JP2002170823A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハへの異物の付着を防止し、かつ、ウエ
ハを冷却する。 【解決手段】 マルチチャンバ型ＣＶＤ装置において、
高温のウエハ１をＣＶＤチャンバから冷却チャンバへ搬
送ロボットのウエハ用アーム５５で搬送する際に、ウエ
ハ１の上に冷却兼保護板６０を被せた状態で搬送する。
冷却兼保護板６０はウエハ１の上面の周辺部に当接する
当接リング６１と、当接リング６１の上に短尺円筒形状
に形成された支持リング６２と、支持リング６２の上に
円板形状に形成された被覆板６３と、複数枚の放熱フィ
ン６４と、放熱フィン６４群の両脇に形成された一対の
把手６５、６５とを備えており、両把手６５、６５へ冷
却兼保護板用アーム５６を下側から挿入されて保持され
るように構成されている。 【効果】 搬送中にウエハを冷却兼保護板で被覆して表
面への異物付着を防止し、ウエハの熱を冷却兼保護板で
吸収してウエハを冷却する。
ハを冷却する。 【解決手段】 マルチチャンバ型ＣＶＤ装置において、
高温のウエハ１をＣＶＤチャンバから冷却チャンバへ搬
送ロボットのウエハ用アーム５５で搬送する際に、ウエ
ハ１の上に冷却兼保護板６０を被せた状態で搬送する。
冷却兼保護板６０はウエハ１の上面の周辺部に当接する
当接リング６１と、当接リング６１の上に短尺円筒形状
に形成された支持リング６２と、支持リング６２の上に
円板形状に形成された被覆板６３と、複数枚の放熱フィ
ン６４と、放熱フィン６４群の両脇に形成された一対の
把手６５、６５とを備えており、両把手６５、６５へ冷
却兼保護板用アーム５６を下側から挿入されて保持され
るように構成されている。 【効果】 搬送中にウエハを冷却兼保護板で被覆して表
面への異物付着を防止し、ウエハの熱を冷却兼保護板で
吸収してウエハを冷却する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置お
よび半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバ
ー部材、特に、基板の搬送技術に関し、例えば、半導体
装置の製造方法において、シリコンウエハ（以下、ウエ
ハという。）に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）や窒化シリコ
ン（ＳｉＮｘ）および金属等を成膜するマルチチャンバ
型ＣＶＤ装置に利用して有効な技術に関する。
よび半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバ
ー部材、特に、基板の搬送技術に関し、例えば、半導体
装置の製造方法において、シリコンウエハ（以下、ウエ
ハという。）に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）や窒化シリコ
ン（ＳｉＮｘ）および金属等を成膜するマルチチャンバ
型ＣＶＤ装置に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造方法において、ウエハ
に酸化シリコンや窒化シリコンおよび金属等を成膜する
のに、次のようなマルチチャンバ型ＣＶＤ装置が使用さ
れることがある。すなわち、このマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置は、ウエハに酸化シリコンや窒化シリコンおよび
金属等を成膜するための二基のＣＶＤチャンバと、ウエ
ハを冷却するための二基の冷却チャンバと、複数枚のウ
エハを保持したカセットを収容するための二基のカセッ
トチャンバとを備えており、これらのチャンバがウエハ
を搬送して各チャンバに搬入搬出するための搬送ロボッ
トが設置された搬送チャンバの周りに配置されて構成さ
れている。
に酸化シリコンや窒化シリコンおよび金属等を成膜する
のに、次のようなマルチチャンバ型ＣＶＤ装置が使用さ
れることがある。すなわち、このマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置は、ウエハに酸化シリコンや窒化シリコンおよび
金属等を成膜するための二基のＣＶＤチャンバと、ウエ
ハを冷却するための二基の冷却チャンバと、複数枚のウ
エハを保持したカセットを収容するための二基のカセッ
トチャンバとを備えており、これらのチャンバがウエハ
を搬送して各チャンバに搬入搬出するための搬送ロボッ
トが設置された搬送チャンバの周りに配置されて構成さ
れている。
【０００３】ちなみに、このようなマルチチャンバ型Ｃ
ＶＤ装置においては、洗浄チャンバを連設することによ
って、ウエハをＣＶＤチャンバに搬入する前に予め洗浄
することが検討されている。
ＶＤ装置においては、洗浄チャンバを連設することによ
って、ウエハをＣＶＤチャンバに搬入する前に予め洗浄
することが検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たマルチチャンバ型ＣＶＤ装置においては、ＣＶＤチャ
ンバから冷却チャンバに搬送する間はウエハが高温にな
っているため、浮遊する異物（不純物）がウエハの表面
に付着して反応したり、急激な温度変化によるウエハの
変形（反り）が発生したりする。また、洗浄チャンバで
洗浄したウエハをＣＶＤチャンバで連続して処理するよ
うに構成したマルチチャンバ型ＣＶＤ装置においても、
ウエハ洗浄後のウエハの表面が露出した状態になってい
るため、浮遊する異物がウエハの表面に付着する可能性
が残る。
たマルチチャンバ型ＣＶＤ装置においては、ＣＶＤチャ
ンバから冷却チャンバに搬送する間はウエハが高温にな
っているため、浮遊する異物（不純物）がウエハの表面
に付着して反応したり、急激な温度変化によるウエハの
変形（反り）が発生したりする。また、洗浄チャンバで
洗浄したウエハをＣＶＤチャンバで連続して処理するよ
うに構成したマルチチャンバ型ＣＶＤ装置においても、
ウエハ洗浄後のウエハの表面が露出した状態になってい
るため、浮遊する異物がウエハの表面に付着する可能性
が残る。
【０００５】本発明の第一の目的は、処理室間の相互汚
染を防止することである。本発明の第二の目的は基板を
迅速に冷却することである。本発明の第三の目的は、基
板搬送中の基板への異物の付着を防止することである。
染を防止することである。本発明の第二の目的は基板を
迅速に冷却することである。本発明の第三の目的は、基
板搬送中の基板への異物の付着を防止することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ための手段は、基板がその表面がカバー部材によって被
覆された状態で搬送されることを特徴とする。
ための手段は、基板がその表面がカバー部材によって被
覆された状態で搬送されることを特徴とする。
【０００７】前記した手段によれば、搬送中に基板の表
面をカバー部材によって被覆することにより、基板の表
面に異物が付着するのを防止することができるととも
に、処理室間が相互に汚染されるのを防止することがで
きる。また、基板をカバー部材によって冷却することが
できるため、基板の反りを防止することができるととも
に、万一、付着した異物による反応の進行を阻止するこ
とができる。
面をカバー部材によって被覆することにより、基板の表
面に異物が付着するのを防止することができるととも
に、処理室間が相互に汚染されるのを防止することがで
きる。また、基板をカバー部材によって冷却することが
できるため、基板の反りを防止することができるととも
に、万一、付着した異物による反応の進行を阻止するこ
とができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
面に即して説明する。
【０００９】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、半導体装置の製造方法において、ウエハ
に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜を成膜した
り、ウエハに五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）やルテニウ
ム（Ｒｕ）等の金属膜を成膜するマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置として構成されている。
体製造装置は、半導体装置の製造方法において、ウエハ
に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜を成膜した
り、ウエハに五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）やルテニウ
ム（Ｒｕ）等の金属膜を成膜するマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置として構成されている。
【００１０】図１に示されているように、本実施の形態
に係るマルチチャンバ型ＣＶＤ装置１０は五角形の筒形
状に形成された搬送チャンバ１１を備えており、その各
辺には第一カセットチャンバ１２、第二カセットチャン
バ１３、第一ＣＶＤチャンバ１４、第二ＣＶＤチャンバ
１５、第一冷却チャンバ１６および第二冷却チャンバ１
７がそれぞれ配置されている。搬送チャンバ１１の内部
にはウエハ１を各チャンバ１２〜１７に対して搬入搬出
するための搬送装置としての搬送ロボット１８が設備さ
れている。第二カセットチャンバ１３と第二冷却チャン
バ１７との間には後記する冷却兼保護板６０を仮置きす
るための仮置きチャンバ１９が配置されている。
に係るマルチチャンバ型ＣＶＤ装置１０は五角形の筒形
状に形成された搬送チャンバ１１を備えており、その各
辺には第一カセットチャンバ１２、第二カセットチャン
バ１３、第一ＣＶＤチャンバ１４、第二ＣＶＤチャンバ
１５、第一冷却チャンバ１６および第二冷却チャンバ１
７がそれぞれ配置されている。搬送チャンバ１１の内部
にはウエハ１を各チャンバ１２〜１７に対して搬入搬出
するための搬送装置としての搬送ロボット１８が設備さ
れている。第二カセットチャンバ１３と第二冷却チャン
バ１７との間には後記する冷却兼保護板６０を仮置きす
るための仮置きチャンバ１９が配置されている。
【００１１】本実施の形態において、第一ＣＶＤチャン
バ１４および第二ＣＶＤチャンバ１５にはいずれも、図
２に示されたコールドウォール型枚葉式減圧ＣＶＤ装置
（以下、ＣＶＤ装置という。）２０が設置されている。
バ１４および第二ＣＶＤチャンバ１５にはいずれも、図
２に示されたコールドウォール型枚葉式減圧ＣＶＤ装置
（以下、ＣＶＤ装置という。）２０が設置されている。
【００１２】図２に示されているように、ＣＶＤ装置２
０は上下面が閉塞した円筒形状のプロセスチューブ２１
を備えており、プロセスチューブ２１の内部室は処理室
２２を実質的に形成している。プロセスチューブ２１の
一側壁の中間高さ位置には、ゲートバルブ２４によって
開閉されるウエハ搬入搬出口２３が水平方向に横長に開
設されており、搬入搬出口２３は搬送チャンバ１１と処
理室２２とを連通させるようになっている。プロセスチ
ューブ２１の搬入搬出口２３の向かい側には排気口２５
が処理室２２に連通するように開設されており、排気口
２５は排気路２６を介して真空ポンプ等によって構成さ
れた排気装置（図示せず）によって排気されるようにな
っている。
０は上下面が閉塞した円筒形状のプロセスチューブ２１
を備えており、プロセスチューブ２１の内部室は処理室
２２を実質的に形成している。プロセスチューブ２１の
一側壁の中間高さ位置には、ゲートバルブ２４によって
開閉されるウエハ搬入搬出口２３が水平方向に横長に開
設されており、搬入搬出口２３は搬送チャンバ１１と処
理室２２とを連通させるようになっている。プロセスチ
ューブ２１の搬入搬出口２３の向かい側には排気口２５
が処理室２２に連通するように開設されており、排気口
２５は排気路２６を介して真空ポンプ等によって構成さ
れた排気装置（図示せず）によって排気されるようにな
っている。
【００１３】プロセスチューブ２１の底壁の上には円筒
形状に形成されたホルダ２７が同心円に設置されてお
り、ホルダ２７の上端には一枚のウエハ１を同心円に載
置して保持するサセプタ２８が支持されている。ホルダ
２７の内部にはヒータ２９が支柱３０によって支持され
て設置されており、ヒータ２９はサセプタ２８に保持さ
れたウエハ１を加熱するようになっている。また、ホル
ダ２７の底壁には持ち上げピン３１が三本（図２では二
本だけが示されている。）、周方向に等間隔に配置され
て上下方向に摺動自在に支持されており、これら持ち上
げピン３１はサセプタ２８を貫通してウエハ１をサセプ
タ２８から水平に持ち上げるようになっている。
形状に形成されたホルダ２７が同心円に設置されてお
り、ホルダ２７の上端には一枚のウエハ１を同心円に載
置して保持するサセプタ２８が支持されている。ホルダ
２７の内部にはヒータ２９が支柱３０によって支持され
て設置されており、ヒータ２９はサセプタ２８に保持さ
れたウエハ１を加熱するようになっている。また、ホル
ダ２７の底壁には持ち上げピン３１が三本（図２では二
本だけが示されている。）、周方向に等間隔に配置され
て上下方向に摺動自在に支持されており、これら持ち上
げピン３１はサセプタ２８を貫通してウエハ１をサセプ
タ２８から水平に持ち上げるようになっている。
【００１４】処理室２２の上端部には原料ガスやパージ
ガス等を処理室２２に供給するためのガス供給ヘッド３
２が設置されている。ガス供給ヘッド３２には多数個の
吹出口３４が開設された吹出板３３が横断的に取り付け
られている。ガス供給ヘッド３２の中空部によってガス
供給路３５が形成されており、ガス供給路３５にはガス
供給管３６が原料ガスやパージガス等を供給するように
接続されている。つまり、ガス供給管３６に供給された
ガスはガス供給路３５において全体に拡散し、吹出板３
３の各吹出口３４からサセプタ２８上のウエハ１の全面
にシャワーのように吹き出すようになっている。
ガス等を処理室２２に供給するためのガス供給ヘッド３
２が設置されている。ガス供給ヘッド３２には多数個の
吹出口３４が開設された吹出板３３が横断的に取り付け
られている。ガス供給ヘッド３２の中空部によってガス
供給路３５が形成されており、ガス供給路３５にはガス
供給管３６が原料ガスやパージガス等を供給するように
接続されている。つまり、ガス供給管３６に供給された
ガスはガス供給路３５において全体に拡散し、吹出板３
３の各吹出口３４からサセプタ２８上のウエハ１の全面
にシャワーのように吹き出すようになっている。
【００１５】本実施の形態において、第一冷却チャンバ
１６および第二冷却チャンバ１７はいずれも、図３に示
された冷却装置４０によって構成されている。すなわ
ち、図３に示されているように、冷却装置４０は上下面
が閉塞した円筒形状のプロセスチューブ４１を備えてお
り、プロセスチューブ４１の内部室は処理室４２を実質
的に形成している。プロセスチューブ４１の一側壁の中
間高さ位置には、ゲートバルブ４４によって開閉される
ウエハ搬入搬出口４３が水平方向に横長に開設されてお
り、搬入搬出口４３は搬送チャンバ１１と処理室４２と
を連通させるようになっている。プロセスチューブ４１
の搬入搬出口４３の向かい側には排気口４５が処理室４
２に連通するように開設されており、排気口４５は排気
路４６を介して真空ポンプ等によって構成された排気装
置（図示せず）によって排気されるようになっている。
１６および第二冷却チャンバ１７はいずれも、図３に示
された冷却装置４０によって構成されている。すなわ
ち、図３に示されているように、冷却装置４０は上下面
が閉塞した円筒形状のプロセスチューブ４１を備えてお
り、プロセスチューブ４１の内部室は処理室４２を実質
的に形成している。プロセスチューブ４１の一側壁の中
間高さ位置には、ゲートバルブ４４によって開閉される
ウエハ搬入搬出口４３が水平方向に横長に開設されてお
り、搬入搬出口４３は搬送チャンバ１１と処理室４２と
を連通させるようになっている。プロセスチューブ４１
の搬入搬出口４３の向かい側には排気口４５が処理室４
２に連通するように開設されており、排気口４５は排気
路４６を介して真空ポンプ等によって構成された排気装
置（図示せず）によって排気されるようになっている。
【００１６】プロセスチューブ４１の底壁の上には円筒
形状に形成されたホルダ４７が同心円に設置されてお
り、ホルダ４７の上端には一枚のウエハ１を同心円に載
置して保持するサセプタ４８が支持されている。ホルダ
４７の底壁には持ち上げピン４９が三本（図３では二本
だけが示されている。）、周方向に等間隔に配置されて
上下方向に摺動自在に支持されており、これら持ち上げ
ピン４９はサセプタ４８を貫通してウエハ１をサセプタ
４８から水平に持ち上げるようになっている。プロセス
チューブ４１の天井壁には窒素（Ｎ2 ）ガス等の冷却ガ
スを供給するための冷却ガス供給管５０が接続されてい
る。
形状に形成されたホルダ４７が同心円に設置されてお
り、ホルダ４７の上端には一枚のウエハ１を同心円に載
置して保持するサセプタ４８が支持されている。ホルダ
４７の底壁には持ち上げピン４９が三本（図３では二本
だけが示されている。）、周方向に等間隔に配置されて
上下方向に摺動自在に支持されており、これら持ち上げ
ピン４９はサセプタ４８を貫通してウエハ１をサセプタ
４８から水平に持ち上げるようになっている。プロセス
チューブ４１の天井壁には窒素（Ｎ2 ）ガス等の冷却ガ
スを供給するための冷却ガス供給管５０が接続されてい
る。
【００１７】なお、仮置きチャンバ１９には冷却装置４
０が設置されている。但し、窒素ガスは仮置きされた後
記する冷却兼保護板６０の汚染を防止するガスとして使
用される。
０が設置されている。但し、窒素ガスは仮置きされた後
記する冷却兼保護板６０の汚染を防止するガスとして使
用される。
【００１８】本実施の形態において、搬送ロボット１８
は図４に示されているように構成されている。すなわ
ち、搬送ロボット１８は昇降装置（図示せず）によって
昇降され、かつ、ロータリーアクチュエータ（図示せ
ず）によって回転される支軸５１を備えており、支軸５
１は搬送チャンバ１１の底壁を貫通して内部に挿入され
ている。支軸５１の挿入端部には第一リニアアクチュエ
ータ５２が水平に支持されており、第一リニアアクチュ
エータ５２の上には第二リニアアクチュエータ５３が搭
載されている。第一リニアアクチュエータ５２は第二リ
ニアアクチュエータ５３を水平移動させるように構成さ
れている。第二リニアアクチュエータ５３の上には移動
台５４が搭載されており、移動台５４は第二リニアアク
チュエータ５３によって水平移動されるようになってい
る。移動台５４にはウエハ１を保持するウエハ用アーム
５５と、後記する冷却兼保護板６０を保持する冷却兼保
護板用アーム５６とがそれぞれ上下に配置されて水平に
取り付けられており、両アーム５５、５６はいずれも二
股のフォーク形状に形成されている。
は図４に示されているように構成されている。すなわ
ち、搬送ロボット１８は昇降装置（図示せず）によって
昇降され、かつ、ロータリーアクチュエータ（図示せ
ず）によって回転される支軸５１を備えており、支軸５
１は搬送チャンバ１１の底壁を貫通して内部に挿入され
ている。支軸５１の挿入端部には第一リニアアクチュエ
ータ５２が水平に支持されており、第一リニアアクチュ
エータ５２の上には第二リニアアクチュエータ５３が搭
載されている。第一リニアアクチュエータ５２は第二リ
ニアアクチュエータ５３を水平移動させるように構成さ
れている。第二リニアアクチュエータ５３の上には移動
台５４が搭載されており、移動台５４は第二リニアアク
チュエータ５３によって水平移動されるようになってい
る。移動台５４にはウエハ１を保持するウエハ用アーム
５５と、後記する冷却兼保護板６０を保持する冷却兼保
護板用アーム５６とがそれぞれ上下に配置されて水平に
取り付けられており、両アーム５５、５６はいずれも二
股のフォーク形状に形成されている。
【００１９】本実施の形態に係るマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置１０は基板であるウエハの表面を被覆するカバー
部材としての図５に示された冷却兼保護板６０を備えて
おり、冷却兼保護板６０は予め複数枚が用意されてい
る。冷却兼保護板６０は全体が石英または炭化シリコン
（ＳｉＣ）等のウエハ１に悪影響を及ぼすことのない耐
熱性の材料が使用されて形成されており、充分な熱容量
を確保するように構成されている。図５に示されている
ように、冷却兼保護板６０は外径がウエハ１の外径と等
しく内径がウエハ１のアクティブ・エリアの外径よりも
若干大径の円形リング形状に形成された当接リング６１
を備えている。すなわち、当接リング６１のウエハ１と
の接触幅は３ｍｍ以内に設定されている。当接リング６
１の上には内径が当接リング６１の内径以上の短尺円筒
形状に形成された支持リング６２が同心円に立設されて
いる。支持リング６２の上には外径が支持リング６２の
外径と等しい円板形状に形成された被覆板６３が被着さ
れており、被覆板６３の上面には矩形の板形状に形成さ
れた複数枚の放熱フィン６４が互いに平行に並べられて
突設されている。放熱フィン６４群の両脇にはアングル
形状に形成された一対の把手６５、６５が放熱フィン６
４と平行に突設されており、両把手６５、６５は冷却兼
保護板用アーム５６を下側から挿入されて保持されるよ
うに構成されている。
Ｄ装置１０は基板であるウエハの表面を被覆するカバー
部材としての図５に示された冷却兼保護板６０を備えて
おり、冷却兼保護板６０は予め複数枚が用意されてい
る。冷却兼保護板６０は全体が石英または炭化シリコン
（ＳｉＣ）等のウエハ１に悪影響を及ぼすことのない耐
熱性の材料が使用されて形成されており、充分な熱容量
を確保するように構成されている。図５に示されている
ように、冷却兼保護板６０は外径がウエハ１の外径と等
しく内径がウエハ１のアクティブ・エリアの外径よりも
若干大径の円形リング形状に形成された当接リング６１
を備えている。すなわち、当接リング６１のウエハ１と
の接触幅は３ｍｍ以内に設定されている。当接リング６
１の上には内径が当接リング６１の内径以上の短尺円筒
形状に形成された支持リング６２が同心円に立設されて
いる。支持リング６２の上には外径が支持リング６２の
外径と等しい円板形状に形成された被覆板６３が被着さ
れており、被覆板６３の上面には矩形の板形状に形成さ
れた複数枚の放熱フィン６４が互いに平行に並べられて
突設されている。放熱フィン６４群の両脇にはアングル
形状に形成された一対の把手６５、６５が放熱フィン６
４と平行に突設されており、両把手６５、６５は冷却兼
保護板用アーム５６を下側から挿入されて保持されるよ
うに構成されている。
【００２０】以下、前記構成に係るＣＶＤ装置の作用を
説明することにより、本発明の一実施の形態である半導
体装置の製造方法の成膜工程を説明する。
説明することにより、本発明の一実施の形態である半導
体装置の製造方法の成膜工程を説明する。
【００２１】例えば、五酸化タンタルを成膜されるウエ
ハ１は二十五枚がキャリア治具としてのカセット（図示
せず）に収納された状態で、第一カセットチャンバ１２
に供給される。第一カセットチャンバ１２のカセットに
収納されたウエハ１は搬送ロボット１８によってピック
アップされて搬出され、第一ＣＶＤチャンバ１４に搬送
される。すなわち、カセットに保持された二十五枚のウ
エハのうち一枚のウエハ１が搬送ロボット１８のウエハ
用アーム５５によってピックアップされて、第一ＣＶＤ
チャンバ１４に搬送される。
ハ１は二十五枚がキャリア治具としてのカセット（図示
せず）に収納された状態で、第一カセットチャンバ１２
に供給される。第一カセットチャンバ１２のカセットに
収納されたウエハ１は搬送ロボット１８によってピック
アップされて搬出され、第一ＣＶＤチャンバ１４に搬送
される。すなわち、カセットに保持された二十五枚のウ
エハのうち一枚のウエハ１が搬送ロボット１８のウエハ
用アーム５５によってピックアップされて、第一ＣＶＤ
チャンバ１４に搬送される。
【００２２】搬送ロボット１８によって第一ＣＶＤチャ
ンバ１４に搬送されたウエハ１は、ＣＶＤ装置２０の処
理室２２にウエハ搬入搬出口２３から搬入されて、ウエ
ハ用アーム５５から三本の持ち上げピン３１に受け渡さ
れる。ウエハ１を受け取った三本の持ち上げピン３１が
下降すると、図２に示されているように、ウエハ１はサ
セプタ２８によって水平に保持される。
ンバ１４に搬送されたウエハ１は、ＣＶＤ装置２０の処
理室２２にウエハ搬入搬出口２３から搬入されて、ウエ
ハ用アーム５５から三本の持ち上げピン３１に受け渡さ
れる。ウエハ１を受け取った三本の持ち上げピン３１が
下降すると、図２に示されているように、ウエハ１はサ
セプタ２８によって水平に保持される。
【００２３】一方、ＣＶＤ装置２０においては、処理室
２２が所定の真空度（例えば、５０〜５００Ｐａ）に排
気路２６に接続された排気装置（図示せず）によって排
気される。また、サセプタ２８に保持されたウエハ１が
ヒータ２９によって所定の温度（例えば、約１２００
℃）に全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱
される。
２２が所定の真空度（例えば、５０〜５００Ｐａ）に排
気路２６に接続された排気装置（図示せず）によって排
気される。また、サセプタ２８に保持されたウエハ１が
ヒータ２９によって所定の温度（例えば、約１２００
℃）に全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱
される。
【００２４】例えば、Ｔａ2 Ｏ5 膜を形成するための原
料ガスとして、ペンタエトキシタンタル〔Ｔａ（ＯＣ2
Ｈ5 ）5 〕と酸素（Ｏ2 ）との混合ガスが処理室２２の
内部にガス供給管３６によって供給される。処理室２２
に流入した原料ガスはサセプタ２８に保持されたウエハ
１に接触しながら処理室２２を流れて、排気口２５から
排気される。ウエハ１に接触した原料ガスは熱エネルギ
ーによって化学反応が進んだ状態になっているため、原
料成分によるＣＶＤ反応によってＴａ2 Ｏ5 膜がウエハ
１に堆積（デポジション）される。
料ガスとして、ペンタエトキシタンタル〔Ｔａ（ＯＣ2
Ｈ5 ）5 〕と酸素（Ｏ2 ）との混合ガスが処理室２２の
内部にガス供給管３６によって供給される。処理室２２
に流入した原料ガスはサセプタ２８に保持されたウエハ
１に接触しながら処理室２２を流れて、排気口２５から
排気される。ウエハ１に接触した原料ガスは熱エネルギ
ーによって化学反応が進んだ状態になっているため、原
料成分によるＣＶＤ反応によってＴａ2 Ｏ5 膜がウエハ
１に堆積（デポジション）される。
【００２５】所定の時間が経過すると、ガス供給管３６
の原料ガスの供給が停止され、ゲートバルブ２４が開放
される。サセプタ２８上の成膜されたウエハ１には冷却
兼保護板６０が搬送ロボット１８の冷却兼保護板用アー
ム５６によって処理室２２に搬入されて載置されて被せ
られる。すなわち、搬送ロボット１８は冷却兼保護板用
アーム５６を仮置きチャンバ１９に仮置きされた冷却兼
保護板６０の一対の把手６５、６５の下側に図６に示さ
れているように挿入させて、搬送ロボット１８の支軸５
１の作動によって冷却兼保護板６０をピックアップす
る。続いて、搬送ロボット１８は冷却兼保護板用アーム
５６によってピックアップした冷却兼保護板６０を第一
ＣＶＤチャンバ１４まで搬送し、第一ＣＶＤチャンバ１
４のＣＶＤ装置２０の処理室２２に搬入する。図２に想
像線で示されているように、搬送ロボット１８は冷却兼
保護板６０をウエハ１の上に載置し、その後、後退する
ことにより、冷却兼保護板用アーム５６を両把手６５、
６５の下側から引き抜く。このようにして冷却兼保護板
６０が被せられた状態で、ウエハ１は処理室２２におい
て約１５０℃／秒の降温速度で約４００℃まで降温され
る。
の原料ガスの供給が停止され、ゲートバルブ２４が開放
される。サセプタ２８上の成膜されたウエハ１には冷却
兼保護板６０が搬送ロボット１８の冷却兼保護板用アー
ム５６によって処理室２２に搬入されて載置されて被せ
られる。すなわち、搬送ロボット１８は冷却兼保護板用
アーム５６を仮置きチャンバ１９に仮置きされた冷却兼
保護板６０の一対の把手６５、６５の下側に図６に示さ
れているように挿入させて、搬送ロボット１８の支軸５
１の作動によって冷却兼保護板６０をピックアップす
る。続いて、搬送ロボット１８は冷却兼保護板用アーム
５６によってピックアップした冷却兼保護板６０を第一
ＣＶＤチャンバ１４まで搬送し、第一ＣＶＤチャンバ１
４のＣＶＤ装置２０の処理室２２に搬入する。図２に想
像線で示されているように、搬送ロボット１８は冷却兼
保護板６０をウエハ１の上に載置し、その後、後退する
ことにより、冷却兼保護板用アーム５６を両把手６５、
６５の下側から引き抜く。このようにして冷却兼保護板
６０が被せられた状態で、ウエハ１は処理室２２におい
て約１５０℃／秒の降温速度で約４００℃まで降温され
る。
【００２６】冷却兼保護板６０がウエハ１の上に被せら
れて約４００℃まで降温されると、持ち上げピン３１が
上昇されて、冷却兼保護板６０が被せられた状態のまま
ウエハ１がサセプタ２８の上から持ち上げられる。ウエ
ハ１が持ち上げられると、例えば、図４（ｂ）に示され
ているように、搬送ロボット１８の移動台５４が第二リ
ニアアクチュエータ５３によって前進されることによ
り、ウエハ用アーム５５がウエハ１の下方に挿入され、
続いて、支軸５１の上昇作動によって冷却兼保護板６０
が被せられたウエハ１を図６（ｂ）に示されているよう
に受け取る。
れて約４００℃まで降温されると、持ち上げピン３１が
上昇されて、冷却兼保護板６０が被せられた状態のまま
ウエハ１がサセプタ２８の上から持ち上げられる。ウエ
ハ１が持ち上げられると、例えば、図４（ｂ）に示され
ているように、搬送ロボット１８の移動台５４が第二リ
ニアアクチュエータ５３によって前進されることによ
り、ウエハ用アーム５５がウエハ１の下方に挿入され、
続いて、支軸５１の上昇作動によって冷却兼保護板６０
が被せられたウエハ１を図６（ｂ）に示されているよう
に受け取る。
【００２７】ウエハ用アーム５５がウエハ１を受け取る
と、例えば、図４（ａ）に示されているように、搬送ロ
ボット１８の移動台５４が第二リニアアクチュエータ５
３によって後退されることにより、ウエハ１をＣＶＤ装
置２０の処理室２２から搬出する。続いて、搬送ロボッ
ト１８はＣＶＤ装置２０から搬出したウエハ１を第一Ｃ
ＶＤチャンバ１４から第一冷却チャンバ１６に搬送し
て、第一冷却チャンバ１６の冷却装置４０の処理室４２
に搬入する。図３に想像線で示されているように、搬送
ロボット１８は冷却兼保護板６０が被せられたウエハ１
をサセプタ４８の上に載置し、その後、後退することに
よって、ウエハ用アーム５５を両把手６５、６５の下側
から引き抜く。ウエハ用アーム５５を両把手６５、６５
から引き抜いた搬送ロボット１８は第一カセットチャン
バ１２に移動し、次のウエハ１を第一ＣＶＤチャンバ１
４に搬送する。
と、例えば、図４（ａ）に示されているように、搬送ロ
ボット１８の移動台５４が第二リニアアクチュエータ５
３によって後退されることにより、ウエハ１をＣＶＤ装
置２０の処理室２２から搬出する。続いて、搬送ロボッ
ト１８はＣＶＤ装置２０から搬出したウエハ１を第一Ｃ
ＶＤチャンバ１４から第一冷却チャンバ１６に搬送し
て、第一冷却チャンバ１６の冷却装置４０の処理室４２
に搬入する。図３に想像線で示されているように、搬送
ロボット１８は冷却兼保護板６０が被せられたウエハ１
をサセプタ４８の上に載置し、その後、後退することに
よって、ウエハ用アーム５５を両把手６５、６５の下側
から引き抜く。ウエハ用アーム５５を両把手６５、６５
から引き抜いた搬送ロボット１８は第一カセットチャン
バ１２に移動し、次のウエハ１を第一ＣＶＤチャンバ１
４に搬送する。
【００２８】一方、第一冷却チャンバ１６においては、
ウエハ１をサセプタ４８が保持すると、ゲートバルブ４
４が閉じられ、ガス供給管５０から冷却ガスとしての窒
素ガスが処理室４２に供給され、ウエハ１は処理室４２
内の高純度の窒素ガスによって熱交換されることによ
り、常温（約２５℃）まで冷却される。
ウエハ１をサセプタ４８が保持すると、ゲートバルブ４
４が閉じられ、ガス供給管５０から冷却ガスとしての窒
素ガスが処理室４２に供給され、ウエハ１は処理室４２
内の高純度の窒素ガスによって熱交換されることによ
り、常温（約２５℃）まで冷却される。
【００２９】所定の時間が経過すると、ガス供給管５０
からの窒素ガスの供給が停止され、ゲートバルブ４４が
開放される。サセプタ２８の上で冷却されたウエハ１は
被せられた冷却兼保護板６０を搬送ロボット１８の冷却
兼保護板用アーム５６によってピックアップされて取り
除かれる。すなわち、搬送ロボット１８は冷却兼保護板
用アーム５６を冷却兼保護板６０の一対の把手６５、６
５の下側に図６（ａ）に示されているように挿入させ
て、搬送ロボット１８の支軸５１の作動によって冷却兼
保護板６０をピックアップする。続いて、搬送ロボット
１８は冷却兼保護板用アーム５６によってウエハ１の上
からピックアップした冷却兼保護板６０を仮置きチャン
バ１９まで搬送し、仮置きチャンバ１９のサセプタ（図
示せず）に仮置きする。
からの窒素ガスの供給が停止され、ゲートバルブ４４が
開放される。サセプタ２８の上で冷却されたウエハ１は
被せられた冷却兼保護板６０を搬送ロボット１８の冷却
兼保護板用アーム５６によってピックアップされて取り
除かれる。すなわち、搬送ロボット１８は冷却兼保護板
用アーム５６を冷却兼保護板６０の一対の把手６５、６
５の下側に図６（ａ）に示されているように挿入させ
て、搬送ロボット１８の支軸５１の作動によって冷却兼
保護板６０をピックアップする。続いて、搬送ロボット
１８は冷却兼保護板用アーム５６によってウエハ１の上
からピックアップした冷却兼保護板６０を仮置きチャン
バ１９まで搬送し、仮置きチャンバ１９のサセプタ（図
示せず）に仮置きする。
【００３０】冷却兼保護板６０を取り除かれたウエハ１
は冷却装置４０の処理室４２から搬送ロボット１８のウ
エハ用アーム５５によってピックアップされて、処理室
４２から搬出され、そのままの状態で、第一冷却チャン
バ１６から第一カセットチャンバ１２に搬送ロボット１
８の作動によって搬送される。
は冷却装置４０の処理室４２から搬送ロボット１８のウ
エハ用アーム５５によってピックアップされて、処理室
４２から搬出され、そのままの状態で、第一冷却チャン
バ１６から第一カセットチャンバ１２に搬送ロボット１
８の作動によって搬送される。
【００３１】そして、第一カセットチャンバ１２に搬送
されたウエハ１は、第一カセットチャンバ１２の元のカ
セットにおける元のスロットにウエハ用アーム５５から
受け渡される。以降、前述した作動が繰り返される。
されたウエハ１は、第一カセットチャンバ１２の元のカ
セットにおける元のスロットにウエハ用アーム５５から
受け渡される。以降、前述した作動が繰り返される。
【００３２】他方、例えば、ルテニウムを成膜されるウ
エハ１は二十五枚がカセットに収納された状態で、第二
カセットチャンバ１３に供給される。第二カセットチャ
ンバ１３のカセットに収納されたウエハ１は、第二ＣＶ
Ｄチャンバ１５、第二冷却チャンバ１７が使用されて、
前述した五酸化タンタルを成膜されるウエハ１に対する
作用と同様の作用によってルテニウムを成膜され冷却さ
れる。その際も、ウエハ１は冷却兼保護板６０が上に被
せられた状態で搬送ロボット１８によって搬送されるこ
とになる。
エハ１は二十五枚がカセットに収納された状態で、第二
カセットチャンバ１３に供給される。第二カセットチャ
ンバ１３のカセットに収納されたウエハ１は、第二ＣＶ
Ｄチャンバ１５、第二冷却チャンバ１７が使用されて、
前述した五酸化タンタルを成膜されるウエハ１に対する
作用と同様の作用によってルテニウムを成膜され冷却さ
れる。その際も、ウエハ１は冷却兼保護板６０が上に被
せられた状態で搬送ロボット１８によって搬送されるこ
とになる。
【００３３】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
れる。
【００３４】1) ウエハを冷却兼保護板が上に被せられ
た状態で搬送ロボットによって搬送することにより、搬
送中にウエハの表面を冷却兼保護板によって被覆するこ
とができるため、ウエハの表面に異物が付着するのを防
止することができる。
た状態で搬送ロボットによって搬送することにより、搬
送中にウエハの表面を冷却兼保護板によって被覆するこ
とができるため、ウエハの表面に異物が付着するのを防
止することができる。
【００３５】2) 冷却兼保護板をウエハの上に被せるこ
とにより、ウエハの熱を冷却兼保護板によって吸収する
ことができるため、ウエハを冷却することができる。ま
た、冷却兼保護板をウエハの上に被せてウエハを搬送す
ることにより、ウエハの熱を冷却兼保護板によって吸収
することができるため、ウエハを搬送中に冷却すること
ができる。
とにより、ウエハの熱を冷却兼保護板によって吸収する
ことができるため、ウエハを冷却することができる。ま
た、冷却兼保護板をウエハの上に被せてウエハを搬送す
ることにより、ウエハの熱を冷却兼保護板によって吸収
することができるため、ウエハを搬送中に冷却すること
ができる。
【００３６】3) 前記2)により、搬送前や搬送中にウエ
ハを徐々に予備冷却することができるため、ウエハの急
激な冷却による反りの発生を防止することができるとと
もに、冷却チャンバにおける冷却時間を短縮することが
できる。
ハを徐々に予備冷却することができるため、ウエハの急
激な冷却による反りの発生を防止することができるとと
もに、冷却チャンバにおける冷却時間を短縮することが
できる。
【００３７】4) 搬送前や搬送中にウエハを冷却するこ
とにより、万一、ウエハの表面に異物が付着した場合で
あっても、成膜後のウエハにおける付着した異物による
反応の進行を防止することができる。
とにより、万一、ウエハの表面に異物が付着した場合で
あっても、成膜後のウエハにおける付着した異物による
反応の進行を防止することができる。
【００３８】5) 基板の表面を被覆するカバー部材とし
ての冷却兼保護板に放熱フィンを設けることにより、冷
却兼保護板の放熱性能を高めることができるため、ウエ
ハを搬送中に冷却兼保護板によってより一層冷却するこ
とができる。
ての冷却兼保護板に放熱フィンを設けることにより、冷
却兼保護板の放熱性能を高めることができるため、ウエ
ハを搬送中に冷却兼保護板によってより一層冷却するこ
とができる。
【００３９】6) 前記1)〜5)により、ＣＶＤ装置の性能
および信頼性を高めることができ、ひいては、ＣＶＤ装
置を使用した半導体装置の製造方法の製造歩留りを高め
ることができるばかりでなく、製造された半導体装置の
品質および信頼性を高めることができる。
および信頼性を高めることができ、ひいては、ＣＶＤ装
置を使用した半導体装置の製造方法の製造歩留りを高め
ることができるばかりでなく、製造された半導体装置の
品質および信頼性を高めることができる。
【００４０】図７は本発明の他の実施の形態であるマル
チチャンバ型ＣＶＤ装置を示す概略平面図である。
チチャンバ型ＣＶＤ装置を示す概略平面図である。
【００４１】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、洗浄チャンバ７０が付設されている点である。すな
わち、図７に示されているように、搬送チャンバ１１の
第二カセットチャンバ１３と第二冷却チャンバ１７との
間には、冷却兼保護板６０の仮置きチャンバを兼用する
ロードロックチャンバ７１および搬送チャンバ７２を介
して洗浄チャンバ７０が連結されている。搬送チャンバ
７２にはロードロックチャンバ７１と洗浄チャンバ７０
との間でウエハ１を搬送する搬送ロボット７３が設置さ
れており、洗浄チャンバ７０にはガスを使用してウエハ
１を洗浄する気相式洗浄装置７４が設置されている。ち
なみに、ガスを使用してウエハを洗浄する気相式洗浄装
置７４としては、枚葉式ＨＦベーパ洗浄装置やアルゴン
エアゾル洗浄装置およびドライ洗浄装置がある。なお、
洗浄チャンバ７０に設置する洗浄装置は気相式の洗浄装
置に限らず、液相式の洗浄装置であってもよい。
は、洗浄チャンバ７０が付設されている点である。すな
わち、図７に示されているように、搬送チャンバ１１の
第二カセットチャンバ１３と第二冷却チャンバ１７との
間には、冷却兼保護板６０の仮置きチャンバを兼用する
ロードロックチャンバ７１および搬送チャンバ７２を介
して洗浄チャンバ７０が連結されている。搬送チャンバ
７２にはロードロックチャンバ７１と洗浄チャンバ７０
との間でウエハ１を搬送する搬送ロボット７３が設置さ
れており、洗浄チャンバ７０にはガスを使用してウエハ
１を洗浄する気相式洗浄装置７４が設置されている。ち
なみに、ガスを使用してウエハを洗浄する気相式洗浄装
置７４としては、枚葉式ＨＦベーパ洗浄装置やアルゴン
エアゾル洗浄装置およびドライ洗浄装置がある。なお、
洗浄チャンバ７０に設置する洗浄装置は気相式の洗浄装
置に限らず、液相式の洗浄装置であってもよい。
【００４２】本実施の形態においては、ウエハ１は洗浄
チャンバ７０において前洗浄された後に第一ＣＶＤチャ
ンバ１４または第二ＣＶＤチャンバ１５に搬送される
が、その搬送に際しても、冷却兼保護板６０がウエハ１
の上に被せられる。この際、洗浄後のウエハ１は洗浄チ
ャンバ７０のロードロックチャンバ７１に仮置きされた
状態になるため、ロードロックチャンバ７１は仮置きチ
ャンバ１９を実質的に兼用することになる。
チャンバ７０において前洗浄された後に第一ＣＶＤチャ
ンバ１４または第二ＣＶＤチャンバ１５に搬送される
が、その搬送に際しても、冷却兼保護板６０がウエハ１
の上に被せられる。この際、洗浄後のウエハ１は洗浄チ
ャンバ７０のロードロックチャンバ７１に仮置きされた
状態になるため、ロードロックチャンバ７１は仮置きチ
ャンバ１９を実質的に兼用することになる。
【００４３】このように洗浄チャンバ７０から第一ＣＶ
Ｄチャンバ１４または第二ＣＶＤチャンバ１５への搬送
に際して、冷却兼保護板６０がウエハ１の上に被せられ
ることにより、洗浄後のウエハ１の表面に異物が付着す
るのを防止することができるため、第一ＣＶＤチャンバ
１４および第二ＣＶＤチャンバ１５における成膜の品質
および信頼性を高めることができる。
Ｄチャンバ１４または第二ＣＶＤチャンバ１５への搬送
に際して、冷却兼保護板６０がウエハ１の上に被せられ
ることにより、洗浄後のウエハ１の表面に異物が付着す
るのを防止することができるため、第一ＣＶＤチャンバ
１４および第二ＣＶＤチャンバ１５における成膜の品質
および信頼性を高めることができる。
【００４４】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】例えば、冷却兼保護板の放熱フィンは、放
熱性能に対応して省略することができる。また、冷却兼
保護板の熱容量は要求される冷却性能等に対応して設定
することが望ましい。さらに、基板の表面を被覆するカ
バー部材としての冷却兼保護板は図６に示されているよ
うに構成するに限らず、例えば、図８（ａ）〜（ｄ）に
それぞれ示されているように構成してもよい。
熱性能に対応して省略することができる。また、冷却兼
保護板の熱容量は要求される冷却性能等に対応して設定
することが望ましい。さらに、基板の表面を被覆するカ
バー部材としての冷却兼保護板は図６に示されているよ
うに構成するに限らず、例えば、図８（ａ）〜（ｄ）に
それぞれ示されているように構成してもよい。
【００４６】図８（ａ）に示されているように、冷却兼
保護板６０は縦断面形状がＬ字形のリング形状に形成さ
れた保持部材６６によって保持してもよい。すなわち、
本実施の形態においては、ウエハ１は保持部材６６のＬ
字形の横部片の上に載せられた状態で、保持部材６６の
上に保持された冷却兼保護板６０によって表面を被覆さ
れることになる。これにより、冷却兼保護板６０がウエ
ハに直接接触することなく保持部材６６に保持されるの
で、ウエハへの汚染や擦れによる傷や塵埃の付着を防止
することができる。
保護板６０は縦断面形状がＬ字形のリング形状に形成さ
れた保持部材６６によって保持してもよい。すなわち、
本実施の形態においては、ウエハ１は保持部材６６のＬ
字形の横部片の上に載せられた状態で、保持部材６６の
上に保持された冷却兼保護板６０によって表面を被覆さ
れることになる。これにより、冷却兼保護板６０がウエ
ハに直接接触することなく保持部材６６に保持されるの
で、ウエハへの汚染や擦れによる傷や塵埃の付着を防止
することができる。
【００４７】図８（ｂ）に示された実施の形態に係る冷
却兼保護板６０Ａにおいては、ウエハ１の位置ずれを防
止するための位置決め凸部６７が当接リング６１の外周
に、ウエハ１の外周に外側から係合するように下向きに
突設されている。
却兼保護板６０Ａにおいては、ウエハ１の位置ずれを防
止するための位置決め凸部６７が当接リング６１の外周
に、ウエハ１の外周に外側から係合するように下向きに
突設されている。
【００４８】図８（ｃ）に示された実施の形態に係る冷
却兼保護板６０Ｂにおいては、冷却兼保護板を保持する
ための保持用孔６８が把手６５の代わりに支持リング６
２および被覆板６３に複数個ずつ開設されている。この
冷却兼保護板６０Ｂを搬送する際には、冷却兼保護板用
アーム５６の先端部または先端に形成されたフック部が
保持用孔６８に係合されることになる。なお、保持用孔
６８は支持リング６２および被覆板６３の双方に配置す
るに限らず、必要に応じていずれか一方に配置してもよ
い。また、把手６５を残しておき、冷却兼保護板用アー
ム５６が把手６５を保持する場合であっても、支持リン
グ６２または被覆板６３に複数個の保持用孔６８を設け
ておいてもよい。この場合には、保持用孔６８が空気流
通孔となるので、ウエハ１と冷却兼保護板６０との着脱
が容易になる。
却兼保護板６０Ｂにおいては、冷却兼保護板を保持する
ための保持用孔６８が把手６５の代わりに支持リング６
２および被覆板６３に複数個ずつ開設されている。この
冷却兼保護板６０Ｂを搬送する際には、冷却兼保護板用
アーム５６の先端部または先端に形成されたフック部が
保持用孔６８に係合されることになる。なお、保持用孔
６８は支持リング６２および被覆板６３の双方に配置す
るに限らず、必要に応じていずれか一方に配置してもよ
い。また、把手６５を残しておき、冷却兼保護板用アー
ム５６が把手６５を保持する場合であっても、支持リン
グ６２または被覆板６３に複数個の保持用孔６８を設け
ておいてもよい。この場合には、保持用孔６８が空気流
通孔となるので、ウエハ１と冷却兼保護板６０との着脱
が容易になる。
【００４９】図８（ｄ）に示された実施の形態において
は、冷却兼保護板６０の搬送するに際して位置決め凹部
６９を有するウエハ用アーム５５Ａが使用される。すな
わち、ウエハ用アーム５５Ａの先端部の上面にはウエハ
１および冷却兼保護板６０と略同径の円形穴形状に形成
された位置決め凹部６９が没設されており、この位置決
め凹部６９に冷却兼保護板６０が被せられた状態のウエ
ハ１が同心円に収容されて搬送されることになる。これ
により、冷却兼保護板６０とウエハとの擦れを防止する
ことができる。
は、冷却兼保護板６０の搬送するに際して位置決め凹部
６９を有するウエハ用アーム５５Ａが使用される。すな
わち、ウエハ用アーム５５Ａの先端部の上面にはウエハ
１および冷却兼保護板６０と略同径の円形穴形状に形成
された位置決め凹部６９が没設されており、この位置決
め凹部６９に冷却兼保護板６０が被せられた状態のウエ
ハ１が同心円に収容されて搬送されることになる。これ
により、冷却兼保護板６０とウエハとの擦れを防止する
ことができる。
【００５０】冷却チャンバの設置数はＣＶＤチャンバ等
の処理チャンバの設置数に対応して増減することができ
る。
の処理チャンバの設置数に対応して増減することができ
る。
【００５１】また、冷却チャンバの構成は前記実施の形
態の構造を採用するに限らず、冷却性能等の要求に対応
して適宜に選定することが望ましい。
態の構造を採用するに限らず、冷却性能等の要求に対応
して適宜に選定することが望ましい。
【００５２】前記実施の形態においてはマルチチャンバ
型ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、枚葉式ＣＶＤ装置等の半導体製造装
置全般に適用することができる。
型ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、枚葉式ＣＶＤ装置等の半導体製造装
置全般に適用することができる。
【００５３】前記実施の形態においては、半導体装置の
製造方法の前工程に使用される場合について説明した
が、ＬＣＤの製造方法に使用される場合にも適用するこ
とができる。
製造方法の前工程に使用される場合について説明した
が、ＬＣＤの製造方法に使用される場合にも適用するこ
とができる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
搬送中の基板への異物の付着を防止することができると
ともに、基板の変形を防止することができる。
搬送中の基板への異物の付着を防止することができると
ともに、基板の変形を防止することができる。
【図１】本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ型
ＣＶＤ装置を示す概略平面図である。
ＣＶＤ装置を示す概略平面図である。
【図２】ＣＶＤ装置を示す正面断面図である。
【図３】冷却装置を示す正面断面図である。
【図４】搬送ロボットを示しており、（ａ）は一部省略
正面図、（ｂ）は一部が前進した状態を示す平面図であ
る。
正面図、（ｂ）は一部が前進した状態を示す平面図であ
る。
【図５】冷却兼保護板を示しており、（ａ）は平面図、
（ｂ）は一部切断正面図、（ｃ）は側面図である。
（ｂ）は一部切断正面図、（ｃ）は側面図である。
【図６】搬送作用を示す各一部切断正面図であり、
（ａ）はウエハ用アームの作用を、（ｂ）は冷却兼保護
板用アームの作用をそれぞれ示している。
（ａ）はウエハ用アームの作用を、（ｂ）は冷却兼保護
板用アームの作用をそれぞれ示している。
【図７】本発明の他の実施の形態であるマルチチャンバ
型ＣＶＤ装置を示す概略平面図である。
型ＣＶＤ装置を示す概略平面図である。
【図８】カバー部材の複数の実施の形態をそれぞれ示す
各一部切断正面断面図である。
各一部切断正面断面図である。
１…ウエハ（基板）、１０…マルチチャンバ型ＣＶＤ装
置（半導体製造装置）、１１…搬送チャンバ、１２…第
一カセットチャンバ、１３…第二カセットチャンバ、１
４…第一ＣＶＤチャンバ、１５…第二ＣＶＤチャンバ、
１６…第一冷却チャンバ、１７…第二冷却チャンバ、１
８…搬送ロボット（搬送装置）、１９…仮置きチャン
バ、２０…ＣＶＤ装置（コールドウォール型枚葉式ＣＶ
Ｄ装置）、２１…プロセスチューブ、２２…処理室、２
３…ウエハ搬入搬出口、２４…ゲートバルブ、２５…排
気口、２６…排気路、２７…ホルダ、２８…サセプタ、
２９…ヒータ、３０…支柱、３１…持ち上げピン、３２
…ガス供給ヘッド、３３…吹出板、３４…吹出口、３５
…ガス供給路、３６…ガス供給管、４０…冷却装置、４
１…プロセスチューブ、４２…処理室、４３…ウエハ搬
入搬出口、４４…ゲートバルブ、４５…排気口、４６…
排気路、４７…ホルダ、４８…サセプタ、４９…持ち上
げピン、５０…冷却ガス供給管、５１…支軸、５２…第
一リニアアクチュエータ、５３…第二リニアアクチュエ
ータ、５４…移動台、５５…ウエハ用アーム、５５Ａ…
位置決め凹部を有するウエハ用アーム、５６…冷却兼保
護板用アーム、６０、６０Ａ、６０Ｂ…冷却兼保護板
（カバー部材）、６１…当接リング、６２…支持リン
グ、６３…被覆板、６４…放熱フィン、６５…把手、６
６…保持部材、６７…位置決め凸部、６８…保持用孔、
６９…位置決め凹部、７０…洗浄チャンバ、７１…ロー
ドロックチャンバ、７２…搬送チャンバ、７３…搬送ロ
ボット、７４…気相式洗浄装置。
置（半導体製造装置）、１１…搬送チャンバ、１２…第
一カセットチャンバ、１３…第二カセットチャンバ、１
４…第一ＣＶＤチャンバ、１５…第二ＣＶＤチャンバ、
１６…第一冷却チャンバ、１７…第二冷却チャンバ、１
８…搬送ロボット（搬送装置）、１９…仮置きチャン
バ、２０…ＣＶＤ装置（コールドウォール型枚葉式ＣＶ
Ｄ装置）、２１…プロセスチューブ、２２…処理室、２
３…ウエハ搬入搬出口、２４…ゲートバルブ、２５…排
気口、２６…排気路、２７…ホルダ、２８…サセプタ、
２９…ヒータ、３０…支柱、３１…持ち上げピン、３２
…ガス供給ヘッド、３３…吹出板、３４…吹出口、３５
…ガス供給路、３６…ガス供給管、４０…冷却装置、４
１…プロセスチューブ、４２…処理室、４３…ウエハ搬
入搬出口、４４…ゲートバルブ、４５…排気口、４６…
排気路、４７…ホルダ、４８…サセプタ、４９…持ち上
げピン、５０…冷却ガス供給管、５１…支軸、５２…第
一リニアアクチュエータ、５３…第二リニアアクチュエ
ータ、５４…移動台、５５…ウエハ用アーム、５５Ａ…
位置決め凹部を有するウエハ用アーム、５６…冷却兼保
護板用アーム、６０、６０Ａ、６０Ｂ…冷却兼保護板
（カバー部材）、６１…当接リング、６２…支持リン
グ、６３…被覆板、６４…放熱フィン、６５…把手、６
６…保持部材、６７…位置決め凸部、６８…保持用孔、
６９…位置決め凹部、７０…洗浄チャンバ、７１…ロー
ドロックチャンバ、７２…搬送チャンバ、７３…搬送ロ
ボット、７４…気相式洗浄装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA05 FA07 FA11 FA12 FA15 GA03 GA05 GA37 GA38 GA42 GA47 GA49 HA33 HA37 KA03 MA04 MA23 MA28 NA04 NA18 PA11 5F045 AA06 AB31 AC07 AC11 BB11 BB14 DQ17 EB09 EF05 EJ02 EJ09 EK07 EM10 EN05 HA25
Claims (8)
- 【請求項１】 基板がその表面がカバー部材によって被
覆された状態で搬送されることを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項２】 洗浄後の前記基板がその表面が前記カバ
ー部材によって被覆された状態で、気密に維持された雰
囲気内を次の処理室まで搬送されることを特徴とする請
求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 互いに気密に接続された複数の処理室を
備えており、前記基板が一つの処理室から他の処理室に
移される際に、前記基板がその表面が前記カバー部材に
よって被覆された状態で搬送されることを特徴とする請
求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 基板がその表面がカバー部材によって被
覆された状態で冷却されることを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項５】 基板の表面を被覆するカバー部材が処理
室に挿入されて、処理後の基板の表面が被覆されること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 基板がその基板をその一部に係合して位
置決め保持する保持部材によって保持された状態で、か
つ、前記保持部材の上に前記基板の表面を被覆するカバ
ー部材が載せられた状態で、処理室に対して搬入搬出さ
れることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 基板を処理室内にて処理する処理工程
と、基板を搬送する搬送工程とを含む半導体装置の製造
方法において、前記搬送工程は前記基板がその表面がカ
バー部材によって被覆された状態で装置内を搬送される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 基板の表面を被覆する被覆板を有し、こ
の被覆板の外側に放熱フィンを有することを特徴とする
カバー部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001139888A JP2002170823A (ja) | 2000-09-19 | 2001-05-10 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材 |
| KR1020010057659A KR20020022591A (ko) | 2000-09-19 | 2001-09-18 | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조방법 그리고그것에 사용되는 커버부재 |
| US09/954,187 US20020034595A1 (en) | 2000-09-19 | 2001-09-18 | Substrate processing equipment and method and covering member for use therein |
| TW090123050A TW536741B (en) | 2000-09-19 | 2001-09-19 | Substrate processing equipment and method and covering member for use therein |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-283254 | 2000-09-19 | ||
| JP2000283254 | 2000-09-19 | ||
| JP2001139888A JP2002170823A (ja) | 2000-09-19 | 2001-05-10 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002170823A true JP2002170823A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=26600206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
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| TW (1) | TW536741B (ja) |
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| JP2019506744A (ja) * | 2016-01-21 | 2019-03-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高生産性ソークアニールシステム |
| CN110651361A (zh) * | 2018-04-26 | 2020-01-03 | 应用材料公司 | 真空处理系统以及操作真空处理系统的方法 |
| WO2022086826A1 (en) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Cover wafer for semiconductor processing chamber |
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|---|---|---|---|---|
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| JP5423205B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JP4703749B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2011-06-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP5445044B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JP5257328B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP5310512B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP5553588B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US8524052B1 (en) | 2010-04-02 | 2013-09-03 | WD Media, LLC | Cooling shower plate for disk manufacture |
Family Cites Families (7)
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| NL8900544A (nl) * | 1989-03-06 | 1990-10-01 | Asm Europ | Behandelingsstelsel, behandelingsvat en werkwijze voor het behandelen van een substraat. |
| US5223112A (en) * | 1991-04-30 | 1993-06-29 | Applied Materials, Inc. | Removable shutter apparatus for a semiconductor process chamber |
| JPH0590214A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 同軸型プラズマ処理装置 |
| JP3190165B2 (ja) * | 1993-04-13 | 2001-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP3386651B2 (ja) * | 1996-04-03 | 2003-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| US5968279A (en) * | 1997-06-13 | 1999-10-19 | Mattson Technology, Inc. | Method of cleaning wafer substrates |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001139888A patent/JP2002170823A/ja active Pending
- 2001-09-18 KR KR1020010057659A patent/KR20020022591A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-09-18 US US09/954,187 patent/US20020034595A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-19 TW TW090123050A patent/TW536741B/zh active
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| CN110651361A (zh) * | 2018-04-26 | 2020-01-03 | 应用材料公司 | 真空处理系统以及操作真空处理系统的方法 |
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| WO2022086826A1 (en) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Cover wafer for semiconductor processing chamber |
| US11682544B2 (en) | 2020-10-21 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Cover wafer for semiconductor processing chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| TW536741B (en) | 2003-06-11 |
| KR20020022591A (ko) | 2002-03-27 |
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