JP3058901B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、熱処理装置に関する。
（従来の技術） 従来から、熱処理装置においては、半導体ウエハ等の
被処理基板を、耐熱性の高い石英等から構成されたウエ
ハボート等と称される熱処理装置用基板支持具に載置し
て、成膜等の処理を実施している。
被処理基板を、耐熱性の高い石英等から構成されたウエ
ハボート等と称される熱処理装置用基板支持具に載置し
て、成膜等の処理を実施している。
このような熱処理装置用基板支持具においては、その
形状等を変更することにより、薄膜形成時の膜厚の面内
均一性を向上させる試がなされている。例えばポリシリ
コン成膜時に同時にホスフィン（PH3）を添加し、成膜
終了時にリンがドープされるリン添加ポリシリコン成膜
を行う場合の膜厚の面内均一性を向上させるものとし
て、被処理基板である半導体ウエハより大径の石英製円
板上に半導体ウエハを載置するように構成された熱処理
装置用基板支持具が例えば特開昭58−108735号、特開昭
61−201695号公報等に開示されている。
形状等を変更することにより、薄膜形成時の膜厚の面内
均一性を向上させる試がなされている。例えばポリシリ
コン成膜時に同時にホスフィン（PH3）を添加し、成膜
終了時にリンがドープされるリン添加ポリシリコン成膜
を行う場合の膜厚の面内均一性を向上させるものとし
て、被処理基板である半導体ウエハより大径の石英製円
板上に半導体ウエハを載置するように構成された熱処理
装置用基板支持具が例えば特開昭58−108735号、特開昭
61−201695号公報等に開示されている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、近年半導体デバイスは高集積化される
傾向にあり、その回路パターンは益々微細化されつつあ
る。このため、さらに成膜における膜厚の面内均一性を
向上させることが望まれている。特にウエハの大径化に
ともないウエハ周辺部で膜厚の不均一化が生じ、対策が
要望されていた。
傾向にあり、その回路パターンは益々微細化されつつあ
る。このため、さらに成膜における膜厚の面内均一性を
向上させることが望まれている。特にウエハの大径化に
ともないウエハ周辺部で膜厚の不均一化が生じ、対策が
要望されていた。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向上
させることのできる熱処理装置を提供しようとするもの
である。
で、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向上
させることのできる熱処理装置を提供しようとするもの
である。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち、本発明は、基板面が互いにほぼ平行となる
ように、複数枚の被処理基板を支持する熱処理装置用基
板支持具を設け熱処理する熱処理装置において、 内径が前記被処理基板より大径とされた環状板および
この環状板の上側面に突出し且つ前記環状板の内側方向
に突出する如く設けられた複数の基板支持片を有し、前
記基板支持片により前記被処理基板の周縁部を係止し、
前記環状板と間隔を設ける如く前記被処理基板を支持す
る複数の支持板と、 前記支持板の周囲を囲む如く間隔を設けて複数本配列
され、内側に向けて突出する如く設けられた支持板係止
用突起により前記支持板の周縁部を支持する支柱と を具備したことを特徴とする。
ように、複数枚の被処理基板を支持する熱処理装置用基
板支持具を設け熱処理する熱処理装置において、 内径が前記被処理基板より大径とされた環状板および
この環状板の上側面に突出し且つ前記環状板の内側方向
に突出する如く設けられた複数の基板支持片を有し、前
記基板支持片により前記被処理基板の周縁部を係止し、
前記環状板と間隔を設ける如く前記被処理基板を支持す
る複数の支持板と、 前記支持板の周囲を囲む如く間隔を設けて複数本配列
され、内側に向けて突出する如く設けられた支持板係止
用突起により前記支持板の周縁部を支持する支柱と を具備したことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の熱処理装置におい
て、 前記環状板が石英からなり、この環状板の表面が、鏡
面研磨仕上げ、または焼仕上げされていることを特徴と
する。
て、 前記環状板が石英からなり、この環状板の表面が、鏡
面研磨仕上げ、または焼仕上げされていることを特徴と
する。
請求項３の発明は、請求項１〜２記載の熱処理装置に
おいて、前記環状板の内周部、又は、内周部と外側部と
双方に、前記被処理基板のオリフラに合わせて直線部が
形成されていることを特徴とする。
おいて、前記環状板の内周部、又は、内周部と外側部と
双方に、前記被処理基板のオリフラに合わせて直線部が
形成されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１〜３記載の熱処理装置に
おいて、前記環状板の直径が、前記被処理基板の直径よ
り10〜50mm大きくされていることを特徴とする。
おいて、前記環状板の直径が、前記被処理基板の直径よ
り10〜50mm大きくされていることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１〜４記載の熱処理装置に
おいて、前記支柱が石英からなり、幅が〜10mmとされて
いることを特徴とする。
おいて、前記支柱が石英からなり、幅が〜10mmとされて
いることを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項１〜５記載の熱処理装置に
おいて、前記支柱に、前記支持係止用突起が９〜15mmピ
ッチで設けられていることを特徴とする。
おいて、前記支柱に、前記支持係止用突起が９〜15mmピ
ッチで設けられていることを特徴とする。
（作 用） 上記構成の本発明の熱処理装置では、成膜に対する支
柱の影響を軽減することができるとともに、支持板によ
って特にウエハ周辺部での処理ガス流を調節することが
でき、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向
上させることができる。
柱の影響を軽減することができるとともに、支持板によ
って特にウエハ周辺部での処理ガス流を調節することが
でき、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向
上させることができる。
例えば６インチ径の半導体ウエハに対して成膜を実施
したところ、従来面内均一性２％程度であったが、本発
明では面内均一性１％程度とすることができた。
したところ、従来面内均一性２％程度であったが、本発
明では面内均一性１％程度とすることができた。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、熱処理装置用基板支持具１に
は、耐熱性材料例えば石英等から構成された複数の支持
板２と、同じく石英等から構成され、これらの支持板２
を支持する複数例えば４本の支柱３とが設けられてお
り、各支持板２上に半導体ウエハ４を支持するように構
成されている。
は、耐熱性材料例えば石英等から構成された複数の支持
板２と、同じく石英等から構成され、これらの支持板２
を支持する複数例えば４本の支柱３とが設けられてお
り、各支持板２上に半導体ウエハ４を支持するように構
成されている。
上記支持板２は、第２図にも示すように、リング状に
形成された環状板10の上面に、複数例えば４つのウエハ
支持片11を突出する如く設けて構成されている。勿論ウ
エハ支持片11は、面を形成すれば良いので少なくとも３
つあればよい。この環状板10は、厚さ例えば3mm、外径
例えば170mm、内径例えば160mmとされており、円形状開
孔10aの一部に半導体ウェハのオリエンテーションフラ
ット部に対応する直線部10bが設けられている。なお、
この直線部10bは、環状板10の中心との最短距離が65mm
となるように設定されている。
形成された環状板10の上面に、複数例えば４つのウエハ
支持片11を突出する如く設けて構成されている。勿論ウ
エハ支持片11は、面を形成すれば良いので少なくとも３
つあればよい。この環状板10は、厚さ例えば3mm、外径
例えば170mm、内径例えば160mmとされており、円形状開
孔10aの一部に半導体ウェハのオリエンテーションフラ
ット部に対応する直線部10bが設けられている。なお、
この直線部10bは、環状板10の中心との最短距離が65mm
となるように設定されている。
また、上記ウエハ支持片11は、環状板10に固定された
円柱状部材の11aと、この円柱状部材の11aから環状板10
の内側へ向けて突出する如く設けられた板状部材11bと
から構成されており、この板状部材11bによって半導体
ウエハ４の下面周縁部を支持するよう構成されている。
この板状部材11bの取付け高さ位置は、板状部材11b上に
載置された半導体ウエハ４の下面と、環状板10上面との
間隔が、３〜10mm程度、例えば5mmとなるように設定さ
れている。この間隙には半導体ウエハ４を搬送する搬送
用ロボットハンドのフォーク部が挿入される。環状板10
と半導体ウエハ４との間隔は反応ガスの流速、反応ガス
種、ウエハ径により適宜可変または交換可能にすると良
い。
円柱状部材の11aと、この円柱状部材の11aから環状板10
の内側へ向けて突出する如く設けられた板状部材11bと
から構成されており、この板状部材11bによって半導体
ウエハ４の下面周縁部を支持するよう構成されている。
この板状部材11bの取付け高さ位置は、板状部材11b上に
載置された半導体ウエハ４の下面と、環状板10上面との
間隔が、３〜10mm程度、例えば5mmとなるように設定さ
れている。この間隙には半導体ウエハ４を搬送する搬送
用ロボットハンドのフォーク部が挿入される。環状板10
と半導体ウエハ４との間隔は反応ガスの流速、反応ガス
種、ウエハ径により適宜可変または交換可能にすると良
い。
なお、上記構成の支持板２は、直径150mmで中心から
オリフラ部までの最短距離が68mmの半導体ウエハ４に対
応したものである。
オリフラ部までの最短距離が68mmの半導体ウエハ４に対
応したものである。
また、支柱３は、第３図および第４図にも示すように
直径例えば13mmの石英丸棒に研磨加工を施し、所定間隔
Ｅ例えば14.3mm（9/16インチ）毎に厚さＤ例えば2.5mm
の支持板係止用突起3aを形成する如く、最大径Ｂ例えば
13mm、幅Ｃ例えば8mmの断面略長方形状に形成したもの
である。
直径例えば13mmの石英丸棒に研磨加工を施し、所定間隔
Ｅ例えば14.3mm（9/16インチ）毎に厚さＤ例えば2.5mm
の支持板係止用突起3aを形成する如く、最大径Ｂ例えば
13mm、幅Ｃ例えば8mmの断面略長方形状に形成したもの
である。
なお、上記支柱３の幅Ｃをさらに狭くすれば膜厚の面
内均一性は良好となるが強度が不足する。一方上記幅Ｃ
を広げると膜厚の面内均一性は低下する。このため幅Ｃ
は６〜10mmとすることが好ましい。なお、支柱材料とし
て炭化珪素（SiC）を用いれば、幅Ｃを4mm程度とするこ
とができる。
内均一性は良好となるが強度が不足する。一方上記幅Ｃ
を広げると膜厚の面内均一性は低下する。このため幅Ｃ
は６〜10mmとすることが好ましい。なお、支柱材料とし
て炭化珪素（SiC）を用いれば、幅Ｃを4mm程度とするこ
とができる。
また、間隔Ｅをさらに広げると、膜厚の面内均一性を
向上させることができるが、一度に多数の半導体ウエハ
４を処理できなくなり、生産性が低下する、また、狭く
すると膜厚の面内均一性が低下してしまうので、９〜15
mm程度が好ましい。
向上させることができるが、一度に多数の半導体ウエハ
４を処理できなくなり、生産性が低下する、また、狭く
すると膜厚の面内均一性が低下してしまうので、９〜15
mm程度が好ましい。
また、支持板係止用突起3aの厚さＤは、十分な強度を
得ることのできる範囲で、できるだけ薄くし、２〜5mm
程度とすることが好ましい。
得ることのできる範囲で、できるだけ薄くし、２〜5mm
程度とすることが好ましい。
なお、第５図に示すように、本実施例では半導体ウエ
ハ４の周縁部と、環状板10の内側縁部との間に幅例えば
5mmの間隙20が形成されるよう設定されている。ただ
し、オリフラ部では、半導体ウエハ４と環状板10の直縁
部10bが例えば3mm重なるように設定されている。
ハ４の周縁部と、環状板10の内側縁部との間に幅例えば
5mmの間隙20が形成されるよう設定されている。ただ
し、オリフラ部では、半導体ウエハ４と環状板10の直縁
部10bが例えば3mm重なるように設定されている。
第６図は上記熱処理装置用基板支持具１を縦型CVD装
置にローディングした状態を示す。この図に示すよう
に、プロセスチューブ40は、耐熱性材料例えば石英から
なり、このプロセスチューブ40の下側にはマニホールド
41が設けられている。また、プロセスチューブ40の周囲
には、少なくとも３ゾーン構成からなる円筒状の抵抗加
熱ヒータ42が設けられており、上記プロセスチューブ40
内を所望の温度例えば500〜1000℃の範囲に適宜設定可
能としている。また、上記マニホールド41には、排気管
47およびガス導入管48が接続されており、プロセスチュ
ーブ40内を所定の減圧雰囲気に設定できるように構成さ
れている。
置にローディングした状態を示す。この図に示すよう
に、プロセスチューブ40は、耐熱性材料例えば石英から
なり、このプロセスチューブ40の下側にはマニホールド
41が設けられている。また、プロセスチューブ40の周囲
には、少なくとも３ゾーン構成からなる円筒状の抵抗加
熱ヒータ42が設けられており、上記プロセスチューブ40
内を所望の温度例えば500〜1000℃の範囲に適宜設定可
能としている。また、上記マニホールド41には、排気管
47およびガス導入管48が接続されており、プロセスチュ
ーブ40内を所定の減圧雰囲気に設定できるように構成さ
れている。
熱処理装置用基板支持具１は、載置台44の上に設置さ
れており、この載置台44は蓋体46の上に載置されてい
る。これらは昇降機構49によって上下動され、プロセス
チューブ40の所定の位置に搬入搬出できるように構成さ
れている。
れており、この載置台44は蓋体46の上に載置されてい
る。これらは昇降機構49によって上下動され、プロセス
チューブ40の所定の位置に搬入搬出できるように構成さ
れている。
プロセスチューブ40の下側には図示しないウェハ搬送
ロボットが設けられたウェハ移換え部が配設されてお
り、半導体ウエハ４を、ウエハカセットと熱処理装置用
基板支持具１との間で移載するよう構成されている。
ロボットが設けられたウェハ移換え部が配設されてお
り、半導体ウエハ４を、ウエハカセットと熱処理装置用
基板支持具１との間で移載するよう構成されている。
次に、熱処理例えばCVDにより酸化膜を生成する場合
について以下説明を行う。
について以下説明を行う。
３ゾーンヒータ42の各ゾーンに印加する電力を適宜制
御し、プロセスチューブ40内で複数枚の半導体ウエハ４
が収納される部分の温度が中心部および下端部で800℃
上端部で810℃になるようにする。
御し、プロセスチューブ40内で複数枚の半導体ウエハ４
が収納される部分の温度が中心部および下端部で800℃
上端部で810℃になるようにする。
ガス導入管48から亜酸化窒素（N2O）1200SCCM,モノシ
ラン（SiH4）30SCCMをプロセスチューブ40に流し、図示
しない排気ポンプとコダクタンスバルブを調整しプロセ
スチューブ40内の圧力を0.7Torrに設定し所定時間成膜
を行う。
ラン（SiH4）30SCCMをプロセスチューブ40に流し、図示
しない排気ポンプとコダクタンスバルブを調整しプロセ
スチューブ40内の圧力を0.7Torrに設定し所定時間成膜
を行う。
上記条件で成膜を行った半導体ウエハ４の面内膜厚均
一性を測定した結果を第７図のグラフに示す。なお、第
７図のグラフにおいて、縦軸は面内膜厚均一性、横軸は
熱処理装置用基板支持具１上の上側からの位置（何枚め
か）を示している。
一性を測定した結果を第７図のグラフに示す。なお、第
７図のグラフにおいて、縦軸は面内膜厚均一性、横軸は
熱処理装置用基板支持具１上の上側からの位置（何枚め
か）を示している。
このグラフに示されるように、本実施例では、ダミー
ウェハを含む58枚の半導体ウエハ４のうち、50枚の被処
理ウェハの成膜結果は面内膜厚均一性がほぼ±１％程度
と良好であった。
ウェハを含む58枚の半導体ウエハ４のうち、50枚の被処
理ウェハの成膜結果は面内膜厚均一性がほぼ±１％程度
と良好であった。
なお、比較のため、第７図に支柱３として直径13mmの
丸棒状の石英を用い、他の条件は上記実施例と全く同一
として成膜を行った場合を示す。この場合でも支持板２
を用いているため、面内膜厚均一性は２〜３％と良好で
あるが、上記本実施例よりは悪くなる。
丸棒状の石英を用い、他の条件は上記実施例と全く同一
として成膜を行った場合を示す。この場合でも支持板２
を用いているため、面内膜厚均一性は２〜３％と良好で
あるが、上記本実施例よりは悪くなる。
なお、このような面内膜厚均一性は、支柱３と半導体
ウエハ４との位置関係により変化し、支柱３の間隔が広
いオリフラ側は処理ガスの供給が多いため、支柱３の間
隔が狭い部分より膜厚が厚くなる傾向があることが本発
明者等の実験により確かめられた。
ウエハ４との位置関係により変化し、支柱３の間隔が広
いオリフラ側は処理ガスの供給が多いため、支柱３の間
隔が狭い部分より膜厚が厚くなる傾向があることが本発
明者等の実験により確かめられた。
本実施例では、支柱３間隔の広い側に半導体ウエハ３
のオリフラ部を配置したので、環状板10の直線部10bの
大きさにより面内膜厚均一性が大きく変わる。例えば環
状例10に直線部10bを設けずに開孔が完全な円形の場
合、オリフラ部における半導体ウエハ４と環状板10の内
側縁部との間隔が12mmと広いこと、および支柱３の間隔
が広いことに起因して、オリフラ側への処理ガスの供給
が多くなり、膜圧がオリフラ側で厚くなり、面内膜厚均
一性は悪くなった。
のオリフラ部を配置したので、環状板10の直線部10bの
大きさにより面内膜厚均一性が大きく変わる。例えば環
状例10に直線部10bを設けずに開孔が完全な円形の場
合、オリフラ部における半導体ウエハ４と環状板10の内
側縁部との間隔が12mmと広いこと、および支柱３の間隔
が広いことに起因して、オリフラ側への処理ガスの供給
が多くなり、膜圧がオリフラ側で厚くなり、面内膜厚均
一性は悪くなった。
一方、環状板10に直線部10bを設け、熱処理装置用基
板支持具４の全周で間隔が等しく5mmである場合、もし
くはオリフラ部においてのみ環状板10と半導体ウエハ４
との間隔が5mm以下もしくはこれらが重なるような構成
の場合には、面内膜厚均一性は良好であった。
板支持具４の全周で間隔が等しく5mmである場合、もし
くはオリフラ部においてのみ環状板10と半導体ウエハ４
との間隔が5mm以下もしくはこれらが重なるような構成
の場合には、面内膜厚均一性は良好であった。
なお、支柱３と半導体ウエハ４のオリフラ部の位置関
係を変えて、半導体ウエハ４のオリフラ部を支柱３の間
隔の狭い側に配置し、環状板10と半導体ウエハ４との間
隔が全周において5mmとなるようにした場合、膜厚の厚
くなる傾向は支柱間隔の広い側であり、オリフラ部と反
対側になる。従ってこの場合には、直線部10aと反対側
の部分が半導体４ウエハ４と重なるように環状板10の形
状を変えて所望の面内均一性が得られるようにすれば良
い。
係を変えて、半導体ウエハ４のオリフラ部を支柱３の間
隔の狭い側に配置し、環状板10と半導体ウエハ４との間
隔が全周において5mmとなるようにした場合、膜厚の厚
くなる傾向は支柱間隔の広い側であり、オリフラ部と反
対側になる。従ってこの場合には、直線部10aと反対側
の部分が半導体４ウエハ４と重なるように環状板10の形
状を変えて所望の面内均一性が得られるようにすれば良
い。
環状板10の大きさは、半導体ウエハ４の外径より直径
で10mm以上大きければウェハ面内膜厚均一性は良好であ
った。但し、環状板10の直径を必要以上に大きくする
と、プロセスチューブ40をさらに大口径にしなければな
らず、必然的に熱処理装置が大型化して設置スペースの
増大や装置のコストが上昇してしまうので、環状板10の
大きさは被処理体より10〜50mm大きい範囲が望ましい。
で10mm以上大きければウェハ面内膜厚均一性は良好であ
った。但し、環状板10の直径を必要以上に大きくする
と、プロセスチューブ40をさらに大口径にしなければな
らず、必然的に熱処理装置が大型化して設置スペースの
増大や装置のコストが上昇してしまうので、環状板10の
大きさは被処理体より10〜50mm大きい範囲が望ましい。
また、環状板10の表面を滑らかにすることがウェハ面
内膜厚均一性を良好にする際必要であり、環状板10の石
英ガラス表面をスリガラス状の粗い状態としておくと、
上記実施例と同一条件でプロセスを行ってもウェハ面内
膜均一性は悪く、またプロセスの再現性も取れないこと
が確かめられた。
内膜厚均一性を良好にする際必要であり、環状板10の石
英ガラス表面をスリガラス状の粗い状態としておくと、
上記実施例と同一条件でプロセスを行ってもウェハ面内
膜均一性は悪く、またプロセスの再現性も取れないこと
が確かめられた。
従って、環状板10の石英の表面は10μｍ以下の鏡面研
磨仕上げ、または表面を加熱して微少な凹凸を滑らかに
する、いわゆる焼仕上げを行うことが必要である。
磨仕上げ、または表面を加熱して微少な凹凸を滑らかに
する、いわゆる焼仕上げを行うことが必要である。
本発明の他の実施例としては、第８図に示すように環
状板10の外側にも半導体ウエハ４のオリフラ部に合わせ
て直線部10c設け、環状板10の外形を半導体ウエハ４と
略相似形とするものがある。
状板10の外側にも半導体ウエハ４のオリフラ部に合わせ
て直線部10c設け、環状板10の外形を半導体ウエハ４と
略相似形とするものがある。
上記実施例では半導体ウエハ４周辺の処理ガスの流れ
が半導体ウエハ４に対して等しくなり、面内膜厚均一性
をさらに改善することができる。
が半導体ウエハ４に対して等しくなり、面内膜厚均一性
をさらに改善することができる。
以上説明したように本実施例によれば、半導体ウエハ
４のオリフラ部に起因する問題のみならず、支柱３に起
因して面内膜厚均一性が悪くなることについても改善す
ることができ、従来に較べて大幅な面内膜厚均一性改善
が可能となった。
４のオリフラ部に起因する問題のみならず、支柱３に起
因して面内膜厚均一性が悪くなることについても改善す
ることができ、従来に較べて大幅な面内膜厚均一性改善
が可能となった。
なお、本発明は上記実施例に限られるものではなく、
例えばリン添加ポリシリコ膜、ボロン添加ガラス膜等を
生成するCVDプロセス等に用いても顕著な効果がある。
また、気相成膜に限らず酸化膜の形成、拡散処理、エッ
チング処理などガス流を扱う処理であれば何れでもよ
い。また、熱処理装置用基板支持具１の材質は石英に限
らず耐熱性材料例えばSiCやAl2O3等のを用いても良い。
例えばリン添加ポリシリコ膜、ボロン添加ガラス膜等を
生成するCVDプロセス等に用いても顕著な効果がある。
また、気相成膜に限らず酸化膜の形成、拡散処理、エッ
チング処理などガス流を扱う処理であれば何れでもよ
い。また、熱処理装置用基板支持具１の材質は石英に限
らず耐熱性材料例えばSiCやAl2O3等のを用いても良い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、被処理基板の
処理の面内均一性を向上させることができる。
処理の面内均一性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例の熱処理装置用基板支持具の
構成を示す図、第２図は第１図の支持板の構成を示す
図、第３図は第１図の要部構成を示す図、第４図は第１
図の支柱の構成を示す図、第５図は第１図の熱処理装置
用基板支持具の上面を示す図、第６図は縦型CVD装置の
構成を示す図、第７図は実施例における面内膜厚均一性
を示すグラフ、第８図は他の実施例の熱処理装置用基板
支持具の要部構成を示す図である。 １……熱処理装置用基板支持具、２……支持板、３……
支柱、3a……支持板係止用突起、４……半導体ウエハ、
10……環状板、10a……円形状開孔、10b……直線部、11
……ウエハ支持片、11a……円柱状部材、11b……板状部
材。
構成を示す図、第２図は第１図の支持板の構成を示す
図、第３図は第１図の要部構成を示す図、第４図は第１
図の支柱の構成を示す図、第５図は第１図の熱処理装置
用基板支持具の上面を示す図、第６図は縦型CVD装置の
構成を示す図、第７図は実施例における面内膜厚均一性
を示すグラフ、第８図は他の実施例の熱処理装置用基板
支持具の要部構成を示す図である。 １……熱処理装置用基板支持具、２……支持板、３……
支柱、3a……支持板係止用突起、４……半導体ウエハ、
10……環状板、10a……円形状開孔、10b……直線部、11
……ウエハ支持片、11a……円柱状部材、11b……板状部
材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/22 511
Claims (6)
- 【請求項１】基板面が互いにほぼ平行となるように、複
数枚の被処理基板を支持する熱処理装置用基板支持具を
設け熱処理する熱処理装置において、 内径が前記被処理基板より大径とされた環状板およびこ
の環状板の上側面に突出し且つ前記環状板の内側方向に
突出する如く設けられた複数の基板支持片を有し、前記
基板支持片により前記被処理基板の周縁部を係止し、前
記環状板と間隔を設ける如く前記被処理基板を支持する
複数の支持板と、 前記支持板の周囲を囲む如く間隔を設けて複数本配列さ
れ、内側に向けて突出する如く設けられた支持板係止用
突起により前記支持板の周縁部を支持する支柱と を具備したことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載の熱処理装置において、 前記環状板が石英からなり、この環状板の表面が、鏡面
研磨仕上げ、または焼仕上げされていることを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項３】請求項１〜２記載の熱処理装置において、 前記環状板の内周部、又は、内周部と外側部と双方に、
前記被処理基板のオリフラに合わせて直線部が形成され
ていることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項４】請求項１〜３記載の熱処理装置において、 前記環状板の直径が、前記被処理基板の直径より10〜50
mm大きくされていることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】請求項１〜４記載の熱処理装置において、 前記支柱が石英からなり、幅が〜10mmとされていること
を特徴とする熱処理装置。 - 【請求項６】請求項１〜５記載の熱処理装置において、 前記支柱に、前記支持板係止用突起が９〜15mmピッチで
設けられていることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256155A JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 熱処理装置 |
| DE69110814T DE69110814T2 (de) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Einrichtung zur thermischen Behandlung mit Waferhorde. |
| EP91116328A EP0477897B1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Heat treatment apparatus having a wafer boat |
| KR1019910016828A KR0147356B1 (ko) | 1990-09-26 | 1991-09-26 | 열처리 장치 |
| US08/051,443 US5310339A (en) | 1990-09-26 | 1993-04-23 | Heat treatment apparatus having a wafer boat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256155A JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133417A JPH04133417A (ja) | 1992-05-07 |
| JP3058901B2 true JP3058901B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=17288675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256155A Expired - Fee Related JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0477897B1 (ja) |
| JP (1) | JP3058901B2 (ja) |
| KR (1) | KR0147356B1 (ja) |
| DE (1) | DE69110814T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101596932B1 (ko) | 2015-12-30 | 2016-02-24 | 중앙대학교 산학협력단 | 기판 고정용 홀더 및 이를 포함하는 박막 제조 장치 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662542U (ja) * | 1993-01-29 | 1994-09-02 | 信越半導体株式会社 | ウエーハカセット |
| JP3151118B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5618351A (en) * | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
| US5584936A (en) * | 1995-12-14 | 1996-12-17 | Cvd, Incorporated | Susceptor for semiconductor wafer processing |
| US6576064B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Support apparatus for semiconductor wafer processing |
| US7077913B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-07-18 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Apparatus for fabricating a semiconductor device |
| US6799940B2 (en) | 2002-12-05 | 2004-10-05 | Tokyo Electron Limited | Removable semiconductor wafer susceptor |
| JP4971089B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP5042950B2 (ja) | 2008-09-05 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
| JP5456287B2 (ja) | 2008-09-05 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP2014033143A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置 |
| TWI735115B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-08-01 | 力成科技股份有限公司 | 晶圓儲存裝置及晶圓承載盤 |
| CN113327884B (zh) * | 2020-02-29 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4735220A (en) * | 1983-04-13 | 1988-04-05 | Chandler Don G | Turntable having superstructure for holding wafer baskets |
| US4770590A (en) * | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
| JPH0740544B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1995-05-01 | 東京応化工業株式会社 | 薄板状被処理体の連続処理装置 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP2256155A patent/JP3058901B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-25 EP EP91116328A patent/EP0477897B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-25 DE DE69110814T patent/DE69110814T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-26 KR KR1019910016828A patent/KR0147356B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101596932B1 (ko) | 2015-12-30 | 2016-02-24 | 중앙대학교 산학협력단 | 기판 고정용 홀더 및 이를 포함하는 박막 제조 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920007121A (ko) | 1992-04-28 |
| EP0477897A2 (en) | 1992-04-01 |
| DE69110814D1 (de) | 1995-08-03 |
| EP0477897A3 (en) | 1992-11-04 |
| EP0477897B1 (en) | 1995-06-28 |
| JPH04133417A (ja) | 1992-05-07 |
| DE69110814T2 (de) | 1995-11-23 |
| KR0147356B1 (ko) | 1998-11-02 |
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