JPH02184333A - ロードロック装置を備えた処理装置 - Google Patents

ロードロック装置を備えた処理装置

Info

Publication number
JPH02184333A
JPH02184333A JP1005185A JP518589A JPH02184333A JP H02184333 A JPH02184333 A JP H02184333A JP 1005185 A JP1005185 A JP 1005185A JP 518589 A JP518589 A JP 518589A JP H02184333 A JPH02184333 A JP H02184333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
chamber
load
wafer
load lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1005185A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2566308B2 (ja
Inventor
Eiji Hanakada
羽中田 英次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP518589A priority Critical patent/JP2566308B2/ja
Publication of JPH02184333A publication Critical patent/JPH02184333A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2566308B2 publication Critical patent/JP2566308B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はロードロック室内に関する。
(従来の技術) 半導体ウェハに対ずろ各種処理を真空状態てIjう真空
装置が増加し・でいろ。このような真空装置で(よ生産
性の向上と不純物の混入防止のため、真空処理室とは分
離した小空間のロードロック室が設けられこのロードロ
ック室を介し・て大気圧状態にある所定の位置からのウ
ェハの授受及び真空状態にある真空処理室とのウエノ\
の授受を行う。このためローI・1コツク室の機能は大
気圧状態ツノ)(ち真空処理室内と同圧の所定の減圧状
態へ減圧排気1−ろ機能と、この減圧状叶から人気圧:
こ戻す機能及びウェハを人気圧の所定位置から[7−1
・1コ・ツク悴を経由してダ1空処理室へ叉この逆へ搬
送する搬送(旧i訛・211°11.(て゛い・5゜(
r’fニー)で「ローj・[ドック室:こは減圧排気用
の排気口か配管を経由し・て排気装置(こ、71−だ大
気圧に戻すガス導入「Iかリーク用配管(こ接続されて
設(フらメしていた。このようなドアー1−口・ンク装
置は特開昭57 15つ531吋公十じゃ特開昭62−
128538号公報等に示されて0る。
このよ′−′) !こロードロック室内では真空置換が
行ノ)ノLろ為−船釣に(、:を二]ミクqは少ない。
(発明か解決しようとする課題) しかし・なかI)、1(導体ウェハの1留微♀IJI(
ヒが進み、Iコートロック室内か減圧排気された後に残
留したゴミ例えはローI・ロンク室内のウエノl団装置
の駆動部や駆動部での微小な発塵や良空処理室内力)ら
ウェハを取り出しロードロック室内へ搬送する時真空処
理室内の処理生成物等の浮遊パーティクル等が搬送と同
時ζこロー1−ロック室内に持ち込4:れるもの等があ
り、これら微少なゴミの取扱か生産面での歩留まりに多
大な影響を与えている。このようなゴミは主に、ロード
ロック室を所定の減圧状態から大気圧に戻すときロード
ロック室内に不活性ガス等をリークバルブ等を介して徐
々に導入しているため、即ち、ロー1’ +コック室内
にガス↓り人「1から直接不活性ガス等が放出される為
、L記ゴミ等がガス流によりまき上げられ、被処理又は
処理済ウェハ表面ζこ付着し・てしまうと言う問題があ
った。
この発明:、L上記点を改善するためになされたもので
ロードロック室へ不活性ガス等を導入するときゴミのま
き」二げを減少しウェハ表面へのゴミの付着を抑止する
ロードロック装置を提供しようとするものである。
〔発明の構成〕
(課題を解決ずろための丁J′2) この発明は減圧状態のロードロック室を開放する際ここ
ガスを導入し・大気圧に戻すロードロック装置に於て、
上記ロードロック室内にガスを導入するガス噴き出し部
にガス流量ご」丁−段を設くフたことを特徴とする17
−ドロック装置を′lOるものである。
(作用効果) 第5発明によれば、減圧状態のロードロック室を開放す
る際にガスを導入し大気圧とこ戻すロードロック室内;
こ於て、」−記lコート〔lツク三;E内にガスを導入
するガス噴ぎ出し部:こ上記ガスの噴き出し速度なi戒
しるガス流裟1曇J丁段を設(〕たことにより、ロード
ロック室へ不活性ガス等を導入するときゴミのニドぎ−
1,げな減少しウェハ表面へのゴミの付着を抑止する効
果が7!:らiする。
(実施例) 以下本発明ロードロック装置をプラズマエツチンク装置
W:こ通用し・八−実施例につき図面を参〇gして説明
ずろ5゜ 7A1図はエツチング処理置の構成図を示し・、被処理
体例えば半導1イτウエハ(1)をエツチング処理する
真空処理室く2)と、この真空処理室(2)の両側に真
空状態と大気圧状態との切り替えを行うイン側ロードロ
ック室(3)とアウト側ロードロック室(4)とが設ζ
フられている。イン側lフトロック室(3)内には図示
しないイン側のウニバカ七ツト等からのウェハ(1)を
ロードロック室(3)内へ取り込み、また真空処理室の
プラズマエツチング処理室(2)ヘウエハ(1)を載置
するロボット装置等からなるハンドリングアーム(5)
が設けられている。そして、大気圧側と「7トロツク室
(3)とを仕切る開閉自在な大電圧側仕切(6)か設げ
られ、同様にロードロック室(3)と真空処理室(2)
間を仕切る開閉自在な処理室側仕切(7)が設けられて
いる。これら仕切(6)、 (7)は気密性があり例え
ばゲートバルブや気密機構を施した扉等により構成され
ている。また、ロードロック室(3)の下部にはロトロ
ック宇(3)を減圧排気ずろ排気口(8)が設ζフられ
ている。そしてこの排気口(8)からメインバルブ(8
a )とりブハルブ(81) )が並列tこ接続され、
ロードロック用排気装置(9)に接続されている。また
、リブハルツ(8+) )の配管はメインバルブの配管
に比へて細く排気コンダクタンスを低くし・である。そ
し・て、ロードロック室(:3)内に不活性ガスを導入
するガス吹き出し部(10)か設(:lられ、このガス
吹き出し部(10)には上記不活性ガスのガス吹き出し
速度を減し静かにガスを1つ−トロンク室(3)内に拡
散させるガス流緩衝器(11)例えは第5図に示すよう
な円筒状で複数孔から成るステンレス製焼結フィルター
か設りられている。そして、このガス流緩衝器(11)
はロー)・ロック室(3)のウェハ(1)から離れた隅
;こ位置し、かつ上記ハントリンファム(5)より」二
に位置する如く設りられている。
また、上記ガス吹き出し・部(10)は導入する不活性
ガスの流路中て発生ずるゴミを取り除くフィルター(1
2)例えは焼結フィルター或はセラミックフィルターも
こ接続されている。そして、ロードロック室〈3)内に
導入する不活性ガス流量を制御ずろバルブ例えばニード
ルバルブ(13)及び不活性ガス供給源(14)!二順
次接続されている。そして、アウト側rl −1’ U
iミンク(11)内(こもイン側ロードロック室(3)
と同様に、上記処理宗(2)内に載置されているエッチ
ツク処理済みウェハ(1)をアウト側ロー1−ロック室
(4)へ取り出腰 Jた図示しん゛いアウト側ウェハカ
セット等tこウェハ(1)を渡ず17;1′ニツト装置
等からん゛ろハンドリングアーム〈15)が設りられて
いる。そして、大気圧側と1フートロック室(・1)ど
を仕切る開閉自在な入気圧側仕切(IG)が設()られ
、又、ロードロック室く4)と真空処理室(2)間を1
4切る開閉自在な処理室側仕切(17)か設けられてい
る。これら仕切(16)、  (17)は気密性かあり
ηりえはケートバルブや気密機構を施した扉等により構
成されている。また、ロードロック室(・1)の下部に
i;t [フートlコック室(/])を減圧排気する排
気口(18)が設りられている。
そしてこの排’L l”J (1Σ3)からメインバル
ブ(]8a)とりブハルブ(181,+ )か並列に接
続され、ロードロック用排気装置(9)に接続されてい
る。
また、サフハルブ(181) )の配管はメインバルブ
の配管に比へて♀■(<排気コンダクタンスを低くしで
ある。そし・て、r7−1・lフック室(□・1)内に
不活性ガスを導入するガス吹き出し部(20)が設()
らノ1このガス吹き出し部く20)には上記不活巴:ガ
スのガス流速度をイ戊し・静かζこガスをロー)・口・
ツク室(4)内:こ拡散させ゛るガス流緩衝器(21)
)111え!f FJ筒1ノ:てメンシュ例えは100
ミクロンの孔から成るスデンL、ス製焼拮フィルターが
着脱自在に設りられている。また、適宜交換、清掃を可
能とし・ている。そし・て、このガス流緩衝器(21)
:′iロートロ・ツク’:< <・′1)のウェハ(1
)から離れた隅に位置し・、かつ上記ハンドリングアー
ム(15)上り上:こ位置ずろ如く設(jられている。
また、上記ガス吹き出し、部(20)は導入する不活性
ガスの流躇中で発生するコミを取り除くフィルター(2
2)例えは焼結フィルター或はセラミツフッ、′ルター
ここ接υCさj′Lでいる。そし・て、ロードロック室
(1)内に導入ず;S不活性ガス流星を制御ずろバルブ
例えば二、−1ルハルブ(23)及び不活性ガス供給源
(1,1>lこ順次接続されている。上記処理室(2)
内はエツチングガス導入を兼ねた上部電極ぐ25)どウ
ェハ(1)を載置する下部電極(26)と処]l!室(
2)内を所定の減圧値に排気する]Jr気装置(27)
及びプラズマ発生の為の上記−に部電極(25)と下部
電極(26)間に印可する図示しない高周波電源等から
構成されている。
次に動作について説明する。大気圧状態でイン側ロード
ロック室(3)の大電圧側仕切(6)を開き、図示しな
いイン側つェハキャリア當・からのウェハ(1)をハン
トリングアーJ−1(5)によりイン側ロー)・ロック
室(3)へ搬入保持ずろ。人気側仕切(6)を閉し・、
ロードロック用排気装置(9)を作動する。このとき、
念、激なtel’気で:1ミのまき上げ等を防ぐため→
ノフバルフ(81J)を開き、次にメインバルブ(8a
)のl1lTiにバルブを開き処理室(2)と同し所定
の減圧値例えば10Torrlて排気する。この時まて
ζこに記処理室(2)内は排気装置t (27)により
所定の減圧状態例えば10−’Torrに排気制御して
おく。処理室(2)とインfP、’l r’  !” 
o ツク室(3)とが同し減圧状態ζこな−)たところ
て処理室側仕切(7)を開さハンl;’ 1,1ングア
ーノ2.(5)で(7持していたウェハ(1)をこのハ
ンドリングアーム(5)で処理室(2)内の所定の場所
例え(、′を下部電極(26)、h’こ載置し1、ハン
トリンクアームぐ5)はイン側゛7−1・口・ツク室(
3)内:こ戻ず。ぞして処理室側仕切(7)を閉し、ろ
。次に]、ツチングガスを処理3、↑(2)内(こ14
人し、排気装置:’:(27)之こより所定の減圧値く
こ!非気a、す御し・なから所定時間−1一部電極(2
5)及C下部電極(26)間(こ高周波電力を印可する
ことにより、処理室(2)でエツチツク処理を11;)
。この間にアウト側)ゴードロック室(1)をインjj
ll r7−1・lフック室(3)の排気と:司(予に
(J”フハルフ’(181〕)、メインバルブ゛(18
a、 )の10)こ開き、処理室(2)と回し、減圧状
態ここローI・ロック用排気装置(ワ)により排気して
:5く。処理室(2)内のエツチング処理終了後、アウ
ト101)lコートロノ′、)′−〆(])の処理室ク
リ仕1(17)を開きハントリンクアーム(+5)tこ
上り処理室(2)内の下部電極(2G))−、の処理済
みウェハ(1)を取り出し、アウト側ロートrコック室
(、q)内シこハントリンクアーム、(15)にてウェ
ハ(1)を保持する。そして処理室側仕切(17)を閉
じ・る。従って、ここで処理室(2)はアウト側ロード
ロック室(/1)から切り雌され次のウェハな処理でき
る状態に・V′場できろ。次に、二トルハルフ(23)
を開き不活性ガス供給源(14)より不活性ガス例えは
N2ガスをアウト側「1ドロック室(4)内に導入し大
気圧に戻す。この時ロードロック室(4)内へ不活性ガ
スを導入するガス吹き出し部(10)ここはガス流緩衝
器(11)が設けられているため、フィルターフ22)
により清?f+化された不活性ガスの吹き出るガス流例
えば窒素ガスは1−記ガス流緩衝器(21)により減速
され静かにロードロック室内に拡散し・てゆく。またガ
ス流緩衝器(21)の設置位置はハンドリングアーム(
15)上のウェハ(1)から離れ、例え1.Eロー)・
ロック室か四角形であれば四隅の内の一角て、ハンj・
リングアーム(15)よりも上−に位置しているので、
即ち、コミの少ない場所からの不活性ガスの緩やかな拡
散のためゴミの才き1−げか少ん゛い。このようにして
、アウト側ロートロッン室1)か不活性ガスにより大気
圧状1片とこな一〕へど、こ・5G人−(圧l111仕
σ] (I [; )を開ざハントリンクアーム(15
)に保持していたウェハ(1)−1’2+示しち゛いア
ウト(Ullウニハキへ・リア等への(0ン送位没に載
1!ずろ。また、不活性ガスの導〕・か多すぎr7−1
;ロック室(、4)内か大気圧より加圧状聾になるのを
防II、するためロードロック室()1)には図示しl
ない例えは0.071ぐg/ crn 2て開放動1′
「する逆止弁か設(プられている。また、処理”F:(
2)内でエツチング装置し・ている間には次のウェハを
インl1lll rV−1” 0 ツク室(3)+ZI
−11−)するため、上記ロードロック室(、〕)内を
大気圧状態tこ戻し・たのと同し・よろ;こ不活性ガス
をニードルバルブ(13)及びフ〆ルター(]2)を介
しガス流$’r F’、I器(1])で静かに拡K1.
 L・イン側口)・ロック室(3)に導入し・、大電圧
に戻す。以下−上記動作を繰り返し・所望の数量のウェ
ハをエッチンク処理する。ここて、r7−1+ロツク室
(3)。
(4)を大気圧に戻すとき、不活性ガスを使用するのは
空気を使用すると空気中の水分が次にロードロック室を
真空に引くときに妨げとなり、叉残1°aしている反応
生成物ダと空気中の水分とか反1、ししてウェハに付着
し悪影響を与えるの防くためである。
なを、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えは第2図はエツチング装置の上面図で第1図と対応
したところは同符号を記してあり、処理室(30)、ロ
ー1・Fコンク室(31)(32)処理室〈30)のウ
ェハ保持位置(33)、ロードロック室(30)、  
(31)のウェハ保持位置(34)、  (35)処理
室側仕切(3B)、  (37)、  イン側イ1切(
38)、  アウト側仕切(39)を示している。ガス
流緩衝器(11)は上記実施例では一つの!コート「1
ツク室の隅ζこ−ってあったか、一つのロードロック室
ζこ複数個例えは2〜4(11,lla、  111)
、11寛−)何れの位置;こ設けてもよい。また、ガス
流緩衝器は第:3図の様にバイブ状細管にあるい(才中
空て薄い箱状の面」−に複数の細孔を設置jロードロッ
ク室のウェハ」二部(こ取り付クリてもよい。また、]
−記実施例では不活性ガスのガス流率をニードルバルブ
で設定したか、ロードロック室内に流す不活性ガス流i
1を時間と共にコントロール例え:よ第4図に示すよう
に流し初めは少なく時間と共に流量を大きくてきるか如
くコントロールてきる電自弁等の流ζ≦コントロールハ
ルフにし・、ブロクラム(レシピ)制御できるようにす
るとさらむこよい。
さらに上記実施例ではエツチング装置のロードロードロ
ック′装置に適用し・たがこれに限らずLCDエツチン
タや、 イオン注入装置、CV D装置等ロードロック
装置であればいずれにも適用できることは言うまでもな
い。
(発明の効果) 以上のよう(こ本発明によれば、減圧状態のロトロック
室を開放ずろ際にガスを導入し大気圧に戻すとき、ゴミ
のまき」−げを減少しウェハ表面へ1・1 のゴミの11着を抑止する効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明;コート[ニアツタ装置の一実施例を説
明するためのエツチンク装置の構成図、第2図は第1図
のガス流緩ttj器の1で1置を示すための1−面図、
第3図は第1図の他のガス流緩衝器の位置を示す説明図
、第4図はロードロック室へ導入されるガス流竜と時間
との関係を示す説明図、第5図は第1図のガス流緩衝器
の説明図である。 11.ウェハ 21.処理室 30.イン側ロードロック室 44.アウト側ロードロック室 58.ハントリンクア−1, 6、7,16,17,、仕切 10、 20.  、ガス吹き出し部 II、21..ガス流緩衝器 12、 22.  、フィルタ 1323、   ニードルバルブ 146.不活性ガス供給源 =15 第 図 ローY゛ロック艶 第 図 第 図1 力゛又イυ 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 減圧状態のロードロック室を開放する際にガスを導入し
    大気圧に戻すロードロック装置に於て、上記ロードロッ
    ク室内にガスを導入するガス噴き出し部にガス流緩衝手
    段を設けたことを特徴とするロードロック装置。
JP518589A 1989-01-12 1989-01-12 ロードロック装置を備えた処理装置 Expired - Lifetime JP2566308B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP518589A JP2566308B2 (ja) 1989-01-12 1989-01-12 ロードロック装置を備えた処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP518589A JP2566308B2 (ja) 1989-01-12 1989-01-12 ロードロック装置を備えた処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02184333A true JPH02184333A (ja) 1990-07-18
JP2566308B2 JP2566308B2 (ja) 1996-12-25

Family

ID=11604171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP518589A Expired - Lifetime JP2566308B2 (ja) 1989-01-12 1989-01-12 ロードロック装置を備えた処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2566308B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999054927A1 (fr) * 1998-04-16 1999-10-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de stockage de materiau non traite et etage d'entree/sortie
JP2004146781A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空/パージ方法
US6817377B1 (en) 1998-12-23 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
JP2016192492A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 Tdk株式会社 ガスパージユニット
JP2020041193A (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 東京エレクトロン株式会社 真空搬送モジュール及び真空搬送方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57134946A (en) * 1981-02-16 1982-08-20 Toshiba Corp Carrying device for semiconductor substrate
JPS57159534A (en) * 1981-02-13 1982-10-01 Ramu Research Corp Load lock
JPS5966339A (ja) * 1982-10-06 1984-04-14 Hitachi Ltd 真空装置
JPS606222U (ja) * 1983-06-27 1985-01-17 富士通株式会社 真空処理装置
JPS60253225A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Hitachi Ltd 真空処理装置
JPS6158252A (ja) * 1984-08-29 1986-03-25 Hitachi Ltd 真空排気リ−ク装置
JPS61113765A (ja) * 1984-11-09 1986-05-31 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置のベント方法
JPS6250463A (ja) * 1985-08-30 1987-03-05 Hitachi Ltd 連続スパツタ装置
JPS62128538A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Fujitsu Ltd 真空中の搬送方法
JPS6346834U (ja) * 1986-09-12 1988-03-30

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57116874A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Fujita Corp Construction of pillar with skirt wall and hang wall

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57159534A (en) * 1981-02-13 1982-10-01 Ramu Research Corp Load lock
JPS57134946A (en) * 1981-02-16 1982-08-20 Toshiba Corp Carrying device for semiconductor substrate
JPS5966339A (ja) * 1982-10-06 1984-04-14 Hitachi Ltd 真空装置
JPS606222U (ja) * 1983-06-27 1985-01-17 富士通株式会社 真空処理装置
JPS60253225A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Hitachi Ltd 真空処理装置
JPS6158252A (ja) * 1984-08-29 1986-03-25 Hitachi Ltd 真空排気リ−ク装置
JPS61113765A (ja) * 1984-11-09 1986-05-31 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置のベント方法
JPS6250463A (ja) * 1985-08-30 1987-03-05 Hitachi Ltd 連続スパツタ装置
JPS62128538A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Fujitsu Ltd 真空中の搬送方法
JPS6346834U (ja) * 1986-09-12 1988-03-30

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999054927A1 (fr) * 1998-04-16 1999-10-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de stockage de materiau non traite et etage d'entree/sortie
EP1075023A1 (en) * 1998-04-16 2001-02-07 Tokyo Electron Limited Unprocessed material storing device and carry-in/out stage
EP1075023A4 (en) * 1998-04-16 2004-11-17 Tokyo Electron Ltd STORAGE UNIT FOR UNTREATED MATERIAL AND INPUT LEVEL
US6817377B1 (en) 1998-12-23 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
US7077159B1 (en) 1998-12-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Processing apparatus having integrated pumping system
JP2004146781A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空/パージ方法
JP4658243B2 (ja) * 2002-10-22 2011-03-23 三星電子株式会社 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空/パージ方法
JP2016192492A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 Tdk株式会社 ガスパージユニット
JP2020041193A (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 東京エレクトロン株式会社 真空搬送モジュール及び真空搬送方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2566308B2 (ja) 1996-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100548939B1 (ko) 피처리체 수납장치
JP5007869B2 (ja) ワークピースを移送するための装置および方法
JPH05218176A (ja) 熱処理方法及び被処理体の移載方法
JPH04206547A (ja) 装置間搬送方法
JP2006310561A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
TW201448095A (zh) 真空處理裝置及其之運轉方法
KR19990066676A (ko) 스퍼터 화학증착 복합장치
US20070130738A1 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JPH02184333A (ja) ロードロック装置を備えた処理装置
JPH034459B2 (ja)
KR100743275B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법
JPH0517879Y2 (ja)
JP3153323B2 (ja) 気密室の常圧復帰装置及びその常圧復帰方法
JP2003115518A (ja) 基板処理装置
JP4451952B2 (ja) 基板処理装置
EP0626724B1 (en) System for transferring wafer
JP3605692B2 (ja) 搬送処理方法及び搬送処理装置
JPH04271139A (ja) 半導体製造装置
JPH0615720B2 (ja) 真空処理装置
JP2767142B2 (ja) 真空処理装置用ユニット
JP3154793B2 (ja) 基板処理装置
JP3121022B2 (ja) 減圧処理装置
JP2009218505A (ja) アンロードチャンバ及びその運転方法
JPH01135015A (ja) 半導体ウエハ処理装置
JPH06181249A (ja) 基板搬送システム