JPH10326730A - 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 - Google Patents
半導体製造装置及びそのメンテナンス方法Info
- Publication number
- JPH10326730A JPH10326730A JP13481397A JP13481397A JPH10326730A JP H10326730 A JPH10326730 A JP H10326730A JP 13481397 A JP13481397 A JP 13481397A JP 13481397 A JP13481397 A JP 13481397A JP H10326730 A JPH10326730 A JP H10326730A
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- JP
- Japan
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- chamber
- maintenance
- dry air
- semiconductor manufacturing
- air
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンテナンス時のチャンバ内壁への水分吸着
を低減して、早急に真空立上げができるようにする。 【解決手段】 ウェーハ移載ロボット７を備えたチャン
バ１に乾燥空気を供給する乾燥空気供給用ボンベ１１を
水分除去装置１２を介して接続する。テスト用のウェー
ハ６の取出しや、真空ウェーハ移載ロボット７のメンテ
ナンス時、ゲート２を開いてチャンバ１内を大気に開放
すると共に、乾燥空気用バルブ１４を開いて水分を除去
した乾燥空気をチャンバ１内に供給して、外気に抗して
チャンバ１の外に流し続け、外気がチャンバ１内へ侵入
しないようにする。
を低減して、早急に真空立上げができるようにする。 【解決手段】 ウェーハ移載ロボット７を備えたチャン
バ１に乾燥空気を供給する乾燥空気供給用ボンベ１１を
水分除去装置１２を介して接続する。テスト用のウェー
ハ６の取出しや、真空ウェーハ移載ロボット７のメンテ
ナンス時、ゲート２を開いてチャンバ１内を大気に開放
すると共に、乾燥空気用バルブ１４を開いて水分を除去
した乾燥空気をチャンバ１内に供給して、外気に抗して
チャンバ１の外に流し続け、外気がチャンバ１内へ侵入
しないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置及び
そのメンテナンス方法に係り、特にメンテナンス時のチ
ャンバ内壁への水分吸着を低減するためのものに関す
る。
そのメンテナンス方法に係り、特にメンテナンス時のチ
ャンバ内壁への水分吸着を低減するためのものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置には、例えば、ウェーハ
移載ロボットを有するチャンバにウェーハ処理室やロー
ドロック室などの連接ユニットを連設し、ウェーハ移載
ロボットによりウェーハをロードロック室からウェーハ
処理室へ、あるいはウェーハ処理室からロードロック室
に移載するものがある。
移載ロボットを有するチャンバにウェーハ処理室やロー
ドロック室などの連接ユニットを連設し、ウェーハ移載
ロボットによりウェーハをロードロック室からウェーハ
処理室へ、あるいはウェーハ処理室からロードロック室
に移載するものがある。
【０００３】上記チャンバ回りは、例えば図２に示すよ
うに、真空気密構造をしたチャンバ１と、チャンバ１内
のメンテナンス用のゲート２と、チャンバ１内を排気経
路９を介して真空引きするポンプ３と、排気経路９の開
閉を行う真空引き用のバルブ４と、チャンバ１内に供給
経路１０を介してリークガスを供給してチャンバ１内を
大気圧に戻すリークガス供給源５と、供給経路１０の開
閉を行う大気リーク用のバルブ８とから構成される。な
お、チャンバ１に連接される連接ユニットは省略してあ
る。このように構成されたチャンバは、使用に際して、
次のようにして真空引きし、パージし、そしてメンテナ
ンスする。
うに、真空気密構造をしたチャンバ１と、チャンバ１内
のメンテナンス用のゲート２と、チャンバ１内を排気経
路９を介して真空引きするポンプ３と、排気経路９の開
閉を行う真空引き用のバルブ４と、チャンバ１内に供給
経路１０を介してリークガスを供給してチャンバ１内を
大気圧に戻すリークガス供給源５と、供給経路１０の開
閉を行う大気リーク用のバルブ８とから構成される。な
お、チャンバ１に連接される連接ユニットは省略してあ
る。このように構成されたチャンバは、使用に際して、
次のようにして真空引きし、パージし、そしてメンテナ
ンスする。
【０００４】チャンバ１内を真空状態とするには、ゲー
ト２を閉じてチャンバ１を密閉し、大気リーク用バルブ
８を閉じたうえで、真空引き用バルブ４を開いてポンプ
３により真空引きを行う。
ト２を閉じてチャンバ１を密閉し、大気リーク用バルブ
８を閉じたうえで、真空引き用バルブ４を開いてポンプ
３により真空引きを行う。
【０００５】チャンバ１内を大気圧に戻すには、ゲート
２を閉じて真空引き用バルブ４を閉じたうえで、大気リ
ーク用バルブ８を開いてリークガス供給源５よりリーク
ガスをチャンバ１内に供給する。
２を閉じて真空引き用バルブ４を閉じたうえで、大気リ
ーク用バルブ８を開いてリークガス供給源５よりリーク
ガスをチャンバ１内に供給する。
【０００６】真空テスト用のウェーハ６の取出しやウェ
ーハ移載ロボット７のメンテナンス（以下、単にメンテ
ナンスという）時は、真空引き用バルブ４及び大気リー
ク用バルブ８を共に閉じたうえで、ゲート２を開いてチ
ャンバ１内を大気状態に開放する。
ーハ移載ロボット７のメンテナンス（以下、単にメンテ
ナンスという）時は、真空引き用バルブ４及び大気リー
ク用バルブ８を共に閉じたうえで、ゲート２を開いてチ
ャンバ１内を大気状態に開放する。
【０００７】メンテナンス後は、再び真空引きが行なわ
れる。
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たチャンバを有する従来の半導体製造装置では、メンテ
ナンス時にゲート２を開いてチャンバ１内を大気状態に
開放するため、大気中の水分がチャンバ内壁に吸着して
しまうことがある。チャンバ内壁に水分が吸着すると、
後に行なわれる真空引きにおいて、目標真空度への到達
時間に大きな影響を与える。すなわち、水分吸着量の増
加が目標真空度への到達時間の増加につながるため、水
分吸着が大きな問題となっており、装置のスループット
を低下させていた。
たチャンバを有する従来の半導体製造装置では、メンテ
ナンス時にゲート２を開いてチャンバ１内を大気状態に
開放するため、大気中の水分がチャンバ内壁に吸着して
しまうことがある。チャンバ内壁に水分が吸着すると、
後に行なわれる真空引きにおいて、目標真空度への到達
時間に大きな影響を与える。すなわち、水分吸着量の増
加が目標真空度への到達時間の増加につながるため、水
分吸着が大きな問題となっており、装置のスループット
を低下させていた。
【０００９】本発明の課題は、上述した従来技術の問題
点を解消して、メンテナンス時のチャンバ内壁への水分
吸着を低減して、早急に真空立上げすることができる半
導体製造装置及びそのメンテナンス方法を提供すること
にある。
点を解消して、メンテナンス時のチャンバ内壁への水分
吸着を低減して、早急に真空立上げすることができる半
導体製造装置及びそのメンテナンス方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部を真空状
態で使用し、メンテナンス時大気に開放するチャンバを
有する半導体装置において、メンテナンス時に、チャン
バを汚染せず、チャンバに連接する関連ユニットに悪影
響を与えず、作業者の安全を確保できる乾燥ガスをチャ
ンバ内に供給する乾燥ガス供給手段を設けたものであ
る。メンテナンス時、チャンバを大気に開放すると共
に、乾燥ガス供給手段によりチャンバ内へ乾燥ガスを供
給する。これにより水分を含む外気の侵入が防止され、
メンテナンス時のチャンバ内壁への水分の吸着量を低減
できる。
態で使用し、メンテナンス時大気に開放するチャンバを
有する半導体装置において、メンテナンス時に、チャン
バを汚染せず、チャンバに連接する関連ユニットに悪影
響を与えず、作業者の安全を確保できる乾燥ガスをチャ
ンバ内に供給する乾燥ガス供給手段を設けたものであ
る。メンテナンス時、チャンバを大気に開放すると共
に、乾燥ガス供給手段によりチャンバ内へ乾燥ガスを供
給する。これにより水分を含む外気の侵入が防止され、
メンテナンス時のチャンバ内壁への水分の吸着量を低減
できる。
【００１１】また、本発明は、チャンバ内に、上記乾燥
ガスを流入させながらメンテナンスを行う半導体製造装
置のメンテナンス方法である。チャンバ内に乾燥ガスを
流入させながらメンテナンスを行うと、チャンバ内壁へ
の水分の吸着量を低減できるので、メンテナンス終了後
に行うチャンバの真空立上げ時間を短縮できる。
ガスを流入させながらメンテナンスを行う半導体製造装
置のメンテナンス方法である。チャンバ内に乾燥ガスを
流入させながらメンテナンスを行うと、チャンバ内壁へ
の水分の吸着量を低減できるので、メンテナンス終了後
に行うチャンバの真空立上げ時間を短縮できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１３】半導体製造装置を構成するチャンバ回り
は、図１に示すように、真空気密構造をしたチャンバ１
と、チャンバ１内のメンテナンス用のゲート２と、チャ
ンバ１内を排気経路９を介して真空引きするポンプ３
と、排気経路９の開閉を行う真空引き用のバルブ４と、
チャンバ１内に供給経路１０を介してリークガスを供給
してチャンバ１内を大気圧に戻すリークガス供給源５
と、供給経路１０の開閉を行う大気リーク用のバルブ８
とから構成される。ここまでは図２に示す従来の構成と
同じである。
は、図１に示すように、真空気密構造をしたチャンバ１
と、チャンバ１内のメンテナンス用のゲート２と、チャ
ンバ１内を排気経路９を介して真空引きするポンプ３
と、排気経路９の開閉を行う真空引き用のバルブ４と、
チャンバ１内に供給経路１０を介してリークガスを供給
してチャンバ１内を大気圧に戻すリークガス供給源５
と、供給経路１０の開閉を行う大気リーク用のバルブ８
とから構成される。ここまでは図２に示す従来の構成と
同じである。
【００１４】従来と異なる点は、従来の構成に加えてチ
ャンバ１内に乾燥ガスとしての乾燥空気を供給するよう
にした点である。すなわち、チャンバ１内に空気供給経
路１３を介して所定圧の乾燥空気を供給する乾燥空気供
給用ボンベ１１と、乾燥空気供給用ボンベ１１から供給
される乾燥空気中の水分を除去する水分除去装置１２
と、空気供給経路１３の開閉を行う乾燥空気用のバルブ
１４とから構成され、メンテナンス時に乾燥空気をチャ
ンバ１内に供給できるように構成されている。なお、水
分除去装置としては、例えばエアドライヤがある。
ャンバ１内に乾燥ガスとしての乾燥空気を供給するよう
にした点である。すなわち、チャンバ１内に空気供給経
路１３を介して所定圧の乾燥空気を供給する乾燥空気供
給用ボンベ１１と、乾燥空気供給用ボンベ１１から供給
される乾燥空気中の水分を除去する水分除去装置１２
と、空気供給経路１３の開閉を行う乾燥空気用のバルブ
１４とから構成され、メンテナンス時に乾燥空気をチャ
ンバ１内に供給できるように構成されている。なお、水
分除去装置としては、例えばエアドライヤがある。
【００１５】このような構成において、チャンバ１内を
大気圧状態でメンテナンスを行う時は、真空引き用バル
ブ４及び大気リーク用バルブ８を共に閉じたうえで、ゲ
ート２を開いてチャンバ１内を大気状態に開放すると共
に、乾燥空気用バルブ１４を開いて乾燥空気供給用ボン
ベから乾燥空気を送り出し、水分除去装置１２で水分を
除去してチャンバ１内に供給する。このときのボンベ圧
は、チャンバ１内に流入しようとする外気に抗して、チ
ャンバ１内に供給された乾燥空気が流出する圧が必要で
ある。
大気圧状態でメンテナンスを行う時は、真空引き用バル
ブ４及び大気リーク用バルブ８を共に閉じたうえで、ゲ
ート２を開いてチャンバ１内を大気状態に開放すると共
に、乾燥空気用バルブ１４を開いて乾燥空気供給用ボン
ベから乾燥空気を送り出し、水分除去装置１２で水分を
除去してチャンバ１内に供給する。このときのボンベ圧
は、チャンバ１内に流入しようとする外気に抗して、チ
ャンバ１内に供給された乾燥空気が流出する圧が必要で
ある。
【００１６】チャンバ１内へ乾燥空気を供給してチャン
バ１に流し続けることで、チャンバ１外からの水分を含
んだ外気の侵入が防止される。水分を含んだ外気がチャ
ンバ１内に侵入しないので、メンテナンス中のチャンバ
１の内壁面への総水分吸着量を低減できる。それに伴い
メンテナンス後に行なわれる真空立上げ時間が短縮で
き、装置のスループットが向上する。
バ１に流し続けることで、チャンバ１外からの水分を含
んだ外気の侵入が防止される。水分を含んだ外気がチャ
ンバ１内に侵入しないので、メンテナンス中のチャンバ
１の内壁面への総水分吸着量を低減できる。それに伴い
メンテナンス後に行なわれる真空立上げ時間が短縮で
き、装置のスループットが向上する。
【００１７】また、チャンバ１内に供給されて流出する
ガスは乾燥空気であるため、チャンバ１を汚染せず、チ
ャンバ１に連接するウェーハ処理室やロードロック室な
どの関連ユニットに悪影響を与えず、作業者の安全を確
保できる。
ガスは乾燥空気であるため、チャンバ１を汚染せず、チ
ャンバ１に連接するウェーハ処理室やロードロック室な
どの関連ユニットに悪影響を与えず、作業者の安全を確
保できる。
【００１８】なお、上記実施の形態では、外気の侵入を
防止するために流し続ける乾燥ガスとして、特に乾燥空
気を使用したので、取り扱いが容易である。しかし、チ
ャンバ１を汚染せず、チャンバ１に連接する関連ユニッ
トに悪影響を与えず、作業者の安全を確保できるガスで
あれば、乾燥空気に限定されない。
防止するために流し続ける乾燥ガスとして、特に乾燥空
気を使用したので、取り扱いが容易である。しかし、チ
ャンバ１を汚染せず、チャンバ１に連接する関連ユニッ
トに悪影響を与えず、作業者の安全を確保できるガスで
あれば、乾燥空気に限定されない。
【００１９】また、本発明のチャンバには、ロードロッ
ク室と処理室との間に設けられ、ロードロック室と処理
室との間をウェーハ搬送するために中継室となる搬送室
や、あるいはロードロック室と連設され、ロードロック
室との間でウェーハを搬送するカセット収納室等であっ
てもよい。
ク室と処理室との間に設けられ、ロードロック室と処理
室との間をウェーハ搬送するために中継室となる搬送室
や、あるいはロードロック室と連設され、ロードロック
室との間でウェーハを搬送するカセット収納室等であっ
てもよい。
【００２０】また、ウェーハ移載ロボットは、移載対象
がウェーハに限定されるものではなく、広く基板移載ロ
ボットであればよい。
がウェーハに限定されるものではなく、広く基板移載ロ
ボットであればよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明装置によれば、メンテナンス時、
乾燥ガス供給手段によりチャンバ内へ乾燥空気を供給す
るようにしたので、外気の侵入を防止し、チャンバ内壁
への水分の総吸着量を低減できる。
乾燥ガス供給手段によりチャンバ内へ乾燥空気を供給す
るようにしたので、外気の侵入を防止し、チャンバ内壁
への水分の総吸着量を低減できる。
【００２２】本発明方法によれば、チャンバ内に乾燥ガ
スを流入させながらメンテナンスを行うので、メンテナ
ンス後に行うチャンバ内の真空立上げの時間を短縮でき
る。
スを流入させながらメンテナンスを行うので、メンテナ
ンス後に行うチャンバ内の真空立上げの時間を短縮でき
る。
【図１】実施の形態の半導体製造装置のチャンバ回りを
示した概略構成図である。
示した概略構成図である。
【図２】従来の半導体製造装置のチャンバ回りを示した
概略構成図である。
概略構成図である。
１ チャンバ ２ ゲート ３ 真空引きするポンプ １１ 乾燥空気供給用ボンベ １２ 水分除去装置 １３ 空気供給経路 １４ 乾燥空気用バルブ
Claims (2)
- 【請求項１】内部を真空状態で使用し、メンテナンス時
大気に開放するチャンバを有する半導体装置において、 メンテナンス時に、チャンバを汚染せず、チャンバに連
接する関連ユニットに悪影響を与えず、作業者の安全を
確保できる乾燥ガスをチャンバ内に供給する乾燥ガス供
給手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】チャンバ内に、チャンバを汚染せず、チャ
ンバに連接する関連ユニットに悪影響を与えず、作業者
の安全を確保できる乾燥ガスを流入させながらメンテナ
ンスを行う半導体製造装置のメンテナンス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13481397A JPH10326730A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13481397A JPH10326730A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326730A true JPH10326730A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15137103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13481397A Pending JPH10326730A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10326730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053066A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-23 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置およびその方法 |
| KR100735099B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-07-06 | 삼성전자주식회사 | 제습장치 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13481397A patent/JPH10326730A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053066A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-23 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置およびその方法 |
| KR100735099B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-07-06 | 삼성전자주식회사 | 제습장치 |
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