JPS6027114A - 真空成膜装置に於ける除塵方法 - Google Patents
真空成膜装置に於ける除塵方法Info
- Publication number
- JPS6027114A JPS6027114A JP13511683A JP13511683A JPS6027114A JP S6027114 A JPS6027114 A JP S6027114A JP 13511683 A JP13511683 A JP 13511683A JP 13511683 A JP13511683 A JP 13511683A JP S6027114 A JPS6027114 A JP S6027114A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- film forming
- dust
- reduced pressure
- substrate
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は王として超ＬＳＩ等の半導体の製造に使用され
る真空成膜装置の除塵方法に関する。
る真空成膜装置の除塵方法に関する。
近時、超ＬＳＩの基板に形成されるノ々ターン巾は数ミ
クロンよシサブミクロンへと依細化される傾向に必シ、
該基板にわずかな塵芥が付着しても断線等を生じて不良
品となる確率が高い。一般にこの種基板が処理される真
空成膜装置の室内は高真空状態にめシネ適当な治具の衝
撃や摺動がなければ浮遊する塵芥の存在は少ないが、基
板搬入のために繰返される大気置換や汚れた冶具の搬送
によシ該室に流入する塵芥等が時間の経過と共に該室内
に堆積し、これが真空排気で大気ベント及び治Ａ搬送時
に再浮遊して基板に付着することが予測され、かかる堆
積した塵芥は排除しておくことが好ましい。
クロンよシサブミクロンへと依細化される傾向に必シ、
該基板にわずかな塵芥が付着しても断線等を生じて不良
品となる確率が高い。一般にこの種基板が処理される真
空成膜装置の室内は高真空状態にめシネ適当な治具の衝
撃や摺動がなければ浮遊する塵芥の存在は少ないが、基
板搬入のために繰返される大気置換や汚れた冶具の搬送
によシ該室に流入する塵芥等が時間の経過と共に該室内
に堆積し、これが真空排気で大気ベント及び治Ａ搬送時
に再浮遊して基板に付着することが予測され、かかる堆
積した塵芥は排除しておくことが好ましい。
本発明は真空成膜装置の室内に堆積し肋ちな厖芥を排除
することを目的としたもので、その第１発明は真空成膜
装置の処理されるべき基板が搬入される室内を、乾燥し
た不活性ガスを流入させ乍ら排気して減圧状態に維持し
、その後その流入を止めて高真空化することを適当側数
行ない、しかるのち該室内に基板を搬入することを特徴
とする。またその第２発明は真空成膜装置の処理される
べき基板が搬入される室内を、乾燥した不活性ガスを流
入させ乍ら排気して減圧状態に維持したのち排気を止め
て一旦大気圧まで昇圧させ、再び乾燥した不活性ガスを
流入させ乍ら排気して減圧状態に維持したのちその流入
を止めて高真窒化することをｉ４当回数行ない、しかる
のち該室内に基板を搬入することを特徴とする。
することを目的としたもので、その第１発明は真空成膜
装置の処理されるべき基板が搬入される室内を、乾燥し
た不活性ガスを流入させ乍ら排気して減圧状態に維持し
、その後その流入を止めて高真空化することを適当側数
行ない、しかるのち該室内に基板を搬入することを特徴
とする。またその第２発明は真空成膜装置の処理される
べき基板が搬入される室内を、乾燥した不活性ガスを流
入させ乍ら排気して減圧状態に維持したのち排気を止め
て一旦大気圧まで昇圧させ、再び乾燥した不活性ガスを
流入させ乍ら排気して減圧状態に維持したのちその流入
を止めて高真窒化することをｉ４当回数行ない、しかる
のち該室内に基板を搬入することを特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、（υは準備室
（２）と成膜室（３）ｆ！：備えた真空成膜装置、（４
）は画室（３３（４）間に設けた仕切バルブを示し、該
準備室（２）にはウェハ基板（５）を層状に収容したカ
セットケース（６）と、これと同形の堅のカセットケー
ス（７）とが外部から搬入される。（８）（９）は成膜
室（３）肉専用のカセットケースでカセットケース（８
）には仕切パルプ（４）が開いた時ケース（６）内の複
数枚の基板（５）が−斉に移し変えられ、これと同、時
にケース（９）から空のケース（７）に成膜処理済の複
数枚の基板（５）が移し変えられる。仕切バルブ（４）
が閉じられるとケース（８ンから一枚ずつ基板（５）が
取シ出され、蒸発源ＱｒＪ等の上方を循環する間に成膜
処理されてケース（９ン内に収められる。
（２）と成膜室（３）ｆ！：備えた真空成膜装置、（４
）は画室（３３（４）間に設けた仕切バルブを示し、該
準備室（２）にはウェハ基板（５）を層状に収容したカ
セットケース（６）と、これと同形の堅のカセットケー
ス（７）とが外部から搬入される。（８）（９）は成膜
室（３）肉専用のカセットケースでカセットケース（８
）には仕切パルプ（４）が開いた時ケース（６）内の複
数枚の基板（５）が−斉に移し変えられ、これと同、時
にケース（９）から空のケース（７）に成膜処理済の複
数枚の基板（５）が移し変えられる。仕切バルブ（４）
が閉じられるとケース（８ンから一枚ずつ基板（５）が
取シ出され、蒸発源ＱｒＪ等の上方を循環する間に成膜
処理されてケース（９ン内に収められる。
この例ではケース（６）（７）の製膜のために外部に開
放され塵芥の侵入の多い準備室（２）を特に除塵するよ
うにその上方にバルブαＶ（２）及びフィルタ（転）を
介して窒素その他の不活性のガス源に連らなるベントロ
Ｑ４並びにバルブに）（ハ）及びフィルタ餞を介して窒
素ガス等を供給するソフトベントロに）を設け、その下
方にバルブａｒｉａＱを介してロータリボンゾＱ７）に
連らなるソフト粗引き排気口に）及びバルブ？Ｖを介し
てロータリボンゾαηに連らなる一般の祖引き排気口に
）並びにパルプ［相］を介してクライオボンツＯＩに連
らなる高真空排気系の排気口四を設けたもので、該準＊
”Ｍ ＜２）を開けてケース（６バ７）を製膜するに
先立ち該室（２）は次のようにして除塵される。
放され塵芥の侵入の多い準備室（２）を特に除塵するよ
うにその上方にバルブαＶ（２）及びフィルタ（転）を
介して窒素その他の不活性のガス源に連らなるベントロ
Ｑ４並びにバルブに）（ハ）及びフィルタ餞を介して窒
素ガス等を供給するソフトベントロに）を設け、その下
方にバルブａｒｉａＱを介してロータリボンゾＱ７）に
連らなるソフト粗引き排気口に）及びバルブ？Ｖを介し
てロータリボンゾαηに連らなる一般の祖引き排気口に
）並びにパルプ［相］を介してクライオボンツＯＩに連
らなる高真空排気系の排気口四を設けたもので、該準＊
”Ｍ ＜２）を開けてケース（６バ７）を製膜するに
先立ち該室（２）は次のようにして除塵される。
まず仕切バルブ（４）ｔ−閉じ、パルプに）を開けて粗
引き排気系を作動させ乍らパルプ（ロ）（ロ）を操作し
てベントロαゆから乾燥した窒素ガスを層流状態で流し
ｂ’Ｍ（２）内を約５００ Ｔｏｒｒの減圧状態に維持
する。これによって室（２）内には上方のベントロα◆
から下方の排気口＠、の流れが生じ該室（２）内に堆積
した塵芥が吹き上げられ排気除去ちれる。
引き排気系を作動させ乍らパルプ（ロ）（ロ）を操作し
てベントロαゆから乾燥した窒素ガスを層流状態で流し
ｂ’Ｍ（２）内を約５００ Ｔｏｒｒの減圧状態に維持
する。これによって室（２）内には上方のベントロα◆
から下方の排気口＠、の流れが生じ該室（２）内に堆積
した塵芥が吹き上げられ排気除去ちれる。
塵芥の舜上ルは該菫（２）内の圧力が７６０ Ｔｏｒｒ
乃至Ｉ Ｔｏｒ’ｒの範囲では５００ Ｔｏｒｒ前後の
とき最も顕著となることが実験によシ確認され、該寛（
２）内の圧力を約５００ Ｔｏｒｒとすることが有オリ
である。この減圧状態を豹１０分間続けたのちべ／トロ
ａ＜ ｔ−Ｗ＋じ、高真空排気系を作動させ、該室（２
）内を約１０〜６”Ｉ’ｏｒｒの高真空とし、吹き上げ
られた塵芥をさらに排除する。そのあとケース（６）（
７）を搬入すべく大気圧に戻され、搬入後該冨（２）内
は最初はパルプαＱ（ハ）を介して徐々に粗引きし。
乃至Ｉ Ｔｏｒ’ｒの範囲では５００ Ｔｏｒｒ前後の
とき最も顕著となることが実験によシ確認され、該寛（
２）内の圧力を約５００ Ｔｏｒｒとすることが有オリ
である。この減圧状態を豹１０分間続けたのちべ／トロ
ａ＜ ｔ−Ｗ＋じ、高真空排気系を作動させ、該室（２
）内を約１０〜６”Ｉ’ｏｒｒの高真空とし、吹き上げ
られた塵芥をさらに排除する。そのあとケース（６）（
７）を搬入すべく大気圧に戻され、搬入後該冨（２）内
は最初はパルプαＱ（ハ）を介して徐々に粗引きし。
後半はバルブに）を介して急速粗引きを行なった後バル
ブ（至）を介して約１０−’ Ｔｏｒｒまで排気し。
ブ（至）を介して約１０−’ Ｔｏｒｒまで排気し。
仕９Ｊパルプ（４）ｔ−開けてカセットケース（６）
（７）と成膜室（３）のカセットケース（８） （９７
との間で基板（５〕の交換が行なわれる。
（７）と成膜室（３）のカセットケース（８） （９７
との間で基板（５〕の交換が行なわれる。
以上の準備室（２）内の真空度の亥化は第３図示の如く
でる力、不活性ガスを流し／＃−らｕｔ気して曲線Ａで
示す如く約１０３）間減圧状態を維持し、その後ガスを
止め曲＃Ｂのよりに約５分間で高真空排気系によシ１０
”Ｊ：ｏｒｒ址で高真壁化し、１ｆｆｌ腺０で示すよ
うにケース（６λ（７）の収容のために大ニベ圧化され
る。その収容後１曲線り、Ｅで示すように緩除な４ｉＰ
気と急速Ｊ：Ｊｌ＝気とが行なわれ。
でる力、不活性ガスを流し／＃−らｕｔ気して曲線Ａで
示す如く約１０３）間減圧状態を維持し、その後ガスを
止め曲＃Ｂのよりに約５分間で高真空排気系によシ１０
”Ｊ：ｏｒｒ址で高真壁化し、１ｆｆｌ腺０で示すよ
うにケース（６λ（７）の収容のために大ニベ圧化され
る。その収容後１曲線り、Ｅで示すように緩除な４ｉＰ
気と急速Ｊ：Ｊｌ＝気とが行なわれ。
１０Ｔｏｒｒになると成膜室（３）に基板（５）が送シ
込兼れる。尚、該準備室（２）の容郊は１５０ｔである
。
込兼れる。尚、該準備室（２）の容郊は１５０ｔである
。
第３図示のＪＪｔ気を行なった場合、該案（２２内の直
径１０（７）の基板（５）に付層した１μ以上の平均の
扇芥数は８個であシ、従来の同径の基板に付層し７’Ｃ
編芥の個数の９７個よシも大幅に減少さぜ侍た。
径１０（７）の基板（５）に付層した１μ以上の平均の
扇芥数は８個であシ、従来の同径の基板に付層し７’Ｃ
編芥の個数の９７個よシも大幅に減少さぜ侍た。
また第３図に示すサイクル■−全必要に応じて繰返せば
より一層堆槓した塵芥を除去出来る。第４図は第２発明
の場合に於ける準備室（２）の真壁展の変化状態を示し
、これに於ては不活性ガスを流し乍ら排気して曲線Ａで
示す減圧状態とすることは先のものとＰｌ様であるが、
その次にガスの排出全圧め曲線Ｇで示すように一旦大気
圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度に高めたのち再び曲線Ａ。
より一層堆槓した塵芥を除去出来る。第４図は第２発明
の場合に於ける準備室（２）の真壁展の変化状態を示し
、これに於ては不活性ガスを流し乍ら排気して曲線Ａで
示す減圧状態とすることは先のものとＰｌ様であるが、
その次にガスの排出全圧め曲線Ｇで示すように一旦大気
圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度に高めたのち再び曲線Ａ。
Ｂ、Ｏ，Ｄ、Ｅの如く不活性ガスの注入と排気を行なう
もので、一旦大気圧に高めることＫより該室（２）内に
乱流が生じ堆積した比較的重い匹芥を浮遊させて排除出
来る。
もので、一旦大気圧に高めることＫより該室（２）内に
乱流が生じ堆積した比較的重い匹芥を浮遊させて排除出
来る。
この場合は直径１ＯｃＩｎ基板（５）に付着した厘芥の
個数の平均は３個であった。
個数の平均は３個であった。
以上のように本発明によるときは乾燥した不活性ガスｆ
ｔ流入させ乍ら排気して室内を減圧状態としたのち高真
空化することによシ室内に堆積した塵芥全強制的に排除
し得、基板に付着する率を減少させ得、第２発明に於て
は前記減圧状態としたのち排気を止めて大気圧とするこ
とによりさらに瀘い壓芥を排除出来る効果がある。
ｔ流入させ乍ら排気して室内を減圧状態としたのち高真
空化することによシ室内に堆積した塵芥全強制的に排除
し得、基板に付着する率を減少させ得、第２発明に於て
は前記減圧状態としたのち排気を止めて大気圧とするこ
とによりさらに瀘い壓芥を排除出来る効果がある。
第１図は本発明方法の実施例を示す平面線図、第２図は
その■−■線断面線図、第３図及び第４図は室内の真空
度′ｆｆ：表わす線図である。 （１）・・・真突成膜装置 （２） （３戸・・室（５
）・・・基板 特許出願人 日本真空技術株式会社 代 理 人 北 利 欣 − 外２名
その■−■線断面線図、第３図及び第４図は室内の真空
度′ｆｆ：表わす線図である。 （１）・・・真突成膜装置 （２） （３戸・・室（５
）・・・基板 特許出願人 日本真空技術株式会社 代 理 人 北 利 欣 − 外２名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空成膜装置の処理されるべき基板が搬入される室
内を、乾燥した不活性ガスを流入させ乍ら排気して減圧
状態に維持し、その後その流入を止めて高真空化するこ
とを適自回数行ない、しかるのち該室内に基板を搬入す
ること′ｆｔ％徴とする真空成膜装置に於ける除塵方法
。 ２ Ｘ空成換装置の処理されるべき基板が搬入される室
内を、乾燥した不活性ガスを流入させ乍ら排気して減圧
状態に維持したのち排気を止めて一旦大気圧まで昇圧さ
せ、再び乾燥した５不繍性ガスを流入させ乍ら排気して
減圧状態に維持したのちその流入を止めて高真空化する
ことを適当回数行ない、しかるのち該室内に基板を搬入
することを特徴とする真空成膜装置に於ける除塵方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13511683A JPS6027114A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 真空成膜装置に於ける除塵方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13511683A JPS6027114A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 真空成膜装置に於ける除塵方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027114A true JPS6027114A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0219186B2 JPH0219186B2 (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=15144197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13511683A Granted JPS6027114A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 真空成膜装置に於ける除塵方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027114A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797054A (en) * | 1985-06-17 | 1989-01-10 | Fujitsu Limited | Apparatus for loading and unloading a vacuum processing chamber |
| JPH05190642A (ja) * | 1991-06-17 | 1993-07-30 | Applied Materials Inc | ロードロックチャンバにおける熱こう配を制御する方法および装置 |
| JP2009252953A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| CN111575672A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-25 | 浙江晶驰光电科技有限公司 | 一种真空溅射镀膜机及其吸灰方法 |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP13511683A patent/JPS6027114A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797054A (en) * | 1985-06-17 | 1989-01-10 | Fujitsu Limited | Apparatus for loading and unloading a vacuum processing chamber |
| JPH05190642A (ja) * | 1991-06-17 | 1993-07-30 | Applied Materials Inc | ロードロックチャンバにおける熱こう配を制御する方法および装置 |
| JP2009252953A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| CN111575672A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-25 | 浙江晶驰光电科技有限公司 | 一种真空溅射镀膜机及其吸灰方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219186B2 (ja) | 1990-04-27 |
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