제1, 2, 3 수직 프레임으로부터 각각 돌출 배치되는 제1, 2, 3 지지로드 - 각각의 링 홀더를 제1 지지로드에 의해 지지하는 점과 제2 지지로드에 의해 지지하는 점의 각도(B), 및 제1 지지로드에 의해 지지하는 점과 제3 지지로드에 의해 지지하는 점의 각도(B)가 각각 91° 내지 150°이고, 제1 수직 프레임과 제2 수직 프레임이 이루는 각도(A), 및 제1 수직 프레임과 제3 수직 프레임이 이루는 각도(A)가 91 ° 이상임 -; 및
    보트 내에서, 지지 로드의 상부 방향으로, 링 홀더의 외주면의 외측에서 링 홀더와 동일 평면상의 공간을 점유하면서 보트로 진입 가능한 형상을 가지고, 기판의 저부를 지지하여 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 기판을 보트에 로딩하거나 보트로부터 언로딩을 수행하는 엔드 이펙터(end effector)
    를 포함하며,
    엔드 이펙터는 단부가 U-포크 형태이고, U 형태 부분에서 링 홀더의 직경보다 큰 내측면 간격 및 제2 수직 프레임과 제3 수직 프레임 사이의 거리보다 작은 외측면 간격을 가지고,
    상기 각도(B)가 상기 각도(A)보다 큰 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    지지로드의 단부에는 링 홀더가 고정되어 안착될 수 있도록 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    링 홀더의 직경은 기판의 직경의 0.6 배 내지 0.8배인 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  5. 제2항에 있어서,
    기판의 직경은 300 mm이며, 링 홀더의 링 폭은 2 mm 내지 25 mm인 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    링 홀더의 링 폭은 2 mm 내지 5 mm인 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  7. 제2항에 있어서,
    엔드 이펙터는 U-포크 형태인 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  8. 삭제
  9. 제2항에 있어서,
    제1 수직 프레임과 제2 수직 프레임이 이루는 각도 및 제1 수직 프레임과 제3 수직 프레임이 이루는 각도는 120 ° 미만인 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  10. 상하로 적층되게 복수의 기판이 로딩되는 보트를 포함하는 배치식 기판처리장치로서,
    복수의 기판의 저부를 지지하며 기판이 안착되는 복수의 링 홀더(ring holder);
    보트에 설치된 제1, 2, 3 수직 프레임;
    링 홀더를 3점 지지 방식으로 안착되도록 하기 위해, 제1, 2, 3 수직 프레임에 상하 방향을 따라 소정 간격으로 각각 돌출 배치되는 제1, 2, 3 지지로드 - 각각의 제1, 2, 3 수직 프레임에서 돌출 배치되는 지지 로드가 링 홀더 또는 기판의 중심점을 향하도록 배치됨 - ; 및
    보트 내에서, 지지 로드의 상부 방향으로, 링 홀더의 외주면의 외측에서 링 홀더와 동일 평면상의 공간을 점유하면서 보트로 진입 가능한 형상을 가지고, 기판의 저부를 지지하여 바텀-리프트(bottom-lift) 방식으로 기판을 보트에 로딩하거나 보트로부터 언로딩을 수행하는 엔드 이펙터(end effector)
    를 포함하며,
    엔드 이펙터는 단부가 U-포크 형태이고, U 형태 부분에서 링 홀더의 직경보다 큰 내측면 간격 및 제2 수직 프레임과 제3 수직 프레임 사이의 거리보다 작은 외측면 간격을 가지고,
    수직 프레임과 이웃하는 수직 프레임간의 배치각도를 조정하여 제1, 2, 3 지지 로드가 링 홀더의 3점 지지 각도를 91° 내지 120°의 간격으로 지지하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  11. 제2항 또는 제10항에 있어서,
    보트는 석영(quartz), 실리콘 카바이드(SiC), 흑연(graphite), 카본 복합재(carbon composite) 또는 실리콘(Si) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
  12. 제2항 또는 제10항에 있어서,
    링 홀더는 석영(quartz), 실리콘 카바이드(SiC), 흑연(graphite), 카본 복합재(carbon composite) 또는 실리콘(Si) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102000204B1 (ko) * 2018-09-20 2019-07-16 주식회사 와이컴 다단 지지대 및 배치식 처리장치
US20200373190A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit enclosure system
JP7347267B2 (ja) * 2020-03-03 2023-09-20 三菱電機株式会社 半導体製造装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005104204A1 (ja) 2004-04-21 2005-11-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置
KR100538867B1 (ko) 1998-06-24 2005-12-23 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 웨이퍼용 보트 및 수직형 열처리 시스템
KR100657502B1 (ko) 2005-04-25 2006-12-20 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치의 기판 로딩용 홀더 제조방법 및 이홀더가 장착된 배치식보트
KR100772462B1 (ko) * 2005-12-08 2007-11-01 주식회사 테라세미콘 반도체 제조공정 및 반도체 제조장치
JP4370822B2 (ja) 2003-06-20 2009-11-25 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体基板の熱処理ボートおよび熱処理方法
KR101039152B1 (ko) 2009-02-19 2011-06-07 주식회사 테라세미콘 보트

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280437B2 (ja) * 1992-11-27 2002-05-13 東芝セラミックス株式会社 縦型ボート
JPH11307608A (ja) * 1998-04-16 1999-11-05 Nissin Electric Co Ltd 被処理物体搬送装置
JP2000232151A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Hitachi Ltd 縦型炉用ウェハボート
KR20000073974A (ko) * 1999-05-17 2000-12-05 윤종용 웨이퍼 보트
US6287112B1 (en) * 2000-03-30 2001-09-11 Asm International, N.V. Wafer boat
JP2001313268A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Asahi Glass Co Ltd 熱処理用ボート
JP2002324830A (ja) * 2001-02-20 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp 基板熱処理用保持具、基板熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板熱処理用保持具の製造方法及び基板熱処理用保持具の構造決定方法
WO2005069361A1 (ja) * 2004-01-20 2005-07-28 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置
KR100875464B1 (ko) * 2004-09-30 2008-12-22 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 열처리 장치 및 기판의 제조방법
TWI346989B (en) * 2005-04-25 2011-08-11 Terasemicon Co Ltd Batch type of semiconductor manufacturing device,and loading/unloading method and apparatus of semiconductor substrate
US7713355B2 (en) * 2005-05-03 2010-05-11 Integrated Materials, Incorporated Silicon shelf towers
JP4854427B2 (ja) * 2006-08-11 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板移載装置，基板処理装置，基板移載用アーム
US7661544B2 (en) * 2007-02-01 2010-02-16 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer boat for batch processing
JP4313401B2 (ja) * 2007-04-24 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法
JP4998246B2 (ja) * 2007-12-19 2012-08-15 信越半導体株式会社 半導体基板支持治具及びその製造方法。
JP4985449B2 (ja) * 2008-02-13 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5543813B2 (ja) * 2010-03-23 2014-07-09 日東電工株式会社 ワーク搬送方法およびワーク搬送装置
JP5548163B2 (ja) * 2010-09-14 2014-07-16 株式会社日立国際電気 基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100538867B1 (ko) 1998-06-24 2005-12-23 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 웨이퍼용 보트 및 수직형 열처리 시스템
JP4370822B2 (ja) 2003-06-20 2009-11-25 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体基板の熱処理ボートおよび熱処理方法
WO2005104204A1 (ja) 2004-04-21 2005-11-03 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置
KR100657502B1 (ko) 2005-04-25 2006-12-20 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치의 기판 로딩용 홀더 제조방법 및 이홀더가 장착된 배치식보트
KR100772462B1 (ko) * 2005-12-08 2007-11-01 주식회사 테라세미콘 반도체 제조공정 및 반도체 제조장치
KR101039152B1 (ko) 2009-02-19 2011-06-07 주식회사 테라세미콘 보트

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