CN211045385U - 基座 - Google Patents

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Abstract

本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。

Description

基座
技术领域
本公开内容的实施方式总体上涉及用于半导体器件制造工艺中使用的加热的基座的方法和设备。
背景技术
在基板上的电子器件的制造中，诸如半导体基板等的基板经受许多热工艺。热工艺通常在处理腔室中执行，在所述处理腔室中沉积或去除材料，或者以受控方式加热基板。此类工艺包括外延沉积、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)、蚀刻、退火等。
基板通常由加热的基板支撑件或基座支撑在处理腔室中，所述加热的基板支撑件或基座将热量传递至基板。然而，由于加热机构的设计和布局，基座可能提供不均匀的温度场，这阻止了基板的某些部分以与基板的其他部分相同的速率被加热。这导致被加热的基板的温度不均匀性。
因此，需要一种改进的基座，所述改进的基座提供在其上被加热的基板中的更高的温度均匀性。
实用新型内容
本公开内容的实施方式总体上涉及一种用于可用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性的基座的设备和方法。在一个实施方式中，公开了一种基座，所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
在另一个实施方式中，公开了一种基座，所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括中心区域和围绕所述中心区域的周边区域，所述中心区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征，可以参考实施方式来对以上简要概述的公开内容进行更具体的描述，所述材料中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性的实施方式，因此不应被认为是对范围的限制，并且可以允许其他等效的实施方式。
图1是根据本文所述的一个实施方式的工艺腔室的示意性横截面图。
图2A是具有图案化的表面的一个实施方式的图1的基座的俯视平面图。
图2B是图2A的基座的截面图。
图3A至图3D是示出图2A和图2B中示出和描述的基座制造方法的一个实施方式的各种截面图。
图4A至图4D是示出图2A和图2B中示出和描述的基座制造方法的另一实施方式的各种截面图。
图5至图7是具有如图所示轮廓的图案化的表面的各种其他实施方式的基座的截面图。
图8A是根据另一个实施方式的可以在图1的腔室中使用的基座的俯视平面图。
图8B是图8A的基座的一部分的放大平面图。
图9是根据另一个实施方式的可以在图1的腔室中使用的基座的俯视平面图。
图10是根据另一个实施方式的可以在图1的腔室中使用的基座的俯视平面图。
为了便于理解，已尽可能使用相同的附图标记来表示图中共有的相同元件。可以预期的是，一个实施方式的元件和特征可以有益地并入其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本公开内容的实施方式总体上涉及一种用于工艺腔室的加热的基座。加热的基座包括围绕多个突起或柱的凹槽的图案化的表面。柱在基座上具有不同的高度。还公开了用于制造基座的方法。具有图案化的表面的加热的基座改进了温度均匀性，这使得能够更均匀地将热量传递到基板，这改进了被卡紧或放置在加热基座上的基板的温度均匀性。改进的温度均匀性改进了基板上被加工的膜的膜厚度均匀性。
如本文所用，“基板”是指在制造工艺中在其上执行膜处理的任何基板或基板上形成的材料表面。例如，取决于应用，可以在其上执行处理的基板表面包括诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(SOI)、碳掺杂的氧化硅、非晶硅、掺杂的硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石之类的材料，以及诸如金属、金属氮化物、金属合金和其他导电材料之类的任何其他材料。基板包括但不限于半导体基板。可以将基板暴露于预处理工艺以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火和/或烘烤基板表面。如以下更详细公开的，除了直接在基板的表面上进行膜处理之外，所公开的膜处理步骤中的任何膜处理步骤还可以在形成于基板上的底层上执行，并且术语“基板表面”旨在包括如上下文指示的此类底层。因此，例如，在膜/层或部分膜/层已经沉积到基板表面上的情况下，新沉积的膜/层的暴露的表面成为基板表面。
图1是根据本文所述的一个实施方式的处理腔室100的示意性横截面图。处理腔室100可以是化学气相沉积(CVD)腔室、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室或其他热工艺腔室。可以从本文描述的实施方式中受益的示例性处理腔室是可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,CA)获得的
Figure DEST_PATH_GDA0002502998640000031
系列的启用PECVD的腔室。可以预期，来自其他制造商的其他类似装备的工艺腔室也可从本文描述的实施方式中受益。
处理腔室100包括腔室主体102、设置在腔室主体102内的基座104、以及盖组件106，所述盖组件106耦合到腔室主体102并将基座104包封在处理区域120中。盖组件106包括气体分配器112。基板107通过形成在腔室主体102中的开口126而提供到处理区域120。
隔离器110将气体分配器112与腔室主体102分离，所述隔离器110可为介电材料，诸如陶瓷或金属氧化物，例如氧化铝和/或氮化铝。气体分配器112包括用于使工艺气体进入处理区域120的开口118。可将工艺气体经由导管114供应到处理腔室100，并且工艺气体可在流过开口118之前进入气体混合区域116。在基座104下方的位置处在腔室主体102中形成排气口152。排气口152可以连接至真空泵(未示出)以从处理腔室100 去除未反应的物质和副产物。
气体分配器112可以耦合到电源141，诸如RF发生器或DC功率源。DC功率源可以向气体分配器112供应连续的和/或脉冲的DC功率。RF发生器可以向气体分配器112 供应连续的和/或脉冲的RF功率。在操作期间，开启电源141以向气体分配器112供应电力以促进在处理区域120中形成等离子体。
基座104可以由陶瓷材料形成，例如金属氧化物或氮化物或氧化物/氮化物混合物，诸如铝、氧化铝、氮化铝或氧化铝/氮化物混合物。基座104由轴143支撑。基座104 可以接地。加热器128嵌入在基座104中。加热器128可以是板、多孔板、网、丝网，或任何其他分布式布置。加热器128经由连接件130耦合至电源132。电源132可以是控制加热器128的功率源。在一些实施方式中，加热器128可以是电极，使得基座104 用作静电卡盘。因此，电源也可以是RF发生器。当加热器128用作电极时，电源132 可用于控制在处理区域120中形成的等离子体的性质，或有助于在处理区域120内产生等离子体。例如，电源141和电源132可以被调谐到两个不同的频率，以促进处理区域 120中的多种物质的电离。在一个示例中，电源141和电源132可用于在处理区域120 内产生电容耦合等离子体。
基座104包括用于支撑基板107的图案化的表面142。基座104还可包括挖槽140。挖槽140可以替代地是边缘环。基板107和挖槽140可同心地设置在基座104的表面142 上。
图2A是具有图案化的表面142的一个实施方式的图1的基座104的俯视平面图。图2B是图2A的基座104的截面图。
图2A所示的基座104包括由挖槽140围绕的周边壁架202。图案化的表面142包括两个不同的区域，诸如被周边区域205围绕的中心区域200。图案化的表面142包括多个柱210，所述多个柱210具有限定基板接收表面220的上表面215。中心区域200 与周边区域205的不同之处在于形成在其中的柱210的高度。多个柱210中的每一者的上表面215是基本上共面的。
多个柱210中的每一者在平面图中示出为矩形，但是在平面图中柱210可以是圆形、椭圆形、六边形或其他的形状。柱210在图8A和图9中示出为圆形。在图2A中还示出了多个升降销孔212。
在一些实施方式中，中心区域200的表面积小于周边区域205的表面积。例如，如果图案化的表面142的直径为约12英寸，则周边区域205的表面积为约113平方英寸，并且中心区域200的表面积为约11平方英寸。在一些实施方式中，周边区域205的表面积为中心区域200的表面积的约900％。多个柱210中的每一者的上表面215包括约 40微英寸的表面粗糙度(平均表面粗糙度或Ra)。
如图2B所示，多个柱210包括在周边区域205中的多个第一柱225A和在中心区域200中的多个第二柱225B。多个第一柱225A中的每一者的高度230大于多个第二柱 225B的高度235。高度230和高度235是从基座104的上表面或基底表面232测量的。在一些实施方式中，多个第一柱225A中的每一者的高度230为约0.002英寸至约0.0024 英寸，诸如约0.0022英寸。在一些实施方式中，当与多个第一柱225A的高度230相比时，多个第二柱225B中的每一者的高度235为约0.0005英寸至约0.0007英寸，诸如约0.0006英寸。虽然仅示出了柱210的两个不同高度(即，高度230和高度235)，但是图案化的表面142可以包括高度不同于高度230和高度235的另外多个柱。
在一些实施方式中，高度230是高度235的约1.5倍。在一些实施方式中，高度230是高度235的约2倍。在一些实施方式中，高度230是高度235的约2.5倍。在一些实施方式中，高度230是高度235的约3倍。在一些实施方式中，高度230是高度235的约3.5倍。在一些实施方式中，基座104的基底表面232具有的Ra大于多个柱210中的每一者的上表面215的Ra。例如，基底表面232的Ra为约63微英寸。
在其他的实施方式中，多个第二柱225B中的每一者的高度235为约15微米(μm)，而多个第一柱225A中的每一者的高度230为约30μm。在其他的实施方式中，多个第二柱225B中的每一者的高度235为约15μm，而多个第一柱225A中的每一者的高度 230为约55μm。在其他的实施方式中，多个第二柱225B中的每一者的高度235为约 30μm，而多个第一柱225A中的每一者的高度230为约55μm。
高度230和235的差异，和/或中心区域200和周边区域205的表面积差异，改变了基座104和支撑在其上的基板之间的传热速率。改变的传热速率改变了基板的温度分布。在一些实施方式中，高度230和235的差异和/或中心区域200和周边区域205的表面积差异改进了基板中的温度均匀性，这改进了基板上的沉积均匀性。在一些实施方式中，使多个第二柱225B中的每一者的高度235小于多个第一柱225A中的每一者的高度230 会增大基板中心中的温度。提高基板中心处的温度可改进整个基板的温度均匀性，这改进了基板上的沉积均匀性。
柱210的高度230和235使基座104的基底表面232成为多层结构。例如，与周边区域205的基底表面232相比，中心区域200的基底表面232限定了凸起表面240，与凸起表面240相比所述周边区域205的基底表面232被称作凹陷表面245。图2B中所示的基座104的凸起表面240和凹陷表面245限定了轮廓，诸如上下颠倒或倒U形的轮廓250。
图3A至图3D是示出图2A和图2B中示出和描述的基座104的制造方法的一个实施方式的各种截面图。
图3A示出了其中嵌入有加热器128的陶瓷主体300。在图3B中，通过去除陶瓷主体300的表面302的一部分，在陶瓷主体300中形成多个柱210。表面302成为多个柱 210的上表面215。在一些实施方式中，每个柱210通过机械加工工艺形成，诸如通过对陶瓷主体300执行的铣削工艺。
如图3C所示，在所述陶瓷主体上形成多个柱210之后，将掩模图案305放置在陶瓷主体300的一部分和所有柱210上。例如，掩模图案305包括中心掩模310和周边掩模315。中心掩模310覆盖陶瓷主体300的中心部分以及其中的柱210，并且对应于在形成所述柱之后的基座104的中心区域200。周边掩模315覆盖柱210的剩余部分，并且对应于在形成所述柱之后的基座104的周边区域205。在掩模图案305处于适当位置的情况下，通过喷丸工艺将多个第一柱225A形成到高度230。中心掩模310遮蔽陶瓷主体300的中心部分和柱210，且周边掩模315遮蔽陶瓷主体300的周边部分中的柱210 的上表面215。
如图3D所示，去除掩模图案305，并形成基座104以在周边区域205和中心区域 200中分别具有多个第一柱225A和多个第二柱225B。
图4A至图4D是示出图2A和图2B中示出和描述的基座104的制造方法的另一实施方式的各种截面图。
图4A示出了其中嵌入有加热器128的陶瓷主体300。在图4B中，将第一掩模图案400放置在陶瓷主体300上，以将多个柱210形成到高度415。第一掩模图案400包括在其中形成的多个开口405，以及保护陶瓷主体300的表面302的分立掩模410。
在图4C中，第二掩模图案420放置在陶瓷主体300上。第二掩模图案420类似于掩模图案305。中心掩模310覆盖陶瓷主体300的中心部分以及其中的柱210，并且对应于在形成所述柱之后的基座104的中心区域200。周边掩模315覆盖柱210的剩余部分，并且对应于在形成所述柱之后的基座104的周边区域205。在掩模图案305处于适当位置的情况下，通过喷丸工艺将多个第一柱225A形成到高度230。中心掩模310遮蔽陶瓷主体300的中心部分和柱210，且周边掩模315遮蔽陶瓷主体300的周边部分中的柱210的上表面215。
如图4D所示，去除第二掩模图案420，并形成基座104以在周边区域205和中心区域200中分别具有多个第一柱225A和多个第二柱225B。
图5至图7是具有如图所示轮廓的图案化的表面的各种其他实施方式的基座104的截面图。在以下附图中，公开了可以在图1的处理腔室100中使用的基座104的各种轮廓。
图5示出了具有U形轮廓500的基座104。U形轮廓500包括在周边区域205中和 /或在凸起表面240上的多个第一柱225A。多个第二柱225B在中心区域200中和/或在凹陷表面245上。
图6示出了具有M形轮廓600的基座104。M形轮廓包括定位在凸起表面240上的两组多个第二柱225B。凸起表面240被定位在凹陷表面245上的三组多个第一柱225A(在中心区域和周边区域中)包围。
图7示出了具有W形轮廓700的基座104。W形轮廓包括定位在凸起表面240上(在中心区域和周边区域中)的三组多个第二柱225B。凸起表面240与定位在凹陷表面245 上的两组多个第一柱225A中的一者相邻。尽管在图6和图7中仅以两个不同的高度示出了多个第一柱225A和多个第二柱225B，但图案化的表面142可以包括与所示高度不同的另外多个柱。
随着对逻辑和3D NAND器件中使用的特征尺寸和多操作集成工艺的要求不断提高，使用PECVD工艺在硅基板上非常均匀地沉积厚膜(诸如基于氧化物/氮化物/碳的图案化膜等)是有益的。因此，一般规格以及就图案化膜而言，均匀性的局部偏差驱动了客户规格。如本文所述的基座104满足或超过这些规格。
就PECVD处理而言，为了获得可靠的基板接触并防止对基板背侧(其通常包含器件层)的总污染，必须控制与基板的接触。这种控制是通过加热器上的柱的图案来实现的，所述图案提供可重复的接触，并最小化由于可变接触而引起的问题，诸如在完美平坦的加热器上产生局部阻挡层的缺陷。然而，这种柱的图案的结果是，基板的局部温度在每个接触位置处变化。尽管对于前几代来说温度变化是可接受的，但对于当前和未来的节点，人们都在寻求更均匀的温度控制。例如，在常规的硬掩模膜中，此局部温度变化导致厚度的局部变化为约1％，并且膜介电常数(k)相应地发生局部变化，从而导致了集成度和成品率损失的问题。然而，本公开内容的第一部分描述了图案化的表面142，所述图案化的表面142相较于常规方法改进了基板温度均匀性。以下部分描述可以如何解决源自柱210的图案的基板处理问题，这导致了更好的基板温度均匀性。
如本文所述，对基座104执行广泛的测试和模拟。如本文所述的基座104通过将基板中的温度差量(Δ)降低0.4摄氏度或更大而改进了温度均匀性。
测试还包括最小化基板内的局部温度变化。为了使局部温度变化最小化，源于基板与柱210之间的接触的热点的量值将被最小化。基于热模拟结果，这是通过以下方式而实现的：减小每个柱210的直径；减小柱210的高度；和/或增加图案化的表面142中的柱210的密度。然而，减小直径的负面结果是由于小的柱大小而导致卡紧不良和背侧损坏增加(即，较少的接触面积导致在所述接触面积处的高压)。
改进基板的热均匀性通常包括增大柱密度和/或降低柱高度。然而，减小柱高度会收缩基板下方的气流。降低柱高度还可能在基板上产生不同的剪切力，这可导致基板滑出基座上的位置。增大柱密度还具有与减小柱高度相同的流动收缩效应和滑动问题。解决流动收缩和/或滑动问题的一种简单方式是使柱直径更小。然而，这导致了在基板上的卡紧力的损失，并且限制了基板的进入弯曲。因此，一种解决方案是在具有较小直径柱的基座的中心处具有高导流率，但随着柱径向地远离中心移动，柱直径增大。这种方法提供了高的柱与基板接触面积，因此提供了施加到基板的高卡紧力。
一种附加竞争因素是增加柱密度导致热不均匀性，使得基板上的热/冷点明显(诸如基座104中的电极端子位置)。这可通过在此类热/冷点附近进行选择性的后去除来解决。可能出现的问题是，如果去除过多的柱，则柱去除可能再次导致不良的热均匀性。例如，柱的去除增大了柱的间距，并增大了热不均匀性。
图8A是根据另一个实施方式的基座104的俯视平面图。图8B是图8A的基座104 的一部分的放大平面图。本文所述的基座104可以根据上述方法来制造。
基座104包括图案化的表面142，所述图案化的表面142具有以基本上径向取向的图案定位在其上的多个柱210。例如，多个柱210的一部分定位在径向取向的行800中，所述径向取向的行800在平面图中通常是直的。多个柱210的另一部分布置成向内弯曲的行805。每个向内弯曲的行805在周边区域205中具有第一部分810A并且在中心区域200中具有第二部分810B。第一部分810A中的柱210通常是直行或直线的柱210。第二部分810B中的柱210通常朝向基座104的中心812弯曲。在所示的实施方式中，三对径向取向的行800以约120度的间隔定位。多个向内弯曲的行805定位于成对的径向取向的行800之间。中心812不包括柱，以防止基板上的热点或冷点(即，下面描述的“裸位置”)。
图8B示出了基座104的周边区域205的边缘815，在所述边缘815处多个柱210 的一部分形成三角形图案820。三角形图案820中的柱210的取向通常是线性的。
图9是根据另一个实施方式的基座104的俯视平面图。基座104包括图案化的表面142，所述图案化的表面142具有以呼吸描记器图案900(例如，几何圆内次摆线和/或长短幅圆外旋轮线)定位在其上的多个柱210。呼吸描记器图案900包括由多个柱210形成的多个螺旋905。图9所示的基座104还包括多个裸位置910，柱可以定位于所述裸位置910。裸位置910对应于将形成柱的位置(基于其他柱的剩余图案或间距)，但是不包括一个或多个柱以防止基板上的热点或冷点。本文所述的基座104可以根据上述方法来制造。
多个柱210以呼吸描记器图案900布置，以防止直线流动路径和/或为施加到定位于基座104上的基板的背侧的气体提供弯曲流动路径。弯曲流动路径阻止了高速流动模式的形成，所述高速流动模式将导致晶片滑动。
在一些实施方式中，如图8A至图9中所示的平面图中，多个柱210是圆形的，并且多个柱210中的每一者包括约1毫米(mm)至约2mm的直径。柱210的数量(对于300 mm的基板而言)为在图案化的表面142上约121个柱至约2500个柱。边缘815的最外侧柱210(在图8B中示出)与周边壁架202的最内部分之间的距离为约105mm至约3 mm。柱210的接触面积为约百分之0.14至约百分之11(接触面积是每个柱210的上表面215与基板接触的总面积)。
图10是根据另一个实施方式的基座104的俯视平面图。基座104包括图案化的表面142，所述图案化的表面142具有以相对于径向轴线1000对称的图案定位在其上的多个柱210。图10所示的基座104还包括多个裸位置910，柱可以定位于所述裸位置910。裸位置910对应于将形成柱的位置(基于其他柱的剩余图案或间距)，但不包括一个或多个柱以防止基板上的热点或冷点。本文所述的基座104可以根据上述方法来制造。
多个柱210以图10所示的对称图案布置，以防止直线流动路径和/或为施加到定位于基座104上的基板的背侧的气体提供弯曲流动路径。弯曲流动路径阻止了高速流动模式的形成，所述高速流动模式将导致晶片滑动。例如，图10中所示的基座104包括从基座104的中心径向延伸的多个蛇形柱行1005。
在一些实施方式中，如图8A至图10中所示的平面图中，多个柱210是圆形的，并且多个柱210中的每一者包括约1毫米(mm)至约2mm的直径。柱210的数量(对于300 mm的基板而言)在图案化的表面142上为约121个柱至约2500个柱。边缘815的最外侧柱210(在图8B中示出)与周边壁架202的最内部分之间的距离为约105mm至约3 mm。柱210的接触面积为约百分之0.14至约百分之11(接触面积是每个柱210的上表面215与基板接触的总面积)。
在一些实施方式中，柱210的直径从边缘到中心减小。例如，在边缘815附近的柱可以具有约2mm的直径，在中心区域200中的柱210可以具有约0.75mm的直径，并且在边缘815与中心区域200之间的柱210可以具有约1mm的直径。在其他实施方式中，柱210的直径从边缘到中心增大。从中心到边缘的柱直径的逐渐变化使导流率最大化，从而改进了基板处理以及提高了热均匀性。朝向边缘的柱直径的增大也有助于增大柱与基板之间的接触面积，这增大了施加到基板的总卡紧力。这对于具有大弯曲的基板是有利的。
尽管上文针对本公开内容的实施方式，但可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他的和进一步的实施方式。

Claims (20)

1.一种基座，其特征在于，所述基座包括：
主体，所述主体具有设置在所述主体中的加热器，其中所述主体包括：
图案化的表面，所述图案化的表面包括：
第一区域，所述第一区域具有从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱；以及
第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述第二区域具有从所述基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面为基本上共面的并且限定基板接收表面，并且其中所述图案化的表面包括一个或多个裸位置。
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述基底表面的平均表面粗糙度大于每个所述柱的所述上表面的平均表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述第一多个柱中的每一者以第一高度从所述基底表面延伸，并且所述第二多个柱中的每一者以第二高度从所述基底表面延伸，所述第二高度不同于所述第一高度。
4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的1.5倍。
5.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的2倍。
6.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的2.5倍。
7.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的3倍。
8.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述基座还包括第三多个柱，所述第三多个柱以与所述第一高度和所述第二高度不同的高度从所述基底表面延伸。
9.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述第一区域的表面积小于所述第二区域的表面积。
10.一种基座，其特征在于，所述基座包括：
主体，所述主体具有嵌入在所述主体中的加热器，所述主体包括：
图案化的表面，所述图案化的表面包括：
中心区域，所述中心区域具有第一多个柱，所述第一多个柱以第一高度从所述主体的基底表面延伸；以及
周边区域，所述周边区域围绕所述中心区域，所述周边区域具有第二多个柱，
所述第二多个柱以大于所述第一高度的第二高度从所述基底表面延伸。
11.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述基底表面的平均表面粗糙度大于所述柱中的每一者的上表面的平均表面粗糙度。
12.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述第一多个柱中的每一者定位在凸起表面上，并且所述第二多个柱中的每一者定位在凹陷表面上。
13.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的1.5倍。
14.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的2倍。
15.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的2.5倍。
16.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的3倍。
17.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述第二高度是所述第一高度的3.5倍。
18.根据权利要求10所述的基座，其特征在于，所述中心区域的表面积小于所述周边区域的表面积。
19.一种基座，其特征在于，所述基座包括：
主体，所述主体具有嵌入在所述主体中的加热器，其中所述主体包括：
图案化的表面，所述图案化的表面包括：
第一区域，所述第一区域具有从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱；以及
第二区域，所述第二区域围绕所述第一区域，所述第二区域具有从所述基底表面延伸的第二多个柱，其中所述图案化的表面包括一个或多个裸位置。
20.根据权利要求19所述的基座，其特征在于，所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者均包括直径，并且所述直径从所述图案化的表面的中心到所述图案化的表面的边缘增大。
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