JPH04133417A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH04133417A JPH04133417A JP2256155A JP25615590A JPH04133417A JP H04133417 A JPH04133417 A JP H04133417A JP 2256155 A JP2256155 A JP 2256155A JP 25615590 A JP25615590 A JP 25615590A JP H04133417 A JPH04133417 A JP H04133417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- supporting
- plate
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、熱処理装置に関する。
（従来の技術）
従来から、熱処理装置においては、半導体ウェハ等の被
処理基板を、耐熱性の高い石英等から構成されたウェハ
ボート等と称される熱処理装置用基板支持具に載置して
、成膜等の処理を実施している。
処理基板を、耐熱性の高い石英等から構成されたウェハ
ボート等と称される熱処理装置用基板支持具に載置して
、成膜等の処理を実施している。
このような熱処理装置用基板支持具においては、その形
状等を変更することにより、薄膜形成時の膜厚の面内均
一性を向上させる試がなされている。
状等を変更することにより、薄膜形成時の膜厚の面内均
一性を向上させる試がなされている。
例えばポリシリコン成膜時に同時にホスフィンＣＰＨ，
）を添加し、成膜終了時にリンがドープされるリン添加
ポリシリコン成膜を行う場合の膜厚の面内均一性を向上
させるものとして、被処理基板である半導体ウェハより
大径の石英製円板上に半導体ウェハを載置するよう構成
された熱処理装置用基板支持具が例えば特開昭５８−１
０８７３５号、特開昭８１−２０１８９５号公報等に開
示されている。
）を添加し、成膜終了時にリンがドープされるリン添加
ポリシリコン成膜を行う場合の膜厚の面内均一性を向上
させるものとして、被処理基板である半導体ウェハより
大径の石英製円板上に半導体ウェハを載置するよう構成
された熱処理装置用基板支持具が例えば特開昭５８−１
０８７３５号、特開昭８１−２０１８９５号公報等に開
示されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、近年半導体デバイスは高集積化される傾
向にあり、その回路パターンは益々微細化されつつある
。このため、さらに成膜における膜厚の面内均一性を向
上させることが望まれている。特にウェハの大径化にと
もないウェハ周辺部で膜厚の不均一化か生じ、対策が要
望されていた。
向にあり、その回路パターンは益々微細化されつつある
。このため、さらに成膜における膜厚の面内均一性を向
上させることが望まれている。特にウェハの大径化にと
もないウェハ周辺部で膜厚の不均一化か生じ、対策が要
望されていた。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて被処理基板の処理の市内均一性を向上さ
せることのできる熱処理装置を提供しようとするもので
ある。
、従来に較べて被処理基板の処理の市内均一性を向上さ
せることのできる熱処理装置を提供しようとするもので
ある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち、本発明は、基板面が互いにほぼ平行となるよ
うに、複数枚の被処理基板を支持する熱処理装置用基板
支持具を設け熱処理する熱処理装置において、前記被処
理基板より大径の環状板およびこの環状板の一側面に突
出する如く設けられた複数の基板支持片を有し、前記基
板支持片により前記被処理基板の周縁部を係止し、前記
環状板と間隔を設ける如く前記被処理基板を支持する複
数の支持板と、前記支持板の周囲を囲む如く間隔を設け
て複数本配列され、内側に向けて突出する如く設けられ
た支持板係止用突起により前記支持板の周縁部を支持す
る支柱とを具備したことを特徴とする。
うに、複数枚の被処理基板を支持する熱処理装置用基板
支持具を設け熱処理する熱処理装置において、前記被処
理基板より大径の環状板およびこの環状板の一側面に突
出する如く設けられた複数の基板支持片を有し、前記基
板支持片により前記被処理基板の周縁部を係止し、前記
環状板と間隔を設ける如く前記被処理基板を支持する複
数の支持板と、前記支持板の周囲を囲む如く間隔を設け
て複数本配列され、内側に向けて突出する如く設けられ
た支持板係止用突起により前記支持板の周縁部を支持す
る支柱とを具備したことを特徴とする。
（作 用）
、上記構成の本発明の熱処理装置では、成膜に対する支
柱の影響を軽減することができるとともに、支持板によ
って特にウェハ周辺部での処理ガス流を調節することが
でき、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向
上させることかできる。
柱の影響を軽減することができるとともに、支持板によ
って特にウェハ周辺部での処理ガス流を調節することが
でき、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向
上させることかできる。
例えば６インチ径の半導体ウェハに対して成膜を実施し
たところ、従来面内均一性２％程度であったが、本発明
では面内均一性１％程度とすることができた。
たところ、従来面内均一性２％程度であったが、本発明
では面内均一性１％程度とすることができた。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、熱処理装置用基板支持具１には、
耐熱性材料例えば石英等から構成された複数の支持板２
と、同じく石英等から構成され、これらの支持板２を支
持する複数例えば４本の支柱３とか設けられており、各
支持板２上に半導体ウェハ４を支持するよう構成されて
いる。
耐熱性材料例えば石英等から構成された複数の支持板２
と、同じく石英等から構成され、これらの支持板２を支
持する複数例えば４本の支柱３とか設けられており、各
支持板２上に半導体ウェハ４を支持するよう構成されて
いる。
上記支持板２は、第２図にも示すように、リング状に形
成された環状板１０の上面に、複数例えば４つのウェハ
支持片１１を突出する如く設けて構成されている。勿論
ウェハ支持片１１は、面を形成すれば良いので少なくと
も３つあればよい。
成された環状板１０の上面に、複数例えば４つのウェハ
支持片１１を突出する如く設けて構成されている。勿論
ウェハ支持片１１は、面を形成すれば良いので少なくと
も３つあればよい。
この環状板１０は、厚さ例えば３＋ａｍ、外径例えば１
７０＋ａ＋＊、内径例えば１６０關とされており、円形
状開孔１０ａの一部に半導体ウェハのオリエンテーショ
ンフラット部に対応する直線部１０ｂが設けられている
。なお、この直線部１０ｂは、環状板１０の中心との最
短距離が６５＋ｓ＋ｓとなるよう設定されている。
７０＋ａ＋＊、内径例えば１６０關とされており、円形
状開孔１０ａの一部に半導体ウェハのオリエンテーショ
ンフラット部に対応する直線部１０ｂが設けられている
。なお、この直線部１０ｂは、環状板１０の中心との最
短距離が６５＋ｓ＋ｓとなるよう設定されている。
また、上記ウェハ支持片１１は、環状板１０に固定され
た円柱状部材の１１ａと、この円柱状部材のｌｌａから
環状板１０の内側へ向けて突出する如く設けられた板状
部材１１ｂとから構成されており、この板状部材１１ｂ
によって半導体ウェハ４の下面周縁部を支持するよう構
成されている。
た円柱状部材の１１ａと、この円柱状部材のｌｌａから
環状板１０の内側へ向けて突出する如く設けられた板状
部材１１ｂとから構成されており、この板状部材１１ｂ
によって半導体ウェハ４の下面周縁部を支持するよう構
成されている。
この板状部材１１ｂの取付は高さ位置は、板状部材１１
ｂ上に載置された半導体ウェハ４の下面と、環状板１０
上面との間隔が、３〜１０ｗ程度、例えば５１１ＩＩＩ
となるよう設定されている。この間隙には半導体ウェハ
４を搬送する搬送用ロボットノ１ンドのフォーク部が挿
入される。環状板１０と半導体ウェハ４との間隔は反応
ガスの流速、反応ガス種、ウェハ径により適宜可変また
は交換可能にすると良い。
ｂ上に載置された半導体ウェハ４の下面と、環状板１０
上面との間隔が、３〜１０ｗ程度、例えば５１１ＩＩＩ
となるよう設定されている。この間隙には半導体ウェハ
４を搬送する搬送用ロボットノ１ンドのフォーク部が挿
入される。環状板１０と半導体ウェハ４との間隔は反応
ガスの流速、反応ガス種、ウェハ径により適宜可変また
は交換可能にすると良い。
なお、上記構成の支持板２は、直径１５０＋ａ＋ｇで中
心からオリフラ部までの最短距離が６８１１１１の半導
体ウェハ４に対応したものである。
心からオリフラ部までの最短距離が６８１１１１の半導
体ウェハ４に対応したものである。
また、支柱３は、第３図および第４図にも示すように直
径例えば１３１ＩＩｌの石英丸棒に研磨加工を施し、所
定間隔Ｅ例えば１４４ｍ１ （９／ｌｆｉインチ）毎に
厚さＤ例えば２．５■の支持板係止用突起３ａを形成す
る如く、最大径Ｂ例えば１３■、幅Ｃ例えば８■の断面
略長方形状に形成したものである。
径例えば１３１ＩＩｌの石英丸棒に研磨加工を施し、所
定間隔Ｅ例えば１４４ｍ１ （９／ｌｆｉインチ）毎に
厚さＤ例えば２．５■の支持板係止用突起３ａを形成す
る如く、最大径Ｂ例えば１３■、幅Ｃ例えば８■の断面
略長方形状に形成したものである。
なお、上記支柱３の幅Ｃをさらに狭くすれば膜厚の面内
均一性は良好となるか強度か不足する。
均一性は良好となるか強度か不足する。
一方上記幅Ｃを広げると膜厚の面内均一性は低下する。
このため幅Ｃは６〜１０）とすることが好ましい。なお
、支柱材料として炭化珪素（ＳｉＣ）を用いれば、幅Ｃ
を４ｍｍ程度とすることができる。
、支柱材料として炭化珪素（ＳｉＣ）を用いれば、幅Ｃ
を４ｍｍ程度とすることができる。
また、間隔Ｅをさらに広げると、膜厚の面内均一性を向
上させることかできるが、−度に多数の半導体ウェハ４
を処理できなくなり、生産性が低下する。また、狭くす
ると膜厚の面内均一性が低下してしまうので、９〜１５
■程度が好ましい。
上させることかできるが、−度に多数の半導体ウェハ４
を処理できなくなり、生産性が低下する。また、狭くす
ると膜厚の面内均一性が低下してしまうので、９〜１５
■程度が好ましい。
また、支持板係止用突起３ａの厚さＤは、十分な強度を
得ることのできる範囲で、できるだけ薄くし、２〜５■
程度とすることが好ましい。
得ることのできる範囲で、できるだけ薄くし、２〜５■
程度とすることが好ましい。
なお、第５図に示すように、本実施例では半導体ウェハ
４の周縁部と、環状板１０の内側縁部との間に幅例えば
５ＩＩＩＩＢの間隙２０が形成されるよう設定されてい
る。ただし、オリフラ部では、半導体ウェハ４と環状板
１０の直線部１０ｂが例えば３ＩＩＩ１１重なるように
設定されている。
４の周縁部と、環状板１０の内側縁部との間に幅例えば
５ＩＩＩＩＢの間隙２０が形成されるよう設定されてい
る。ただし、オリフラ部では、半導体ウェハ４と環状板
１０の直線部１０ｂが例えば３ＩＩＩ１１重なるように
設定されている。
第６図は上記熱処理装置用基板支持具１を縦型ＣＶＤ装
置にローディングした状態を示す。この図に示すように
、プロセスチューブ４０は、耐熱性材料例えば石英から
なり、このプロセスチューブ４０の下側にはマニホール
ド４１が設けられている。また、プロセスチューブ４０
の周囲には、少なくとも３ゾーン構成からなる円筒状の
抵抗加熱ヒータ４２か設けられており、上記プロセスチ
ューブ４０内を所望の温度例えば５００〜１０００℃の
範囲に適宜設定可能としている。また、上記マニホール
ド４１には、排気管４７およびガス導入管４８が接続さ
れており、プロセスチューブ４０内を所定の減圧雰囲気
に設定できるように構成されている。
置にローディングした状態を示す。この図に示すように
、プロセスチューブ４０は、耐熱性材料例えば石英から
なり、このプロセスチューブ４０の下側にはマニホール
ド４１が設けられている。また、プロセスチューブ４０
の周囲には、少なくとも３ゾーン構成からなる円筒状の
抵抗加熱ヒータ４２か設けられており、上記プロセスチ
ューブ４０内を所望の温度例えば５００〜１０００℃の
範囲に適宜設定可能としている。また、上記マニホール
ド４１には、排気管４７およびガス導入管４８が接続さ
れており、プロセスチューブ４０内を所定の減圧雰囲気
に設定できるように構成されている。
熱処理装置用基板支持具１は、載置台４４の上に設置さ
れており、この載置台４４は蓋体４６の上に載置されて
いる。これらは昇降機構４９によって上下動され、プロ
セスチューブ４０の所定の位置に搬入搬出できるように
構成されている。
れており、この載置台４４は蓋体４６の上に載置されて
いる。これらは昇降機構４９によって上下動され、プロ
セスチューブ４０の所定の位置に搬入搬出できるように
構成されている。
プロセスチューブ４０の下側には図示しないウェハ搬送
ロボットが設けられたウェハ移換え部が配設されており
、半導体ウェハ４を、ウェハカセットと熱処理装置用基
板支持具１との間で移載するよう構成されている。
ロボットが設けられたウェハ移換え部が配設されており
、半導体ウェハ４を、ウェハカセットと熱処理装置用基
板支持具１との間で移載するよう構成されている。
次に、熱処理例えばＣＶＤにより酸化膜を生成する場合
について以下説明を行う。
について以下説明を行う。
３ゾーンヒータ４２の各ゾーンに印加する電力を適宜制
御し、プロセスチューブ４０内で複数枚の半導体ウェハ
４が収納される部分の温度が中心部および下端部で８０
０℃上端部で８１Ｏ℃になるようにする。
御し、プロセスチューブ４０内で複数枚の半導体ウェハ
４が収納される部分の温度が中心部および下端部で８０
０℃上端部で８１Ｏ℃になるようにする。
ガス導入管４８から亜酸化窒素（Ｎ２０） １２００Ｓ
ＣＣＭ、モノシラン（Ｓ ｉ Ｈ４） ３０ＳＣＣＭを
プロセスチューブ４０に流し、図示しない排気ポンプと
コンダクタンスバルブを調整しプロセスチューブ４０内
の圧力を０．７ Ｔｏｒｒに設定し所定時開成膜を行う
。
ＣＣＭ、モノシラン（Ｓ ｉ Ｈ４） ３０ＳＣＣＭを
プロセスチューブ４０に流し、図示しない排気ポンプと
コンダクタンスバルブを調整しプロセスチューブ４０内
の圧力を０．７ Ｔｏｒｒに設定し所定時開成膜を行う
。
上記条件で成膜を行った半導体ウェハ４の面内膜厚均一
性を測定した結果を第７図のグラフに示す。なお、第７
図のグラフにおいて、縦軸は面内膜厚均一性、横軸は熱
処理装置用基板支持具１上の上側からの位置（何枚めか
）を示している。
性を測定した結果を第７図のグラフに示す。なお、第７
図のグラフにおいて、縦軸は面内膜厚均一性、横軸は熱
処理装置用基板支持具１上の上側からの位置（何枚めか
）を示している。
このグラフに示されるように、本実施例では、ダミーウ
ェハを含む５８枚の半導体ウェハ４のうち、５０枚の被
処理ウェハの成膜結果は面内膜厚均一性かほぼ±１％程
度と良好であった。
ェハを含む５８枚の半導体ウェハ４のうち、５０枚の被
処理ウェハの成膜結果は面内膜厚均一性かほぼ±１％程
度と良好であった。
なお、比較のため、第７図に支柱３として直径１３Ｉｎ
Ｉ１１の丸棒状の石英を用い、他の条件は上記実施例と
全く同一として成膜を行った場合を示す。この場合でも
支持板２を用いているため、面内膜厚均一性は２〜３％
と良好であるが、上記本実施例よりは悪くなる。
Ｉ１１の丸棒状の石英を用い、他の条件は上記実施例と
全く同一として成膜を行った場合を示す。この場合でも
支持板２を用いているため、面内膜厚均一性は２〜３％
と良好であるが、上記本実施例よりは悪くなる。
なお、このような面内膜厚均一性は、支柱３と半導体ウ
ェハ４との位置関係により変化し、支柱３の間隔が広い
オリフラ側は処理ガスの供給が多いため、支柱３の間隔
が狭い部分より膜厚が厚くなる傾向があることが本発明
者等の実験により確かめられた。
ェハ４との位置関係により変化し、支柱３の間隔が広い
オリフラ側は処理ガスの供給が多いため、支柱３の間隔
が狭い部分より膜厚が厚くなる傾向があることが本発明
者等の実験により確かめられた。
本実施例では、支柱３間隔の広い側に半導体ウェハ４の
オリフラ部を配置したので、環状板１０の直線部１０ｂ
の大きさにより面内膜厚均一性か大きく変わる。例えば
環状板１０に直線部１０ｂを設けずに開孔が完全な円形
の場合、オリフラ部における半導体ウェハ４と環状板１
０の内側縁部との間隔が１２ｍｍと広いこと、および支
柱３の間隔が広いことに起因して、オリフラ側への処理
ガスの供給が多くなり、膜厚がオリフラ側で厚くなり、
面内膜厚均一性は悪くなった。
オリフラ部を配置したので、環状板１０の直線部１０ｂ
の大きさにより面内膜厚均一性か大きく変わる。例えば
環状板１０に直線部１０ｂを設けずに開孔が完全な円形
の場合、オリフラ部における半導体ウェハ４と環状板１
０の内側縁部との間隔が１２ｍｍと広いこと、および支
柱３の間隔が広いことに起因して、オリフラ側への処理
ガスの供給が多くなり、膜厚がオリフラ側で厚くなり、
面内膜厚均一性は悪くなった。
一方、環状板１０に直線部１０ｂを設け、熱処理装置用
基板支持具４の全周で間隔が等しく ５ ＋ａｍである
場合、もしくはオリフラ部においてのみ環状板１０と半
導体ウェハ４との間隔が５ｍ＋１以下もしくはこれらが
重なるような構成の場合には、面内膜厚均一性は良好で
あった。
基板支持具４の全周で間隔が等しく ５ ＋ａｍである
場合、もしくはオリフラ部においてのみ環状板１０と半
導体ウェハ４との間隔が５ｍ＋１以下もしくはこれらが
重なるような構成の場合には、面内膜厚均一性は良好で
あった。
なお、支柱３と半導体ウェハ４のオリフラ部の位置関係
を変えて、半導体ウェハ４のオリフラ部を支柱３の間隔
の狭い側に配置し、環状板１０と半導体ウェハ４との間
隔が全周において５龍となるようにした場合、膜厚の厚
くなる傾向は支柱間隔の広い側であり、オリフラ部と反
対側になる。
を変えて、半導体ウェハ４のオリフラ部を支柱３の間隔
の狭い側に配置し、環状板１０と半導体ウェハ４との間
隔が全周において５龍となるようにした場合、膜厚の厚
くなる傾向は支柱間隔の広い側であり、オリフラ部と反
対側になる。
従ってこの場合には、直線部１０ａと反対側の部分が半
導体ウェハ４と重なるように環状板１０の形状を変えて
所望の面内均一性が得られるようにすれば良い。
導体ウェハ４と重なるように環状板１０の形状を変えて
所望の面内均一性が得られるようにすれば良い。
環状板］０の大きさは、半導体ウニ／％４の外径より直
径で１ＯＩＩＩ１１以上大きければウェハ面内膜厚均一
性は良好であった。但し、環状板１０の直径を必要以上
に大きくすると、プロセスチューブ４０をさらに大口径
にしなければならず、必然的に熱処理装置が大型化して
設置スペースの増大や装置のコストが上昇してしまうの
で、環状板１０の大きさは被処理体より１０〜５０＋＋
＋ｓ大きい範囲が望ましい。
径で１ＯＩＩＩ１１以上大きければウェハ面内膜厚均一
性は良好であった。但し、環状板１０の直径を必要以上
に大きくすると、プロセスチューブ４０をさらに大口径
にしなければならず、必然的に熱処理装置が大型化して
設置スペースの増大や装置のコストが上昇してしまうの
で、環状板１０の大きさは被処理体より１０〜５０＋＋
＋ｓ大きい範囲が望ましい。
また、環状板１０の表面を滑らかにすることがウェハ面
内膜厚均一性を良好にする際必要であり、環状板１０の
石英ガラス表面をスリガラス状の粗い状態としておくと
、上記実施例と同一条件でプロセスを行ってもウェハ面
内膜厚均一性は悪く、またプロセスの再現性も取れない
ことが確かめられた。
内膜厚均一性を良好にする際必要であり、環状板１０の
石英ガラス表面をスリガラス状の粗い状態としておくと
、上記実施例と同一条件でプロセスを行ってもウェハ面
内膜厚均一性は悪く、またプロセスの再現性も取れない
ことが確かめられた。
従って、環状板１０の石英の表面は１０μｍ以下の鏡面
研磨仕上げ、または表面を加熱して微少な凹凸を滑らか
にする、いわゆる焼汁上げを行うことか必要である。
研磨仕上げ、または表面を加熱して微少な凹凸を滑らか
にする、いわゆる焼汁上げを行うことか必要である。
本発明の他の実施例としては、第８図に示すように環状
板１０の外側にも半導体ウェハ４のオリフラ部に合わせ
て直線部１０ｃを設け、環状板１０の外形を半導体ウェ
ハ４と略相似形とするものがある。
板１０の外側にも半導体ウェハ４のオリフラ部に合わせ
て直線部１０ｃを設け、環状板１０の外形を半導体ウェ
ハ４と略相似形とするものがある。
上記実施例では半導体ウェハ４周辺の処理ガスの流れが
半導体ウェハ４に対して等しくなり、面内膜厚均一性を
さらに改善することができる。
半導体ウェハ４に対して等しくなり、面内膜厚均一性を
さらに改善することができる。
以上説明したように本実施例によれば、半導体ウェハ４
のオリフラ部に起因する問題のみならず、支柱３に起因
して面内膜厚均一性が悪くなることについても改善する
ことができ、従来に較べて大幅な面内膜厚均一性改善が
可能となった。
のオリフラ部に起因する問題のみならず、支柱３に起因
して面内膜厚均一性が悪くなることについても改善する
ことができ、従来に較べて大幅な面内膜厚均一性改善が
可能となった。
なお、本発明は上記実施例に限られるものてはなく、例
えばリン添加ポリシリコン膜、ボロン添加ガラス膜等を
生成するＣＶＤプロセス等に用いても顕著な効果がある
。また、気相成膜に限らず酸化膜の形成、拡散処理、エ
ツチング処理などガス流を扱う処理であれば何れでもよ
い。また、熱処理装置用基板支持具１の材質は石英に限
らず耐熱性材料例えばＳｉＣやＡＮ ２０３等のを用い
ても良い。
えばリン添加ポリシリコン膜、ボロン添加ガラス膜等を
生成するＣＶＤプロセス等に用いても顕著な効果がある
。また、気相成膜に限らず酸化膜の形成、拡散処理、エ
ツチング処理などガス流を扱う処理であれば何れでもよ
い。また、熱処理装置用基板支持具１の材質は石英に限
らず耐熱性材料例えばＳｉＣやＡＮ ２０３等のを用い
ても良い。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、被処理基板の処
理の面内均一性を向上させることができる。
理の面内均一性を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例の熱処理装置用基板支持具の
構成を示す図、第２図は第１図の支持板の構成を示す図
、第３図は第１図の要部構成を示す図、第４図は第１図
の支柱の構成を示す図、第５図は第１図の熱処理装置用
基板支持具の上面を示す図、第６図は縦型ＣＶＤ装置の
構成を示す図、第７図は実施例における面内膜厚均一性
を示すグラフ、第８図は他の実施例の熱処理装置用基板
支持具の要部構成を示す図である。 １・・・・・・熱処理装置用基板支持具、２・・・・・
・支持板、３・・・・・・支柱、３ａ・・・・・・支持
板係止用突起、４・・・・・半導体ウェハ、１０・・・
・環状板、１０ａ・・・・・・円形状開孔、１０ｂ・・
・・・直線部、１１・・・・・・ウェハ支持片、ｌｌａ
・・・・・・円柱状部材、ｌｌｂ・・・・・板状部材。
構成を示す図、第２図は第１図の支持板の構成を示す図
、第３図は第１図の要部構成を示す図、第４図は第１図
の支柱の構成を示す図、第５図は第１図の熱処理装置用
基板支持具の上面を示す図、第６図は縦型ＣＶＤ装置の
構成を示す図、第７図は実施例における面内膜厚均一性
を示すグラフ、第８図は他の実施例の熱処理装置用基板
支持具の要部構成を示す図である。 １・・・・・・熱処理装置用基板支持具、２・・・・・
・支持板、３・・・・・・支柱、３ａ・・・・・・支持
板係止用突起、４・・・・・半導体ウェハ、１０・・・
・環状板、１０ａ・・・・・・円形状開孔、１０ｂ・・
・・・直線部、１１・・・・・・ウェハ支持片、ｌｌａ
・・・・・・円柱状部材、ｌｌｂ・・・・・板状部材。
Claims (1)
- （１）基板面が互いにほぼ平行となるように、複数枚の
被処理基板を支持する熱処理装置用基板支持具を設け熱
処理する熱処理装置において、前記被処理基板より大径
の環状板およびこの環状板の一側面に突出する如く設け
られた複数の基板支持片を有し、前記基板支持片により
前記被処理基板の周縁部を係止し、前記環状板と間隔を
設ける如く前記被処理基板を支持する複数の支持板と、 前記支持板の周囲を囲む如く間隔を設けて複数本配列さ
れ、内側に向けて突出する如く設けられた支持板係止用
突起により前記支持板の周縁部を支持する支柱と を具備したことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256155A JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 熱処理装置 |
| DE69110814T DE69110814T2 (de) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Einrichtung zur thermischen Behandlung mit Waferhorde. |
| EP91116328A EP0477897B1 (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Heat treatment apparatus having a wafer boat |
| KR1019910016828A KR0147356B1 (ko) | 1990-09-26 | 1991-09-26 | 열처리 장치 |
| US08/051,443 US5310339A (en) | 1990-09-26 | 1993-04-23 | Heat treatment apparatus having a wafer boat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256155A JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133417A true JPH04133417A (ja) | 1992-05-07 |
| JP3058901B2 JP3058901B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=17288675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256155A Expired - Fee Related JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0477897B1 (ja) |
| JP (1) | JP3058901B2 (ja) |
| KR (1) | KR0147356B1 (ja) |
| DE (1) | DE69110814T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186227A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-15 | Cvd Inc | 半導体ウエファ支持用サセプタ |
| US5718574A (en) * | 1995-03-01 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| US6576064B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Support apparatus for semiconductor wafer processing |
| US7077913B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-07-18 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Apparatus for fabricating a semiconductor device |
| JP2009081259A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP2014033143A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置 |
| US8672602B2 (en) | 2008-09-05 | 2014-03-18 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus |
| US8940096B2 (en) | 2008-09-05 | 2015-01-27 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus and substrate supporter |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662542U (ja) * | 1993-01-29 | 1994-09-02 | 信越半導体株式会社 | ウエーハカセット |
| US5618351A (en) * | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
| US6799940B2 (en) | 2002-12-05 | 2004-10-05 | Tokyo Electron Limited | Removable semiconductor wafer susceptor |
| KR101596932B1 (ko) | 2015-12-30 | 2016-02-24 | 중앙대학교 산학협력단 | 기판 고정용 홀더 및 이를 포함하는 박막 제조 장치 |
| TWI735115B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-08-01 | 力成科技股份有限公司 | 晶圓儲存裝置及晶圓承載盤 |
| CN113327884B (zh) * | 2020-02-29 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4735220A (en) * | 1983-04-13 | 1988-04-05 | Chandler Don G | Turntable having superstructure for holding wafer baskets |
| US4770590A (en) * | 1986-05-16 | 1988-09-13 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for transferring wafers between cassettes and a boat |
| JPH0740544B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1995-05-01 | 東京応化工業株式会社 | 薄板状被処理体の連続処理装置 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP2256155A patent/JP3058901B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-25 DE DE69110814T patent/DE69110814T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-25 EP EP91116328A patent/EP0477897B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-26 KR KR1019910016828A patent/KR0147356B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5718574A (en) * | 1995-03-01 | 1998-02-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JPH09186227A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-15 | Cvd Inc | 半導体ウエファ支持用サセプタ |
| US6576064B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Support apparatus for semiconductor wafer processing |
| US7077913B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-07-18 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Apparatus for fabricating a semiconductor device |
| JP2009081259A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| US8672602B2 (en) | 2008-09-05 | 2014-03-18 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus |
| US8940096B2 (en) | 2008-09-05 | 2015-01-27 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus and substrate supporter |
| JP2014033143A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69110814D1 (de) | 1995-08-03 |
| EP0477897A2 (en) | 1992-04-01 |
| EP0477897A3 (en) | 1992-11-04 |
| JP3058901B2 (ja) | 2000-07-04 |
| KR0147356B1 (ko) | 1998-11-02 |
| DE69110814T2 (de) | 1995-11-23 |
| KR920007121A (ko) | 1992-04-28 |
| EP0477897B1 (en) | 1995-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102417931B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| JPH04133417A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH05166741A (ja) | 熱処理装置用基板支持具 | |
| WO2019046453A1 (en) | REMOVAL OF HIGH TEMPERATURE CONTAMINANTS FROM AN INTEGRATED EPITAXIS SYSTEM | |
| JP2998903B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US10959294B2 (en) | High temperature heater for processing chamber | |
| US11085129B2 (en) | Device to increase deposition uniformity in spatial ALD processing chamber | |
| JP2020096181A (ja) | サセプタ及び化学気相成長装置 | |
| JP2004529497A (ja) | 堆積または酸化リアクタを加熱するための加熱システムおよび方法 | |
| JPH046826A (ja) | 熱処理装置 | |
| US20220267926A1 (en) | Method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer, and device for carrying out the method | |
| JP3274602B2 (ja) | 半導体素子の製造方法及び基板処理装置 | |
| JP2986112B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0727870B2 (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JP3023977B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3565469B2 (ja) | 気相成長用のサセプタ | |
| JPS62214614A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2901546B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2963145B2 (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPH11102903A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JPS6058608A (ja) | 熱処理炉 | |
| JP3082559B2 (ja) | 成膜用基板保持具とそれを用いた気相成長装置 | |
| TW202326906A (zh) | 半導體基板處理設備 | |
| JPH0236058B2 (ja) | ||
| JP2001102313A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |