JP2772835B2 - 基板処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び真空処理方法Info
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- JP2772835B2 JP2772835B2 JP1222136A JP22213689A JP2772835B2 JP 2772835 B2 JP2772835 B2 JP 2772835B2 JP 1222136 A JP1222136 A JP 1222136A JP 22213689 A JP22213689 A JP 22213689A JP 2772835 B2 JP2772835 B2 JP 2772835B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、例えばエッチング装置やCVD装置等の基板
処理装置及び真空処理方法に関する。
処理装置及び真空処理方法に関する。
（従来の技術） エッチング装置やCVD装置等の真空状態で処理を行う
基板処理装置は、基板例えば半導体基板（半導体ウエ
ハ）やLCD基板等に所定の処理を施すための真空処理室
と、この真空処理室内に基板をロード・アンロードする
ための移送機構を有する真空予備室とを備えたものが多
い。
基板処理装置は、基板例えば半導体基板（半導体ウエ
ハ）やLCD基板等に所定の処理を施すための真空処理室
と、この真空処理室内に基板をロード・アンロードする
ための移送機構を有する真空予備室とを備えたものが多
い。
上記真空予備室は、真空処理室にゲートバルブを介し
て連設され、かつ内部に基板移送機構を設けたものであ
り、この真空予備室において、被処理基板の搬出入時の
大気状態と真空処理に見合う真空状態との圧力切替を行
うよう構成されている。そして、このような真空予備室
を用いることによって、真空処理室内の真空状態を破壊
せず被処理基板の搬出入を可能とし、スループットの向
上や工程の自動化が図られている。
て連設され、かつ内部に基板移送機構を設けたものであ
り、この真空予備室において、被処理基板の搬出入時の
大気状態と真空処理に見合う真空状態との圧力切替を行
うよう構成されている。そして、このような真空予備室
を用いることによって、真空処理室内の真空状態を破壊
せず被処理基板の搬出入を可能とし、スループットの向
上や工程の自動化が図られている。
このような真空予備室における大気開放は、通常、清
浄気体例えば浄化された空気を真空予備室内に大気圧に
達するまで流入させることによって行っている。
浄気体例えば浄化された空気を真空予備室内に大気圧に
達するまで流入させることによって行っている。
（発明が解決しようとする課題） ところで、真空予備室は基板処理装置が設置される真
空雰囲気と直接連通されるため、パーティクルの除去を
充分に考慮する必要がある。しかし、上述したような従
来法による大気開放では、単に清浄気体を流入させるだ
けであるために、大気開放時にはパーティクルを除去す
ることはできず、次に搬送される被処理基板や次の機構
へと搬送される被処理基板上にパーティクルが付着する
恐れがあり、被処理基板における欠陥発生の一因となっ
ていた。
空雰囲気と直接連通されるため、パーティクルの除去を
充分に考慮する必要がある。しかし、上述したような従
来法による大気開放では、単に清浄気体を流入させるだ
けであるために、大気開放時にはパーティクルを除去す
ることはできず、次に搬送される被処理基板や次の機構
へと搬送される被処理基板上にパーティクルが付着する
恐れがあり、被処理基板における欠陥発生の一因となっ
ていた。
特に、例えば半導体素子の高集積化がさらに進んでい
る現状においては、僅かなパーティクルの付着によって
不良となる可能性が高いために、パーティクルの付着要
因は極力排斥する必要性が高まっている。
る現状においては、僅かなパーティクルの付着によって
不良となる可能性が高いために、パーティクルの付着要
因は極力排斥する必要性が高まっている。
本発明は、このような課題に対処するためになされた
もので、真空予備室での大気開放時においてパーティク
ルを除去することを可能とし、歩留の向上を図った基板
処理装置及び真空処理方法を提供することを目的として
いる。
もので、真空予備室での大気開放時においてパーティク
ルを除去することを可能とし、歩留の向上を図った基板
処理装置及び真空処理方法を提供することを目的として
いる。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち請求項１の発明は、真空処理室にゲートバル
ブを介して配設された真空予備室内に被処理基板を搬入
し、この真空予備室を外気圧雰囲気に解放する方法にお
いて、 前記真空予備室を排気しながら、当該真空予備室に清
浄気体を供給する工程と、 前記真空予備室の排気を停止する工程と、 前記真空予備室が外気圧雰囲気になるまで清浄気体を
供給する工程と を具備したことを特徴とするものである。
ブを介して配設された真空予備室内に被処理基板を搬入
し、この真空予備室を外気圧雰囲気に解放する方法にお
いて、 前記真空予備室を排気しながら、当該真空予備室に清
浄気体を供給する工程と、 前記真空予備室の排気を停止する工程と、 前記真空予備室が外気圧雰囲気になるまで清浄気体を
供給する工程と を具備したことを特徴とするものである。
請求項２の発明は、請求項１記載の真空処理方法にお
いて、 前記真空予備室に清浄気体を供給する供給口を前記被
処理基板より下側に配置し、前記真空予備室から排気を
行う排気口を前記被処理基板より上側に配置したことを
特徴とするものである。
いて、 前記真空予備室に清浄気体を供給する供給口を前記被
処理基板より下側に配置し、前記真空予備室から排気を
行う排気口を前記被処理基板より上側に配置したことを
特徴とするものである。
請求項３の発明は、請求項１〜２記載の真空処理方法
において、 前記真空予備室と清浄気体を供給する供給管との接続
部にステンレス製の焼結体フィルタを配置したことを特
徴とするものである。
において、 前記真空予備室と清浄気体を供給する供給管との接続
部にステンレス製の焼結体フィルタを配置したことを特
徴とするものである。
請求項４の発明は、被処理基板に所定の処理を施す真
空処理室と、この真空処理室にゲートバルブを介して配
設され、前記真空処理室での処理を終えた前記被処理基
板を搬入した後、外気圧雰囲気に解放され、前記被処理
基板を外部に搬出するための真空予備室とを備えた基板
処理装置において、 前記真空予備室は、前記被処理基板より上側に設けら
れた排気口と、前記被処理基板より下側に設けられた清
浄気体の供給口を具備し、 当該真空予備室を外気圧雰囲気とする際に、前記排気
口から排気しながら前記供給口から清浄気体を導入し、
この後前記排気口からの排気を停止して前記供給口から
外気圧雰囲気になるまで清浄気体を導入するよう構成さ
れたことを特徴とするものである。
空処理室と、この真空処理室にゲートバルブを介して配
設され、前記真空処理室での処理を終えた前記被処理基
板を搬入した後、外気圧雰囲気に解放され、前記被処理
基板を外部に搬出するための真空予備室とを備えた基板
処理装置において、 前記真空予備室は、前記被処理基板より上側に設けら
れた排気口と、前記被処理基板より下側に設けられた清
浄気体の供給口を具備し、 当該真空予備室を外気圧雰囲気とする際に、前記排気
口から排気しながら前記供給口から清浄気体を導入し、
この後前記排気口からの排気を停止して前記供給口から
外気圧雰囲気になるまで清浄気体を導入するよう構成さ
れたことを特徴とするものである。
請求項５の発明は、請求項４記載の基板処理装置にお
いて、 前記真空予備室の前記供給口に、ステンレス製の焼結
体フィルタを配置したことを特徴とするものである。
いて、 前記真空予備室の前記供給口に、ステンレス製の焼結
体フィルタを配置したことを特徴とするものである。
（作 用） 本発明においては、真空予備室を外気圧雰囲気とする
際に、まず、真空予備室を排気しながら当該真空予備室
に清浄気体を供給し、この後排気を停止し、真空予備室
が外気圧雰囲気になるまで清浄気体を供給するので、真
空予備室内に存在するパーティクルは、排気されて排除
され、清浄な外気圧雰囲気が実現できる。
際に、まず、真空予備室を排気しながら当該真空予備室
に清浄気体を供給し、この後排気を停止し、真空予備室
が外気圧雰囲気になるまで清浄気体を供給するので、真
空予備室内に存在するパーティクルは、排気されて排除
され、清浄な外気圧雰囲気が実現できる。
また、被処理基板より上側に排気口を設け、被処理基
板より下側に清浄気体の供給口を設けることによって、
真空予備室内に被処理基板の下方から上法に向かう気流
を形成することができ、パーティクルが被処理基板の表
面に付着することを防止することができる。
板より下側に清浄気体の供給口を設けることによって、
真空予備室内に被処理基板の下方から上法に向かう気流
を形成することができ、パーティクルが被処理基板の表
面に付着することを防止することができる。
（実施例） 以下、本発明の基板処理装置の実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明装置を適用したプラズマエッチング
装置の一実施例の構成を示す図である。
装置の一実施例の構成を示す図である。
同図に示すように、真空処理室１はエッチング用の平
行平板電極２を内装すると共に、排気管３を介して接続
された真空ポンプ４によって、所定の処理真空状態が達
成されるよう構成されている。
行平板電極２を内装すると共に、排気管３を介して接続
された真空ポンプ４によって、所定の処理真空状態が達
成されるよう構成されている。
また、この真空処理室１の側部には、被処理基板の搬
送方向に沿って、それぞれ基板移送用の搬送アーム５が
内装された真空予備室６、７がゲートバルブ８、９を介
して連設されている。これら真空予備室６、７は、それ
ぞれの他端部側に設けられたゲートバルブ10、11を介し
てセンダ12およびレシバ13に連設されている。
送方向に沿って、それぞれ基板移送用の搬送アーム５が
内装された真空予備室６、７がゲートバルブ８、９を介
して連設されている。これら真空予備室６、７は、それ
ぞれの他端部側に設けられたゲートバルブ10、11を介し
てセンダ12およびレシバ13に連設されている。
上記真空予備室６、７には、それぞれ室内動作に同期
して排気制御を行うエアーオペレーションバルブ14、15
が介挿された排気管16、17を介して真空ポンプ18、19が
接続されており、かつ大気開放時のパージ用の清浄気体
例えば浄化された窒素ガスを導入するための窒素ガス供
給部20がそれぞれパージガス供給管21、22を介して接続
されている。
して排気制御を行うエアーオペレーションバルブ14、15
が介挿された排気管16、17を介して真空ポンプ18、19が
接続されており、かつ大気開放時のパージ用の清浄気体
例えば浄化された窒素ガスを導入するための窒素ガス供
給部20がそれぞれパージガス供給管21、22を介して接続
されている。
これらパージガス供給管21、22には、それぞれ室内動
作に同期してガス供給制御を行うエアーオペレーション
バルブ23、24と、窒素ガスをパージする際の導入量を微
量流量に調整する流量調整弁25、26例えば微量調整用ニ
ードルバルブとが介挿されている。
作に同期してガス供給制御を行うエアーオペレーション
バルブ23、24と、窒素ガスをパージする際の導入量を微
量流量に調整する流量調整弁25、26例えば微量調整用ニ
ードルバルブとが介挿されている。
ここで、真空予備室６、７への排気管16、17およびパ
ージガス供給管21、22の接続位置について第２図（ａ）
および（ｂ）を参照して説明する。なお、第２図（ａ）
は真空予備室６、７を縦断面を、第２図（ｂ）は横断面
を示している。
ージガス供給管21、22の接続位置について第２図（ａ）
および（ｂ）を参照して説明する。なお、第２図（ａ）
は真空予備室６、７を縦断面を、第２図（ｂ）は横断面
を示している。
すなわち、大気開放時に真空予備室６、７内に導入す
る窒素ガスが、室内に存在するパーティクルを平均的に
排気管21、22側へと排除すると共に、搬送アーム５上に
存在する図示を省略した被処理基板上へパーティクルを
落下させないように、例えば排気管16、17を真空予備室
６、７の一方の側壁6a、7a上方端部に設け、パージガス
供給管21、22を対角線上の底面6b、7bに設ける。つま
り、下方から導入した窒素ガスが図中矢印Ａで示すよう
に、真空予備室６、７内をおおよそ平均的に通過しつ
つ、上方に向かった後に排出されるように、排気管16、
17およびパージガス供給管21、22が接続されている。
る窒素ガスが、室内に存在するパーティクルを平均的に
排気管21、22側へと排除すると共に、搬送アーム５上に
存在する図示を省略した被処理基板上へパーティクルを
落下させないように、例えば排気管16、17を真空予備室
６、７の一方の側壁6a、7a上方端部に設け、パージガス
供給管21、22を対角線上の底面6b、7bに設ける。つま
り、下方から導入した窒素ガスが図中矢印Ａで示すよう
に、真空予備室６、７内をおおよそ平均的に通過しつ
つ、上方に向かった後に排出されるように、排気管16、
17およびパージガス供給管21、22が接続されている。
なお、第２図ではパージガス供給管21、22を底面6b、
7bに配設した例を示したが、排気管16、17が配設された
側壁6a、7aと対向する側壁6c、7cの対角線上下方に設け
ても同様な効果が得られる。
7bに配設した例を示したが、排気管16、17が配設された
側壁6a、7aと対向する側壁6c、7cの対角線上下方に設け
ても同様な効果が得られる。
また、パージガス供給管21、22の真空予備室６、７へ
の接続部には、例えばSUS製の焼結体フィルタ27を設け
る等して、より窒素ガスの浄化度を高めることが好まし
い。
の接続部には、例えばSUS製の焼結体フィルタ27を設け
る等して、より窒素ガスの浄化度を高めることが好まし
い。
そして、真空処理室１および真空予備室６、７は、ゲ
ートバルブ８、９、10、11によって個別に気密状態の形
成が可能とされていると共に、真空ポンプ４、18、19と
ゲートバルブ８、９、10、11とによって個別に雰囲気圧
の状態制御が可能とされている。
ートバルブ８、９、10、11によって個別に気密状態の形
成が可能とされていると共に、真空ポンプ４、18、19と
ゲートバルブ８、９、10、11とによって個別に雰囲気圧
の状態制御が可能とされている。
次に、上記エッチング装置１の動作について説明す
る。
る。
まず、センダ12から供給される被処理基板例えばレジ
ストを塗布した半導体ウエハ28は、搬送アーム５によっ
て大気圧状態とされた真空予備室６内に取り込まれる。
この状態でゲートバルブ10が閉塞されて真空処理室１の
真空度より低い真空度に予備真空室６内が真空排気さ
れ、次いで半導体ウエハ28は真空処理室１内に移送され
る。
ストを塗布した半導体ウエハ28は、搬送アーム５によっ
て大気圧状態とされた真空予備室６内に取り込まれる。
この状態でゲートバルブ10が閉塞されて真空処理室１の
真空度より低い真空度に予備真空室６内が真空排気さ
れ、次いで半導体ウエハ28は真空処理室１内に移送され
る。
半導体ウエハ28が真空処理室１内に移送され、ゲート
バルブ８を閉塞した後に、センダー12側の真空予備室６
の大気開放が以下の手順によって行われる。
バルブ８を閉塞した後に、センダー12側の真空予備室６
の大気開放が以下の手順によって行われる。
すなわち、所定の真空状態とされている真空予備室６
内に、エアーオペレーションバルブ23を開状態とするこ
とによって、パージガス供給管21からパージ用の窒素ガ
スを導入する。この窒素ガスの導入量は、真空状態から
大気圧状態に達するまでの時間やパーティクルの流れを
考慮し、排気能力や室内の容積によっても異なるが、２
〜６／分程度の微量流量とすることが好ましい。この
パージガスを一挙に大量に供給すると、逆にパーティク
ルを巻上げてしまい、逆に不良の発生を招いてしまう。
内に、エアーオペレーションバルブ23を開状態とするこ
とによって、パージガス供給管21からパージ用の窒素ガ
スを導入する。この窒素ガスの導入量は、真空状態から
大気圧状態に達するまでの時間やパーティクルの流れを
考慮し、排気能力や室内の容積によっても異なるが、２
〜６／分程度の微量流量とすることが好ましい。この
パージガスを一挙に大量に供給すると、逆にパーティク
ルを巻上げてしまい、逆に不良の発生を招いてしまう。
そして、上記パージ用の窒素ガスの導入と同時に、排
気管16側のエアーオペレーションバルブ14を数秒間程度
開状態として、導入当初の窒素ガスを真空予備室６内に
存在するパーティクルと共に排気管16側へと排除する。
気管16側のエアーオペレーションバルブ14を数秒間程度
開状態として、導入当初の窒素ガスを真空予備室６内に
存在するパーティクルと共に排気管16側へと排除する。
このパーティクルの排出が終了した後に、排気管16側
のエアーオペレーションバルブ14を閉状態とし、パージ
ガスの導入当初と同様に微量流量の窒素ガスを導入しつ
づけ、真空予備室６内の圧力が大気圧まで到達した後
に、ガス供給側のエアーオペレーションバルブ23を閉状
態とする。
のエアーオペレーションバルブ14を閉状態とし、パージ
ガスの導入当初と同様に微量流量の窒素ガスを導入しつ
づけ、真空予備室６内の圧力が大気圧まで到達した後
に、ガス供給側のエアーオペレーションバルブ23を閉状
態とする。
以上の動作によって真空予備室６の大気開放が終了
し、この後にゲートバルブ10を開け、次の半導体ウエハ
28を搬入する。
し、この後にゲートバルブ10を開け、次の半導体ウエハ
28を搬入する。
一方、半導体ウエハ28が搬送された真空処理室１内
は、ゲートバルブ８が閉鎖された後、真空ポンプ４によ
って急速に真空排気が行われる。この後、所定の真空度
に保たれた真空処理室１内で高周波電力によるプラズマ
エッチング処理が行われる。そして、エッチング処理が
終了すると、所定の真空圧とされた真空予備室７に移送
され、この後上述したセンダー12側の真空予備室６と同
様な工程を経て大気開放が行われ、レシーバ13に搬出さ
れる。
は、ゲートバルブ８が閉鎖された後、真空ポンプ４によ
って急速に真空排気が行われる。この後、所定の真空度
に保たれた真空処理室１内で高周波電力によるプラズマ
エッチング処理が行われる。そして、エッチング処理が
終了すると、所定の真空圧とされた真空予備室７に移送
され、この後上述したセンダー12側の真空予備室６と同
様な工程を経て大気開放が行われ、レシーバ13に搬出さ
れる。
このように、この実施例のエッチング装置では、真空
予備室６、７の大気開放時のパージガス供給系に、導入
ガス量を微量流量に調整する流量調整弁25、26を設け、
大気開放時に微量流量に調整された清浄窒素ガスを流入
させて大気圧としていると共に、この大気開放時の当初
に窒素ガスを流入させながら排気を行っているため、真
空予備室６、７に存在するパーティクルを巻上げること
なく、排気系側に排除することができる。つまり、大気
開放当初に排気を行うことと、導入ガス量を微量流量と
することが特徴である。また、排気管16、17およびパー
ジガス供給管21、22の接続位置も、このパーティクルの
有効な除去に貢献している。
予備室６、７の大気開放時のパージガス供給系に、導入
ガス量を微量流量に調整する流量調整弁25、26を設け、
大気開放時に微量流量に調整された清浄窒素ガスを流入
させて大気圧としていると共に、この大気開放時の当初
に窒素ガスを流入させながら排気を行っているため、真
空予備室６、７に存在するパーティクルを巻上げること
なく、排気系側に排除することができる。つまり、大気
開放当初に排気を行うことと、導入ガス量を微量流量と
することが特徴である。また、排気管16、17およびパー
ジガス供給管21、22の接続位置も、このパーティクルの
有効な除去に貢献している。
これにより、清浄な大気圧状態が実現でき、よって移
送待機状態の被処理基板や次に移送される被処理基板上
にパーティクルが付着することを確実に防止することが
可能となる。
送待機状態の被処理基板や次に移送される被処理基板上
にパーティクルが付着することを確実に防止することが
可能となる。
また、上記実施例のエッチング装置では、処理後の被
処理基板が移送される真空予備室７にレシーバ13を連設
した例を示したが、エッチング処理後にさらに次工程の
処理室、例えば加熱機構や処理液塗布機構が連設される
場合があり、この際にはそれらを連結する搬送部内が窒
素雰囲気とされる場合が多いため、窒素ガスで真空予備
室７をパージするよう構成した上記エッチング装置に、
直接反応部を連結することが可能となる。
処理基板が移送される真空予備室７にレシーバ13を連設
した例を示したが、エッチング処理後にさらに次工程の
処理室、例えば加熱機構や処理液塗布機構が連設される
場合があり、この際にはそれらを連結する搬送部内が窒
素雰囲気とされる場合が多いため、窒素ガスで真空予備
室７をパージするよう構成した上記エッチング装置に、
直接反応部を連結することが可能となる。
なお、以上の実施例では、本発明をエッチング装置に
用いた例について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、CVD装置等の各種真空下で半
導体ウエハやLCD基板等の被処理基板の処理を行う基板
処理装置への適用が可能である。
用いた例について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、CVD装置等の各種真空下で半
導体ウエハやLCD基板等の被処理基板の処理を行う基板
処理装置への適用が可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の基板処理装置及び真空処
理方法によれば、真空予備室で被処理基板にパーティク
ルが付着することを確実に防止することが可能となり、
従って処理歩留を向上させることが可能となる。
理方法によれば、真空予備室で被処理基板にパーティク
ルが付着することを確実に防止することが可能となり、
従って処理歩留を向上させることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例のエッチング装置の構成を示
す図、第２図（ａ）および（ｂ）はその真空予備室の構
成をそれぞれ示す図であり、（ａ）は縦断面を示す図、
（ｂ）は横断面を示す図である。 １……真空処理室、３、16、17……排気管、４、18、19
……真空ポンプ、５……搬送アーム、６、７……真空予
備室、８、９、10、11……ゲートバルブ、14、15、23、
24……エアーオペレーションバルブ、20……窒素ガス供
給部、21、22……パージガス供給管、25、26……流量調
整弁、28……被処理基板。
す図、第２図（ａ）および（ｂ）はその真空予備室の構
成をそれぞれ示す図であり、（ａ）は縦断面を示す図、
（ｂ）は横断面を示す図である。 １……真空処理室、３、16、17……排気管、４、18、19
……真空ポンプ、５……搬送アーム、６、７……真空予
備室、８、９、10、11……ゲートバルブ、14、15、23、
24……エアーオペレーションバルブ、20……窒素ガス供
給部、21、22……パージガス供給管、25、26……流量調
整弁、28……被処理基板。
Claims (5)
- 【請求項１】真空処理室にゲートバルブを介して配設さ
れた真空予備室内に被処理基板を搬入し、この真空予備
室を外気圧雰囲気に解放する方法において、 前記真空予備室を排気しながら、当該真空予備室に清浄
気体を供給する工程と、 前記真空予備室の排気を停止する工程と、 前記真空予備室が外気圧雰囲気になるまで清浄気体を供
給する工程と を具備したことを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載の真空処理方法において、 前記真空予備室に清浄気体を供給する供給口を前記被処
理基板より下側に配置し、前記真空予備室から排気を行
う排気口を前記被処理基板より上側に配置したことを特
徴とする真空処理方法。 - 【請求項３】請求項１〜２記載の真空処理方法におい
て、 前記真空予備室と清浄気体を供給する供給管との接続部
にステンレス製の焼結体フィルタを配置したことを特徴
とする真空処理方法。 - 【請求項４】被処理基板に所定の処理を施す真空処理室
と、この真空処理室にゲートバルブを介して配設され、
前記真空処理室での処理を終えた前記被処理基板を搬入
した後、外気圧雰囲気に解放され、前記被処理基板を外
部に搬出するための真空予備室とを備えた基板処理装置
において、 前記真空予備室は、前記被処理基板より上側に設けられ
た排気口と、前記被処理基板より下側に設けられた清浄
気体の供給口を具備し、 当該真空予備室を外気圧雰囲気とする際に、前記排気口
から排気しながら前記供給口から清浄気体を導入し、こ
の後前記排気口からの排気を停止して前記供給口から外
気圧雰囲気になるまで清浄気体を導入するよう構成され
たことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】請求項４記載の基板処理装置において、 前記真空予備室の前記供給口に、ステンレス製の焼結体
フィルタを配置したことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222136A JP2772835B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 基板処理装置及び真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222136A JP2772835B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 基板処理装置及び真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0387386A JPH0387386A (ja) | 1991-04-12 |
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