JP2001250780A - 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法 - Google Patents
半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置におけるダミーウェーハの効率
の良い運用を実現する。 【解決手段】複数枚数の被処理ウェーハ６を同時に処理
する反応処理室３Ａ、３Ｂと、反応処理室３Ａ、３Ｂに
被処理ウェーハ６を搬送ロボット５により搬送する搬送
室２と、搬送室２に被処理ウェーハ６を受け渡すロード
ロック室１Ａ、１Ｂとを有する半導体製造装置におい
て、ロードロック室１Ａ、１Ｂ内に、被処理ウェーハ６
の組と、ダミーウェーハ１０の組とを隣接して収納し、
ダミーウェーハ１０に隣接する下側の被処理ウェーハ６
から処理を始め、被処理ウェーハ６に抜けがあるとき、
最初に処理する組でダミーウェーハ１０を使用する。
の良い運用を実現する。 【解決手段】複数枚数の被処理ウェーハ６を同時に処理
する反応処理室３Ａ、３Ｂと、反応処理室３Ａ、３Ｂに
被処理ウェーハ６を搬送ロボット５により搬送する搬送
室２と、搬送室２に被処理ウェーハ６を受け渡すロード
ロック室１Ａ、１Ｂとを有する半導体製造装置におい
て、ロードロック室１Ａ、１Ｂ内に、被処理ウェーハ６
の組と、ダミーウェーハ１０の組とを隣接して収納し、
ダミーウェーハ１０に隣接する下側の被処理ウェーハ６
から処理を始め、被処理ウェーハ６に抜けがあるとき、
最初に処理する組でダミーウェーハ１０を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数枚の基板を同
時に処理する半導体製造装置におけるダミー基板の運用
方法に関する。
時に処理する半導体製造装置におけるダミー基板の運用
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置等の製造プロ
セスにおいて使用される半導体製造装置には、熱やプラ
ズマを利用して半導体ウェーハやガラス基板等に所定の
処理を施すＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装
置、エッチング装置、アッシング装置等の各種半導体製
造装置がある。
セスにおいて使用される半導体製造装置には、熱やプラ
ズマを利用して半導体ウェーハやガラス基板等に所定の
処理を施すＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装
置、エッチング装置、アッシング装置等の各種半導体製
造装置がある。
【０００３】図５は、半導体製造装置のうち、クラスタ
型枚葉式の装置の一例の上面断面図である。
型枚葉式の装置の一例の上面断面図である。
【０００４】６は被処理ウェーハ、３Ａ、３Ｂは被処理
ウェーハ６を処理する反応処理室、２は反応処理室３
Ａ、３Ｂに被処理ウェーハ６を搬送する搬送室、５は搬
送室２内に備えられた被処理ウェーハ６の搬送ロボッ
ト、４Ａ、４Ｂは被処理ウェーハ６の冷却室、１Ａ、１
Ｂは搬送室２に被処理ウェーハ６を受け渡すロードロッ
ク室、１７は被処理ウェーハ６を収納するカセットであ
る。
ウェーハ６を処理する反応処理室、２は反応処理室３
Ａ、３Ｂに被処理ウェーハ６を搬送する搬送室、５は搬
送室２内に備えられた被処理ウェーハ６の搬送ロボッ
ト、４Ａ、４Ｂは被処理ウェーハ６の冷却室、１Ａ、１
Ｂは搬送室２に被処理ウェーハ６を受け渡すロードロッ
ク室、１７は被処理ウェーハ６を収納するカセットであ
る。
【０００５】従来の半導体製造装置においては、反応処
理室３Ａ、３Ｂ内のガスを用いたインサイチュクリーニ
ング直後のテスト成膜（シーズニング）のときに、ダミ
ーウェーハが用いられる。
理室３Ａ、３Ｂ内のガスを用いたインサイチュクリーニ
ング直後のテスト成膜（シーズニング）のときに、ダミ
ーウェーハが用いられる。
【０００６】なお、近年、１枚ずつウェーハを処理する
枚葉式半導体製造装置のさらなるスループットの向上を
目的として、多枚葉式半導体製造装置が注目されてい
る。
枚葉式半導体製造装置のさらなるスループットの向上を
目的として、多枚葉式半導体製造装置が注目されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】多枚葉式半導体製造装
置において、半導体製造プロセス中に被処理ウェーハに
不良品が発生して被処理ウェーハの抜けが生じた場合、
反応処理室に規定の複数枚をチャージしないで反応処理
を行うと、ウェーハ台への不要の成膜、エッチング等の
処理が施されることになり好ましくない。特に、プラズ
マ処理の場合は、不要の処理によるプラズマ電極の電気
的特性の変化、それに伴う成膜状態の変化が生じ、その
結果、成膜特性の劣化が生じる課題がある。
置において、半導体製造プロセス中に被処理ウェーハに
不良品が発生して被処理ウェーハの抜けが生じた場合、
反応処理室に規定の複数枚をチャージしないで反応処理
を行うと、ウェーハ台への不要の成膜、エッチング等の
処理が施されることになり好ましくない。特に、プラズ
マ処理の場合は、不要の処理によるプラズマ電極の電気
的特性の変化、それに伴う成膜状態の変化が生じ、その
結果、成膜特性の劣化が生じる課題がある。
【０００８】したがって、被処理ウェーハの足りない分
をあらかじめ用意したダミーウェーハで補充して、反応
処理室には常に規定の枚数をチャージするようにする。
をあらかじめ用意したダミーウェーハで補充して、反応
処理室には常に規定の枚数をチャージするようにする。
【０００９】なお、ロードロック室内には、被処理ウェ
ーハあるいはダミーウェーハを該ロードロック室のウェ
ーハ取り出し口まで搬送する昇降機構（エレベータ）が
備えられている。
ーハあるいはダミーウェーハを該ロードロック室のウェ
ーハ取り出し口まで搬送する昇降機構（エレベータ）が
備えられている。
【００１０】従来、ロードロック室の昇降機構の昇降時
間や距離が長かったり、ダミーウェーハの効率の良い運
用についてまだ確立しておらず、ダミーウェーハの効率
の良い運用が求められている。
間や距離が長かったり、ダミーウェーハの効率の良い運
用についてまだ確立しておらず、ダミーウェーハの効率
の良い運用が求められている。
【００１１】本発明の目的は、ダミーウェーハの効率の
良い運用を実現する半導体製造装置におけるダミー基板
の運用方法を提供することにある。
良い運用を実現する半導体製造装置におけるダミー基板
の運用方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、複数枚数の基板を同時に処理する少なく
とも１室の反応処理室と、前記反応処理室に前記基板を
搬送する搬送室と、前記搬送室に前記基板を受け渡すロ
ードロック室とを有する半導体製造装置におけるダミー
基板の運用方法において、少なくとも１室の前記ロード
ロック室内に、被処理基板の組と、ダミー基板の組とを
隣接して収納し、前記ダミー基板に隣接する側の前記被
処理基板から処理を始め、前記被処理基板に抜けがある
とき、最初に処理する組で前記ダミー基板を使用するこ
とを特徴とする。
に、本発明は、複数枚数の基板を同時に処理する少なく
とも１室の反応処理室と、前記反応処理室に前記基板を
搬送する搬送室と、前記搬送室に前記基板を受け渡すロ
ードロック室とを有する半導体製造装置におけるダミー
基板の運用方法において、少なくとも１室の前記ロード
ロック室内に、被処理基板の組と、ダミー基板の組とを
隣接して収納し、前記ダミー基板に隣接する側の前記被
処理基板から処理を始め、前記被処理基板に抜けがある
とき、最初に処理する組で前記ダミー基板を使用するこ
とを特徴とする。
【００１３】また、前記ダミー基板の数が、前記複数枚
数より１枚少ないことを特徴とする。
数より１枚少ないことを特徴とする。
【００１４】本発明では、このような構成により、被処
理基板とダミー基板の昇降機構による昇降時間、昇降距
離を低減できる。これにより、生産性（スループット）
の向上、生産コストの低減、耐久信頼性を向上すること
ができ、ダミー基板の効率の良い運用を実現できる。
理基板とダミー基板の昇降機構による昇降時間、昇降距
離を低減できる。これにより、生産性（スループット）
の向上、生産コストの低減、耐久信頼性を向上すること
ができ、ダミー基板の効率の良い運用を実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１６】図１（ａ）は、本発明の実施の形態のクラ
スタ型多枚葉式の半導体製造装置の上面断面図、（ｂ）
は（ａ）のロードロック室のローディング側（大気側、
搬送室と反対側）の正面図、図２は図１のロードロック
室内の被処理ウェーハ収納用カセットとダミーウェーハ
収納用棚の拡大図である。本装置は、３枚同時に処理を
行う３枚葉式である。
スタ型多枚葉式の半導体製造装置の上面断面図、（ｂ）
は（ａ）のロードロック室のローディング側（大気側、
搬送室と反対側）の正面図、図２は図１のロードロック
室内の被処理ウェーハ収納用カセットとダミーウェーハ
収納用棚の拡大図である。本装置は、３枚同時に処理を
行う３枚葉式である。
【００１７】６は被処理ウェーハ、３Ａ、３Ｂは被処理
ウェーハ６を処理する反応処理室、２は反応処理室３
Ａ、３Ｂに被処理ウェーハ６を搬送する搬送室、５は搬
送室２内に備えられた被処理ウェーハ６の搬送ロボッ
ト、４Ａ、４Ｂは被処理ウェーハ６の冷却室、１Ａ、１
Ｂは搬送室２に被処理ウェーハ６を受け渡すロードロッ
ク室、７は被処理ウェーハ６を収納するカセットであ
る。
ウェーハ６を処理する反応処理室、２は反応処理室３
Ａ、３Ｂに被処理ウェーハ６を搬送する搬送室、５は搬
送室２内に備えられた被処理ウェーハ６の搬送ロボッ
ト、４Ａ、４Ｂは被処理ウェーハ６の冷却室、１Ａ、１
Ｂは搬送室２に被処理ウェーハ６を受け渡すロードロッ
ク室、７は被処理ウェーハ６を収納するカセットであ
る。
【００１８】反応処理室３Ａ、３Ｂは２室設けられ、こ
れに対応して冷却室４Ａ、４Ｂも２室設けられている。
ロードロック室１Ａ、１Ｂと搬送室２との間、搬送室２
と反応処理室３Ａ、３Ｂとの間にはゲートバルブ（図示
省略）が設けられ、それぞれ気密が保持されるようにな
っている。
れに対応して冷却室４Ａ、４Ｂも２室設けられている。
ロードロック室１Ａ、１Ｂと搬送室２との間、搬送室２
と反応処理室３Ａ、３Ｂとの間にはゲートバルブ（図示
省略）が設けられ、それぞれ気密が保持されるようにな
っている。
【００１９】反応処理済みの被処理ウェーハ６は、搬送
室２内の搬送ロボット５により、反応処理室３Ａ、３Ｂ
に隣接する冷却室４Ａ、４Ｂに必要に応じて一旦チャー
ジされ、必要時間経過後、ロードロック室１Ａ、１Ｂに
戻される。
室２内の搬送ロボット５により、反応処理室３Ａ、３Ｂ
に隣接する冷却室４Ａ、４Ｂに必要に応じて一旦チャー
ジされ、必要時間経過後、ロードロック室１Ａ、１Ｂに
戻される。
【００２０】冷却室４Ａ、４Ｂには、ウェーハアライメ
ント機能を具備させることも可能であり、反応処理室３
Ａ、３Ｂへの搬送前に、一旦この冷却室４Ａ、４Ｂに搬
送載置することにより、反応処理室３Ａ、３Ｂへのウェ
ーハチャージを正確に行うことができる。
ント機能を具備させることも可能であり、反応処理室３
Ａ、３Ｂへの搬送前に、一旦この冷却室４Ａ、４Ｂに搬
送載置することにより、反応処理室３Ａ、３Ｂへのウェ
ーハチャージを正確に行うことができる。
【００２１】本装置においては、図１（ｂ）、図２に示
すように、２室のロードロック室１Ａ、１Ｂ内にはそれ
ぞれ、被処理ウェーハ６を収納する搬出入可能なカセッ
ト７の下に、ダミーウェーハ１０を収納する棚１１が設
けてある。ダミーウェーハ１０は、被処理ウェーハ６と
同様に、ロードロック室１Ａ、１Ｂの大気側から直接出
し入れが可能である。なお、ダミーウェーハ１０も、棚
１１に収納するのではなく、搬出入可能なカセットに収
納してもよい。
すように、２室のロードロック室１Ａ、１Ｂ内にはそれ
ぞれ、被処理ウェーハ６を収納する搬出入可能なカセッ
ト７の下に、ダミーウェーハ１０を収納する棚１１が設
けてある。ダミーウェーハ１０は、被処理ウェーハ６と
同様に、ロードロック室１Ａ、１Ｂの大気側から直接出
し入れが可能である。なお、ダミーウェーハ１０も、棚
１１に収納するのではなく、搬出入可能なカセットに収
納してもよい。
【００２２】例えば、反応処理室３Ａ、３Ｂ内のガスを
用いたインサイチュクリーニング直後のテスト成膜のと
きに、ダミーウェーハ１０を用いる。特に、絶縁膜を成
膜する場合、ウェーハを反応処理室３Ａ、３Ｂ内のウェ
ーハ台（サセプタ）上に載置しないでテスト成膜を行う
と、プラズマ電極が絶縁膜で被覆されるため、ダミーウ
ェーハ１０を用いる。ダミーウェーハ１０は通常、複数
回使用され、ダミーウェーハ１０上には、成膜が複数回
施される。
用いたインサイチュクリーニング直後のテスト成膜のと
きに、ダミーウェーハ１０を用いる。特に、絶縁膜を成
膜する場合、ウェーハを反応処理室３Ａ、３Ｂ内のウェ
ーハ台（サセプタ）上に載置しないでテスト成膜を行う
と、プラズマ電極が絶縁膜で被覆されるため、ダミーウ
ェーハ１０を用いる。ダミーウェーハ１０は通常、複数
回使用され、ダミーウェーハ１０上には、成膜が複数回
施される。
【００２３】１枚のダミーウェーハ１０の過剰な使用
は、ダミーウェーハ１０上の累積膜厚が増大し、パーテ
ィクルが発生したり、また、膜応力の過多や繰り返し使
用による熱履歴により、ダミーウェーハ１０の反り、変
形が発生するため、搬送エラーを起こしやすくなる。こ
のため、オペレータは、ダミーウェーハ１０の一度の成
膜処理で堆積される膜厚を予想し、そのダミーウェーハ
１０の使用回数に応じて累積膜厚を計算し、しきい値膜
厚を規定する。そして、ダミーウェーハ１０上の実際の
累積膜厚がしきい値膜厚を超えた場合に、適宜の手段に
よりオペレータに通知がされるようにし、オペレータは
ダミーウェーハ１０を新しいのと交換するようにするの
が有効である。
は、ダミーウェーハ１０上の累積膜厚が増大し、パーテ
ィクルが発生したり、また、膜応力の過多や繰り返し使
用による熱履歴により、ダミーウェーハ１０の反り、変
形が発生するため、搬送エラーを起こしやすくなる。こ
のため、オペレータは、ダミーウェーハ１０の一度の成
膜処理で堆積される膜厚を予想し、そのダミーウェーハ
１０の使用回数に応じて累積膜厚を計算し、しきい値膜
厚を規定する。そして、ダミーウェーハ１０上の実際の
累積膜厚がしきい値膜厚を超えた場合に、適宜の手段に
よりオペレータに通知がされるようにし、オペレータは
ダミーウェーハ１０を新しいのと交換するようにするの
が有効である。
【００２４】また、ダミーウェーハ１０は前述のように
複数回成膜されるため、パーティクルが発生しやすいの
で、ダミーウェーハ１０の収納用の棚１１は、図１
（ｂ）、図２に示すように、処理ウェーハ６の収納用の
カセット７の下側に配置するのが望ましい。
複数回成膜されるため、パーティクルが発生しやすいの
で、ダミーウェーハ１０の収納用の棚１１は、図１
（ｂ）、図２に示すように、処理ウェーハ６の収納用の
カセット７の下側に配置するのが望ましい。
【００２５】また、多枚葉式の本装置において、被処理
ウェーハ６に不良品が発生して被処理ウェーハ６の抜け
が生じた場合、反応処理室３Ａ、３Ｂに規定の枚数をチ
ャージしないで反応処理を行うと、ウェーハ台への不要
の成膜、エッチング等の処理が施されることになり望ま
しくない。特に、プラズマ処理の場合は、不要の処理に
よるプラズマ電極の電気的特性の変化、それに伴う成膜
状態の変化により、成膜特性の劣化が生じる。したがっ
て、この被処理ウェーハ６の足りない分をあらかじめ用
意したダミーウェーハ１０で補充して、反応処理室３
Ａ、３Ｂには常に規定の枚数をチャージするようにす
る。
ウェーハ６に不良品が発生して被処理ウェーハ６の抜け
が生じた場合、反応処理室３Ａ、３Ｂに規定の枚数をチ
ャージしないで反応処理を行うと、ウェーハ台への不要
の成膜、エッチング等の処理が施されることになり望ま
しくない。特に、プラズマ処理の場合は、不要の処理に
よるプラズマ電極の電気的特性の変化、それに伴う成膜
状態の変化により、成膜特性の劣化が生じる。したがっ
て、この被処理ウェーハ６の足りない分をあらかじめ用
意したダミーウェーハ１０で補充して、反応処理室３
Ａ、３Ｂには常に規定の枚数をチャージするようにす
る。
【００２６】なお、ロードロック室１Ａ、１Ｂ内には、
被処理ウェーハ６を収納したカセット７とダミーウェー
ハ１０を収納した棚１１を、該ロードロック室１Ａ、１
Ｂのウェーハ取り出し口（図示省略）まで昇降搬送する
昇降機構（エレベータ。図示省略）が備えられている。
被処理ウェーハ６を収納したカセット７とダミーウェー
ハ１０を収納した棚１１を、該ロードロック室１Ａ、１
Ｂのウェーハ取り出し口（図示省略）まで昇降搬送する
昇降機構（エレベータ。図示省略）が備えられている。
【００２７】ダミーウェーハ１０は、必要に応じ、被処
理ウェーハ６と同様に、前記昇降機構によりロードロッ
ク室１Ａ、１Ｂの前記ウェーハ取り出し口まで昇降さ
れ、搬送ロボット５により、反応処理室３Ａ、３Ｂに取
り出し搬送され、使用される。使用後は、搬送ロボット
５により棚１１に返却される。
理ウェーハ６と同様に、前記昇降機構によりロードロッ
ク室１Ａ、１Ｂの前記ウェーハ取り出し口まで昇降さ
れ、搬送ロボット５により、反応処理室３Ａ、３Ｂに取
り出し搬送され、使用される。使用後は、搬送ロボット
５により棚１１に返却される。
【００２８】次に、被処理ウェーハ６の足りない分をあ
らかじめ用意したダミーウェーハ１０で補充して、反応
処理室３Ａ、３Ｂには常に規定の枚数をチャージする場
合の詳細について説明する。なお、この場合は、前記イ
ンサイチュクリーニング直後のテスト成膜にはダミーウ
ェーハ１０を用いず、また、２室のロードロック室１
Ａ、１Ｂを連続して使用せず、いずれかのロードロック
室１Ａ、１Ｂのカセット７を１ロットとして使用する。
らかじめ用意したダミーウェーハ１０で補充して、反応
処理室３Ａ、３Ｂには常に規定の枚数をチャージする場
合の詳細について説明する。なお、この場合は、前記イ
ンサイチュクリーニング直後のテスト成膜にはダミーウ
ェーハ１０を用いず、また、２室のロードロック室１
Ａ、１Ｂを連続して使用せず、いずれかのロードロック
室１Ａ、１Ｂのカセット７を１ロットとして使用する。
【００２９】図１（ｂ）、図２に示したように、ダミー
ウェーハ１０の組は、被処理ウェーハ６の組の下側に隣
接して配置する。また、被処理ウェーハ６はダミーウェ
ーハ１０に隣接する下側から処理を始める。
ウェーハ１０の組は、被処理ウェーハ６の組の下側に隣
接して配置する。また、被処理ウェーハ６はダミーウェ
ーハ１０に隣接する下側から処理を始める。
【００３０】図３は、ダミーウェーハの運用説明図であ
る。
る。
【００３１】カセット７内の被処理ウェーハ６の抜け情
報（マッピングデータ）をあらかじめ入手し、これに基
づき、以下に示すようにダミーウェーハ１０の運用をす
る。
報（マッピングデータ）をあらかじめ入手し、これに基
づき、以下に示すようにダミーウェーハ１０の運用をす
る。
【００３２】図３に示すように、１ロットにおける２５
枚の被処理ウェーハ６において、不良品が生じて３枚足
りなくなった場合、前記マッピングデータに基づき、最
初に処理する３枚の組でダミーウェーハ１０を使用す
る。この場合、ダミーウェーハ１０の数は、反応処理室
３Ａ、３Ｂで同時に処理する枚数（ここでは、３枚）よ
り１枚少ない枚数（ここでは、２枚）とするのが望まし
い。
枚の被処理ウェーハ６において、不良品が生じて３枚足
りなくなった場合、前記マッピングデータに基づき、最
初に処理する３枚の組でダミーウェーハ１０を使用す
る。この場合、ダミーウェーハ１０の数は、反応処理室
３Ａ、３Ｂで同時に処理する枚数（ここでは、３枚）よ
り１枚少ない枚数（ここでは、２枚）とするのが望まし
い。
【００３３】すなわち、本来２５枚の被処理ウェーハ６
のうち、３枚足りない分のある２２枚の被処理ウェーハ
６に、２枚のダミーウェーハ１０を加え、反応処理室３
Ａ、３Ｂの一方の処理回数４回、計８回、合計２４枚の
ウェーハ処理を行うものとする。
のうち、３枚足りない分のある２２枚の被処理ウェーハ
６に、２枚のダミーウェーハ１０を加え、反応処理室３
Ａ、３Ｂの一方の処理回数４回、計８回、合計２４枚の
ウェーハ処理を行うものとする。
【００３４】ダミーウェーハ１０を最初の１回目の処理
に使用することにより、最後あるいは途中にダミーウェ
ーハ１０を使用する場合に比べ、カセット７および棚１
１の昇降機構による昇降時間、昇降距離を低減できる。
これにより、生産性の向上、生産コストの低減、耐久信
頼性を向上することができ、ダミーウェーハ１０の効率
の良い運用を実現できる。
に使用することにより、最後あるいは途中にダミーウェ
ーハ１０を使用する場合に比べ、カセット７および棚１
１の昇降機構による昇降時間、昇降距離を低減できる。
これにより、生産性の向上、生産コストの低減、耐久信
頼性を向上することができ、ダミーウェーハ１０の効率
の良い運用を実現できる。
【００３５】なお、好適には、被処理ウェーハ６収納用
のカセット７を耐熱性にするとよい。高温プロセスを実
施する場合は、被処理ウェーハ６に十分な冷却時間を確
保する必要があるが、スループットを向上するため、冷
却時間を十分確保できない場合、耐熱性の材料からなる
カセット７を使用するとよい。
のカセット７を耐熱性にするとよい。高温プロセスを実
施する場合は、被処理ウェーハ６に十分な冷却時間を確
保する必要があるが、スループットを向上するため、冷
却時間を十分確保できない場合、耐熱性の材料からなる
カセット７を使用するとよい。
【００３６】参考例 図４（ａ）は、本発明の参考例のクラスタ型枚葉式の半
導体製造装置の上面断面図、（ｂ）は（ａ）のロードロ
ック室のローディング側の正面図である。
導体製造装置の上面断面図、（ｂ）は（ａ）のロードロ
ック室のローディング側の正面図である。
【００３７】この参考例の装置では、ロードロック室１
Ａ、１Ｂ、１Ｃを３室備え、真中のロードロック室１Ｂ
はダミーウェーハ１０のみ収納し、両側の２室のロード
ロック室１Ａ、１Ｃは被処理ウェーハ６のみ収納する。
Ａ、１Ｂ、１Ｃを３室備え、真中のロードロック室１Ｂ
はダミーウェーハ１０のみ収納し、両側の２室のロード
ロック室１Ａ、１Ｃは被処理ウェーハ６のみ収納する。
【００３８】すなわち、ダミーウェーハ１０専用のロー
ドロック室１Ｂは、ダミーウェーハ１０のみカセットに
収納して、ダミーウェーハ１０の必要なときに、本ロー
ドロック室１Ｂにアクセスし、ダミーウェーハ１０を使
用する。
ドロック室１Ｂは、ダミーウェーハ１０のみカセットに
収納して、ダミーウェーハ１０の必要なときに、本ロー
ドロック室１Ｂにアクセスし、ダミーウェーハ１０を使
用する。
【００３９】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理基板とダミー基板の昇降機構による昇降時間、昇
降距離を低減できるので、生産性の向上、生産コストの
低減、耐久信頼性を向上することができ、ダミー基板の
効率の良い運用を実現できる。
被処理基板とダミー基板の昇降機構による昇降時間、昇
降距離を低減できるので、生産性の向上、生産コストの
低減、耐久信頼性を向上することができ、ダミー基板の
効率の良い運用を実現できる。
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態のクラスタ型多枚
葉式の半導体製造装置の上面断面図、（ｂ）は（ａ）の
ロードロック室のローディング側の正面図である。
葉式の半導体製造装置の上面断面図、（ｂ）は（ａ）の
ロードロック室のローディング側の正面図である。
【図２】図１のロードロック室内の被処理ウェーハ収納
用カセットとダミーウェーハ収納用棚の拡大図である。
用カセットとダミーウェーハ収納用棚の拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態のダミーウェーハの運用説
明図である。
明図である。
【図４】（ａ）は本発明の参考例のクラスタ型枚葉式の
半導体製造装置の上面断面図、（ｂ）は（ａ）のロード
ロック室のローディング側の正面図である。
半導体製造装置の上面断面図、（ｂ）は（ａ）のロード
ロック室のローディング側の正面図である。
【図５】クラスタ型枚葉式の半導体製造装置の一例の上
面断面図である。
面断面図である。
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ…ロードロック室、２…搬送室、３
Ａ、３Ｂ…反応処理室、４Ａ、４Ｂ…冷却室、５…搬送
ロボット、６…被処理ウェーハ、７、１６、１７…被処
理ウェーハ収納用カセット、１０…ダミーウェーハ、１
１…ダミーウェーハ収納用棚。
Ａ、３Ｂ…反応処理室、４Ａ、４Ｂ…冷却室、５…搬送
ロボット、６…被処理ウェーハ、７、１６、１７…被処
理ウェーハ収納用カセット、１０…ダミーウェーハ、１
１…ダミーウェーハ収納用棚。
Claims (2)
- 【請求項１】複数枚数の基板を同時に処理する少なくと
も１室の反応処理室と、前記反応処理室に前記基板を搬
送する搬送室と、前記搬送室に前記基板を受け渡すロー
ドロック室とを有する半導体製造装置におけるダミー基
板の運用方法において、少なくとも１室の前記ロードロ
ック室内に、被処理基板の組と、ダミー基板の組とを隣
接して収納し、前記ダミー基板に隣接する側の前記被処
理基板から処理を始め、前記被処理基板に抜けがあると
き、最初に処理する組で前記ダミー基板を使用すること
を特徴とする半導体製造装置におけるダミー基板の運用
方法。 - 【請求項２】前記ダミー基板の数が、前記複数枚数より
１枚少ないことを特徴とする請求項１記載の半導体製造
装置におけるダミー基板の運用方法。
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| JP2000060080A JP3824835B2 (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法 |
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2000
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