JPH05166741A - 熱処理装置用基板支持具 - Google Patents

熱処理装置用基板支持具

Info

Publication number
JPH05166741A
JPH05166741A JP3331076A JP33107691A JPH05166741A JP H05166741 A JPH05166741 A JP H05166741A JP 3331076 A JP3331076 A JP 3331076A JP 33107691 A JP33107691 A JP 33107691A JP H05166741 A JPH05166741 A JP H05166741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
annular plate
supporting
wafer
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3331076A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3234617B2 (ja
Inventor
Reiji Niino
礼二 新納
Isao Shiratani
勇雄 白谷
Yutaka Shimada
豊 島田
Hiroki Fukushima
弘樹 福島
Hirobumi Kitayama
博文 北山
Akemichi Yonekura
明道 米倉
Yuichi Mikata
裕一 見方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Sagami Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP33107691A priority Critical patent/JP3234617B2/ja
Priority to US07/991,597 priority patent/US5316472A/en
Publication of JPH05166741A publication Critical patent/JPH05166741A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3234617B2 publication Critical patent/JP3234617B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性
を向上させることができるとともに、製造が容易で被処
理基板の自動搬送等にも対応することのできる熱処理装
置用基板支持具を提供する。 【構成】 熱処理装置用基板支持具１の上部支持板２と
下部支持板３との間には、4 本の支柱４が設けられてい
る。これらの支柱４には、半導体ウエハ５を支持するた
めのウエハ支持溝６と、この半導体ウエハ５より大径に
形成された石英等からなる環状板７を支持するための環
状板支持溝８が交互に設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置用基板支持
具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、熱処理装置においては、半導
体ウエハ等の被処理基板を、耐熱性の高い石英等から構
成されたウエハボート等と称される熱処理装置用基板支
持具に載置して、成膜等の処理を実施している。このよ
うな熱処理装置用基板支持具としては、例えば特開昭58
−108735号、特開昭61−201695号公報等に開示されたも
のがある。
【０００３】また、上記熱処理装置用基板支持具におい
ては、その形状等を変更することにより、被処理基板近
傍のガス流を制御して薄膜形成時の膜厚の面内均一性を
向上させるための改善等が行われており、本発明者等も
熱処理装置用基板支持具の形状を変更して膜厚の面内均
一性を向上させる方法を例えば特願平2-142973等で提案
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは高集積化される傾向にあり、その回路パ
ターンは益々微細化されつつある。このため、さらに成
膜における膜厚の面内均一性を向上させることが望まれ
ている。
【０００５】また、上述した如く薄膜形成時の膜厚の面
内均一性向上のため、例えばウエハボートの形状は複雑
化する傾向にあるが、例えばウエハボートを構成する石
英等は加工が難しいため、その製造コスト等の点からウ
エハボート形状はできるだけ単純なものが好ましい。さ
らに、半導体ウエハの自動搬送等に対応できる形状であ
ることが望まれている。すなわち、例えば半導体ウエハ
より大径の環状板上に半導体ウエハを載置するウエハボ
ートでは、半導体ウエハの下部に自動搬送装置のウエハ
支持アーム等を挿入することができず、従来のウエハ搬
送装置は使用することができない。
【０００６】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて被処理基板の処理の面内均
一性を向上させることができるとともに、製造が容易で
製造コストが安く、さらに、被処理基板の自動搬送等に
も対応することのできる熱処理装置用基板支持具を提供
しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の熱処
理装置は、複数本の支柱によって、複数枚の被処理基板
を基板面が互いにほぼ平行となるように支持する熱処理
装置用基板支持具において、前記支柱に、前記被処理基
板より大径の環状板を支持するためのと環状板支持溝
と、前記被処理基板を支持するためのと基板支持溝とを
交互に設け、前記環状板と前記被処理基板が交互に配列
される如く支持されるよう構成したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成の本発明の熱処理装置では、被処理基
板より大径の環状板によって熱処理装置内の気体流を制
御し、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向
上させることができる。
【０００９】また、支柱に段差状に溝を設けることによ
り、この環状板および被処理基板を支持するので、例え
ば石英等からなる各構成部材形状が複雑化することがな
く、容易に製造することができる。
【００１０】さらに、例えば環状板上に被処理基板を載
置する場合等と違い、支柱に設けられた溝で被処理基板
を支持するので、自動搬送装置の被処理基板支持アーム
等を被処理基板の下部に挿入することができ、被処理基
板の自動搬送等にも対応することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
【００１２】図１および図２に示すように、熱処理装置
用基板支持具（ウエハボート）１には、耐熱性材料例え
ば石英等から例えば円板状に構成された上部支持板２
と、下部支持板３が設けられており、これらの上部支持
板２と、下部支持板３との間には同じく石英等から構成
された4 本の支柱４が設けられている。
【００１３】上記支柱４には、図３にも示すように、被
処理基板としての半導体ウエハ５を支持するためのウエ
ハ支持溝６と、この半導体ウエハ５より大径に形成され
た材質例えば石英等からなる環状板７を支持するための
環状板支持溝８が交互に設けられている。そして、これ
らのウエハ支持溝６と環状板支持溝８とによって、4本
の支柱４の間に、半導体ウエハ５と環状板７が交互に、
かつ、ほぼ平行となる如く複数、例えばそれぞれ数十枚
乃至百数十枚配列することができるよう構成されてい
る。
【００１４】また、図２に示すように、上記環状板７に
は、半導体ウエハ５のオリエンテーションフラット（オ
リフラ）９に対応して、オリフラ部１０が設けられてい
る。さらに、この環状板７の周縁部には、位置決め用の
切り欠き１１が一または複数（本実施例では一つ）設け
られており、図４にも示すように、この切り欠き１１に
対応して一つの支柱例えば支柱４ａには、環状板支持溝
８内に位置決め用の段差１２が設けられている。なお、
環状板７の大きさは成膜条件等によって適宜選択する必
要があるが、例えば、外径Ａは例えばウエハ径プラス10
〜20mm、幅Ｂは例えば5 〜20mm、厚さ例えば数mmであ
る。
【００１５】また、支柱４、４ａは半導体ウエハ５のみ
でなく、この半導体ウエハ５よりも例えば10〜20mm直径
の大きい環状板７を支持することから、従来の一般的な
ウエハボートのように円柱状のものを用いると、径が太
くなり、ガス流に影響して半導体ウエハ５の処理の面内
均一性を悪化させる。また、重量も増大して取扱いが困
難になる。
【００１６】このため、長方形状あるいはこれに近い断
面形状の石英棒等を用いることが好ましく、本実施例で
は図２に示す断面長手方向長さＣが例えば22mm、幅Ｄが
例えば12mmの石英棒を用いている。なお、この支柱材料
として炭化珪素（ＳｉＣ）を用いれば、支柱幅をさらに
細くすることも可能である。
【００１７】また、支柱４、４ａに形成されたウエハ支
持溝６および環状板支持溝８の寸法については、上記半
導体ウエハ５の寸法、環状板７の寸法、支柱４、４ａの
寸法および強度等によって制限されるが、例えば図３に
示すウエハ支持溝６の半導体ウエハ５の載置部の幅Ｅ
と、環状板支持溝８の環状板７の載置部の幅Ｆは、例え
ば数mm程度は必要である。また、ウエハ支持溝６間のピ
ッチ（半導体ウエハ５のピッチ）Ｇ、およびウエハ支持
溝６と環状板支持溝８との間のピッチ（半導体ウエハ５
と環状板７間のピッチ）Ｈは、処理（成膜）条件等によ
って異なるが、例えば数mm乃至十数mm程度である。
【００１８】図５は上記熱処理装置用基板支持具１を縦
型ＣＶＤ装置にローディングした状態を示す。この図に
示すように、プロセスチューブ４０は、耐熱性材料例え
ば石英から円筒状に構成されており、このプロセスチュ
ーブ４０の下側にはマニホールド４１が設けられてい
る。また、プロセスチューブ４０の周囲には、少なくと
も3 ゾーン構成からなる円筒状の抵抗加熱ヒータ４２が
設けられており、上記プロセスチューブ４０内を所望の
温度例えば500 〜1000℃の範囲に適宜設定可能に構成さ
れている。また、上記マニホールド４１には、排気管４
７およびガス導入管４８が接続されており、プロセスチ
ューブ４０内を所定の減圧雰囲気に設定できるように構
成されている。熱処理装置用基板支持具１は、載置台４
４の上に設置されており、この載置台４４は蓋体４６の
上に載置されている。これらは昇降機構４９によって上
下動され、プロセスチューブ４０の所定の位置に搬入搬
出できるように構成されている。
【００１９】また、プロセスチューブ４０の下側には図
示しないウェハ搬送ロボットが設けられたウェハ移換え
部が配設されており、半導体ウエハ４を、ウエハカセッ
トと熱処理装置用基板支持具１との間で移載するよう構
成されている。
【００２０】そして、熱処理例えばＣＶＤにより酸化膜
を生成する場合は、3 ゾーンヒータ４２の各ゾーンに印
加する電力を適宜制御し、プロセスチューブ４０内で複
数枚の半導体ウエハ４が収納される部分の温度が所定温
度、例えば中心部および下端部で800 ℃上端部で810 ℃
になるようにし、ガス導入管４８から所定のガス例えば
亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）1200SCCM，モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）30SCCMをプロセスチューブ４０に流し、図示しな
い排気ポンプとコンダクタンスバルブを調整しプロセス
チューブ４０内の圧力を0.7 Torrに設定し所定時間成膜
を行う。
【００２１】図６のグラフは、本実施例の熱処理装置用
基板支持具１において、環状板７の幅Ｂと半導体ウエハ
５の面内膜厚分布との関係を測定した結果を示すグラフ
である。このグラフにおいて、縦軸は膜厚、横軸は半導
体ウエハ５の面内位置を示しており、各曲線イ、ロ、
ハ、ニはそれぞれ環状板７の幅Ｂが3mm 、5mm 、15mm、
21.5mmの場合を示している。
【００２２】このグラフに示されるように、環状板７の
幅Ｂを大きくしていくと、半導体ウエハ５の面内膜厚分
布は次第に均一化されるが、この環状板７の幅Ｂは、10
数mm乃至20数mm程度とすることが好ましい。
【００２３】なお、このような面内膜厚均一性は、環状
板７の表面を滑らかにすることにより向上し、環状板７
の石英ガラス表面をスリガラス状の粗い状態としておく
と、同一条件でプロセスを行ってもウェハ面内膜厚均一
性は悪く、またプロセスの再現性も取れないことが確か
められた。従って、環状板７の石英の表面は10μｍ以下
の鏡面研磨仕上げ、または表面を加熱して微少な凹凸を
滑らかにする、いわゆる焼仕上げを行うことが好まし
い。
【００２４】以上説明したように本実施例によれば、半
導体ウエハ５より大径の環状板７によってプロセスチュ
ーブ４０内の気体流を制御し、従来に較べて半導体ウエ
ハ５の処理の面内均一性を向上させることができる。
【００２５】また、支柱４、４ａに段差状に設けたウエ
ハ支持溝６と環状板支持溝８によって、半導体ウエハ５
および環状板７を支持するので、例えば石英等からなる
各構成部材形状が複雑化することがなく、容易に製造す
ることができる。
【００２６】さらに、例えば環状板７上に半導体ウエハ
５を載置するウエハボートでは、半導体ウエハ５の下部
に自動搬送装置のウエハ支持アーム等を挿入できず、自
動搬送が困難であるが、本実施例では、支柱に設けられ
たウエハ支持溝６と環状板支持溝８によって、半導体ウ
エハ５、環状板７をそれぞれ支持するので、自動搬送装
置のウエハ支持アーム等を半導体ウエハ５の下部に挿入
することができ、半導体ウエハ５の自動搬送等にもその
まま対応することができる。
【００２７】なお、本発明は、例えばリン添加ポリシリ
コン膜、ボロン添加ガラス膜等を生成するＣＶＤプロセ
ス等に用いても顕著な効果がある。また、気相成膜に限
らず酸化膜の形成、拡散処理、エッチング処理などガス
流を扱う処理であれば何れでもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱処理装
置用基板支持具によれば、従来に較べて被処理基板の処
理の面内均一性を向上させることができるとともに、製
造が容易で製造コストの増大を招くことがなく、さら
に、被処理基板の自動搬送等にも対応することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の熱処理装置用基板支持具の
構成を示す側面図である。
【図２】図１の熱処理装置用基板支持具の平面図であ
る。
【図３】図１の支柱の要部構成を示す側面図である。
【図４】図１の支柱の要部構成を示す側面図である。
【図５】縦型ＣＶＤ装置の構成を示す図である。
【図６】実施例における面内膜厚分布を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
１ 熱処理装置用基板支持具（ウエハボート） ２ 上部支持板 ３ 下部支持板 ４ 支柱 ５ 半導体ウエハ ６ ウエハ支持溝 ７ 環状板 ８ 環状板支持溝
フロントページの続き (72)発明者 新納 礼二 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 白谷 勇雄 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内 (72)発明者 島田 豊 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210番 １ 東京エレクトロン相模株式会社内 (72)発明者 福島 弘樹 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210番 １ 東京エレクトロン相模株式会社内 (72)発明者 北山 博文 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210番 １ 東京エレクトロン相模株式会社内 (72)発明者 米倉 明道 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 見方 裕一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数本の支柱によって、複数枚の被処理
    基板を基板面が互いにほぼ平行となるように支持する熱
    処理装置用基板支持具において、 前記支柱に、前記被処理基板より大径の環状板を支持す
    るためのと環状板支持溝と、前記被処理基板を支持する
    ためのと基板支持溝とを交互に設け、前記環状板と前記
    被処理基板が交互に配列される如く支持されるよう構成
    したことを特徴とする熱処理装置用基板支持具。
JP33107691A 1991-12-16 1991-12-16 熱処理装置用基板支持具 Expired - Fee Related JP3234617B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33107691A JP3234617B2 (ja) 1991-12-16 1991-12-16 熱処理装置用基板支持具
US07/991,597 US5316472A (en) 1991-12-16 1992-12-16 Vertical boat used for heat treatment of semiconductor wafer and vertical heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33107691A JP3234617B2 (ja) 1991-12-16 1991-12-16 熱処理装置用基板支持具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05166741A true JPH05166741A (ja) 1993-07-02
JP3234617B2 JP3234617B2 (ja) 2001-12-04

Family

ID=18239585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33107691A Expired - Fee Related JP3234617B2 (ja) 1991-12-16 1991-12-16 熱処理装置用基板支持具

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5316472A (ja)
JP (1) JP3234617B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5902406A (en) * 1996-03-15 1999-05-11 Asahi Glass Company Ltd. Low pressure CVD system
US6576064B2 (en) 1997-07-10 2003-06-10 Sandia Corporation Support apparatus for semiconductor wafer processing
JP2009500850A (ja) * 2005-07-08 2009-01-08 インテグレイティッド マテリアルズ インク 熱処理支持タワー用の着脱可能なエッジリング
JP2010062446A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置及び基板支持具
JP2014033143A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Tokyo Electron Ltd 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3245246B2 (ja) * 1993-01-27 2002-01-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3125199B2 (ja) * 1993-03-18 2001-01-15 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5458688A (en) * 1993-03-09 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment boat
JP3348936B2 (ja) * 1993-10-21 2002-11-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5556275A (en) * 1993-09-30 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
JP3151118B2 (ja) * 1995-03-01 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100278731B1 (ko) * 1995-05-05 2001-03-02 보스트 스티븐 엘. 슬립 방지 수직 선반
US6193506B1 (en) * 1995-05-24 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates
JP3218164B2 (ja) * 1995-05-31 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持ボート、熱処理装置及び熱処理方法
US5609376A (en) * 1995-09-08 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Wafer carrier handle assembly
KR0155930B1 (ko) * 1995-11-28 1998-12-01 김광호 종형확산로의 보우트-바
TW325588B (en) * 1996-02-28 1998-01-21 Asahi Glass Co Ltd Vertical wafer boat
US5848889A (en) * 1996-07-24 1998-12-15 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support with graded thermal mass
US6156121A (en) * 1996-12-19 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Wafer boat and film formation method
US6200388B1 (en) 1998-02-11 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support for a thermal processing chamber
US5931666A (en) * 1998-02-27 1999-08-03 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms
US6048403A (en) * 1998-04-01 2000-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber
US6280183B1 (en) 1998-04-01 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Substrate support for a thermal processing chamber
JP3487497B2 (ja) * 1998-06-24 2004-01-19 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置
JP2001230312A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Nec Corp 半導体製造装置
US6287112B1 (en) 2000-03-30 2001-09-11 Asm International, N.V. Wafer boat
KR100345304B1 (ko) * 2000-10-12 2002-07-25 한국전자통신연구원 수직형 초고진공 화학증착장치
US6497403B2 (en) 2000-12-28 2002-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer holder
US6811040B2 (en) * 2001-07-16 2004-11-02 Rohm And Haas Company Wafer holding apparatus
US6835039B2 (en) * 2002-03-15 2004-12-28 Asm International N.V. Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace
US6582221B1 (en) 2002-07-19 2003-06-24 Asm International N.V. Wafer boat and method for treatment of substrates
US7256375B2 (en) * 2002-08-30 2007-08-14 Asm International N.V. Susceptor plate for high temperature heat treatment
US7033126B2 (en) * 2003-04-02 2006-04-25 Asm International N.V. Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
US7749196B2 (en) * 2003-07-02 2010-07-06 Cook Incorporated Small gauge needle catheterization apparatus
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
WO2005053016A1 (ja) * 2003-11-27 2005-06-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置、基板保持具、及び半導体装置の製造方法
JP4358690B2 (ja) * 2004-06-30 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びその運用方法
US20060060145A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Van Den Berg Jannes R Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing
US20060065634A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Van Den Berg Jannes R Low temperature susceptor cleaning
US20060150906A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Selen Louis J M Wafer boat for reduced shadow marks
JP2007210875A (ja) * 2005-07-29 2007-08-23 Nuflare Technology Inc 気相成長装置及び気相成長方法
JP5456287B2 (ja) 2008-09-05 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
TW201630105A (zh) * 2015-02-12 2016-08-16 漢民科技股份有限公司 晶圓保持器
JP2011258890A (ja) * 2010-06-11 2011-12-22 Toshiba Corp 薄膜形成装置、方法
CN103791714B (zh) * 2014-02-20 2015-11-04 北京七星华创电子股份有限公司 一种立式炉的保温桶
CN109423628B (zh) * 2017-08-31 2021-02-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法
CN109423627B (zh) * 2017-08-31 2021-02-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 圆盘类零件一次性全表面气相沉积炉
US20210296149A1 (en) * 2020-03-23 2021-09-23 Applied Materials, Inc. Enclosure system shelf

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2208734A (en) * 1938-05-03 1940-07-23 Armin L Schreiber Pottery support for glaze firing
US3948594A (en) * 1974-10-21 1976-04-06 The Joseph Dixon Crucible Company Ceramic refractory setter
US4504224A (en) * 1980-05-22 1985-03-12 Hewitt David K Kiln furniture
US4468259A (en) * 1981-12-04 1984-08-28 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Uniform wafer heating by controlling light source and circumferential heating of wafer
JPS61247048A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Nec Corp 縦型拡散炉用ボ−ト
US4636170A (en) * 1986-03-13 1987-01-13 David Stupka Kiln furniture setter
KR970008320B1 (ko) * 1987-11-17 1997-05-23 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 열처리 장치
JPH07120634B2 (ja) * 1988-12-27 1995-12-20 東京エレクトロン東北株式会社 処理装置
JP2630366B2 (ja) * 1989-08-28 1997-07-16 東京エレクトロン株式会社 板状体の搬入搬出方法および搬入搬出装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5902406A (en) * 1996-03-15 1999-05-11 Asahi Glass Company Ltd. Low pressure CVD system
US6576064B2 (en) 1997-07-10 2003-06-10 Sandia Corporation Support apparatus for semiconductor wafer processing
JP2009500850A (ja) * 2005-07-08 2009-01-08 インテグレイティッド マテリアルズ インク 熱処理支持タワー用の着脱可能なエッジリング
KR101301228B1 (ko) * 2005-07-08 2013-08-28 페로텍 (유에스에이) 코포레이션 열처리 지지 타워를 위한 탈착 가능한 에지 링
JP2010062446A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置及び基板支持具
KR101287656B1 (ko) * 2008-09-05 2013-07-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 종형 열처리 장치 및 기판 지지구
US8940096B2 (en) 2008-09-05 2015-01-27 Tokyo Electron Limited Vertical thermal processing apparatus and substrate supporter
JP2014033143A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Tokyo Electron Ltd 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3234617B2 (ja) 2001-12-04
US5316472A (en) 1994-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05166741A (ja) 熱処理装置用基板支持具
KR102417931B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2875945B2 (ja) Ｃｖｄにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法
TWI376763B (en) Asymmetric grounding of rectangular susceptor
JP2981102B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
CN1294617C (zh) 包括热分布板和边缘支撑的组合装置
JP6861710B2 (ja) 非対称なチャンバ環境における均一なウエハ温度の実現
JPH11256328A (ja) 熱処理装置
CN1653591A (zh) 在包含基座的处理室中加热半导体基板的工艺和系统
CN1733966A (zh) 用于加热基片的设备和控制加热基片的基座温度的方法
JP3058901B2 (ja) 熱処理装置
JP2002033284A (ja) 縦型ｃｖｄ用ウェハホルダー
JP3788836B2 (ja) 気相成長用サセプタ及びその製造方法
JPH046826A (ja) 熱処理装置
US20220367236A1 (en) Heater pedestal with improved uniformity
JP2986112B2 (ja) 熱処理装置
JPH10223538A (ja) 縦型熱処理装置
KR101990533B1 (ko) 배치식 기판처리장치
JPH0727870B2 (ja) 減圧気相成長方法
JP2001308085A (ja) 熱処理方法
JP2002093790A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JPH01125819A (ja) 気相成長装置
JP3023977B2 (ja) 縦型熱処理装置
JPH11102903A (ja) 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2002141290A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010911

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070921

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees