JPH113867A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素、水分を始めとするコンタミネーション
濃度を短時間で低減し、反応室への導入を減少させ、ウ
ェーハ上の自然酸化膜の成長を抑制する。 【解決手段】 パージボックス６内へのウェーハ搬送終
了後、ゲートバルブ５を閉じ、真空排気装置１１により
真空排気を行う。これと同時に、パージボックス６内へ
雰囲気置換用ガスであるＮ₂ または乾燥空気を導入す
る。雰囲気置換用ガスの導入経路に雰囲気置換用ガス加
熱装置１２を設け、導入前に雰囲気置換用ガスを加熱す
る。これにより導入された雰囲気置換用ガスは、パージ
ボックス６の内壁を加熱して、内壁に吸着していた水分
やアンモニアを始めとしたコンタミネーションを雰囲気
中に脱離させ、真空排気装置１１によりパージボックス
６から抜き取る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ロードロック室、
パージボックス等の密閉容器を有する半導体製造装置に
係り、特に密閉容器内のコンタミネーションを排除する
ための装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高集積化に伴い各種堆積膜厚が薄くな
り、膜中に含まれる自然酸化膜の割合が大きくなってき
たため、各種堆積膜の膜質は、自然酸化膜の膜厚で左右
されるようになっている。基板、特にシリコン基板にあ
っては、表面が非常に活性であり、大気及び純水中にお
いて自己整合的に自然酸化膜が形成されるため、これを
完全に除去した状態での成膜は困難である。また、自然
酸化膜の初期成長は、雰囲気中に微量アンモニアの存在
により加速される。更に、金属等のコンタミネーション
は各種堆積膜の特性を劣化させる原因となる。

【０００３】このため半導体製造装置のロードロック
室、パージボックス等の密閉容器内部に残留した酸素、
水分を始めとするコンタミネーションを速やかに除去
し、反応室への基板搬送時における残留酸素、水分等に
よる自然酸化膜の成長を抑制する必要がある。

【０００４】そこで、従来は自然酸化膜の低減を目的と
して、直接大気に晒すことなく基板搬送が可能で且つ、
酸素、水分を始めとするコンタミネーション濃度を低減
することが可能な、ロードロック室、パージボックス、
チャンバ等の密閉容器を反応室の手前に設けた半導体製
造装置が使用されている。

【０００５】図５は従来のロードロック室３０を有する
半導体製造装置の構造を示したものである。ヒータ１で
覆われた縦型反応室２の下方にゲートバルブ３を介して
ロードロック室３０が設けられ、ロードロック室３０の
ウェーハ搬入搬出口となる開口部２８はゲートバルブ５
で気密に閉塞されるようになっている。さらにロードロ
ック室３０には真空排気するための真空排気装置１１
と、内部を大気からＮ₂ガスに置換するためのＮ₂ ガス
供給装置４７が設けられ、Ｎ₂ ガス供給装置４７はバル
ブ１６、質量流量計１３を介してロードロック室３０に
接続されている。ロードロック室３０の外にはウェーハ
移載機７が設けられ、ウェーハカセットを載置する移載
棚４とロードロック室３０内のボート８との間でウェー
ハ９を移載するようになっている。

【０００６】反応室２でウェーハの処理を行うために、
ウェーハ移載機７を介してウェーハ９を移載棚４からボ
ート８に搬送するが、その際、ゲートバルブ５を開放す
るため、ロードロック室３０は一旦大気に戻る。ウェー
ハ搬送終了後、ゲートバルブ５を閉じ、真空排気装置１
１により真空排気を行うと同時に、質量流量計１３を介
して多量のＮ₂ を導入し、ロードロック室３０の雰囲気
置換を行なう。これにより酸素、水分等のコンタミネー
ション濃度を低減した後、ゲートバルブ３を開いて、ボ
ート８と共にウェーハ９を反応室２に搬送する。

【０００７】図６は、従来のパージボックスを有する半
導体製造装置の構造を示したものである。図５のロード
ロック室３０と異なる点は、ウェーハ９の自然酸化を防
止するためにウェーハ９の搬送領域を全て大気と遮断さ
れた気密構造をとっている点である。すなわち、パージ
ボックス６にはゲートバルブ５を介して移載棚４が気密
に設けられ、移載棚４とボート８との間でウェーハ９を
移載するウェーハ移載機７がパージボックス６内に設け
られている。さらに、パージボックス６には、パージボ
ックス６内の雰囲気を循環させるブロア２５と系路を有
する循環駆動系２１が取り付けられ、Ｎ₂ ガス供給装置
４７からパージボックス６内に供給されたＮ₂ ガスを強
制循環して大容積のボックス内のすみずみまで満たすよ
うになっている。

【０００８】上述したロードロック室３０やパージボッ
クス６などの密閉容器内が一旦大気に戻るのは、ウェー
ハの搬入・搬出時のみならず、密閉容器内をメンテナン
スする時にもある。メンテナンスを行う密閉容器は図７
に示すが、ここではカセット収納室などのチャンバ３１
を想定している。このチャンバ３１には、メンテナンス
用ゲートバルブ３２、チャンバ３１内を排気配管を介し
て真空引きする真空排気装置３５、排気配管の開閉を行
う真空引き用のバルブ３６、チャンバ３１内に供給配管
３７を介して雰囲気置換用ガスを供給してチャンバ３１
内を大気圧に戻す雰囲気置換用ガス供給装置２９、供給
配管３７の開閉を行う大気リーク用バルブ３８などが取
り付けられる。チャンバ３１に連接される他の密閉容器
は省略してある。このように構成されたチャンバは、次
のようにして真空引きされ、パージされ、そしてメンテ
ナンスされる。

【０００９】チャンバ３１内を真空状態とするには、ゲ
ートバルブ３２を閉じてチャンバ３１を密閉し、大気リ
ーク用バルブ３８を開いてパージしたまま、真空引き用
バルブ３６を開いて真空排気装置３５により真空引きを
行う。チャンバ３１内を大気圧に戻すには、ゲートバル
ブ３２を閉じて真空引き用バルブ３６を閉じたうえで、
大気リーク用バルブ３８を開いて雰囲気置換用ガス供給
装置２９より雰囲気置換用ガスでチャンバ３１内をパー
ジする。真空引き用バルブ３６及び大気リーク用バルブ
３８を共に閉じたうえで、ゲートバルブ３２を開いてチ
ャンバ３１内を大気状態に開放する。そして真空テスト
用のウェーハ３４の取出しやウェーハ移載機３３のメン
テナンスをする。メンテナンス後は、再び真空引きが行
なわれる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来のロードロック室
３０またはパージボックス６の真空排気、Ｎ₂ 置換を行
なった場合、Ｎ₂ 置換ゆえに酸素濃度は比較的短時間で
１ｐｐｍ以下とすることができる。しかし水分濃度を１
ｐｐｍ以下とすることは現状では困難である。この理由
は、雰囲気中の水分は容易に除去できるが、内壁面に吸
着した水分は吸着時間が長く、時間をかければともか
く、短時間で除去することはできない。このため内壁面
に吸着水分が残存することになるが、その状態で反応室
２のゲートバルブ３を開放すると、高温に保持された反
応室２からの輻射熱により、ロードロック室３０または
パージボックス６の内壁に吸着した水分が活性化し、雰
囲気中に飛び出すため、結果的に水分濃度が増加するか
らである。

【００１１】特にパージボックス６では、ウェーハ移載
機７、ボート８を含む大容積の容器を常にＮ₂ パージし
て循環させる必要があり、多量のＮ₂ を有するため、水
分濃度安定化までかなりの時間を要するので、水分濃度
を１ｐｐｍ以下とすることは一層困難である。また、パ
ージボックス６の場合には、ウェーハ移載機７、ブロア
２５などの駆動系から金属などが発塵することなどの問
題もある。ロードロック室３０やパージボックス６に残
留した数ｐｐｍの酸素及び水分は、自然酸化膜成長を増
加させ、堆積膜の均一性を悪化させる要因となる。ま
た、発塵による金属などのコンタミネーションは堆積膜
の特性を劣化させる要因となる。

【００１２】一方、図７に示す半導体製造装置のチャン
バ３１のメンテナンスを行う場合は、メンテナンス時に
ゲートバルブ３２を開いてチャンバ３１内を大気状態に
開放するため、大気中の水分がチャンバ内壁に吸着して
しまうことがある。チャンバ内壁に水分が吸着すると、
後に行なわれる真空引きにおいて、目標真空度への到達
時間に大きな影響を与える。水分吸着量の増加が目標真
空度への到達時間の増加につながるため、メンテナンス
時においても水分吸着が大きな問題となっていた。

【００１３】上記のような問題を解消できるものとし
て、ロードロック室内に加熱用ヒータを設けて、ロード
ロック室内に収納されるウェーハを加熱して残留する水
分を蒸発させることにより、ロードロック室の真空引き
の効率を上げる技術が特開平７−１５３７１０号公報に
提案されている。これによれば、ロードロック室に限ら
ず、パージボックス、さらにはチャンバについても真空
引きの効率を上げることが可能と考えられる。

【００１４】しかし前記公報のものは、ロードロック室
などの密閉容器内に加熱用ヒータを設置するため、ロー
ドロック室内の構造を複雑にするばかりか、ボートを囲
むようにヒータを設けるため、ウェーハ搬送やメンテナ
ンスの障害が生じるという問題がある。また、ヒータは
ウェーハを加熱するように設けられているので、内壁、
特に隅部に付着した水分を確実に蒸発させることができ
ない場合があった。

【００１５】本発明の課題は、上述した従来技術の問題
点を解消して、加熱手段を密閉容器に外付けするだけの
簡単な構造で、水分を始めとするコンタミネーション濃
度を短時間で低減することが可能で、基板搬送やメンテ
ナンスに障害の生じない半導体製造装置を提供すること
にある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、雰囲気置換用ガスで置換される密閉容器を有する半
導体製造装置において、前記密閉容器内の雰囲気置換用
ガスを密閉容器導入前に加熱する雰囲気置換用ガス加熱
手段を設けたものである。ここに密閉容器とは、大気雰
囲気から隔絶された真空気密構造を持つものであり、例
えばロードロック室、パージボックス、チャンバ等の反
応予備室である。

【００１７】雰囲気置換用ガスは雰囲気置換用ガス加熱
手段により加熱されて密閉容器内に導入される。加熱さ
れた雰囲気置換用ガスが密閉容器内に導入されると、密
閉容器の内壁面が加熱される。これにより密閉容器内壁
面に吸着した水分、アンモニア等を始めとするコンタミ
ネーションが活性化され雰囲気中に離脱する。雰囲気中
に離脱したコンタミネーションは、内壁面に吸着したコ
ンタミネーションを除去する場合に比べて、容易に除去
することができるから、短時間で除去することが可能と
なる。特に雰囲気置換用ガスを不活性ガスとすると、コ
ンタミネーションとしての酸素の密閉容器内への導入も
抑制することができる。また、本発明は密閉容器に対す
る基板の搬入・搬出時のみならず、開放した密閉容器内
に雰囲気置換用ガスを外気に抗して導入しながら行うメ
ンテナンス時にも適用できる。

【００１８】請求項２に記載の発明は、さらに密閉容器
外に密閉容器の雰囲気を循環させる循環駆動系を取り付
け、該循環駆動系の系路に循環雰囲気を加熱する循環雰
囲気加熱手段を設けたものである。

【００１９】密閉容器内に導入された雰囲気置換用ガス
は循環駆動系により密閉容器内を循環して密閉容器内を
雰囲気置換用ガスで満たす。この雰囲気置換用ガスは循
環中に循環雰囲気加熱手段により加熱される。密閉容器
内に導入された雰囲気置換用ガスが、循環雰囲気加熱手
段により導入後も加熱されるため、コンタミネーション
の離脱が一層促進され、より短時間でコンタミネーショ
ンを除去することが可能となる。

【００２０】請求項３に記載の発明は、前記循環駆動系
の系路に循環雰囲気中のコンタミネーションを捕獲する
フィルタを設けたものである。

【００２１】密閉容器内を循環する雰囲気中には、密閉
容器内に設けられる基板移載機や循環駆動系などを発生
源とするコンタミネーションが混入するが、このコンタ
ミネーションは循環駆動系に設けたフィルタにより循環
途中で捕獲される。 請求項４に記載の発明は、密閉容
器の開口部に不活性ガスのエアカーテンを設けたもので
ある。

【００２２】不活性ガスのエアカーテンにより密閉容器
の開口部がエア的に区画されるので、外気中に含まれる
水分、酸素などのコンタミネーションの密閉容器内への
導入が抑制される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に密閉容器を有する半導体製
造装置の実施形態を図面を用いて説明する。

【００２４】図１はパージボックス６を有する半導体製
造装置の構造を示したものである。ヒータ１で覆われた
縦型反応室２の下方にゲートバルブ３を介してパージボ
ックス６が設けられ、パージボックス６のウェーハ搬入
搬出口はゲートバルブ５で気密に閉塞されるようになっ
ている。パージボックス６の内部において縦型反応室２
内に挿入、取出しするボートエレベータ（図示せず）が
ある。またパージボックス６内には、ボックス外の移載
棚４とボックス内のボート８との間でウェーハ９を移載
するウェーハ移載機７が設けられている。またパージボ
ックス６には内部を大気から不活性ガスであるＮ₂ ガス
に置換するための真空排気装置１１及び雰囲気置換用ガ
ス供給装置４６が設けられる。この雰囲気置換用ガス供
給装置４６は雰囲気置換用ガスとしてＯ₂ 、およびＮ₂
又は乾燥空気をそれぞれ供給できるようになっている。
Ｏ₂ はメンテナンス時のパージ用、Ｎ₂ 又は乾燥空気は
ウェーハ搬送時に行うパージ用である。

【００２５】雰囲気置換用ガス供給装置４６は、超高純
度ガス精製装置１５、１５、ガスフィルタ１４、１４、
質量流量計１３、１３を介してパージボックス６に接続
され、各雰囲気置換用ガスが精製し濾過されてパージボ
ックス６内に導入されるようになっている。特に本実施
の形態では、両質量流量計１３、１３とパージボックス
６との導入経路に、パージボックス６内に導入される各
雰囲気置換用ガスを加熱する雰囲気置換用ガス加熱装置
１２が設けられ、パージボックス６内の雰囲気置換用ガ
スをパージボックス６の導入前に加熱できるようになっ
ている。雰囲気置換用ガス加熱装置１２の加熱方法は、
例えば抵抗加熱やランプ加熱を用いることができる。

【００２６】反応室２でウェーハの処理を行うために、
ウェーハ移載機７を介してウェーハ９を移載棚４からボ
ート８に搬送する際、ゲートバルブ５を開放するため、
パージボックス６は一旦大気に戻る。ウェーハ搬送終了
後、ゲートバルブ５を閉とし、真空排気装置１１により
真空排気を行うと同時に、雰囲気置換用ガス供給装置４
６から供給される多量のＮ₂ 又は乾燥空気を、雰囲気置
換用ガス加熱装置１２により１００℃以上に加熱してパ
ージボックス６内に導入し、パージボックス６内の雰囲
気置換を行う。

【００２７】加熱されたＮ₂ 又は乾燥空気がパージボッ
クス６内に導入されると、パージボックス６の内壁面が
加熱される。これによりパージボックス内壁面に吸着し
た水分、アンモニア等を始めとするコンタミネーション
が活性化され、内壁面を離脱して雰囲気中に混入する。
雰囲気中に混入したコンタミネーションは、真空排気装
置１１により雰囲気と共に、外部に容易に抜き去ること
ができるから、短時間でコンタミネーションを除去する
ことが可能となる。また、コンタミネーションの除去に
よりパージボックスの本来もつ機能をより効率的に発揮
できる。特に雰囲気置換用ガスをＮ₂ のみとすると、コ
ンタミネーションとしての酸素の密閉容器内部への導入
も抑制することができる。また、パージボックス６に導
入するガスは、導入前に超高純度ガス精製装置１５、ガ
スフィルタ１４を通るので、導入ガス中の不純物濃度を
ｐｐｂオーダまで低減することも可能となる。

【００２８】このようにして水分等のコンタミネーショ
ン濃度を低減した後、ゲートバルブ３を開き、ボート８
と共にウェーハ９を反応室２に搬送する。水分を始めと
するコンタミネーション濃度を低減し、これらの反応室
への導入を減少させるので、自然酸化膜の成長を極限ま
で抑制できる。したがって、高集積化に伴い各種堆積膜
厚が縮小しても、膜中に含まれる自然酸化膜の割合を小
さくすることができるので、自然酸化膜の膜厚に影響さ
れず、各種堆積膜の膜質を高品質化することができる。

【００２９】図２は、パージボックスがさらに循環駆動
系を備えている場合の実施の形態を示す。パージボック
ス２６に、パージボックス内の雰囲気を循環させるブロ
ア２５を有する循環駆動系２１が取り付けられ、Ｎ₂ ガ
ス供給装置からパージボックス２６内に導入されたＮ₂
又は乾燥空気をボックス内のすみずみまで満たすよう
に、強制循環するようになっている。この循環駆動系２
１の系路に、循環駆動系２１を通過する雰囲気を加熱す
る循環雰囲気加熱装置１７を少なくとも１箇所設けてあ
る。循環雰囲気加熱装置１７による加熱方法は抵抗加熱
によることができる。図示例では、リング状の抵抗加熱
ヒータをブロア２５の吹出口２０に設けて、吹出口２０
を通過する雰囲気を加熱している。

【００３０】さらに循環駆動系２１に循環雰囲気中のコ
ンタミネーションを捕獲するケミカルフィルタ１８が設
けられている。ケミカルフィルタ１８は、パージボック
ス２６内の少なくとも１箇所に設置する。設置場所は、
例えば図２では、ブロア２５のガス吸入口１９としてあ
る。

【００３１】パージボックス２６内に導入された雰囲気
置換用ガスは循環駆動系２１に設けたブロア２５により
パージボックス２６内を循環してパージボックス２６内
を雰囲気置換用ガスで満たす。この雰囲気置換用ガスは
循環中に循環雰囲気加熱装置１７により加熱される。パ
ージボックス２６内に導入された雰囲気置換用ガスが、
循環雰囲気加熱装置１７により導入後も加熱されるた
め、コンタミネーションの離脱が一層促進され、より短
時間でパージボックス２６内のコンタミネーション除去
することが可能となる。

【００３２】また、循環駆動系２１内にケミカルフィル
タ１８を設けることにより、主にウェーハ移載機７やブ
ロア２５の駆動系を発生源とする金属等のコンタミネー
ションが捕獲されると共に、パージボックス２６内に存
在するコンタミネーションを有効に除去することができ
る。特に、ケミカルフィルタ１８をガス吹出口２０に設
けると、ブロア２５により発塵する不純物のパージボッ
クス２６内部への進入を有効に抑制することができる。

【００３３】上記した雰囲気置換用ガス加熱装置１２、
循環雰囲気加熱装置１７はパージボックス２６内に侵入
した水分、アンモニア等のコンタミネーションを効率的
に低減する効力がある。そのためにも、両加熱装置は後
述するヒータと同様に温度制御することが好ましい。ま
た、ケミカルフィルタ１８は、パージボックス２６内の
駆動系で発塵したコンタミネーションを効率的に低減す
る効力がある。

【００３４】なお、上述した実施の形態では、加熱した
雰囲気置換用ガスを導入することによってパージボック
ス２６の内壁を加熱するようにしたが、さらにパージボ
ックス２６自体を直接加熱するようにしてもよい。パー
ジボックス自体を直接加熱するようにすると、内壁に付
着した水分の離脱を一層促進できる。パージボックスを
直接加熱する加熱源には、例えばパージボックス壁面に
抵抗加熱体である熱線を埋め込んだり、パージボックス
をジャケットヒータやテープヒータ等により覆った構造
とすることができる。

【００３５】ところで、ウェーハ９を移載棚４からパー
ジボックス２６内のボート８に搬送する際、ゲートバル
ブ５を開放するため、パージボックス２６に大気が入
る。しかしゲートバルブ５から大気が入りにくくなれ
ば、コンタミネーションをさらに低減することができ
る。そこで、図３に示すように、ゲートバルブ５の開口
部２８にＮ₂ ガスなどの不活性ガスのエアカーテン２７
を設けることが好ましい。Ｎ₂ ガスのエアカーテン２７
の設置方法は、例えば図３(a) 、(b) に示すように、開
口部２８の上部又は側部に設置し、シャワー配管２２に
Ｎ₂ ガスを導入し、これに設けた２箇所以上のシャワー
穴２３よりＮ₂ を噴射させることにより、開口部２８に
Ｎ₂ ガスのカーテンを作る。更に、シャワー配管２２に
対向する位置にＮ₂ を吸引排気する吸引排気口２４を設
けることにより、パージボックス６内と大気中雰囲気を
隔離する能力が向上する。このようにＮ₂ ガスカーテン
を設けることにより、開口部２８からのパージボックス
６への酸素、水分等のコンタミネーション導入の抑制も
可能となる。

【００３６】ところで、上記実施の形態ではウェーハ搬
送時に密閉容器にＮ₂ ガスまたは乾燥空気を導入して、
容器内をパージする場合について説明したが、つぎにメ
ンテナンス時に密閉容器に乾燥空気を導入して、容器内
をパージする場合について説明する。

【００３７】半導体製造装置を構成するチャンバ回り
は、図４に示すように、真空気密構造をしたチャンバ３
１と、チャンバ３１内のメンテナンス用の、もしくはウ
ェーハ搬入出用も兼ねるメンテナンス用のゲートバルブ
３２と、チャンバ３１内を排気配管を介して真空排気装
置３５と、排気配管の開閉を行う真空引き用のバルブ３
６と、チャンバ３１内に供給配管３７を介して雰囲気置
換用ガスとしての乾燥空気を供給してチャンバ３１内を
大気圧に戻す雰囲気置換用ガス供給装置２９と、供給配
管３７の開閉を行う大気リーク用のバルブ３８とから構
成される。ここまでは図２に示す従来の構成と同じであ
る。

【００３８】従来と異なる点は、雰囲気置換用ガスを送
る供給配管３７の周りにヒータ３９を設けて、チャンバ
３１導入前に雰囲気置換用ガスを加熱するようにした点
である。供給配管３７にヒータ３９を取り付け、そのヒ
ータ温度を制御する制御装置４２を設ける。ヒータは抵
抗加熱ヒータで構成することができる。ヒータ３９には
ヒータ温度を検出する温度センサとして熱電対４０を取
り付ける。制御装置４２は、熱電対４０の検出温度と設
定温度とを比較する比較器４３と、比較出力に応じたゲ
ート制御電圧を発生するゲート電圧発生回路４４と、ゲ
ート電圧発生回路４４から出力されるゲート制御電圧に
より制御されるサイリスタ４５とから構成される。ヒー
タ３９には交流電源４１がヒータ電源として接続され、
その交流電源によりヒータ３９に供給される電力がサイ
リスタ４５によって制御され、ヒータ温度は設定値に保
持される。

【００３９】このような構成において、チャンバ３１内
を大気圧状態でメンテナンスを行う時は、ヒータ３９を
加熱し供給配管３７の温度を上げておく。真空引き用バ
ルブ３６及び大気リーク用バルブ３８を共に閉じたうえ
で、ゲートバルブ３２を開いてチャンバ３１内を大気状
態に開放すると共に、乾燥空気用バルブ３８を開いて雰
囲気置換用ガス供給装置３６から乾燥空気を供給配管３
７に送り出し加熱する。加熱した乾燥空気をチャンバ３
１内に供給する。このときの供給圧は、チャンバ３１内
に流入しようとする外気に抗して、チャンバ３１内に供
給された乾燥空気が流出する圧が必要である。

【００４０】チャンバ３１内へ加熱した乾燥空気を供給
してチャンバ３１に流し続けることで、チャンバ３１外
からの水分を含んだ外気の侵入が防止される。水分を含
んだ外気がチャンバ３１内に侵入しないので、メンテナ
ンス中のチャンバ３１の内壁面への総水分吸着量を低減
できる。それに伴いメンテナンス後に行なわれる真空立
上げ時間が短縮でき、装置のスループットが向上する。

【００４１】ヒータ制御装置４２を設けて温度制御する
ようにしたので、水分吸着防止に効果的な温度設定やメ
ンテナンス時に作業者が供給配管３７に触れても事故の
ないような温度設定にすることも可能である。さらに安
全性を考えて、ヒータ３９の周りを断熱材（図示せず）
で囲んでもよい。またバルブ３８を耐熱性バルブとすれ
ば、これを含めた加熱ができ、さらに効果的となる。

【００４２】また、チャンバ３１内に供給されて流出す
るガスは乾燥空気であるため、チャンバ３１を汚染せ
ず、チャンバ３１に連接するウェーハ処理室やロードロ
ック室などの密閉容器に悪影響を与えず、作業者の安全
を確保できる。

【００４３】上記実施の形態では、外気の侵入を防止す
るために流し続ける乾燥ガスとして、特に乾燥空気を使
用したので、取り扱いが容易である。しかし、チャンバ
３１を汚染せず、チャンバ３１に連接する密閉容器に悪
影響を与えず、作業者の安全を確保できるガスであれ
ば、乾燥空気に限定されない。例えば、Ｏ₂ ガスでもよ
い。

【００４４】以上説明したように、本実施形態のパージ
ボックスなどの密閉容器においては、酸素、水分を始め
とするコンタミネーションの密閉容器内部への導入を抑
制し、また、一旦導入された酸素、水分を始めとするコ
ンタミネーションを短時間でｐｐｂオーダまで低減する
ことが可能である。これにより、反応室導入前に形成さ
れる制御されない雰囲気下における自然酸化膜の成長を
抑制することが可能である。

【００４５】また、チャンバのメンテナンス時に、チャ
ンバへの供給ガスを加熱することにより、大気圧状態の
メンテナンス中の水分の総吸着量を低減できる。それに
伴い真空立上げ時間が短縮できる。また、ヒータ制御に
より、水分吸着防止に効果的な温度設定が可能である。
さらに、メンテナンス時に配管に触れても事故のないよ
うな温度設定による使用も可能である。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、雰囲気置換用ガス加熱
手段を密閉容器に外付けするだけの簡単な構造で、水分
を始めとするコンタミネーション濃度を短時間で低減す
ることができるので作業効率が向上し、しかも雰囲気置
換用ガス加熱手段は密閉容器の外に設けられているため
基板搬送やメンテナンス時などの障害とならない。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態によるパージボックスを備えた半導体
製造装置の概略構成図である。

【図２】実施形態による循環駆動系を有するパージボッ
クスを備えた半導体製造装置の概略構成図である。

【図３】Ｎ₂ ガスカーテンを設置した実施の形態を示す
パージボックス開口部の正面図である。

【図４】メンテナンス時のチャンバ周りを示した実施形
態による概略構成図である。

【図５】従来のロードロック室を有する半導体製造装置
の概略構成図である。

【図６】従来のパージボックスを有する半導体製造装置
の概略構成図である。

【図７】メンテナンス時のチャンバ周りを示した従来例
の概略構成である。

【符号の説明】

６ パージボックス（密閉容器） １１ 真空排気装置 １２ 雰囲気置換用ガス加熱装置 １７ 循環雰囲気加熱装置 １８ ケミカルフィルタ ２１ 循環駆動系 ２７ Ｎ₂ ガスのエアカーテン ２８ 開口部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】雰囲気置換用ガスで置換される密閉容器を
   有する半導体製造装置において、 前記密閉容器内の雰囲気置換用ガスを密閉容器導入前に
   加熱する雰囲気置換用ガス加熱手段を設けたことを特徴
   とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】さらに密閉容器外に密閉容器の雰囲気を循
   環させる循環駆動系を取り付け、該循環駆動系の系路に
   循環雰囲気を加熱する循環雰囲気加熱手段を設けたこと
   を特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 【請求項３】前記循環駆動系の系路に循環雰囲気中のコ
   ンタミネーションを捕獲するフィルタを設けたことを特
   徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
4. 【請求項４】密閉容器の開口部に不活性ガスのエアカー
   テンを設けたことを特徴とする請求項１ないし３のいず
   れかに記載の半導体製造装置。