JPH02184333A - ロードロック装置を備えた処理装置 - Google Patents
ロードロック装置を備えた処理装置Info
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- JPH02184333A JPH02184333A JP1005185A JP518589A JPH02184333A JP H02184333 A JPH02184333 A JP H02184333A JP 1005185 A JP1005185 A JP 1005185A JP 518589 A JP518589 A JP 518589A JP H02184333 A JPH02184333 A JP H02184333A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はロードロック室内に関する。
(従来の技術)
半導体ウェハに対ずろ各種処理を真空状態てIjう真空
装置が増加し・でいろ。このような真空装置で(よ生産
性の向上と不純物の混入防止のため、真空処理室とは分
離した小空間のロードロック室が設けられこのロードロ
ック室を介し・て大気圧状態にある所定の位置からのウ
ェハの授受及び真空状態にある真空処理室とのウエノ\
の授受を行う。このためローI・1コツク室の機能は大
気圧状態ツノ)(ち真空処理室内と同圧の所定の減圧状
態へ減圧排気1−ろ機能と、この減圧状叶から人気圧:
こ戻す機能及びウェハを人気圧の所定位置から[7−1
・1コ・ツク悴を経由してダ1空処理室へ叉この逆へ搬
送する搬送(旧i訛・211°11.(て゛い・5゜(
r’fニー)で「ローj・[ドック室:こは減圧排気用
の排気口か配管を経由し・て排気装置(こ、71−だ大
気圧に戻すガス導入「Iかリーク用配管(こ接続されて
設(フらメしていた。このようなドアー1−口・ンク装
置は特開昭57 15つ531吋公十じゃ特開昭62−
128538号公報等に示されて0る。
装置が増加し・でいろ。このような真空装置で(よ生産
性の向上と不純物の混入防止のため、真空処理室とは分
離した小空間のロードロック室が設けられこのロードロ
ック室を介し・て大気圧状態にある所定の位置からのウ
ェハの授受及び真空状態にある真空処理室とのウエノ\
の授受を行う。このためローI・1コツク室の機能は大
気圧状態ツノ)(ち真空処理室内と同圧の所定の減圧状
態へ減圧排気1−ろ機能と、この減圧状叶から人気圧:
こ戻す機能及びウェハを人気圧の所定位置から[7−1
・1コ・ツク悴を経由してダ1空処理室へ叉この逆へ搬
送する搬送(旧i訛・211°11.(て゛い・5゜(
r’fニー)で「ローj・[ドック室:こは減圧排気用
の排気口か配管を経由し・て排気装置(こ、71−だ大
気圧に戻すガス導入「Iかリーク用配管(こ接続されて
設(フらメしていた。このようなドアー1−口・ンク装
置は特開昭57 15つ531吋公十じゃ特開昭62−
128538号公報等に示されて0る。
このよ′−′) !こロードロック室内では真空置換が
行ノ)ノLろ為−船釣に(、:を二]ミクqは少ない。
行ノ)ノLろ為−船釣に(、:を二]ミクqは少ない。
(発明か解決しようとする課題)
しかし・なかI)、1(導体ウェハの1留微♀IJI(
ヒが進み、Iコートロック室内か減圧排気された後に残
留したゴミ例えはローI・ロンク室内のウエノl団装置
の駆動部や駆動部での微小な発塵や良空処理室内力)ら
ウェハを取り出しロードロック室内へ搬送する時真空処
理室内の処理生成物等の浮遊パーティクル等が搬送と同
時ζこロー1−ロック室内に持ち込4:れるもの等があ
り、これら微少なゴミの取扱か生産面での歩留まりに多
大な影響を与えている。このようなゴミは主に、ロード
ロック室を所定の減圧状態から大気圧に戻すときロード
ロック室内に不活性ガス等をリークバルブ等を介して徐
々に導入しているため、即ち、ロー1’ +コック室内
にガス↓り人「1から直接不活性ガス等が放出される為
、L記ゴミ等がガス流によりまき上げられ、被処理又は
処理済ウェハ表面ζこ付着し・てしまうと言う問題があ
った。
ヒが進み、Iコートロック室内か減圧排気された後に残
留したゴミ例えはローI・ロンク室内のウエノl団装置
の駆動部や駆動部での微小な発塵や良空処理室内力)ら
ウェハを取り出しロードロック室内へ搬送する時真空処
理室内の処理生成物等の浮遊パーティクル等が搬送と同
時ζこロー1−ロック室内に持ち込4:れるもの等があ
り、これら微少なゴミの取扱か生産面での歩留まりに多
大な影響を与えている。このようなゴミは主に、ロード
ロック室を所定の減圧状態から大気圧に戻すときロード
ロック室内に不活性ガス等をリークバルブ等を介して徐
々に導入しているため、即ち、ロー1’ +コック室内
にガス↓り人「1から直接不活性ガス等が放出される為
、L記ゴミ等がガス流によりまき上げられ、被処理又は
処理済ウェハ表面ζこ付着し・てしまうと言う問題があ
った。
この発明:、L上記点を改善するためになされたもので
ロードロック室へ不活性ガス等を導入するときゴミのま
き」二げを減少しウェハ表面へのゴミの付着を抑止する
ロードロック装置を提供しようとするものである。
ロードロック室へ不活性ガス等を導入するときゴミのま
き」二げを減少しウェハ表面へのゴミの付着を抑止する
ロードロック装置を提供しようとするものである。
(課題を解決ずろための丁J′2)
この発明は減圧状態のロードロック室を開放する際ここ
ガスを導入し・大気圧に戻すロードロック装置に於て、
上記ロードロック室内にガスを導入するガス噴き出し部
にガス流量ご」丁−段を設くフたことを特徴とする17
−ドロック装置を′lOるものである。
ガスを導入し・大気圧に戻すロードロック装置に於て、
上記ロードロック室内にガスを導入するガス噴き出し部
にガス流量ご」丁−段を設くフたことを特徴とする17
−ドロック装置を′lOるものである。
(作用効果)
第5発明によれば、減圧状態のロードロック室を開放す
る際にガスを導入し大気圧とこ戻すロードロック室内;
こ於て、」−記lコート〔lツク三;E内にガスを導入
するガス噴ぎ出し部:こ上記ガスの噴き出し速度なi戒
しるガス流裟1曇J丁段を設(〕たことにより、ロード
ロック室へ不活性ガス等を導入するときゴミのニドぎ−
1,げな減少しウェハ表面へのゴミの付着を抑止する効
果が7!:らiする。
る際にガスを導入し大気圧とこ戻すロードロック室内;
こ於て、」−記lコート〔lツク三;E内にガスを導入
するガス噴ぎ出し部:こ上記ガスの噴き出し速度なi戒
しるガス流裟1曇J丁段を設(〕たことにより、ロード
ロック室へ不活性ガス等を導入するときゴミのニドぎ−
1,げな減少しウェハ表面へのゴミの付着を抑止する効
果が7!:らiする。
(実施例)
以下本発明ロードロック装置をプラズマエツチンク装置
W:こ通用し・八−実施例につき図面を参〇gして説明
ずろ5゜ 7A1図はエツチング処理置の構成図を示し・、被処理
体例えば半導1イτウエハ(1)をエツチング処理する
真空処理室く2)と、この真空処理室(2)の両側に真
空状態と大気圧状態との切り替えを行うイン側ロードロ
ック室(3)とアウト側ロードロック室(4)とが設ζ
フられている。イン側lフトロック室(3)内には図示
しないイン側のウニバカ七ツト等からのウェハ(1)を
ロードロック室(3)内へ取り込み、また真空処理室の
プラズマエツチング処理室(2)ヘウエハ(1)を載置
するロボット装置等からなるハンドリングアーム(5)
が設けられている。そして、大気圧側と「7トロツク室
(3)とを仕切る開閉自在な大電圧側仕切(6)か設げ
られ、同様にロードロック室(3)と真空処理室(2)
間を仕切る開閉自在な処理室側仕切(7)が設けられて
いる。これら仕切(6)、 (7)は気密性があり例え
ばゲートバルブや気密機構を施した扉等により構成され
ている。また、ロードロック室(3)の下部にはロトロ
ック宇(3)を減圧排気ずろ排気口(8)が設ζフられ
ている。そしてこの排気口(8)からメインバルブ(8
a )とりブハルブ(81) )が並列tこ接続され、
ロードロック用排気装置(9)に接続されている。また
、リブハルツ(8+) )の配管はメインバルブの配管
に比へて細く排気コンダクタンスを低くし・である。そ
し・て、ロードロック室(:3)内に不活性ガスを導入
するガス吹き出し部(10)か設(:lられ、このガス
吹き出し部(10)には上記不活性ガスのガス吹き出し
速度を減し静かにガスを1つ−トロンク室(3)内に拡
散させるガス流緩衝器(11)例えは第5図に示すよう
な円筒状で複数孔から成るステンレス製焼結フィルター
か設りられている。そして、このガス流緩衝器(11)
はロー)・ロック室(3)のウェハ(1)から離れた隅
;こ位置し、かつ上記ハントリンファム(5)より」二
に位置する如く設りられている。
W:こ通用し・八−実施例につき図面を参〇gして説明
ずろ5゜ 7A1図はエツチング処理置の構成図を示し・、被処理
体例えば半導1イτウエハ(1)をエツチング処理する
真空処理室く2)と、この真空処理室(2)の両側に真
空状態と大気圧状態との切り替えを行うイン側ロードロ
ック室(3)とアウト側ロードロック室(4)とが設ζ
フられている。イン側lフトロック室(3)内には図示
しないイン側のウニバカ七ツト等からのウェハ(1)を
ロードロック室(3)内へ取り込み、また真空処理室の
プラズマエツチング処理室(2)ヘウエハ(1)を載置
するロボット装置等からなるハンドリングアーム(5)
が設けられている。そして、大気圧側と「7トロツク室
(3)とを仕切る開閉自在な大電圧側仕切(6)か設げ
られ、同様にロードロック室(3)と真空処理室(2)
間を仕切る開閉自在な処理室側仕切(7)が設けられて
いる。これら仕切(6)、 (7)は気密性があり例え
ばゲートバルブや気密機構を施した扉等により構成され
ている。また、ロードロック室(3)の下部にはロトロ
ック宇(3)を減圧排気ずろ排気口(8)が設ζフられ
ている。そしてこの排気口(8)からメインバルブ(8
a )とりブハルブ(81) )が並列tこ接続され、
ロードロック用排気装置(9)に接続されている。また
、リブハルツ(8+) )の配管はメインバルブの配管
に比へて細く排気コンダクタンスを低くし・である。そ
し・て、ロードロック室(:3)内に不活性ガスを導入
するガス吹き出し部(10)か設(:lられ、このガス
吹き出し部(10)には上記不活性ガスのガス吹き出し
速度を減し静かにガスを1つ−トロンク室(3)内に拡
散させるガス流緩衝器(11)例えは第5図に示すよう
な円筒状で複数孔から成るステンレス製焼結フィルター
か設りられている。そして、このガス流緩衝器(11)
はロー)・ロック室(3)のウェハ(1)から離れた隅
;こ位置し、かつ上記ハントリンファム(5)より」二
に位置する如く設りられている。
また、上記ガス吹き出し・部(10)は導入する不活性
ガスの流路中て発生ずるゴミを取り除くフィルター(1
2)例えは焼結フィルター或はセラミックフィルターも
こ接続されている。そして、ロードロック室〈3)内に
導入する不活性ガス流量を制御ずろバルブ例えばニード
ルバルブ(13)及び不活性ガス供給源(14)!二順
次接続されている。そして、アウト側rl −1’ U
iミンク(11)内(こもイン側ロードロック室(3)
と同様に、上記処理宗(2)内に載置されているエッチ
ツク処理済みウェハ(1)をアウト側ロー1−ロック室
(4)へ取り出腰 Jた図示しん゛いアウト側ウェハカ
セット等tこウェハ(1)を渡ず17;1′ニツト装置
等からん゛ろハンドリングアーム〈15)が設りられて
いる。そして、大気圧側と1フートロック室(・1)ど
を仕切る開閉自在な入気圧側仕切(IG)が設()られ
、又、ロードロック室く4)と真空処理室(2)間を1
4切る開閉自在な処理室側仕切(17)か設けられてい
る。これら仕切(16)、 (17)は気密性かあり
ηりえはケートバルブや気密機構を施した扉等により構
成されている。また、ロードロック室(・1)の下部に
i;t [フートlコック室(/])を減圧排気する排
気口(18)が設りられている。
ガスの流路中て発生ずるゴミを取り除くフィルター(1
2)例えは焼結フィルター或はセラミックフィルターも
こ接続されている。そして、ロードロック室〈3)内に
導入する不活性ガス流量を制御ずろバルブ例えばニード
ルバルブ(13)及び不活性ガス供給源(14)!二順
次接続されている。そして、アウト側rl −1’ U
iミンク(11)内(こもイン側ロードロック室(3)
と同様に、上記処理宗(2)内に載置されているエッチ
ツク処理済みウェハ(1)をアウト側ロー1−ロック室
(4)へ取り出腰 Jた図示しん゛いアウト側ウェハカ
セット等tこウェハ(1)を渡ず17;1′ニツト装置
等からん゛ろハンドリングアーム〈15)が設りられて
いる。そして、大気圧側と1フートロック室(・1)ど
を仕切る開閉自在な入気圧側仕切(IG)が設()られ
、又、ロードロック室く4)と真空処理室(2)間を1
4切る開閉自在な処理室側仕切(17)か設けられてい
る。これら仕切(16)、 (17)は気密性かあり
ηりえはケートバルブや気密機構を施した扉等により構
成されている。また、ロードロック室(・1)の下部に
i;t [フートlコック室(/])を減圧排気する排
気口(18)が設りられている。
そしてこの排’L l”J (1Σ3)からメインバル
ブ(]8a)とりブハルブ(181,+ )か並列に接
続され、ロードロック用排気装置(9)に接続されてい
る。
ブ(]8a)とりブハルブ(181,+ )か並列に接
続され、ロードロック用排気装置(9)に接続されてい
る。
また、サフハルブ(181) )の配管はメインバルブ
の配管に比へて♀■(<排気コンダクタンスを低くしで
ある。そし・て、r7−1・lフック室(□・1)内に
不活性ガスを導入するガス吹き出し部(20)が設()
らノ1このガス吹き出し部く20)には上記不活巴:ガ
スのガス流速度をイ戊し・静かζこガスをロー)・口・
ツク室(4)内:こ拡散させ゛るガス流緩衝器(21)
)111え!f FJ筒1ノ:てメンシュ例えは100
ミクロンの孔から成るスデンL、ス製焼拮フィルターが
着脱自在に設りられている。また、適宜交換、清掃を可
能とし・ている。そし・て、このガス流緩衝器(21)
:′iロートロ・ツク’:< <・′1)のウェハ(1
)から離れた隅に位置し・、かつ上記ハンドリングアー
ム(15)上り上:こ位置ずろ如く設(jられている。
の配管に比へて♀■(<排気コンダクタンスを低くしで
ある。そし・て、r7−1・lフック室(□・1)内に
不活性ガスを導入するガス吹き出し部(20)が設()
らノ1このガス吹き出し部く20)には上記不活巴:ガ
スのガス流速度をイ戊し・静かζこガスをロー)・口・
ツク室(4)内:こ拡散させ゛るガス流緩衝器(21)
)111え!f FJ筒1ノ:てメンシュ例えは100
ミクロンの孔から成るスデンL、ス製焼拮フィルターが
着脱自在に設りられている。また、適宜交換、清掃を可
能とし・ている。そし・て、このガス流緩衝器(21)
:′iロートロ・ツク’:< <・′1)のウェハ(1
)から離れた隅に位置し・、かつ上記ハンドリングアー
ム(15)上り上:こ位置ずろ如く設(jられている。
また、上記ガス吹き出し、部(20)は導入する不活性
ガスの流躇中で発生するコミを取り除くフィルター(2
2)例えは焼結フィルター或はセラミツフッ、′ルター
ここ接υCさj′Lでいる。そし・て、ロードロック室
(1)内に導入ず;S不活性ガス流星を制御ずろバルブ
例えば二、−1ルハルブ(23)及び不活性ガス供給源
(1,1>lこ順次接続されている。上記処理室(2)
内はエツチングガス導入を兼ねた上部電極ぐ25)どウ
ェハ(1)を載置する下部電極(26)と処]l!室(
2)内を所定の減圧値に排気する]Jr気装置(27)
及びプラズマ発生の為の上記−に部電極(25)と下部
電極(26)間に印可する図示しない高周波電源等から
構成されている。
ガスの流躇中で発生するコミを取り除くフィルター(2
2)例えは焼結フィルター或はセラミツフッ、′ルター
ここ接υCさj′Lでいる。そし・て、ロードロック室
(1)内に導入ず;S不活性ガス流星を制御ずろバルブ
例えば二、−1ルハルブ(23)及び不活性ガス供給源
(1,1>lこ順次接続されている。上記処理室(2)
内はエツチングガス導入を兼ねた上部電極ぐ25)どウ
ェハ(1)を載置する下部電極(26)と処]l!室(
2)内を所定の減圧値に排気する]Jr気装置(27)
及びプラズマ発生の為の上記−に部電極(25)と下部
電極(26)間に印可する図示しない高周波電源等から
構成されている。
次に動作について説明する。大気圧状態でイン側ロード
ロック室(3)の大電圧側仕切(6)を開き、図示しな
いイン側つェハキャリア當・からのウェハ(1)をハン
トリングアーJ−1(5)によりイン側ロー)・ロック
室(3)へ搬入保持ずろ。人気側仕切(6)を閉し・、
ロードロック用排気装置(9)を作動する。このとき、
念、激なtel’気で:1ミのまき上げ等を防ぐため→
ノフバルフ(81J)を開き、次にメインバルブ(8a
)のl1lTiにバルブを開き処理室(2)と同し所定
の減圧値例えば10Torrlて排気する。この時まて
ζこに記処理室(2)内は排気装置t (27)により
所定の減圧状態例えば10−’Torrに排気制御して
おく。処理室(2)とインfP、’l r’ !”
o ツク室(3)とが同し減圧状態ζこな−)たところ
て処理室側仕切(7)を開さハンl;’ 1,1ングア
ーノ2.(5)で(7持していたウェハ(1)をこのハ
ンドリングアーム(5)で処理室(2)内の所定の場所
例え(、′を下部電極(26)、h’こ載置し1、ハン
トリンクアームぐ5)はイン側゛7−1・口・ツク室(
3)内:こ戻ず。ぞして処理室側仕切(7)を閉し、ろ
。次に]、ツチングガスを処理3、↑(2)内(こ14
人し、排気装置:’:(27)之こより所定の減圧値く
こ!非気a、す御し・なから所定時間−1一部電極(2
5)及C下部電極(26)間(こ高周波電力を印可する
ことにより、処理室(2)でエツチツク処理を11;)
。この間にアウト側)ゴードロック室(1)をインjj
ll r7−1・lフック室(3)の排気と:司(予に
(J”フハルフ’(181〕)、メインバルブ゛(18
a、 )の10)こ開き、処理室(2)と回し、減圧状
態ここローI・ロック用排気装置(ワ)により排気して
:5く。処理室(2)内のエツチング処理終了後、アウ
ト101)lコートロノ′、)′−〆(])の処理室ク
リ仕1(17)を開きハントリンクアーム(+5)tこ
上り処理室(2)内の下部電極(2G))−、の処理済
みウェハ(1)を取り出し、アウト側ロートrコック室
(、q)内シこハントリンクアーム、(15)にてウェ
ハ(1)を保持する。そして処理室側仕切(17)を閉
じ・る。従って、ここで処理室(2)はアウト側ロード
ロック室(/1)から切り雌され次のウェハな処理でき
る状態に・V′場できろ。次に、二トルハルフ(23)
を開き不活性ガス供給源(14)より不活性ガス例えは
N2ガスをアウト側「1ドロック室(4)内に導入し大
気圧に戻す。この時ロードロック室(4)内へ不活性ガ
スを導入するガス吹き出し部(10)ここはガス流緩衝
器(11)が設けられているため、フィルターフ22)
により清?f+化された不活性ガスの吹き出るガス流例
えば窒素ガスは1−記ガス流緩衝器(21)により減速
され静かにロードロック室内に拡散し・てゆく。またガ
ス流緩衝器(21)の設置位置はハンドリングアーム(
15)上のウェハ(1)から離れ、例え1.Eロー)・
ロック室か四角形であれば四隅の内の一角て、ハンj・
リングアーム(15)よりも上−に位置しているので、
即ち、コミの少ない場所からの不活性ガスの緩やかな拡
散のためゴミの才き1−げか少ん゛い。このようにして
、アウト側ロートロッン室1)か不活性ガスにより大気
圧状1片とこな一〕へど、こ・5G人−(圧l111仕
σ] (I [; )を開ざハントリンクアーム(15
)に保持していたウェハ(1)−1’2+示しち゛いア
ウト(Ullウニハキへ・リア等への(0ン送位没に載
1!ずろ。また、不活性ガスの導〕・か多すぎr7−1
;ロック室(、4)内か大気圧より加圧状聾になるのを
防II、するためロードロック室()1)には図示しl
ない例えは0.071ぐg/ crn 2て開放動1′
「する逆止弁か設(プられている。また、処理”F:(
2)内でエツチング装置し・ている間には次のウェハを
インl1lll rV−1” 0 ツク室(3)+ZI
−11−)するため、上記ロードロック室(、〕)内を
大気圧状態tこ戻し・たのと同し・よろ;こ不活性ガス
をニードルバルブ(13)及びフ〆ルター(]2)を介
しガス流$’r F’、I器(1])で静かに拡K1.
L・イン側口)・ロック室(3)に導入し・、大電圧
に戻す。以下−上記動作を繰り返し・所望の数量のウェ
ハをエッチンク処理する。ここて、r7−1+ロツク室
(3)。
ロック室(3)の大電圧側仕切(6)を開き、図示しな
いイン側つェハキャリア當・からのウェハ(1)をハン
トリングアーJ−1(5)によりイン側ロー)・ロック
室(3)へ搬入保持ずろ。人気側仕切(6)を閉し・、
ロードロック用排気装置(9)を作動する。このとき、
念、激なtel’気で:1ミのまき上げ等を防ぐため→
ノフバルフ(81J)を開き、次にメインバルブ(8a
)のl1lTiにバルブを開き処理室(2)と同し所定
の減圧値例えば10Torrlて排気する。この時まて
ζこに記処理室(2)内は排気装置t (27)により
所定の減圧状態例えば10−’Torrに排気制御して
おく。処理室(2)とインfP、’l r’ !”
o ツク室(3)とが同し減圧状態ζこな−)たところ
て処理室側仕切(7)を開さハンl;’ 1,1ングア
ーノ2.(5)で(7持していたウェハ(1)をこのハ
ンドリングアーム(5)で処理室(2)内の所定の場所
例え(、′を下部電極(26)、h’こ載置し1、ハン
トリンクアームぐ5)はイン側゛7−1・口・ツク室(
3)内:こ戻ず。ぞして処理室側仕切(7)を閉し、ろ
。次に]、ツチングガスを処理3、↑(2)内(こ14
人し、排気装置:’:(27)之こより所定の減圧値く
こ!非気a、す御し・なから所定時間−1一部電極(2
5)及C下部電極(26)間(こ高周波電力を印可する
ことにより、処理室(2)でエツチツク処理を11;)
。この間にアウト側)ゴードロック室(1)をインjj
ll r7−1・lフック室(3)の排気と:司(予に
(J”フハルフ’(181〕)、メインバルブ゛(18
a、 )の10)こ開き、処理室(2)と回し、減圧状
態ここローI・ロック用排気装置(ワ)により排気して
:5く。処理室(2)内のエツチング処理終了後、アウ
ト101)lコートロノ′、)′−〆(])の処理室ク
リ仕1(17)を開きハントリンクアーム(+5)tこ
上り処理室(2)内の下部電極(2G))−、の処理済
みウェハ(1)を取り出し、アウト側ロートrコック室
(、q)内シこハントリンクアーム、(15)にてウェ
ハ(1)を保持する。そして処理室側仕切(17)を閉
じ・る。従って、ここで処理室(2)はアウト側ロード
ロック室(/1)から切り雌され次のウェハな処理でき
る状態に・V′場できろ。次に、二トルハルフ(23)
を開き不活性ガス供給源(14)より不活性ガス例えは
N2ガスをアウト側「1ドロック室(4)内に導入し大
気圧に戻す。この時ロードロック室(4)内へ不活性ガ
スを導入するガス吹き出し部(10)ここはガス流緩衝
器(11)が設けられているため、フィルターフ22)
により清?f+化された不活性ガスの吹き出るガス流例
えば窒素ガスは1−記ガス流緩衝器(21)により減速
され静かにロードロック室内に拡散し・てゆく。またガ
ス流緩衝器(21)の設置位置はハンドリングアーム(
15)上のウェハ(1)から離れ、例え1.Eロー)・
ロック室か四角形であれば四隅の内の一角て、ハンj・
リングアーム(15)よりも上−に位置しているので、
即ち、コミの少ない場所からの不活性ガスの緩やかな拡
散のためゴミの才き1−げか少ん゛い。このようにして
、アウト側ロートロッン室1)か不活性ガスにより大気
圧状1片とこな一〕へど、こ・5G人−(圧l111仕
σ] (I [; )を開ざハントリンクアーム(15
)に保持していたウェハ(1)−1’2+示しち゛いア
ウト(Ullウニハキへ・リア等への(0ン送位没に載
1!ずろ。また、不活性ガスの導〕・か多すぎr7−1
;ロック室(、4)内か大気圧より加圧状聾になるのを
防II、するためロードロック室()1)には図示しl
ない例えは0.071ぐg/ crn 2て開放動1′
「する逆止弁か設(プられている。また、処理”F:(
2)内でエツチング装置し・ている間には次のウェハを
インl1lll rV−1” 0 ツク室(3)+ZI
−11−)するため、上記ロードロック室(、〕)内を
大気圧状態tこ戻し・たのと同し・よろ;こ不活性ガス
をニードルバルブ(13)及びフ〆ルター(]2)を介
しガス流$’r F’、I器(1])で静かに拡K1.
L・イン側口)・ロック室(3)に導入し・、大電圧
に戻す。以下−上記動作を繰り返し・所望の数量のウェ
ハをエッチンク処理する。ここて、r7−1+ロツク室
(3)。
(4)を大気圧に戻すとき、不活性ガスを使用するのは
空気を使用すると空気中の水分が次にロードロック室を
真空に引くときに妨げとなり、叉残1°aしている反応
生成物ダと空気中の水分とか反1、ししてウェハに付着
し悪影響を与えるの防くためである。
空気を使用すると空気中の水分が次にロードロック室を
真空に引くときに妨げとなり、叉残1°aしている反応
生成物ダと空気中の水分とか反1、ししてウェハに付着
し悪影響を与えるの防くためである。
なを、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えは第2図はエツチング装置の上面図で第1図と対応
したところは同符号を記してあり、処理室(30)、ロ
ー1・Fコンク室(31)(32)処理室〈30)のウ
ェハ保持位置(33)、ロードロック室(30)、
(31)のウェハ保持位置(34)、 (35)処理
室側仕切(3B)、 (37)、 イン側イ1切(
38)、 アウト側仕切(39)を示している。ガス
流緩衝器(11)は上記実施例では一つの!コート「1
ツク室の隅ζこ−ってあったか、一つのロードロック室
ζこ複数個例えは2〜4(11,lla、 111)
、11寛−)何れの位置;こ設けてもよい。また、ガス
流緩衝器は第:3図の様にバイブ状細管にあるい(才中
空て薄い箱状の面」−に複数の細孔を設置jロードロッ
ク室のウェハ」二部(こ取り付クリてもよい。また、]
−記実施例では不活性ガスのガス流率をニードルバルブ
で設定したか、ロードロック室内に流す不活性ガス流i
1を時間と共にコントロール例え:よ第4図に示すよう
に流し初めは少なく時間と共に流量を大きくてきるか如
くコントロールてきる電自弁等の流ζ≦コントロールハ
ルフにし・、ブロクラム(レシピ)制御できるようにす
るとさらむこよい。
したところは同符号を記してあり、処理室(30)、ロ
ー1・Fコンク室(31)(32)処理室〈30)のウ
ェハ保持位置(33)、ロードロック室(30)、
(31)のウェハ保持位置(34)、 (35)処理
室側仕切(3B)、 (37)、 イン側イ1切(
38)、 アウト側仕切(39)を示している。ガス
流緩衝器(11)は上記実施例では一つの!コート「1
ツク室の隅ζこ−ってあったか、一つのロードロック室
ζこ複数個例えは2〜4(11,lla、 111)
、11寛−)何れの位置;こ設けてもよい。また、ガス
流緩衝器は第:3図の様にバイブ状細管にあるい(才中
空て薄い箱状の面」−に複数の細孔を設置jロードロッ
ク室のウェハ」二部(こ取り付クリてもよい。また、]
−記実施例では不活性ガスのガス流率をニードルバルブ
で設定したか、ロードロック室内に流す不活性ガス流i
1を時間と共にコントロール例え:よ第4図に示すよう
に流し初めは少なく時間と共に流量を大きくてきるか如
くコントロールてきる電自弁等の流ζ≦コントロールハ
ルフにし・、ブロクラム(レシピ)制御できるようにす
るとさらむこよい。
さらに上記実施例ではエツチング装置のロードロードロ
ック′装置に適用し・たがこれに限らずLCDエツチン
タや、 イオン注入装置、CV D装置等ロードロック
装置であればいずれにも適用できることは言うまでもな
い。
ック′装置に適用し・たがこれに限らずLCDエツチン
タや、 イオン注入装置、CV D装置等ロードロック
装置であればいずれにも適用できることは言うまでもな
い。
(発明の効果)
以上のよう(こ本発明によれば、減圧状態のロトロック
室を開放ずろ際にガスを導入し大気圧に戻すとき、ゴミ
のまき」−げを減少しウェハ表面へ1・1 のゴミの11着を抑止する効果が得られる。
室を開放ずろ際にガスを導入し大気圧に戻すとき、ゴミ
のまき」−げを減少しウェハ表面へ1・1 のゴミの11着を抑止する効果が得られる。
第1図は本発明;コート[ニアツタ装置の一実施例を説
明するためのエツチンク装置の構成図、第2図は第1図
のガス流緩ttj器の1で1置を示すための1−面図、
第3図は第1図の他のガス流緩衝器の位置を示す説明図
、第4図はロードロック室へ導入されるガス流竜と時間
との関係を示す説明図、第5図は第1図のガス流緩衝器
の説明図である。 11.ウェハ 21.処理室 30.イン側ロードロック室 44.アウト側ロードロック室 58.ハントリンクア−1, 6、7,16,17,、仕切 10、 20. 、ガス吹き出し部 II、21..ガス流緩衝器 12、 22. 、フィルタ 1323、 ニードルバルブ 146.不活性ガス供給源 =15 第 図 ローY゛ロック艶 第 図 第 図1 力゛又イυ 第 図
明するためのエツチンク装置の構成図、第2図は第1図
のガス流緩ttj器の1で1置を示すための1−面図、
第3図は第1図の他のガス流緩衝器の位置を示す説明図
、第4図はロードロック室へ導入されるガス流竜と時間
との関係を示す説明図、第5図は第1図のガス流緩衝器
の説明図である。 11.ウェハ 21.処理室 30.イン側ロードロック室 44.アウト側ロードロック室 58.ハントリンクア−1, 6、7,16,17,、仕切 10、 20. 、ガス吹き出し部 II、21..ガス流緩衝器 12、 22. 、フィルタ 1323、 ニードルバルブ 146.不活性ガス供給源 =15 第 図 ローY゛ロック艶 第 図 第 図1 力゛又イυ 第 図
Claims (1)
- 減圧状態のロードロック室を開放する際にガスを導入し
大気圧に戻すロードロック装置に於て、上記ロードロッ
ク室内にガスを導入するガス噴き出し部にガス流緩衝手
段を設けたことを特徴とするロードロック装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP518589A JP2566308B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | ロードロック装置を備えた処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP518589A JP2566308B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | ロードロック装置を備えた処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02184333A true JPH02184333A (ja) | 1990-07-18 |
JP2566308B2 JP2566308B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=11604171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP518589A Expired - Lifetime JP2566308B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | ロードロック装置を備えた処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2566308B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999054927A1 (fr) * | 1998-04-16 | 1999-10-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de stockage de materiau non traite et etage d'entree/sortie |
JP2004146781A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空/パージ方法 |
US6817377B1 (en) | 1998-12-23 | 2004-11-16 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
JP2016192492A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | Tdk株式会社 | ガスパージユニット |
JP2020041193A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空搬送モジュール及び真空搬送方法 |
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-
1989
- 1989-01-12 JP JP518589A patent/JP2566308B2/ja not_active Expired - Lifetime
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EP1075023A4 (en) * | 1998-04-16 | 2004-11-17 | Tokyo Electron Ltd | STORAGE UNIT FOR UNTREATED MATERIAL AND INPUT LEVEL |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2566308B2 (ja) | 1996-12-25 |
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