JP2009081259A - 熱処理方法及び熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 144
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 15
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】複数枚の被処理基板wを基板保持具11に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具11を熱処理炉3内に搬入して被処理基板wに所定の熱処理を施す熱処理方法において、2枚の被処理基板wを裏面同士が対向するように周縁部で支持環31を介して支持した複板ユニット32を構成し、該複板ユニット32を上記基板保持具11に複板ユニット32上の被処理基板wの間隔Paよりも広い間隔Pbで上下方向に複数保持することにより、上記被処理基板wの裏面同士の間隔Paを表面同士の間隔Pbよりも狭くしている。
【選択図】図3
Description
w 半導体ウエハ(被処理基板)
3 熱処理炉
6 蓋体
11 ボート(基板保持具)
31 支持環
31a 第1支持環
31b 第2支持環
31y 突片
t 第2支持環の突片の厚さ
32 複板ユニット
33 爪部
34 支持環
34y 突片
35 単板ユニット
36 爪部
37 ユニット支持部
Claims (10)
- 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理方法において、2枚の被処理基板を裏面同士が対向するように周縁部で支持環を介して支持した複板ユニットを構成し、該複板ユニットを上記基板保持具に複板ユニット上の被処理基板の間隔よりも広い間隔で上下方向に複数保持することにより、上記被処理基板の裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしたことを特徴とする熱処理方法。
- 上記支持環が、裏面を上面にした被処理基板を支持する第1支持環と、該第1支持環の上部に載置され、表面を上面にした被処理基板を支持する第2支持環とからなることを特徴とする請求項1記載の熱処理方法。
- 上記第1支持環及び第2支持環は、外周に適宜間隔で突設された突片を有し、第1支持環の突片上に第2支持環の突片が載置され、少なくとも第2支持環の突片の厚さは、第1支持環上の被処理基板に対して第2支持環上の被処理基板を所定の間隔で保持し得る厚さとされていることを特徴とする請求項2記載の熱処理方法。
- 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理方法において、上記基板保持具に裏面を上面にした被処理基板を上下方向に所定の間隔で保持し、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環で支持した単板ユニットを構成し、該単板ユニットを上記基板保持具上の被処理基板に対して単板ユニット上の被処理基板が裏面同士が対向するように支持環を介して基板保持具に保持することにより、上記被処理基板の裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしたことを特徴とする熱処理方法。
- 上記基板保持具には、被処理基板の周囲を取り囲むように配置された複数本の支柱を有し、該支柱に被処理基板を保持する爪部と、上記単板ユニットの支持環の外周に適宜間隔で突設された突片を介して単板ユニットを支持するユニット支持部とを有していることを特徴とする請求項3記載の熱処理方法。
- 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、2枚の被処理基板を裏面同士が対向するように周縁部で支持環を介して支持した複板ユニットを構成し、上記基板保持具は、複数本の支柱に上記複板ユニットを該複板ユニット上の被処理基板の間隔よりも広い間隔で上下方向に複数保持する爪部を有し、上記被処理基板の裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭くなっていることを特徴とする熱処理装置。
- 上記支持環が、裏面を上面にした被処理基板を支持する第1支持環と、該第1支持環の上部に載置され、表面を上面にした被処理基板を支持する第2支持環とからなることを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。
- 上記第1支持環及び第2支持環は、外周に適宜間隔で突設された突片を有し、第1支持環の突片上に第2支持環の突片が載置され、少なくとも第2支持環の突片の厚さは、第1支持環上の被処理基板に対して第2支持環上の被処理基板を所定の間隔で保持し得る厚さとされていることを特徴とする請求項7記載の熱処理装置。
- 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環で支持した単板ユニットを構成し、上記基板保持具は、複数本の支柱に、裏面を上面にした被処理基板を上下方向に所定の間隔で保持する爪部と、上記単板ユニットを上記爪部上の被処理基板に対して単板ユニット上の被処理基板が裏面同士対向するように支持環を介して支持するユニット支持部とを有し、上記被処理基板の裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭くなっていることを特徴とする熱処理装置。
- 上記単板ユニットの支持環が、外周に適宜間隔で突設された突片を有し、上記ユニット支持部が、上記突片を支持するように形成されていることを特徴とする請求項9記載の熱処理装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007249040A JP4971089B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US12/232,751 US7900579B2 (en) | 2007-09-26 | 2008-09-23 | Heat treatment method wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other |
TW097136637A TWI423379B (zh) | 2007-09-26 | 2008-09-24 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
CN2008101614255A CN101399173B (zh) | 2007-09-26 | 2008-09-25 | 热处理方法以及热处理装置 |
KR1020080094070A KR101133390B1 (ko) | 2007-09-26 | 2008-09-25 | 열처리 방법 및 열처리 장치 |
US12/987,406 US8230806B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-01-10 | Heat treatment method and heat treatment apparatus wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other |
US13/533,206 US8741064B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-06-26 | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
US14/250,131 US9064916B2 (en) | 2007-09-26 | 2014-04-10 | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007249040A JP4971089B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011245549A Division JP5358651B2 (ja) | 2011-11-09 | 2011-11-09 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009081259A true JP2009081259A (ja) | 2009-04-16 |
JP4971089B2 JP4971089B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=40655801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007249040A Active JP4971089B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4971089B2 (ja) |
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US10770324B2 (en) | 2014-11-26 | 2020-09-08 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Substrate holding device, substrate transport device, processing arrangement and method for processing a substrate |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4971089B2 (ja) | 2012-07-11 |
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