JPH034459B2 - - Google Patents
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- JPH034459B2 JPH034459B2 JP57091629A JP9162982A JPH034459B2 JP H034459 B2 JPH034459 B2 JP H034459B2 JP 57091629 A JP57091629 A JP 57091629A JP 9162982 A JP9162982 A JP 9162982A JP H034459 B2 JPH034459 B2 JP H034459B2
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- Japan
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- vacuum
- substrate
- processed
- wafer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G51/00—Conveying articles through pipes or tubes by fluid flow or pressure; Conveying articles over a flat surface, e.g. the base of a trough, by jets located in the surface
- B65G51/02—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases
-
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Air Transport Of Granular Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は真空処理装置内で自動的にウエハー等
の物体を移送する方法に関する。
の物体を移送する方法に関する。
(b) 従来技術と問題点
周知のように、集積回路（IC）などの半導体
装置は半導体ウエハーを化学的あるいは物理的に
処理するウエハープロセスを経て半導体素子（チ
ツプ）が形成される。このようなウエハープロセ
スにおいては、真空中で処理されることが多く、
例えば化学気相成長（CVD）装置、ドライエツ
チング装置、蒸着装置、スパツタ装置などの使用
した被膜形成やエツチングには最近特に真空中の
処理が増加しており、イオン注入法や電子ビーム
露光法もまた真空中で行われる。
装置は半導体ウエハーを化学的あるいは物理的に
処理するウエハープロセスを経て半導体素子（チ
ツプ）が形成される。このようなウエハープロセ
スにおいては、真空中で処理されることが多く、
例えば化学気相成長（CVD）装置、ドライエツ
チング装置、蒸着装置、スパツタ装置などの使用
した被膜形成やエツチングには最近特に真空中の
処理が増加しており、イオン注入法や電子ビーム
露光法もまた真空中で行われる。
一方、半導体技術の急激な進歩によつて、半導
体素子が微細化され、高密度化されてきたため、
信頼性を維持し、且つ処理工数を削減するための
自動化処理が望まれ、上記真空処理装置において
も、装置内への搬入、送出などのハンドリングを
はじめ処理時間、処理温度なども殆んど計算機制
御で処理工程が運営されている。
体素子が微細化され、高密度化されてきたため、
信頼性を維持し、且つ処理工数を削減するための
自動化処理が望まれ、上記真空処理装置において
も、装置内への搬入、送出などのハンドリングを
はじめ処理時間、処理温度なども殆んど計算機制
御で処理工程が運営されている。
しかしながら、このような真空処理装置におい
て、極めて困難な問題は真空中でのウエハーの搬
送である。一般に考えられる搬送法はツメなどを
使つた機械的移動法あるいはベルトによる移動法
であるが、真空中と言う特殊事情のため、摩擦係
数が非常に大きいにも拘らず、その摩擦を減らす
オイルの使用が不可であり、また高温度処理が多
くて、更に腐蝕性ガスが繁用される。したがつ
て、現在真空処理装置内での満足なハンドリング
方式が未だ開発されておらず、止むをえず部品交
換頻度を上げて上記の機械的なハンドリング法を
利用している状況であり、極めて搬送の信頼度は
低い。
て、極めて困難な問題は真空中でのウエハーの搬
送である。一般に考えられる搬送法はツメなどを
使つた機械的移動法あるいはベルトによる移動法
であるが、真空中と言う特殊事情のため、摩擦係
数が非常に大きいにも拘らず、その摩擦を減らす
オイルの使用が不可であり、また高温度処理が多
くて、更に腐蝕性ガスが繁用される。したがつ
て、現在真空処理装置内での満足なハンドリング
方式が未だ開発されておらず、止むをえず部品交
換頻度を上げて上記の機械的なハンドリング法を
利用している状況であり、極めて搬送の信頼度は
低い。
(c) 発明の目的
本発明はこのような問題点に解決を与え、真空
処理装置における搬送（ハンドリング）の信頼度
を高め、且つ容易に行える移送方法を提案するも
のである。
処理装置における搬送（ハンドリング）の信頼度
を高め、且つ容易に行える移送方法を提案するも
のである。
(d) 発明の構成
その目的は、搬入用ロードロツク室から真空に
保たれる反応室への被処理基板の搬入、及び該反
応室から搬出用ロードロツク室への該被処理基板
の搬出を行う移送方法であつて、前記搬入及び搬
出の経路に、前記被処理基板の移送方向に傾斜し
た複数のノズルを有するステージを設け、前記搬
入用、搬出用ロードロツク室及び前記反応室を真
空に保ちつつ、前記被処理基板に対する処理に用
いる反応ガス又はキヤリヤガスを前記ノズルより
噴射させて、前記被処理基板の前記反応室への搬
入及び前記反応室からの搬出を行うことを特徴と
する真空処理装置に於ける被処理基板の移送方法
によつて達成できる。以下、実施例によつて詳細
に説明する。
保たれる反応室への被処理基板の搬入、及び該反
応室から搬出用ロードロツク室への該被処理基板
の搬出を行う移送方法であつて、前記搬入及び搬
出の経路に、前記被処理基板の移送方向に傾斜し
た複数のノズルを有するステージを設け、前記搬
入用、搬出用ロードロツク室及び前記反応室を真
空に保ちつつ、前記被処理基板に対する処理に用
いる反応ガス又はキヤリヤガスを前記ノズルより
噴射させて、前記被処理基板の前記反応室への搬
入及び前記反応室からの搬出を行うことを特徴と
する真空処理装置に於ける被処理基板の移送方法
によつて達成できる。以下、実施例によつて詳細
に説明する。
(e) 発明の実施例
ところで、半導体ウエハーが処理されるCVD
装置、ドライエツチグ装置などは、一般に
10-7Torr程度の高真空ではなくて、10-2〜
10-3Torrの比較的低い真空度中で反応処理が行
われる。それは、例えば多結晶シリコン膜を被着
するCVD装置では、水素ガスをキヤリヤガスと
してモノシラン（SiH4）ガスが流入され、高温
度でSiH4ガスが分解されて積層されるからであ
り、またシリコンを四弗化炭素（CF4）ガスによ
つてエツチングするプラズマエツチング装置（ド
ライエツチング装置の一種）では、アルゴンガス
をキヤリヤガスとして反応ガスのCF4ガスが流入
されるからである。
装置、ドライエツチグ装置などは、一般に
10-7Torr程度の高真空ではなくて、10-2〜
10-3Torrの比較的低い真空度中で反応処理が行
われる。それは、例えば多結晶シリコン膜を被着
するCVD装置では、水素ガスをキヤリヤガスと
してモノシラン（SiH4）ガスが流入され、高温
度でSiH4ガスが分解されて積層されるからであ
り、またシリコンを四弗化炭素（CF4）ガスによ
つてエツチングするプラズマエツチング装置（ド
ライエツチング装置の一種）では、アルゴンガス
をキヤリヤガスとして反応ガスのCF4ガスが流入
されるからである。
本発明は、このようなキヤリヤガス又は反応ガ
スを用い、これをノズル口より噴出させて、ウエ
ハーを推進させる。第１図は反応室１の両側にロ
ードロツク室２，３を備えた真空処理装置の平断
面図を例示しており、自動搬送によつて反応室に
送出入して、すべて自動的に処理される。例えば
反応室１においてアルゴン（Ar）ガスによつて
ウエハーの表面がイオンエツチング（ドライエツ
チングの一種）されるとする。先づ、ロードロツ
ク室２を大気圧にしてゲートバルブ４を開いてウ
エハー５を手動又はベルトによつてウエハーステ
ージ６上に載せる。次にゲートバルブ４を閉じ
て、ロードロツク室２内を高真空（10-6〜
10-7Torr）吸引した後、ゲートバルブ７を開く。
反応室１内部も高真空になつているからゲートバ
ルブ７を開いてもロードロツク室２内の真空度は
不変である。
スを用い、これをノズル口より噴出させて、ウエ
ハーを推進させる。第１図は反応室１の両側にロ
ードロツク室２，３を備えた真空処理装置の平断
面図を例示しており、自動搬送によつて反応室に
送出入して、すべて自動的に処理される。例えば
反応室１においてアルゴン（Ar）ガスによつて
ウエハーの表面がイオンエツチング（ドライエツ
チングの一種）されるとする。先づ、ロードロツ
ク室２を大気圧にしてゲートバルブ４を開いてウ
エハー５を手動又はベルトによつてウエハーステ
ージ６上に載せる。次にゲートバルブ４を閉じ
て、ロードロツク室２内を高真空（10-6〜
10-7Torr）吸引した後、ゲートバルブ７を開く。
反応室１内部も高真空になつているからゲートバ
ルブ７を開いてもロードロツク室２内の真空度は
不変である。
次いで、本発明にかゝる移動方式によつて、ロ
ードロツク室２内のウエハーステージ６から、反
応室１内のウエハーステージ８上に移動する。次
にゲートバルブ７を閉じて、反応室１内でウエハ
ー５のイオンエツチングを行なつた後ゲートバル
ブ９を開いて、同様に高真空にしたロードロツク
室３のウエハーステージ１０上に移動する。更
に、ゲートバルブ９を閉じて、ロードロツク室３
内を大気圧とし、ゲートバルブ１１を開いて、外
部にイオンエツチング処理の終つたウエハー５を
取り出す。
ードロツク室２内のウエハーステージ６から、反
応室１内のウエハーステージ８上に移動する。次
にゲートバルブ７を閉じて、反応室１内でウエハ
ー５のイオンエツチングを行なつた後ゲートバル
ブ９を開いて、同様に高真空にしたロードロツク
室３のウエハーステージ１０上に移動する。更
に、ゲートバルブ９を閉じて、ロードロツク室３
内を大気圧とし、ゲートバルブ１１を開いて、外
部にイオンエツチング処理の終つたウエハー５を
取り出す。
このような自動真空処理装置において、上記の
ウエハーステージ６からウエハーステージ８への
移動、およびウエハーステージ８からウエハース
テージ１０への移動を本発明にかゝる移送方法で
行なう。第２図はロードロツク室２の側断面図を
示しており、ウエハーステージ５の断面が図示さ
れている。第２図によつて本発明を説明すると、
ロードロツク室２内を真空吸引口１２により高真
空に吸引した後反応室１との間にあるゲートバル
ブ７を開けて、ガス流入口１３より三方バルブ１
４を通してウエハーステージ６内部にアルゴンガ
スを流入させ、ステージ表面に形成した多数の傾
斜ノズル口１５よりガスを噴出させる。そうする
と、ステージ６上のウエハー５は浮き上り気味に
なつてゲートバルブ７より隣りの同程度に高真空
となつている反応室１内のウエハーステージ８に
移送される。この際、これらのウエハーステージ
６，８は同一平面でなければならないが、両方と
も5゜以下の僅かの傾斜角で、移動方向に傾斜させ
れば、移動が至つて円滑に行われる。この傾斜角
と噴出圧とはステージ面の粗さをも参考として経
験的に決定する。
ウエハーステージ６からウエハーステージ８への
移動、およびウエハーステージ８からウエハース
テージ１０への移動を本発明にかゝる移送方法で
行なう。第２図はロードロツク室２の側断面図を
示しており、ウエハーステージ５の断面が図示さ
れている。第２図によつて本発明を説明すると、
ロードロツク室２内を真空吸引口１２により高真
空に吸引した後反応室１との間にあるゲートバル
ブ７を開けて、ガス流入口１３より三方バルブ１
４を通してウエハーステージ６内部にアルゴンガ
スを流入させ、ステージ表面に形成した多数の傾
斜ノズル口１５よりガスを噴出させる。そうする
と、ステージ６上のウエハー５は浮き上り気味に
なつてゲートバルブ７より隣りの同程度に高真空
となつている反応室１内のウエハーステージ８に
移送される。この際、これらのウエハーステージ
６，８は同一平面でなければならないが、両方と
も5゜以下の僅かの傾斜角で、移動方向に傾斜させ
れば、移動が至つて円滑に行われる。この傾斜角
と噴出圧とはステージ面の粗さをも参考として経
験的に決定する。
実験によれば、直径４インチのウエハーを移動
させるには、ノズル口の孔径を0.5mmφとし、20
mm間隔で移動方向に対し二直列のノズル口を形成
することによつて行なうことができる。ノズル口
の斜角は30゜と45゜との間の適当な角度に選択し、
またウエハーステージ６とウエハーステージ８と
はゲートバルブ７近くまで接した構造が好まし
い。
させるには、ノズル口の孔径を0.5mmφとし、20
mm間隔で移動方向に対し二直列のノズル口を形成
することによつて行なうことができる。ノズル口
の斜角は30゜と45゜との間の適当な角度に選択し、
またウエハーステージ６とウエハーステージ８と
はゲートバルブ７近くまで接した構造が好まし
い。
アルゴンガスの噴出によつてロードロツク室２
内の真空度は10-2〜10-3Torrまで急に低下する
が、移動が終ると三方電磁バルブ１４が直ちに切
り換り、真空吸引口１２に接続して吸引するため
やがて高真空となる。しかし、反応室１内の真空
度は、反応時には同程度の減圧となるから、何ん
ら問題はなく、むしろ反応処理を速くできる効果
もある。このようなエヤベヤリング式の移動は、
ウエハーステージ８と１０との間でも同様に行な
われることは言うまでもない。
内の真空度は10-2〜10-3Torrまで急に低下する
が、移動が終ると三方電磁バルブ１４が直ちに切
り換り、真空吸引口１２に接続して吸引するため
やがて高真空となる。しかし、反応室１内の真空
度は、反応時には同程度の減圧となるから、何ん
ら問題はなく、むしろ反応処理を速くできる効果
もある。このようなエヤベヤリング式の移動は、
ウエハーステージ８と１０との間でも同様に行な
われることは言うまでもない。
以上は中性のアルゴンガスを用いた例である
が、CVD装置では水素ガス又はシランガスなど
の反応性ガスを用いるとよい。要するに反応に関
係するガスを利用することが大切である。それに
応じて、ステージ材料を選択し、また噴出圧は室
内容積、ウエハーの重量などを考慮して実験的に
求められる。
が、CVD装置では水素ガス又はシランガスなど
の反応性ガスを用いるとよい。要するに反応に関
係するガスを利用することが大切である。それに
応じて、ステージ材料を選択し、また噴出圧は室
内容積、ウエハーの重量などを考慮して実験的に
求められる。
(f) 発明の効果
上記の説明から明らかなように、本発明は機械
的部品を必要としない真空中に於ける物体の移送
方法であり、機構的に簡単で、そのため搬送の信
頼性が高いものである。また、被処理基板の搬入
及び搬出の際には搬入用、搬出用ロードロツク室
及び反応室は真空に保たれているので、移送用の
ガスは圧力差により勢いよく噴射される。従つ
て、被処理基板を少量のガスで移送でき、しかも
真空状態は移送終了後には速やかに回復される。
更に移送に使用するガスとして真空処理に使用す
る反応ガス又はキヤリヤガスを使用するので反応
処理への影響も与えない。また、大気中のエヤベ
アリングと異なり、ウエハー面へのゴミの付着も
少なく、且つ処理温度に無関係となるなど、その
他の利点も多いものである。
的部品を必要としない真空中に於ける物体の移送
方法であり、機構的に簡単で、そのため搬送の信
頼性が高いものである。また、被処理基板の搬入
及び搬出の際には搬入用、搬出用ロードロツク室
及び反応室は真空に保たれているので、移送用の
ガスは圧力差により勢いよく噴射される。従つ
て、被処理基板を少量のガスで移送でき、しかも
真空状態は移送終了後には速やかに回復される。
更に移送に使用するガスとして真空処理に使用す
る反応ガス又はキヤリヤガスを使用するので反応
処理への影響も与えない。また、大気中のエヤベ
アリングと異なり、ウエハー面へのゴミの付着も
少なく、且つ処理温度に無関係となるなど、その
他の利点も多いものである。
第１図はロードロツク室を備えた真空反応処理
装置の平面図、第２図は本発明にかゝる移動方式
を説明するためのその部分拡大図で、ロードロツ
ク室の側断面図である。 図中、１は反応室、２，３はロードロツク室、
４，７，９，１１はゲートバルブ、５はウエハ
ー、６，８，１０はウエハーステージ、１４は三
方バルブ、１５は傾斜ノズル口を示す。
装置の平面図、第２図は本発明にかゝる移動方式
を説明するためのその部分拡大図で、ロードロツ
ク室の側断面図である。 図中、１は反応室、２，３はロードロツク室、
４，７，９，１１はゲートバルブ、５はウエハ
ー、６，８，１０はウエハーステージ、１４は三
方バルブ、１５は傾斜ノズル口を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 搬入用ロードロツク室から真空に保たれる反
応室への被処理基板の搬入、及び該反応室から搬
出用ロードロツク室への該被処理基板の搬出を行
う移送方法であつて、 前記搬入及び搬出の経路に、前記被処理基板の
移送方向に傾斜した複数のノズルを有するステー
ジを設け、 前記搬入用、搬出用ロードロツク室及び前記反
応室を真空に保ちつつ、前記被処理基板に対する
処理に用いる反応ガス又はキヤリヤガスを前記ノ
ズルより噴射させて、前記被処理基板の前記反応
室への搬入及び前記反応室からの搬出を行うこと
を特徴とする真空処理装置に於ける被処理基板の
移送方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091629A JPS58207217A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 真空中に於ける物体の移送方法 |
| IE1272/83A IE54478B1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-27 | Method and apparatus for transporting and treating an article in vaccum |
| IE831272A IE831272L (en) | 1982-05-28 | 1983-05-27 | Ester of metronidazole |
| US06/498,728 US4690591A (en) | 1982-05-28 | 1983-05-27 | Method and apparatus for transporting an article in vacuum |
| DE8383401070T DE3374552D1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-27 | Method and apparatus for transporting and treating an article in vacuum |
| EP83401070A EP0095980B1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-27 | Method and apparatus for transporting and treating an article in vacuum |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091629A JPS58207217A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 真空中に於ける物体の移送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207217A JPS58207217A (ja) | 1983-12-02 |
| JPH034459B2 true JPH034459B2 (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=14031838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57091629A Granted JPS58207217A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 真空中に於ける物体の移送方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4690591A (ja) |
| EP (1) | EP0095980B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58207217A (ja) |
| DE (1) | DE3374552D1 (ja) |
| IE (2) | IE831272L (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI711071B (zh) * | 2019-02-18 | 2020-11-21 | 啟端光電股份有限公司 | 真空轉移裝置及其形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6074626A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | ウエハー処理方法及び装置 |
| FR2596070A1 (fr) * | 1986-03-21 | 1987-09-25 | Labo Electronique Physique | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan |
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| NL8703024A (nl) * | 1986-12-18 | 1988-07-18 | De Beers Ind Diamond | Werkwijze voor het bepalen van een stralingsdosis alsmede inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
| EP0343530B1 (de) * | 1988-05-24 | 2001-11-14 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vakuumanlage |
| DE4100526A1 (de) * | 1991-01-10 | 1992-07-16 | Wacker Chemitronic | Vorrichtung und verfahren zum automatischen vereinzeln von gestapelten scheiben |
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Family Cites Families (11)
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