KR102170007B1 - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램 Download PDF

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아키나리 하야시
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

본 발명은, 이동 탑재실을 퍼지하는 불활성 가스의 소비량을 저감 가능한 기술을 제공한다. 이동 탑재기에 의한 기판 수용기로부터 기판 지지구에 대한 기판의 반입이 종료되어 게이트를 폐쇄한 후, 처리가 끝난 기판을 기판 지지구로부터 기판 수용기에 반출하기 위해 게이트가 다시 개방될 때까지의 동안의 기간의 적어도 일부에 있어서, 불활성 가스 공급기가 불활성 가스를 공급하고, 상기 기간 외에는, 불활성 가스 공급기는 불활성 가스를 공급하지 않는다. 클린 유닛은, 이동 탑재실 내의 분위기를 흡인해서 청정화하여 이동 탑재실에 공급하는 제1 모드와, 장치 밖으로부터 도입된 공기를 청정화해서 이동 탑재실에 공급함과 함께 잉여의 공기를 장치 외부로 배출하는 제2 모드를 전환할 수 있도록 구성되고, 게이트가 개방되어 있는 동안에, 이동 탑재실을 공기인 분위기에 의해 양압으로 유지함과 함께, 이동 탑재실 중으로부터 밖으로 공기를 유출시킨다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
기판 처리 장치에는, 카세트에 수납된 기판(웨이퍼)을, 기판 보유 지지구(보트)에 이동 탑재하기 위한 이동 탑재실이 설치된다. 이동 탑재실은, 예를 들어 질소 가스와 같은 불활성 가스로 퍼지되어, 웨이퍼 상에 대한 자연 산화막의 생성이 억제된다.
기판 처리 장치의 이동 탑재실을 불활성 가스로 퍼지하는 기술로서, 일본 특허 공개 제2003-7802호 공보(특허문헌 1), 일본 특허 공개 제2007-95879호 공보(특허문헌 2), 일본 특허 공개 제2009-65113호 공보(특허문헌 3) 등이 있다.
이동 탑재실을 질소 가스와 같은 불활성 가스로 퍼지할 경우, 질소 가스의 소비량을 삭감하고자 하는 요구가 있다.
일본 특허 공개 제2003-7802호 공보 일본 특허 공개 제2007-95879호 공보 일본 특허 공개 제2009-65113호 공보
본 발명의 과제는, 기판 처리 장치의 이동 탑재실을 퍼지하는 질소 가스와 같은 불활성 가스의 소비량을 저감 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.
본 발명 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 기판을 기판 지지구에 적재한 상태에서 처리하는 반응실과, 상기 반응실에 연접되어, 상기 반응실로부터 취출된 상기 기판 지지구가 배치되는 이동 탑재실과, 상기 이동 탑재실의 내외에서 상기 기판을 이동시키기 위해 상기 이동 탑재실에 형성된 개구를 개폐하는 게이트와, 상기 이동 탑재실의 외측에서 상기 개구에 면해서 설치되고, 기판 수용기를 보유 지지하는 버퍼 선반과, 상기 버퍼 선반의 상기 기판 수용기와 상기 기판 지지구의 사이에서 상기 기판을 반송하는 이동 탑재기와, 상기 이동 탑재실에 청정한 분위기를 공급하는 클린 유닛과, 상기 이동 탑재실에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급기와, 상기 이동 탑재기에 의한 상기 기판 수용기로부터 상기 기판 지지구에 대한 상기 기판의 반입이 종료되어 상기 게이트가 폐쇄된 후에, 처리가 끝난 상기 기판을 상기 기판 지지구로부터 상기 기판 수용기에 반출하기 위해 상기 게이트가 다시 개방될 때까지의 동안의 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 불활성 가스 공급기가 상기 불활성 가스를 공급하고, 상기 기간 외에는, 상기 불활성 가스 공급기는 상기 불활성 가스를 공급하지 않고, 상기 클린 유닛이, 상기 이동 탑재실 내의 분위기를 흡인해서 청정화하여 상기 이동 탑재실에 공급하는 제1 모드와, 장치 밖으로부터 도입된 공기를 청정화해서 상기 이동 탑재실에 공급함과 함께 잉여의 공기를 장치 외부로 배출하는 제2 모드를 전환할 수 있도록 구성되고, 상기 게이트가 개방되어 있는 동안에, 상기 이동 탑재실을 공기인 분위기에 의해 양압으로 유지함과 함께, 상기 이동 탑재실 중으로부터 밖으로 공기를 유출시키도록 제어하는 제어부를 포함하는, 기술 또는 기술을 사용하는 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 이동 탑재실을 퍼지하는 질소 가스와 같은 불활성 가스의 소비량을 저감하는 것이 가능하다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 이동 탑재실과 카세트 보유 지지실의 사이의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 반응관을 설명하기 위한 종단면도이다.
도 4는 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면이다.
도 5는 실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 처리 플로우를 도시하는 도면이다.
도 6은 이동 탑재실과 카세트 보유 지지실의 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 이동 탑재실과 카세트 보유 지지실의 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 이동 탑재실에 대한 질소 가스의 유량을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 대기 분위기를 설명하기 위한 개념적인 도이다.
도 10은 이동 탑재실의 분위기의 제어 구성을 개념적으로 도시하는 도면이다.
도 11은 이동 탑재실의 분위기의 제어를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 대기 분위기의 순환 모드에서의 이동 탑재실 내의 대기의 흐름을 개념적으로 도시하는 도면이다.
도 13은 대기 분위기의 1 패스 모드에서의 이동 탑재실 내의 대기의 흐름을 개념적으로 도시하는 도면이다.
도 14는 N2 퍼지의 순환 모드에서의 이동 탑재실 내의 질소 가스의 흐름을 개념적으로 도시하는 도면이다.
도 15는 N2 분위기로부터 대기 분위기로 복귀할 때의 가스의 흐름을 개념적으로 도시하는 도면이다.
이하, 실시 형태에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해서 모식적으로 표현될 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
<실시 형태>
(1) 기판 처리 장치
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 설명한다. 본 실시 형태에서, 기판 처리 장치(이하, 간단히 처리 장치라고도 함)는, 일례로서, 반도체 디바이스의 제조 방법에서의 처리 공정을 실시하는 반도체 제조 장치로서 구성되어 있다. 이하의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치로서 기판에 CVD 등의 성막 처리를 행하는 뱃치식 종형 열처리 장치를 적용한 경우에 대해서 설명한다.
이하, 도 1, 도 2 및 도 3을 사용하여, 처리 장치의 구성을 설명한다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 실시 형태에 따른 처리 장치(10)는, 하우징(11)을 구비하고 있고, 하우징(11)의 전방면에는 카세트 전달 유닛(12)이 설비되어 있다. 카세트 전달 유닛(12)은, 웨이퍼(1)의 캐리어로 기판 수용기(오픈 카세트, 이하, 카세트라고 함)(2)를, 2대 적재할 수 있는 카세트 스테이지(13)를 구비하고 있고, 카세트 스테이지(13)의 하방에는 웨이퍼 자세 정합 장치(14)가 2조 설비되어 있다. 또한, 기판 수용기는, 오픈 카세트에 한정하는 것은 아니고, SMIF(Standard Mechanical Interface)나 FOUP(Front Open Unified Pod)를 사용해도 된다.
외부 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 반송되어 온 카세트(2)가 카세트 스테이지(13)에 수직 자세(카세트(2)로 수납된 웨이퍼(1)가 수직이 되는 상태)로 적재되면, 웨이퍼 자세 정합 장치(14)가 카세트(2)에 수납된 웨이퍼(1)의 노치나 오리엔테이션 플랫이 동일해지도록 웨이퍼(1)의 자세를 정합한다. 카세트 스테이지(13)는 90도 회전함으로써, 카세트(2)를 수평 자세로 하도록 되어 있다. 하우징(11)의 내부에는 카세트 전달 유닛(12)에 대향해서 카세트 선반(15)이 설비되어 있고, 카세트 전달 유닛(12)의 상방에는 예비 카세트 선반(16)이 설비되어 있다.
카세트 전달 유닛(12)과 카세트 선반(15)의 사이에는, 카세트 이동 탑재 장치(17)가 설비되어 있다. 카세트 이동 탑재 장치(17)는 전후 방향으로 진퇴 가능한 로봇 암(18)을 구비하고 있고, 로봇 암(18)은 횡행 및 승강 가능하게 구성되어 있다. 로봇 암(18)은 진퇴(전후), 승강 및 횡행의 운동에 의해, 카세트 스테이지(13) 상의 수평 자세로 된 카세트(2)를 카세트 선반(15) 또는 예비 카세트 선반(16)으로 반송해서 이동 탑재하도록 되어 있다. 카세트 선반(15) 및 예비 카세트 선반(16)은, 복수의 카세트(2)의 버퍼 선반으로 간주할 수도 있다.
카세트 선반(15)의 후방에는, 카세트(2) 내의 웨이퍼(1)를 복수매 일괄하여, 또는, 1매씩, 기판 지지구(이하, 보트라고 함)(25)에 이동 탑재할 수 있는 웨이퍼 이동 탑재 장치(이동 탑재기)(19)가, 회전 및 승강 가능하게 설비되어 있다. 웨이퍼 이동 탑재 장치(19)는 진퇴 가능한 웨이퍼 보유 지지부(20)를 구비하고 있고, 웨이퍼 보유 지지부(20)에는 복수매의 웨이퍼 보유 지지 플레이트(21)가 수평하게 설치되어 있다. 웨이퍼 이동 탑재 장치(19)의 후방에는 보트 엘리베이터(22)가 설비되어 있고, 보트 엘리베이터(22)의 암(23)에는, 보트(25)를 회전 가능하게 보유 지지하는 시일 캡(24)이 수평하게 설치되어 있다.
(1-2) 카세트 보유 지지실과 이동 탑재실
도 1에 도시되는 바와 같이, 처리 장치(10)는, 이동 탑재실(50)과, 카세트 보유 지지실(60)을 갖는다. 이동 탑재실(50)에는, 웨이퍼 이동 탑재 장치(19), 웨이퍼 보유 지지부(20), 웨이퍼 보유 지지 플레이트(21) 및 보트 엘리베이터(22) 등이 설치되어 있다. 카세트 보유 지지실(60)에는, 카세트 선반(15), 예비 카세트 선반(16) 및 카세트 이동 탑재 장치(17) 등이 설치되어 있다. 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)의 사이에는, 벽부(70)가 설치된다. 도 1에는 도면의 간소화를 위해 기재되어 있지 않지만, 벽부(70)는, 도 2에 도시된 바와 같이 개구(71)를 갖고, 또한 개구(71)를 개폐 가능한 게이트(72)가 설치된다. 개구(71)는, 웨이퍼 이동 탑재 장치(19)가 웨이퍼를 이동 탑재 가능한 위치(통상, 웨이퍼 이동 탑재 장치(19)로부터 가장 가까운 위치임)에 놓인 하나 내지 복수의 카세트에 대응해서 설치되고, 그 상단 및 하단의 높이는, 강하된 보트(25)의 상단 및 하단과 대략 동등하게 할 수 있다. 예를 들어 제품 웨이퍼를 150매 탑재하는 보트에 대해서는, 선반 3단분의 높이의 개구가 된다. 게이트(72)는, 판과 그 구동 기구를 갖고, 예를 들어 판을 벽부(70)로부터 부상시키면서 좌우 또는 상하로 슬라이드함으로써 개폐된다. 즉, 판은, 개방되어 있을 때, 카세트 이동 탑재 장치(17)의 운동 범위와 간섭되지 않는 위치에 수납되면 된다. 또한, 복수의 개구가 각각의 카세트에 대응해서 별개로 설치될 수 있는데, 게이트(72)는 그것들을 일괄해서 개폐되는 것이 1개 구비되면 된다. 벽부(70) 및 게이트(72)의 판은, 압력차에 견딜 수 있는 강도는 불필요하고, 오히려, 카세트 이동 탑재 장치(17)를 간섭하지 않도록 박형으로 설계될 수 있다. 웨이퍼 이동 탑재 장치(이동 탑재기)(19)는, 게이트(72)가 개방된 상태(72a)에서, 개구(71)를 통해서, 카세트 보유 지지실(60) 내의 카세트(2)로부터 웨이퍼(1)를, 보트(25)에 이동 탑재한다. 게이트(72)가 폐쇄된 상태에서는, 개구(71)가 폐쇄되어, 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)은 격리된 상태가 된다. 따라서, 이동 탑재실(50) 내의 분위기는, 카세트 보유 지지실(60)과는 상이한 분위기로 하는 것이 가능하다. 이동 탑재실(50) 내의 분위기와 카세트 보유 지지실(60)의 분위기에 대해서는, 후에 상세하게 설명한다.
(1-3) 처리로
도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 처리 장치(10)는 석영 유리 등의 내열성이 높은 재료가 사용되어 일단이 개구이고 타단이 폐색인 원통 형상으로 형성된 반응관(처리관)(31)을 구비하고 있고, 반응관(31)은, 중심선이 수직이 되도록 세로로 배치되어 고정적으로 지지되어 있다. 반응관(31)의 통 중공부는 복수매의 웨이퍼(1)가 수용되는 처리실(32)을 형성하고 있고, 반응관(31)의 하단 개구는 웨이퍼(1)를 출납하기 위한 노구(33)를 형성하고 있다. 노구(33)는, 이동 탑재실(50)에 대하여 개구되어 있고, 처리실(32)과 이동 탑재실(50)은 연결되어 있다. 반응관(31)의 외부에는 처리실(32)을 전체에 걸쳐 균일하게 가열하기 위한 히터(34)가, 반응관(31)의 주위를 포위하도록 동심원으로 설비되어 있고, 히터(34)는 처리 장치(10)의 하우징(11)에 지지됨으로써 수직으로 설치된 상태로 되어 있다.
반응관(31)의 노구(33)의 부근에서의 측면의 일부에는, 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급관(35)의 일단이 접속되어 있고, 가스 공급관(35)의 타단은 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 반응관(31)의 노구(33)의 부근에서의 측벽의 가스 공급관(35)의 반대측에는, 배기관(36)의 일단이 접속되어 있고, 배기관(36)은 타단이 배기 장치(도시하지 않음)에 접속되어 처리실(32)을 배기할 수 있도록 구성되어 있다. 반응관(31)의 하단면에는 노구(33)를 폐색하는 시일 캡(24)이, 수직 방향 하측으로부터 시일 링(38)을 끼워 맞닿아지도록 되어 있다. 시일 캡(24)은 원반 형상으로 형성되어 있고, 반응관(31)의 외부에 설비된 보트 엘리베이터(22)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다. 또한, 시일 캡(24)이 하단의 위치로 움직이게 되었을 때, 노구(33)를 밀폐하는 노구 셔터(28)(도시하지 않음)가 설치될 수 있다. 시일 캡(24)의 중심선 상에는, 회전축(39)이 삽입 관통되어 있고, 회전축(39)은 시일 캡(24)과 함께 승강하면서 또한 회전 구동 장치(40)에 의해 회전되도록 되어 있다.
회전축(39)의 상단에는 피처리 기판으로서의 웨이퍼(1)를 보유 지지하기 위한 보트(25)가, 단열 캡부(37)를 통해 수직으로 입각되어 지지되도록 되어 있다. 보트(25)는 상하로 한 쌍의 단부판(26, 27)과, 양단판(26, 27) 사이에 가설되어 수직으로 배치된 복수개(본 실시 형태에서는 3개)의 보유 지지 부재(기둥)를 구비하고 있고, 각 보유 지지 부재에는 다수 조의 보유 지지 홈이 길이 방향으로 등간격으로 배치되어 서로 대향해서 개구되도록 함몰 설치되어 있다. 그리고, 웨이퍼(1)의 외주 가장자리가 각 보유 지지 부재의 다수 조의 보유 지지 홈간에 각각 삽입됨으로써, 복수매의 웨이퍼(1)가 보트(25)에 수평이면서 또한 서로 중심을 맞추어 정렬되어 보유 지지되도록 되어 있다. 보트(25)의 하측 단부판(27)의 하면에는 단열 캡부(37)가 형성되어 있고, 단열 캡부(37)의 하단면이 회전축(39)에 지지되어 있다.
(1-4) 컨트롤러
도 4에, 처리 장치(10)가 구비하는 컨트롤러(121)의 블록도가 도시된다. 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스를 통해서, CPU(121a)와 통신 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)나 외부 기억 장치(123)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 제어 프로그램과 비교하면 고수준 언어이다. 제어 프로그램과 레시피를 총칭하여, 프로그램이라고 칭한다. 기억 장치(121c)는 또한, 장치의 동작이나 상태를 기록한 로그 정보가 순차 저장된다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 카세트 전달 유닛(12), 카세트 스테이지(13), 웨이퍼 자세 정합 장치(14), 카세트 이동 탑재 장치(17), 웨이퍼 이동 탑재 장치(19), 히터(34), 온도 센서, 회전 기구(40), 보트 엘리베이터(22) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터, 기판의 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 레시피의 내용을 따르도록, 카세트 전달 유닛(12)의 자세 정합 동작, 카세트 스테이지(13)의 회전 동작, 웨이퍼 자세 정합 장치(14), 카세트 이동 탑재 장치(17)의 로봇 암(18)의 동작 제어, 웨이퍼 이동 탑재 장치(19)의 회전 및 승강 제어, 히터(34)의 온도 제어, 게이트(72)의 개폐 동작 제어, 이동 탑재실(50)의 분위기 제어, 카세트 보유 지지실(60)의 분위기 제어, 보트 엘리베이터(22)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 외부 기억 장치(예를 들어, 하드 디스크 등의 자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리)(123)에 저장된 상술한 프로그램이나 레시피를, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 유체의 기록 매체로서 구성되어 있다.
이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에 대한 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(123)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(2) 기판 처리 공정
이어서, 처리 장치(10)의 반응관(31)을 사용한 기판 처리 방법을, 도 5, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 여기 설명되는 기판 처리 방법에서는, 상술한 처리 장치(10)의 반응관(31)을 사용하여, 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정, 예를 들어 기판 상에 실리콘 함유막을 형성하는 성막 처리를 예로서 설명한다. 이하의 설명에서, 기판 처리 장치(10)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
(카세트 반입 공정(C.CHG): S10)
외부 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 반송되어 온 카세트(2)는, 카세트 전달 유닛(로드 포트 트랜스퍼)(12)의 카세트 스테이지(13)에 수직 자세로 적재되면, 웨이퍼 자세 정합 장치(14)에 의해 카세트(2) 내의 웨이퍼(1)의 방향을 정렬시킨 후, 수평 자세로 되어, 로봇 암(18)에 의해 버퍼 선반(15, 16)에 반입된다. 선반에 대한 반입은, 성막 처리와 비동기로 진행할 수 있다. 그리고, 다음의 성막 처리의 배치의 대상이 된 카세트(2)는, 카세트 선반(15)의, 개구(71)에 대면하는 위치로 옮겨진다. 이때, 도 6의 (A)에 도시된 바와 같이, 게이트(72)는 개방된 상태로 되어 있고, 카세트 보유 지지실(60)과 이동 탑재실(50)은, 개구(71)에서 연락된 상태로 되어 있다. 그리고, 카세트 보유 지지실(60)과 이동 탑재실(50)에는, 필터된 대기인 클린 에어가 공급된다. 게이트(72)가 개방된 상태로 되는 공정 모두에 있어서, 원칙적으로, 이동 탑재실(50)은 카세트 보유 지지실(60)과 비교해서 양압으로 되어, 클린 에어가, 화살표 ar로 나타낸 바와 같이, 이동 탑재실(50)로부터 개구(71)를 통해서 카세트 보유 지지실(60)쪽으로 천천히 흐르고 있다. 또한, S10에서는 게이트(72)는 폐쇄된 상태로 해도 된다.
(웨이퍼 장전 공정(W.CHG): S20)
이동 탑재실(50) 내의 웨이퍼 이동 탑재 장치(이동 탑재기)(19)는, 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 개구(71)를 통해서, 카세트 선반(15) 내의 카세트(2) 내의 웨이퍼(1)를 복수매 일괄하여, 또는, 1매씩, 보트(25)에 이동 탑재한다. 그 동안에, 이동 탑재실(50)에 충만되는 깨끗한 에어는, 개구(71)로부터 카세트 보유 지지실(60)쪽으로 흘러 나오고 있다. 도 6의 (B)에 도시되는 상태에서는, 노구 셔터(28)가 폐쇄되고 웨이퍼(1)의 주위(보트(25) 등)의 온도는 높지 않으므로, 웨이퍼(1) 상에 불필요한 산화막(두꺼운 자연 산화막, 또는 열산화막)이 생성되지는 않는다. 즉, 오픈 카세트에서 취급되는 웨이퍼에는, 처음애당초 얇은 자연 산화막이 형성될 수 있지만, 이 공정에서의 산화의 진행은 무시할 수 있다. 또한 실리콘 웨이퍼에 있어서는, 불산 처리에 의해 수소 종단된 표면은, 상온이라면 대기에 폭로되어도 자연 산화는 거의 형성되지 않는 것으로 알려져 있다.
(보트 삽하 공정(BLOAD): S30)
보트(25)에 대한 복수의 웨이퍼(1)의 이동 탑재가 완료되면, 도 6의 (C)에 도시된 바와 같이, 개구(71)가 게이트(72)에 의해 폐쇄됨으로써, 이동 탑재실(50)은 거의 밀폐 상태가 된다. 그리고, 이동 탑재실(50)은 불활성 가스 공급기(도시하지 않음)로부터의 질소 가스(N2 가스)에 의해 퍼지된다. 즉, 이동 탑재실(50)의 공간 내에 질소 가스를 보내어, 이동 탑재실(50)의 공간에 충만되어 있는 대기가 질소 가스로 치환된다. 노구 셔터(28)가 개방되기 전에, 반응관(31) 내도 마찬가지로 대략 대기압의 질소 가스로 채워진다. 산소 농도가 소정 미만이 될 때까지 이동 탑재실(50)이 질소 가스로 퍼지된 후, 노구 셔터(28)가 개방되고, 복수의 웨이퍼(1)가 적층된 보트(25)가, 보트 엘리베이터(22)에 의해, 반응관(31) 내에 삽하(로드)된다(도 6의 (D) 참조).
(성막 공정(DEPO): S40)
이어서, 도 6의 (E)에 도시된 바와 같이, 반응관(31) 내에 대한 보트(25)의 반입이 완료되면, 반응실(32) 내가 소정의 압력이 되도록 반응실(32) 내의 분위기를 제어한다. 또한, 히터(34)에 의해, 반응실(32) 내가 소정의 온도(예를 들어, 800℃ 미만)가 되도록 제어되고, 반응실(32) 내에, 원료 가스(디실란)를 가스 공급관(35)으로부터 공급하여, 웨이퍼(1) 상에 단결정 또는 다결정 실리콘 막을 형성한다. 또는 반응 가스(암모니아(NH3) 가스) 및 원료 가스(헥사클로로디실란(Si2Cl6) 가스)를 공급하여, 실리콘 질화층(SiN층) 등의 박막을 생성한다. 이때, 반응실(32) 내의 미반응의 원료 가스나 반응 가스 등이 배기관(36)으로부터 배기된다. 또한 성막 동안에, 이동 탑재실(50)에 소정량의 질소 가스가 공급되어, 양압이 유지된다. 반응실(32) 내가 800℃ 미만이기 때문에, 자연 산화막의 증발에 의한 제거는 기대할 수 없다.
(보트 취출 공정(BUNLOAD): S50)
웨이퍼(1) 상에 원하는 막 두께의 박막이 생성된 후, 도 6의 (F)에 도시된 바와 같이, 보트(25)가 보트 엘리베이터(22)에 의해, 반응관(31)으로부터 취출된다(언로드). 이때, 이동 탑재실(50)은 질소 가스(N2 가스)에 의해 퍼지되어 있기 때문에, 웨이퍼(1) 상에 산화막이 생성되지 않는다. 언로드 후에도 잠시동안, 웨이퍼의 냉각을 위해서 대기한다. S50의 마지막에, 이동 탑재실(50) 내의 질소 가스를 배출하고 공기를 도입하는 대기 복귀가 행하여진다. 또한, 성막 후의 산화막은 필요에 따라서 에칭 등으로 제거할 수 있기 때문에, 성막 직전에 웨이퍼 하지에 생성되는 산화막에 비해 심각하지 않다. 그 때문에, 상온보다도 높은 온도에서, 대기 복귀가 개시될 수 있다.
(웨이퍼 장착 해제 공정(WDCG): S60)
웨이퍼(1)의 온도가 이동 탑재 가능한 온도까지 저하됨과 함께 이동 탑재실(50) 내의 분위기가 공기와 거의 동일한 조성으로 된 후, 도 7의 (A)에 도시된 바와 같이, 이동 탑재실(50)이 대기 분위기로 되고, 게이트(72)가 개방되어, 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)의 사이의 개구(71)가 노출된다.
그 후, 도 7의 (B)에 도시된 바와 같이, 이동 탑재실(50) 내에 설치된 웨이퍼 이동 탑재 장치(이동 탑재기)(19)는, 개구(71)를 통해서, 보트(25)에 적층된 복수의 웨이퍼(1)를, 카세트 보유 지지실(60)의 카세트(2)에 이동 탑재한다.
(카세트 반출 공정(CDCG): S70)
그 후, 처리 완료된 복수의 웨이퍼(1)를 수납한 카세트(2)는, 도 7의 (C)에 도시된 바와 같이, 카세트 이동 탑재 장치(17)에 의해, 카세트 전달 유닛(12)의 카세트 스테이지(13)에 적재되어, 카세트 보유 지지실(60)로부터 외부 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 반출된다.
(아이들 상태(IDOL))
도 7의 (D)는, 기판 처리 장치(10)의 아이들 상태 또는 스탠바이 상태를 도시하고 있다. 게이트(72)는 개방된 상태로 되어 있고, 카세트 보유 지지실(60)과 이동 탑재실(50)은, 개구(71)에 의해 연결된 상태로 되어 있다.
(이동 탑재실(50)에 대한 질소 가스의 유량)
도 8은, 스텝 S10 내지 S70, 아이들 상태 IDOL에서의 이동 탑재실(50)에 대한 질소 가스의 유량의 상태를 설명하기 위한 도면이다. 도 8에서, 횡축은 각 스텝 및 아이들 상태 IDOL의 상태를 나타내고, 종축은 질소 가스의 유량을 나타내고 있다. 이동 탑재실(50)에 대한 질소 가스의 유량의 제어는, 이동 탑재실(50)의 분위기 제어로서, 컨트롤러(121)에 의해 제어된다. 이동 탑재실(50)의 분위기 제어는, 질소 가스의 공급 밸브(도시하지 않음)의 개폐 제어, 질소 가스의 매스 플로우 컨트롤러(도시하지 않음)의 유량 제어 등이다.
스텝 S10(CCHG), S20(WCHG)에서는, 이동 탑재실(50)은 대기 분위기이며, 질소 가스의 유량이 0(제로)L/min(리터/분)이다. 질소 가스의 소비는, 0(제로)이다.
스텝 S30(BLOAD)에서는, 게이트(72)가 폐쇄되고, 이동 탑재실(50)이 대기 분위기에서 질소 가스 분위기로 변경되므로, 질소 가스의 유량은, 예를 들어 400L의 용적의 이동 탑재실에 대하여 800L/min(리터/분) 정도로 설정되어, 이동 탑재실(50)이 급속하게 질소 가스에 의해 퍼지된다. 그 후, 질소 가스의 유량은, 예를 들어 200L/min 정도로 변화된다. 이동 탑재실(50)이 질소 가스에 의해 퍼지된 상태에서, 보트(25)가, 반응관(31) 내에 삽하(로드)된다.
스텝 S40(성막 공정)에서는, 예를 들어 1시간 정도의 처리 시간 동안, 이동 탑재실(50)이 질소 가스에 의해 퍼지된 상태를 유지한다. 질소 가스의 유량은, 고정값이어도 되지만, 이동 탑재실(50) 내의 산소 농도계의 측정에 기초하여, 산소 농도를 20ppm 이하로 유지하도록 가변 제어해도 된다. 또한 장시간의 성막을 행하는 경우, 퍼지를 멈추고, 나아가 일단 대기로 복귀해서 S10과 마찬가지의 상태로 해도 된다. 그 경우, S50의 개시 시까지 원하는 산소 농도의 질소 분위기가 되도록, 대유량(800L/min)에 의한 퍼지를 재개 필요가 있다.
스텝 S50(BUNLOAD)에서는, 이동 탑재실(50)에 대한 질소 가스의 유량은 200L/min 정도가 된다. 이 상태에서, 보트(25)가 보트 엘리베이터(22)에 의해, 반응관(31)으로부터 이동 탑재실(50)에 취출된다(언로드). 자연 산화막의 생성을 무시할 수 있는 온도가 된 시점에서, 질소 가스의 유량을 0으로 하고, 이동 탑재실(50) 내의 질소 가스를 배출하고 대기로 치환한다.
스텝 S60, S70 및 아이들 상태 IDOL에서는, 게이트(72)가 개방된 상태이며, 이동 탑재실(50)은 대기 분위기이고, 이동 탑재실(50)에 대한 질소 가스의 유량은 0L/min이다. 질소 가스의 소비는 0(제로)이다.
(카세트 보유 지지실(60) 및 이동 탑재실(50)의 대기 분위기의 제어 구성)
도 9에, 실시 형태에 따른 처리 장치(10)에서의 대기 분위기의 흐름이 도시된다.
처리 장치(10)는, 그 주변, 예를 들어 클린 룸으로부터 대기를 도입하기 위한 에어 흡기 구멍(10a)을 갖는다. 에어 흡기 구멍(10a)으로부터 도입된 대기는, 이동 탑재실(50)측과 카세트 보유 지지실(60)측으로 흐른다.
이동 탑재실(50)측에 대한 대기의 흐름은, 이동 탑재실(50)에 설치된 클린 유닛(50a)에 공급되고, 클린 유닛(50a)에 의해 청정화되어, 이동 탑재실(50)에 공급된다. 이동 탑재실(50)에 공급된 대기는, 이동 탑재실(50)에 설치된 3개의 배면 배기 팬(50b)에 의해 배출된다.
카세트 보유 지지실(60)측에 대한 대기의 흐름은, 클린 유닛(60a)에 공급되어, 그곳에서 청정화된 후, 카세트 스테이지(13) 및 버퍼 선반(15, 16)에 공급된다. 클린 유닛(60a)은, 카세트 보유 지지실(60)의 천장의 거의 전체면에 설치되어 있다. 클린 유닛(60a)으로부터 카세트 보유 지지실(60)에 공급된 대기는, 선반 아래 배기 팬(60c)으로부터 이동 탑재실(50)의 바닥 하부를 통해서, 기판 처리 장치(10)의 배면측의 외부로 배기된다.
상술한 바와 같이, 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)의 사이에는, 도 9에 점선으로 도시되는 개구(71)가 설치되어 있다. 이동 탑재실(50)이 카세트 보유 지지실(60)과 비교해서 약간 양압이 되도록, 클린 유닛(50a와 60a)의 풍량, 또는 배면 배기 팬(50b)과 선반 아래 배기 팬(60c)의 풍량의 밸런스가 제어되어 있다. 그 때문에, 게이트(72)가 개방되어 있는 동안에, 클린 에어(대기)가 화살표 ar로 나타낸 바와 같이, 이동 탑재실(50)로부터 개구(71)를 통해서 카세트 보유 지지실(60)쪽으로 흘러 나오고 있다. 또한 카세트 전달 유닛(12)이 외부에 대한 개구를 갖고 있는 경우, 선반 아래 배기 팬(60c)은, 카세트 전달 유닛(12)의 개구로부터 외기를 도입하지 않도록, 풍량이 억제될 수 있다.
(이동 탑재실(50)의 분위기의 제어 구성)
도 10은, 이동 탑재실(50)의 분위기의 제어 구성을 개념적으로 도시하는 도면이다. 도 11은, 이동 탑재실(50)의 분위기의 제어를 설명하기 위한 도면이다.
이동 탑재실(50)은, 클린 유닛(50a)과, 클린 유닛(50a)에 에어 흡기 구멍(10a)으로부터의 대기를 공급하는 에어 인테이크(501)와, 불활성 가스 공급기(601)로부터의 질소 가스를 공급하는 불활성 가스 흡기 구멍(600)을 갖는다.
이동 탑재실(50)은 또한, 배면 배기 팬(50b)과, 배기 댐퍼(502)와, 리어 배기 댐퍼(503)와, 압력 조정판 구비 배기 박스(504)와, 배기 덕트(505), 순환 댐퍼(506)와, 열교환기인 라디에이터(507)와, 국소 배기 덕트(508)와, 순환 덕트(509)와, 클린 유닛(50a)의 가로측에 설치된 사이드 팬(511)을 갖는다. 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는, 순환 댐퍼(506)를 거쳐서 라디에이터(507)의 흡기측에 결합되고, 라디에이터(507)의 배기측은 클린 유닛(50a)에 결합된다. 라디에이터(507)는, 이동 탑재실(50)의 분위기, 또는 대기를 냉각하기 위해 이용된다. 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는, 예를 들어 이동 탑재기(19), 보트 엘리베이터(22), 회전 기구(40) 등의 동작에 기인하는 파티클을 배기하기 위해서 설치된다.
도 11에 도시되는 바와 같이, 이동 탑재실(50)은, 모드로서, 대기 분위기와, 질소 가스 퍼지(N2 퍼지)를 갖는다.
대기 분위기는, 동작 모드로서, 제1 모드(CHG/DCHG PROCESS)와, 제2 모드(DOOR OPEN)를 갖는다.
질소 가스 퍼지(N2 퍼지)는, 동작 모드로서, 제1 모드(CHG/DCHG PROCESS)와, 제2 모드(Stanby, BUNLOAD)와, 제3 모드(대기 복귀)를 갖는다.
대기 분위기의 제1 모드(CHG/DCHG PROCESS)에서는, 에어 인테이크(501)는 Open(개방), 배기 댐퍼(502)는 Open(개방), 리어 배기 댐퍼(503)는 Open(개방), 순환 댐퍼(506)는 Open(개방), 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는 ON(동작), 리어 팬(50b)은 ON(동작), 사이드 팬(511)은 ON(동작)이 된다. 이 동작 모드는, 순환 모드라고 할 수 있다. 순환 모드에서는, 클린 유닛(50a)은, 국소 배기 덕트(508), 순환 덕트(509)를 통해서 순환 댐퍼(506)로부터 공급된 이동 탑재실(50) 내의 대기를, 라디에이터(507)에 의해 냉각하고, 라디에이터(507)로부터의 냉각된 대기를 청정화해서 이동 탑재실(50)에 공급함과 함께, 잉여의 대기는 장치(10)의 외부로 배출한다. 도 12는, 대기 분위기의 순환 모드에서의 이동 탑재실(50) 내의 대기의 흐름을 개념적으로 나타내고 있다.
대기 분위기의 제2 모드(DOOR OPEN)에서는, 에어 인테이크(501)는 Open(개방), 배기 댐퍼(502)는 Open(개방), 리어 배기 댐퍼(503)는 Open(개방), 순환 댐퍼(506)는 Close(폐쇄), 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는 OFF(비동작), 리어 팬(50b)은 OFF(비동작), 사이드 팬(511)은 ON(MAX로 동작)이 된다. 이 동작 모드는, 1 패스 모드라고 할 수 있다. 1 패스 모드에서는, 클린 유닛(50a)은, 장치(10)의 외부로부터 도입된 대기(공기)를 청정화해서 이동 탑재실(50)에 공급함과 함께, 잉여의 공기를 장치(10)의 외부로 배출한다. 도 13은, 대기 분위기의 1 패스 모드에서의 이동 탑재실(50) 내의 대기의 흐름을 나타내고 있다.
N2 퍼지의 제1 모드(CHG/DCHG PROCESS)에서는, 에어 인테이크(501)는 Close(폐쇄), 배기 댐퍼(502)는 Close(폐쇄), 리어 배기 댐퍼(503)는 Close(폐쇄), 순환 댐퍼(506)는 Open(개방), 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는 ON(동작), 리어 팬(50b)은 OFF(비동작), 사이드 팬(511)은 ON(동작)이 된다. 이 동작 모드는, 순환 모드라고 할 수 있다. 이 동작 모드는, 순환 모드라고 할 수 있다. 순환 모드에서는, 클린 유닛(50a)은, 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)를 통해서 순환 댐퍼(506)로부터 공급된 이동 탑재실(50) 내의 질소 가스를, 라디에이터(507)에 의해 냉각하고, 라디에이터(507)로부터의 질소 가스를 청정화해서 이동 탑재실(50)에 공급함과 함께, 잉여의 질소 가스는 장치(10)의 외부로 배출한다. 도 14는, N2 퍼지의 순환 모드에서의 이동 탑재실(50) 내의 질소 가스의 흐름을 개념적으로 나타내고 있다.
N2 퍼지의 제2 모드(Stanby, BUNLOAD)에서는, 에어 인테이크(501)는 Open(개방), 배기 댐퍼(502)는 Open(개방), 리어 배기 댐퍼(503)는 Close(폐쇄), 순환 댐퍼(506)는 Close(폐쇄), 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는 OFF(비동작), 리어 팬(50b)은 OFF(비동작), 사이드 팬(511)은 ON(동작)이 된다. 이 동작 모드는, 1 패스 모드라고 할 수 있다.
N2 퍼지의 제3 모드(대기 복귀)에서는, 도 15에 도시하는 바와 같이, 에어 인테이크(501)는 Open(개방), 배기 댐퍼(502)는 Open(개방), 리어 배기 댐퍼(503)는 Close(폐쇄), 순환 댐퍼(506)는 Open(개방), 국소 배기 덕트(508)와 순환 덕트(509)는 ON(동작), 리어 팬(50b)은 OFF(비동작), 사이드 팬(511)은 ON(동작)이 된다.
(3) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
1) 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)의 사이에 벽부(70)이 설치된다. 벽부(70)는, 개구(71)를 갖고, 개구(71)를 개폐 가능한 게이트(72)가 설치된다. 개구(71)가 게이트(72)에 의해 폐쇄되면, 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)은 격리된 상태가 된다. 따라서, 이동 탑재실(50) 내를 질소 가스에 의해 퍼지하는 것이 가능하다. 이동 탑재실(50)의 질소 가스에 의한 퍼지는, 게이트가 폐쇄된 기간만이다. 따라서, 질소 가스의 소비량을 저감하는 것이 가능하다.
2) 복수의 로드 로크실을 구비해서 이동 탑재실을 상시 퍼지하는 방식에 비해, 로드 로크실의 퍼지가 불필요해서, 카세트 반입 공정 S10이나, 웨이퍼 장전 공정 S20을 단시간에 행할 수 있다. 이에 의해, 1회의 배치 기판 처리 공정의 시간도 그만큼 짧게 할 수 있으므로, 기판 처리의 생산성이 향상된다.
3) 게이트(72)가 개방되고, 개구(71)가 개방된 상태에서, 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)은 개구(71)를 통해서 연결되어 있다. 이 상태에서, 이동 탑재실(50)과 카세트 보유 지지실(60)은 대기 분위기로 된다. 따라서, 질소 가스의 소비량을 저감할 수 있고, 또한 이동 탑재실(50) 내에 유기 가스가 축적되는 것을 방지할 수 있다.
4) 상기 (2)에서, 이동 탑재실(50)은, 카세트 보유 지지실(60)과 비교하여, 양압으로 되므로, 이동 탑재실(50)로부터 카세트 보유 지지실(60)측에 청정 대기가 흐른다. 이에 의해, 이동 탑재실(50)의 분위기를 청정하게 유지하는 것이 가능하다.
5) 이동 탑재실(50)의 대기 분위기는, 1 패스 모드와 순환 모드로 전환 가능하다. 따라서, 이동 탑재실(50) 내를 청정화하는 것이 가능하다.
6) 이동 탑재실(50)의 질소 가스 분위기는, 1 패스 모드와 순환 모드로 전환 가능하다. 따라서, 이동 탑재실(50) 내를 청정화함과 함께, 질소 가스의 소비량을 억제하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태 및 실시예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
2: 기판 수용기(오픈 카세트) 10: 기판 처리 장치
15: 버퍼 선반 19: 이동 탑재기
25: 기판 지지구(보트) 31: 반응관
32: 반응실 50: 이동 탑재실
60: 카세트 보관실 50a: 클린 유닛
71: 개구 72: 게이트
507: 라디에이터(열교환기) 601: 불활성 가스 공급기

Claims (11)

  1. 기판을 기판 지지구에 적재한 상태에서 처리하는 반응실과,
    상기 반응실에 연접되어, 상기 반응실로부터 취출된 상기 기판 지지구가 배치되는 이동 탑재실과,
    상기 기판을 수납하는 기판 수용기를 보관하는 수용기 보유 지지실과,
    상기 이동 탑재실과 상기 수용기 보유 지지실 사이에 설치된 벽부와,
    상기 이동 탑재실과 상기 수용기 보유 지지실 사이에서 상기 기판을 이동시키기 위해 상기 벽부에 형성된 개구를 개폐하는 게이트와,
    상기 수용기 보유 지지실에서 상기 개구에 면해서 설치되고, 기판 수용기를 보유 지지하는 버퍼 선반과,
    상기 버퍼 선반의 상기 기판 수용기와 상기 기판 지지구의 사이에서 상기 기판을 반송하는 이동 탑재기와,
    상기 이동 탑재실에 청정한 분위기를 공급하는 클린 유닛과,
    상기 이동 탑재실에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급기와,
    상기 이동 탑재기에 의한 상기 기판 수용기로부터 상기 기판 지지구에 대한 상기 기판의 반입이 종료되어 상기 게이트가 폐쇄된 후에, 처리가 끝난 상기 기판을 상기 기판 지지구로부터 상기 기판 수용기에 반출하기 위해 상기 게이트가 다시 개방될 때까지의 동안의 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 불활성 가스 공급기가 상기 불활성 가스를 공급하고, 상기 게이트가 폐쇄된 기간 외에는, 상기 불활성 가스 공급기는 상기 불활성 가스를 공급하지 않고,
    상기 클린 유닛이, 상기 이동 탑재실 내의 분위기를 흡인해서 청정화하여 상기 이동 탑재실에 공급하는 제1 모드와, 장치 밖으로부터 도입된 공기를 청정화해서 상기 이동 탑재실에 공급함과 함께 잉여의 공기를 장치 외부로 배출하는 제2 모드를 전환할 수 있도록 구성되고, 상기 게이트가 개방되어 있는 동안에, 상기 이동 탑재실을 공기인 분위기에 의해 양압으로 유지함과 함께, 상기 이동 탑재실 중으로부터 상기 수용기 보유 지지실로 공기를 유출시키도록 제어하는 제어부
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지구의 상기 반응실에 대한 삽하 및 상기 반응실로부터의 취출은, 상기 이동 탑재실이, 소정의 산소 농도 이하의 분위기로 되어 있는 동안에 행하여지는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 클린 유닛은, 성막 처리 시퀀스 중에서 상기 이동 탑재실이 대기 환경, 질소 환경, 대기 환경으로 순차 전환되고, 대기 환경에서는, 적어도 상기 이동 탑재기가 가동하는 동안에, 상기 이동 탑재기에서 유래되는 파티클을 배출 가능한 제1 유량으로 대기를 공급하고, 질소 환경에서는, 이동 탑재실을 양압으로 유지할 수 있는 제2 유량으로 순환시키는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 클린 유닛은, 상기 이동 탑재실에 공급되는 분위기 혹은 대기를 냉각하는 열교환기를 포함하고, 상기 이동 탑재기는 이동 탑재실에 설치되고, 상기 게이트가 개방 상태에서, 이동 탑재실 밖에 놓인 기판 수용기로부터 상기 기판 지지구에 대한 기판의 이동 탑재를 실시하는, 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 클린 유닛은, 상기 이동 탑재실에 공급되는 분위기 혹은 대기를 냉각하는 열교환기를 포함하고, 상기 이동 탑재기는 이동 탑재실에 설치되고, 상기 게이트가 개방 상태에서, 이동 탑재실 밖에 놓인 기판 수용기로부터 상기 기판 지지구에 대한 기판의 이동 탑재를 실시하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 개구는, 상기 이동 탑재실의 벽의, 상기 이동 탑재기로부터 가장 가까운 위치에, 상하 방향으로 배열되어 복수 설치되고,
    상기 게이트는, 상기 복수의 개구를, 일괄해서 개폐하는, 기판 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 개구는, 상기 이동 탑재실의 벽의, 상기 이동 탑재기로부터 가장 가까운 위치에, 상하 방향으로 배열되어 복수 설치되고,
    상기 게이트는, 상기 복수의 개구를, 일괄해서 개폐하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수용기 보유 지지실에 연접해서 설치되어, 상기 기판 수용기를 상기 기판 처리 장치의 외부와 전달하는 전달 유닛을 포함하고, 상기 기판 수용기는, 오픈 카세트이며, 상기 전달 유닛은, 외부에 대하여 개방되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 수용기 보유 지지실에 연접해서 설치되어, 상기 기판 수용기를 상기 기판 처리 장치의 외부와 전달하는 전달 유닛을 포함하고, 상기 기판 수용기는, 오픈 카세트이며, 상기 전달 유닛은, 외부에 대하여 개방되어 있는, 기판 처리 장치.
  10. 기판을 수납하는 기판 수용기를 보관하는 수용기 보유 지지실 내의 버퍼 선반의 기판 수용기에 수납된 복수의 기판을, 상기 수용기 보유 지지실과 이동 탑재실 사이에 설치된 벽부에 형성된 개구를 통해서, 상기 이동 탑재실 내의 기판 지지구에 장전하는 장전 공정과,
    상기 개구를 게이트로 막고, 상기 복수의 기판이 적층된 상기 기판 지지구를, 상기 이동 탑재실에 설치된 반응관에 삽하하는 삽하 공정과,
    상기 복수의 기판 상에 성막하는 성막 공정과,
    상기 복수의 기판이 적층된 상기 기판 지지구를, 상기 반응관으로부터 취출하는 취출 공정과,
    상기 게이트를 개방하고, 상기 개구를 통해서, 상기 기판 지지구에 적층된 상기 복수의 기판을, 상기 이동 탑재실로부터 상기 버퍼 선반의 상기 기판 수용기에 장착 해제하는 장착 해제 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 이동 탑재실에 청정한 분위기를 공급하는 클린 유닛을, 상기 삽하 공정, 상기 성막 공정 및 취출 공정에서, 상기 이동 탑재실 내의 분위기를 흡인해서 청정화하여 상기 이동 탑재실에 공급하는 제1 모드에서 동작시키는 한편, 상기 장전 공정 및 장착 해제 공정에서, 외부로부터 도입된 공기를 청정화해서 상기 이동 탑재실에 공급함과 함께 잉여의 공기를 장치 외부로 배출하는 제2 모드에서 동작시키고,
    상기 제1 모드에서는, 상기 게이트가 폐쇄된 기간에만 불활성 가스 공급기로부터 상기 이동 탑재실에 불활성 가스를 공급하고,
    상기 제2 모드에서는, 상기 게이트가 개방되어 있는 동안에, 상기 이동 탑재실을 공기인 분위기에 의해 양압으로 유지함과 함께, 상기 이동 탑재실 중으로부터 상기 수용기 보유 지지실로 공기를 유출시키는,
    반도체 장치의 제조 방법.
  11. 기판을 수납하는 기판 수용기를 보관하는 수용기 보유 지지실 내의 버퍼 선반의 기판 수용기에 수납된 복수의 기판을, 상기 수용기 보유 지지실과 이동 탑재실 사이에 설치된 벽부에 형성된 개구를 통해서, 상기 이동 탑재실 내의 기판 지지구에 장전하는 장전 수순과,
    상기 개구를 게이트에서 막고, 상기 복수의 기판이 적층된 상기 기판 지지구를, 상기 이동 탑재실에 설치된 반응관에 삽하하는 삽하 수순과,
    상기 복수의 기판 상에 성막하는 성막 수순과,
    상기 복수의 기판이 적층된 상기 기판 지지구를, 상기 반응관으로부터 취출하는 취출 수순과,
    상기 게이트를 열고, 상기 개구를 통해서, 상기 기판 지지구에 적층된 상기 복수의 기판을, 상기 이동 탑재실로부터 상기 버퍼 선반의 상기 기판 수용기에 장착 해제하는 장착 해제 수순을 제어하기 위한 컴퓨터에서 실행되는 기판 처리 장치의 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체에 있어서,
    상기 삽하 수순, 상기 성막 수순 및 취출 수순에 있어서, 상기 게이트가 폐쇄된 기간에만 불활성 가스 공급기에 불활성 가스를 상기 이동 탑재실에 공급시키는 수순과,
    상기 삽하 수순, 상기 성막 수순 및 취출 수순 이외에 있어서는, 상기 불활성 가스 공급기에 상기 불활성 가스의 공급을 정지시키는 수순과,
    상기 이동 탑재실에 청정한 분위기를 공급하는 클린 유닛이, 상기 이동 탑재실 내의 분위기를 흡인해서 청정화하여 상기 이동 탑재실에 공급하는 제1 모드와,외부로부터 도입된 공기를 청정화해서 상기 이동 탑재실에 공급함과 함께 잉여의 공기를 장치 외부로 배출하는 제2 모드를 전환할 수 있도록 구성되고, 상기 게이트가 개방되어 있는 동안에, 상기 이동 탑재실을 공기인 분위기에 의해 양압으로 유지함과 함께, 상기 이동 탑재실 중으로부터 상기 수용기 보유 지지실로 공기를 유출시키는 수순,
    을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체.
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