JP3012328B2 - 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 - Google Patents
圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から
保護する方法と装置に係わり、特に圧力密閉室を排気も
しくは充填（ガスすなわち気体の注入）する間のガス乱
流によって攪乱された粒子、あるいは水分含有ガスを圧
力密閉室内から排出する間の圧力低下によって生じる凝
縮による処理機室内の物体の汚染を軽減することに関す
るものである。
保護する方法と装置に係わり、特に圧力密閉室を排気も
しくは充填（ガスすなわち気体の注入）する間のガス乱
流によって攪乱された粒子、あるいは水分含有ガスを圧
力密閉室内から排出する間の圧力低下によって生じる凝
縮による処理機室内の物体の汚染を軽減することに関す
るものである。
従来技術、および発明が解決しようとする課題 半導体デバイス、およびウェーハその他の基板上に被
覆やエッチング処理が施されて作られるその他の物品の
製造においては、処理される基板表面の汚染を最低限に
抑えることが肝心である。このような汚染から保護され
るべき表面は、例えば半導体ウェーハのデバイス面を含
む。デバイス面は、電導性や絶縁性またはその他の材料
の層がスパッタリングまたはその他の方法によって被覆
されまたはエッチングされて、製造デバイスを形成する
ようになされるウェーハの面である。このような処理に
おいて、ウェーハのデバイス面上における極めて微小な
汚染の存在は、ウェーハ面上の重要箇所に構成要素であ
る層を付与または除去することに対して悪影響を及ぼし
て、デバイス全体を機能的に欠陥のあるものにする。
覆やエッチング処理が施されて作られるその他の物品の
製造においては、処理される基板表面の汚染を最低限に
抑えることが肝心である。このような汚染から保護され
るべき表面は、例えば半導体ウェーハのデバイス面を含
む。デバイス面は、電導性や絶縁性またはその他の材料
の層がスパッタリングまたはその他の方法によって被覆
されまたはエッチングされて、製造デバイスを形成する
ようになされるウェーハの面である。このような処理に
おいて、ウェーハのデバイス面上における極めて微小な
汚染の存在は、ウェーハ面上の重要箇所に構成要素であ
る層を付与または除去することに対して悪影響を及ぼし
て、デバイス全体を機能的に欠陥のあるものにする。
同様に、磁気ディスク、光ディスク、レンズ、磁気光
学的ディスク、およびその他のこのような物体は、処理
中に表面上に汚染物質が存在することで価値すなわち品
質を質実的に低下する。大規模集積回路の製造において
は、大量の半導体デバイスが１つのウェーハで形成され
る。そのようなウェーハの処理において、処理中にウェ
ーハのデバイス面上に汚染物質が存在すると、そのウェ
ーハから製造される許容できる品質のそのようなデバイ
スの個数は大幅に減少されてしまう。
学的ディスク、およびその他のこのような物体は、処理
中に表面上に汚染物質が存在することで価値すなわち品
質を質実的に低下する。大規模集積回路の製造において
は、大量の半導体デバイスが１つのウェーハで形成され
る。そのようなウェーハの処理において、処理中にウェ
ーハのデバイス面上に汚染物質が存在すると、そのウェ
ーハから製造される許容できる品質のそのようなデバイ
スの個数は大幅に減少されてしまう。
典型的なスパッター被覆機またはスパッターエッチン
グ機のような半導体処理装置において、ウェーハ基体は
隔離された通常はほぼ真空圧の環境の中で処理される。
このような機械は真空室を有し、その真空室内で処理作
業が遂行される。真空室はその室壁に配置される１つ以
上の実扉を通常備えており、その扉を通して処理される
ウェーハが導入され、取り出される。この室の外側では
ウェーハは或る種のウェーハ操作機構によってカセット
またはキャリヤと室扉との間を移動される。外部ウェー
ハ操作機構に通常含まれる移送機構が開かれている室扉
を通してウェーハを真空室内に導入し、また真空室から
取り出す。通常、真空室内では、ウェーハがホルダーに
よって受け止められて保持され、このホルダーが処理過
程を通じてウェーハを支持する。
グ機のような半導体処理装置において、ウェーハ基体は
隔離された通常はほぼ真空圧の環境の中で処理される。
このような機械は真空室を有し、その真空室内で処理作
業が遂行される。真空室はその室壁に配置される１つ以
上の実扉を通常備えており、その扉を通して処理される
ウェーハが導入され、取り出される。この室の外側では
ウェーハは或る種のウェーハ操作機構によってカセット
またはキャリヤと室扉との間を移動される。外部ウェー
ハ操作機構に通常含まれる移送機構が開かれている室扉
を通してウェーハを真空室内に導入し、また真空室から
取り出す。通常、真空室内では、ウェーハがホルダーに
よって受け止められて保持され、このホルダーが処理過
程を通じてウェーハを支持する。
真空室に対するウェーハの装入および取り出しの間、
ウェーハが置かれ、そして取り出される室内部分は、必
然的に室扉外側の外部環境におけるのと同じ圧力および
同じ大気環境になる。この外部環境はほとんど常に或る
量の水分を含有する空気またはその他のガスを含んでな
る。しかしながら処理の間は、ウェーハが処理されるべ
き室内部分は真空圧に、そして処理が必要とする大気成
分となされなければならない。このような大気の切り換
えは、繰り返し行われる室扉の開動および内外環境の隔
離、および交互に行われる真空室の少なくとも一部のポ
ンプ排気および通気（ベント）を必然的に伴う。
ウェーハが置かれ、そして取り出される室内部分は、必
然的に室扉外側の外部環境におけるのと同じ圧力および
同じ大気環境になる。この外部環境はほとんど常に或る
量の水分を含有する空気またはその他のガスを含んでな
る。しかしながら処理の間は、ウェーハが処理されるべ
き室内部分は真空圧に、そして処理が必要とする大気成
分となされなければならない。このような大気の切り換
えは、繰り返し行われる室扉の開動および内外環境の隔
離、および交互に行われる真空室の少なくとも一部のポ
ンプ排気および通気（ベント）を必然的に伴う。
真空圧環境のもとでウェーハを処理するウェーハ処理
機は、そのほとんどが一定真空圧環境を維持して、幾つ
かのウェーハに対する処理を遂行しつつその他のウェー
ハを室に装入または室から取り出させるようにしてい
る。このために、このような機械は処理室の入口に中間
室すなわちロードロック（load lock）を有し、この中
間室すなわちロードロックが開かれた室扉を通して外部
環境と、そして扉が密閉されたときに処理室に対する密
閉可能な入口を通して処理室の内部環境と、交互に連通
する。このようなロードロックは交互に、主処理室（主
室）の内部環境の真空圧レベルにまでポンプ排気される
か外部環境に対して通気され、ロードロックの圧力がウ
ェーハの処理室に対する導入および取り出しの間に連通
される環境の圧力と一致するようになされる。このよう
なロードロックによれば、処理が遂行される室の内部は
連続的に真空圧環境の圧力および成分に維持され、ウェ
ーハがロードロック室に対して装入され、また取り出さ
れる間に他のウェーハを処理するように付加的に使用で
きる。
機は、そのほとんどが一定真空圧環境を維持して、幾つ
かのウェーハに対する処理を遂行しつつその他のウェー
ハを室に装入または室から取り出させるようにしてい
る。このために、このような機械は処理室の入口に中間
室すなわちロードロック（load lock）を有し、この中
間室すなわちロードロックが開かれた室扉を通して外部
環境と、そして扉が密閉されたときに処理室に対する密
閉可能な入口を通して処理室の内部環境と、交互に連通
する。このようなロードロックは交互に、主処理室（主
室）の内部環境の真空圧レベルにまでポンプ排気される
か外部環境に対して通気され、ロードロックの圧力がウ
ェーハの処理室に対する導入および取り出しの間に連通
される環境の圧力と一致するようになされる。このよう
なロードロックによれば、処理が遂行される室の内部は
連続的に真空圧環境の圧力および成分に維持され、ウェ
ーハがロードロック室に対して装入され、また取り出さ
れる間に他のウェーハを処理するように付加的に使用で
きる。
幾つかの処理機は、２つのロードロック室を有し、１
つは主室に対する未処理ウェーハの装入に使用され、ま
た他の１つは処理済みウェーハの主室からの取り出しの
ために使用される。ロードロックを通してウェーハが交
換される間に、実行される処理作業が遅延しないよう
に、室のポンプ排気および室の通気の各作動は１つの機
械サイクルすなわち処理サイクルにおいて行われねばな
らない。１つのロードロックを有する場合、このような
遅延を回避するために、装置に対するウェーハの装入お
よび取り出しの両方を１つの機械サイクルで順次に行わ
なければならない。このサイクルは、外部環境の圧力に
なるまでの室の通気、ロードロック室扉の開動、処理済
みウェーハとロードロック内の未処理ウェーハとの交
換、室扉の閉動、そして処理室の内部環境の真空圧レベ
ルになるまでのロードロック室のポンプ排気を包括す
る。
つは主室に対する未処理ウェーハの装入に使用され、ま
た他の１つは処理済みウェーハの主室からの取り出しの
ために使用される。ロードロックを通してウェーハが交
換される間に、実行される処理作業が遅延しないよう
に、室のポンプ排気および室の通気の各作動は１つの機
械サイクルすなわち処理サイクルにおいて行われねばな
らない。１つのロードロックを有する場合、このような
遅延を回避するために、装置に対するウェーハの装入お
よび取り出しの両方を１つの機械サイクルで順次に行わ
なければならない。このサイクルは、外部環境の圧力に
なるまでの室の通気、ロードロック室扉の開動、処理済
みウェーハとロードロック内の未処理ウェーハとの交
換、室扉の閉動、そして処理室の内部環境の真空圧レベ
ルになるまでのロードロック室のポンプ排気を包括す
る。
バッチ処理機械のような他の形式の処理機はロードロ
ックを有しないが、その代わりに外部環境に対して開放
されて被処理物体が装入される。このような機械におい
て、処理室全体が繰返してポンプ排気および通気され
る。
ックを有しないが、その代わりに外部環境に対して開放
されて被処理物体が装入される。このような機械におい
て、処理室全体が繰返してポンプ排気および通気され
る。
しばしばウェーハ処理には多数の処理段階が含まれ、
それぞれの段階は１つのウェーハ処理装置における主室
内の異なる処理ステーションで遂行される。このような
装置では、異なる処理が異なる処理ステーションで異な
るウェーハに対して同時に別々に遂行され得る。これら
の段階の継続は１つの機械サイクルとして見ることがで
きる。各サイクルの開始に当たり、外部環境に対するロ
ードロック扉は閉じられ、ロードロック室は主室の真空
圧レベルにまでポンプ排気され、そして１つまたは複数
のロードロックが主室に対して開かれる。未処理ウェー
ハはロードロック室内のホルダーに支持される、完全に
処理の施された１つまたはそれ以上のウェーハは主室内
にて最終処理ステーションに保持される。１つまたは複
数のロードロック室に対して主室が開かれると、１つの
未処理ウェーハがロードロック室から主室内に移動さ
れ、一方、１つの完全に処理の終わったウェーハが主室
から同じまたは別のロードロック室へ移動される。各サ
イクルの終了時において、ロードロック室は主室から遮
断され、外部環境に対して通気され、しかる後に外部環
境に対して開かれて処理済みウェーハが取り出せるよう
にされる。
それぞれの段階は１つのウェーハ処理装置における主室
内の異なる処理ステーションで遂行される。このような
装置では、異なる処理が異なる処理ステーションで異な
るウェーハに対して同時に別々に遂行され得る。これら
の段階の継続は１つの機械サイクルとして見ることがで
きる。各サイクルの開始に当たり、外部環境に対するロ
ードロック扉は閉じられ、ロードロック室は主室の真空
圧レベルにまでポンプ排気され、そして１つまたは複数
のロードロックが主室に対して開かれる。未処理ウェー
ハはロードロック室内のホルダーに支持される、完全に
処理の施された１つまたはそれ以上のウェーハは主室内
にて最終処理ステーションに保持される。１つまたは複
数のロードロック室に対して主室が開かれると、１つの
未処理ウェーハがロードロック室から主室内に移動さ
れ、一方、１つの完全に処理の終わったウェーハが主室
から同じまたは別のロードロック室へ移動される。各サ
イクルの終了時において、ロードロック室は主室から遮
断され、外部環境に対して通気され、しかる後に外部環
境に対して開かれて処理済みウェーハが取り出せるよう
にされる。
１つのロードロックを有するウェーハ処理機における
ロードロックの作動は、主室に対するロードロック室の
開放操作、主室からロードロック室への処理済みウェー
ハの移動（このウェーハはロードロック室における未処
理ウェーハと交換され、未処理ウェーハは処理済みウェ
ーハの移動と同時にロードロック室から主室へ移動され
る）、およびロードロック室を主室の内部処理環境から
隔離して主室における処理が実施できるようにするため
のロードロックの密閉操作によって始められる。一旦密
閉されると、機械処理サイクルの間にロードロック室の
扉の開動、処理済みウェーハの未処理ウェーハとの交
換、そしてロードロックを真空圧レベルに戻すポンプ排
気を可能にする流量の下でロードロック室が外部環境に
対して通気される。ロードロックのポンプ排気および通
気の両方がロードロック室内にガスの乱流を生じる。
ロードロックの作動は、主室に対するロードロック室の
開放操作、主室からロードロック室への処理済みウェー
ハの移動（このウェーハはロードロック室における未処
理ウェーハと交換され、未処理ウェーハは処理済みウェ
ーハの移動と同時にロードロック室から主室へ移動され
る）、およびロードロック室を主室の内部処理環境から
隔離して主室における処理が実施できるようにするため
のロードロックの密閉操作によって始められる。一旦密
閉されると、機械処理サイクルの間にロードロック室の
扉の開動、処理済みウェーハの未処理ウェーハとの交
換、そしてロードロックを真空圧レベルに戻すポンプ排
気を可能にする流量の下でロードロック室が外部環境に
対して通気される。ロードロックのポンプ排気および通
気の両方がロードロック室内にガスの乱流を生じる。
この形式およびその他の形式の処理機において、処理
前、処理中または処理後にウェーハもしくはその他の物
体が保持されている処理室もしくはその他の室に対しガ
スがポンプ排気され、通気される。ガス乱流はしばしば
このような室において不可避である。例えば処理室およ
びエッチング処理室のような室においてポンプ排気また
は通気の間にガスの乱流が発生する。これらの室におい
てはまた、粒子が撹乱されて、そのような粒状汚染物質
から保護されるべき物体表面に移動してしまう。
前、処理中または処理後にウェーハもしくはその他の物
体が保持されている処理室もしくはその他の室に対しガ
スがポンプ排気され、通気される。ガス乱流はしばしば
このような室において不可避である。例えば処理室およ
びエッチング処理室のような室においてポンプ排気また
は通気の間にガスの乱流が発生する。これらの室におい
てはまた、粒子が撹乱されて、そのような粒状汚染物質
から保護されるべき物体表面に移動してしまう。
ロードロック室または他の室に対してガスが流入そし
て流出する間、室内の表面に避けることができずに集ま
った非常に微小な粒子が流動ガスの乱流によって散乱さ
れる。この乱流状状態で流れるガスは、室周辺に散乱す
る粒子を取り込んで運ぶ。従来技術では多くのこのよう
な粒子が室内のウェーハのデバイス面に接触する。室か
ら処理済みウェーハを取り出す前に通気ガスがその室内
に流入するとき、更にまた未処理ウェーハが室内に導入
された後でウェーハを処理する前に室内のガスをポンプ
排気するときに、この乱流による粒子の再散乱がロード
ロック室周辺で起こる。
て流出する間、室内の表面に避けることができずに集ま
った非常に微小な粒子が流動ガスの乱流によって散乱さ
れる。この乱流状状態で流れるガスは、室周辺に散乱す
る粒子を取り込んで運ぶ。従来技術では多くのこのよう
な粒子が室内のウェーハのデバイス面に接触する。室か
ら処理済みウェーハを取り出す前に通気ガスがその室内
に流入するとき、更にまた未処理ウェーハが室内に導入
された後でウェーハを処理する前に室内のガスをポンプ
排気するときに、この乱流による粒子の再散乱がロード
ロック室周辺で起こる。
ウェーハのデバイス面に対する粒子の接触は粒子の付
着を生じ、これは被覆処理およびエッチング処理および
ウェーハの半導体層の付着および除去を粒子が妨害し、
欠陥デバイスが生じる。
着を生じ、これは被覆処理およびエッチング処理および
ウェーハの半導体層の付着および除去を粒子が妨害し、
欠陥デバイスが生じる。
従来技術では、ウェーハおよびその他の基体表面の粒
子による汚染を最少限にするために、室の慎重且つ完全
な清浄化と、装置を取りまく超清浄環境を維持して室内
への汚染粒子の流入を低減化することに、その努力が払
われてきた。このような努力は、粒子汚染問題に対する
高価且つ時間のかかる解決策に帰結した。
子による汚染を最少限にするために、室の慎重且つ完全
な清浄化と、装置を取りまく超清浄環境を維持して室内
への汚染粒子の流入を低減化することに、その努力が払
われてきた。このような努力は、粒子汚染問題に対する
高価且つ時間のかかる解決策に帰結した。
更に、室が装填されて密閉されるときは常に室をほぼ
真空圧レベルまでポンプ排気することが必要で、また、
高い生産姓を維持するために大気はできるだけ素早く室
からポンプ排気されねばならない。このポンプ排気は素
早く行われるとしばしば室内の空気中に含有される水分
が瞬間的に凝縮して、室内に一時的に霧を形成する。こ
の凝縮は室内の物体の処理されるべき面に凝結する。こ
の水分は物体面から蒸発するときに極微細な残留物をし
ばしば残す。この残留物は処理されるべき面を汚染し、
これが欠陥のある物体の処理を行わせることになる。
真空圧レベルまでポンプ排気することが必要で、また、
高い生産姓を維持するために大気はできるだけ素早く室
からポンプ排気されねばならない。このポンプ排気は素
早く行われるとしばしば室内の空気中に含有される水分
が瞬間的に凝縮して、室内に一時的に霧を形成する。こ
の凝縮は室内の物体の処理されるべき面に凝結する。こ
の水分は物体面から蒸発するときに極微細な残留物をし
ばしば残す。この残留物は処理されるべき面を汚染し、
これが欠陥のある物体の処理を行わせることになる。
従って、処理機のロードロックやその他の圧力室の内
部を乱気流（乱ガス流）が流れるときにその中の半導体
ウェーハディスクやその他の物体における粒子汚染を軽
減すること、そして室の清浄化およびそのような室を使
用した機械の近傍の清浄環境保持を高価にせず且つ重大
なものにしないことが必要である。
部を乱気流（乱ガス流）が流れるときにその中の半導体
ウェーハディスクやその他の物体における粒子汚染を軽
減すること、そして室の清浄化およびそのような室を使
用した機械の近傍の清浄環境保持を高価にせず且つ重大
なものにしないことが必要である。
従って更に、物体を収容した室をほぼ真空圧レベルに
急速ポンプ排気したときに、その処理機のロードロック
やその他の圧力室の中の半導体ウェーハディスクやその
他の物体の水蒸気凝縮による汚染を軽減することが必要
である。
急速ポンプ排気したときに、その処理機のロードロック
やその他の圧力室の中の半導体ウェーハディスクやその
他の物体の水蒸気凝縮による汚染を軽減することが必要
である。
課題を解決するための手段 本発明の主目的は、ロードロック室やその他の圧力室
のウェーハやその他の物体の重量な表面の汚染を抑制す
ることである。
のウェーハやその他の物体の重量な表面の汚染を抑制す
ることである。
本発明の他の目的は、ロードロック室内の乱気流（ガ
ス乱流）によって散乱状態になっている粒子がロードロ
ック室内で支持されている物体の被処理表面に向って動
くことを避けるような、室の通気方法を提供することで
ある。本発明の更に他の方法は、ロードロック室または
その他の圧力室のポンプ排気の間における被処理物体表
面の汚染を軽減する方法を提供することである。本発明
の更に他の目的は、被処理物体面を室の通気またはポン
プ排気の間に粒子汚染されないように保護する室、特に
ロードロック室を提供することである。
ス乱流）によって散乱状態になっている粒子がロードロ
ック室内で支持されている物体の被処理表面に向って動
くことを避けるような、室の通気方法を提供することで
ある。本発明の更に他の方法は、ロードロック室または
その他の圧力室のポンプ排気の間における被処理物体表
面の汚染を軽減する方法を提供することである。本発明
の更に他の目的は、被処理物体面を室の通気またはポン
プ排気の間に粒子汚染されないように保護する室、特に
ロードロック室を提供することである。
本発明の更に他の目的は、ロードロック室またはその
他の圧力室の中のウェーハやその他の物体の重要な面が
ロードロック室またはその他の圧力室のポンプ排気の間
に凝縮する蒸気によって汚染されるのを防止することで
ある。
他の圧力室の中のウェーハやその他の物体の重要な面が
ロードロック室またはその他の圧力室のポンプ排気の間
に凝縮する蒸気によって汚染されるのを防止することで
ある。
本発明の第１の観点によれば、処理装置の圧力密閉室
内で支持された基板を、室内ガス圧が変化する間に、ガ
ス中に含まれる汚染物質から保護する方法が提供され
る。本方法は、圧力密閉室が基板を覆うガイド板を有
し、該ガイド板が開口を有し、圧力密閉室の室壁に設け
た開口を通してガスを流すことにより圧力密閉室内の汚
染物質担持ガスの圧力を変化させ、該ガス圧力が変化す
る間、前記開口を通して清浄ガスを導入することを包含
する。さらに、本方法によれば、基板の少なくとも１つ
の特定面が保護され、該特定面が被処理面であり、保護
すべき特定面を覆って、その特定面に隣接して平行な空
隙（すなわち、間隙）が形成され、この空隙が、保護す
べき特定面および前記空隙を包囲して圧力密閉室に連な
る境界を有し、圧力密閉室内の汚染物質担持ガスの圧力
が変化する間、前記空隙に沿い前記保護すべき特定面を
横切って、かつ前記空隙の前記境界に沿って前記空隙か
ら外方へ、さらに圧力密閉室内へ、導入された清浄ガス
を誘導し、もって圧力密閉室から前記空隙および保護す
べき特定面への汚染物質担持ガスの流れを制限する。
内で支持された基板を、室内ガス圧が変化する間に、ガ
ス中に含まれる汚染物質から保護する方法が提供され
る。本方法は、圧力密閉室が基板を覆うガイド板を有
し、該ガイド板が開口を有し、圧力密閉室の室壁に設け
た開口を通してガスを流すことにより圧力密閉室内の汚
染物質担持ガスの圧力を変化させ、該ガス圧力が変化す
る間、前記開口を通して清浄ガスを導入することを包含
する。さらに、本方法によれば、基板の少なくとも１つ
の特定面が保護され、該特定面が被処理面であり、保護
すべき特定面を覆って、その特定面に隣接して平行な空
隙（すなわち、間隙）が形成され、この空隙が、保護す
べき特定面および前記空隙を包囲して圧力密閉室に連な
る境界を有し、圧力密閉室内の汚染物質担持ガスの圧力
が変化する間、前記空隙に沿い前記保護すべき特定面を
横切って、かつ前記空隙の前記境界に沿って前記空隙か
ら外方へ、さらに圧力密閉室内へ、導入された清浄ガス
を誘導し、もって圧力密閉室から前記空隙および保護す
べき特定面への汚染物質担持ガスの流れを制限する。
本発明の第２の観点によれば、外部環境から隔離され
た内部環境内で基板が処理される処理装置が提供され
る。本処理装置は、その内部で基板を支持するための基
板ホルダー、ガス導入口およびガス排出口を有する圧力
密閉室であって、該ガス導入口とガス排出口の一方が、
外部環境の圧力にまで圧力密閉室の通気を行なうための
通気開口であり、前記ガス導入口とガス排出口の他方
が、内部環境の圧力にまで圧力密閉室のポンプ排気を行
うためのポンプ排気用開口であり、外部環境に対して密
閉可能な圧力密閉室と、内部環境の圧力と外部環境の圧
力との間で、圧力密閉室内の圧力を変化させる手段と、
基板を覆うとともに開口を有するガイド板と、基板保護
の対象物である汚染物質に関して相対的な清浄なガス
を、前記開口を通じて供給するための手段とを具備す
る。さらに、本処理装置によれば、使用するにあたっ
て、基板の少なくとも１つの特定面が汚染から保護さ
れ、その面は処理される面であり、前記開口を有するガ
イド板が、保護すべき面に隣接するとともに平行で狭い
空隔を置いて位置づけられて保護すべき面を覆う空隙を
形成し、この空隙の周縁は前記開口および保護すべき面
を包囲しており、またガイド板は、圧力密閉室の圧力を
超え、前記開口から空隙周囲へ向かって低下する圧力を
空隙の周囲に形成する上で十分な、かつまた、基板が圧
力密閉室内に支持されてその内部の圧力が変化されると
きに前記空隙の周縁にて該空隙から外方に向かって圧力
密閉室内へ清浄ガスが流れるのを維持するのに十分な圧
力で、清浄ガスをガス供給手段から前記ガイド板の前記
開口を通して空隙内に導入する手段を含み、これにより
圧力密閉室内のガスに担持された汚染物質が前記空隙内
へ進入して保護すべき面へ向って流れることのないよう
になされている。
た内部環境内で基板が処理される処理装置が提供され
る。本処理装置は、その内部で基板を支持するための基
板ホルダー、ガス導入口およびガス排出口を有する圧力
密閉室であって、該ガス導入口とガス排出口の一方が、
外部環境の圧力にまで圧力密閉室の通気を行なうための
通気開口であり、前記ガス導入口とガス排出口の他方
が、内部環境の圧力にまで圧力密閉室のポンプ排気を行
うためのポンプ排気用開口であり、外部環境に対して密
閉可能な圧力密閉室と、内部環境の圧力と外部環境の圧
力との間で、圧力密閉室内の圧力を変化させる手段と、
基板を覆うとともに開口を有するガイド板と、基板保護
の対象物である汚染物質に関して相対的な清浄なガス
を、前記開口を通じて供給するための手段とを具備す
る。さらに、本処理装置によれば、使用するにあたっ
て、基板の少なくとも１つの特定面が汚染から保護さ
れ、その面は処理される面であり、前記開口を有するガ
イド板が、保護すべき面に隣接するとともに平行で狭い
空隔を置いて位置づけられて保護すべき面を覆う空隙を
形成し、この空隙の周縁は前記開口および保護すべき面
を包囲しており、またガイド板は、圧力密閉室の圧力を
超え、前記開口から空隙周囲へ向かって低下する圧力を
空隙の周囲に形成する上で十分な、かつまた、基板が圧
力密閉室内に支持されてその内部の圧力が変化されると
きに前記空隙の周縁にて該空隙から外方に向かって圧力
密閉室内へ清浄ガスが流れるのを維持するのに十分な圧
力で、清浄ガスをガス供給手段から前記ガイド板の前記
開口を通して空隙内に導入する手段を含み、これにより
圧力密閉室内のガスに担持された汚染物質が前記空隙内
へ進入して保護すべき面へ向って流れることのないよう
になされている。
本発明の好ましい実施態様によれば、保護板すなわち
ガイド板が、保護されるべき被処理物体面に接近して空
隙を置いてほぼ平行な関係に（例えば、室内に支持され
た半導体ウェーハの前面位置に）保持される。このガイ
ド板は保護されるべきウェーハのデバイス面全体を覆
い、また、ウェーハのデバイス面と協働してガイド板と
保護されるべき面との間に空隙を形成する。室（圧力密
閉室）を通気および排気する間はガイド板に形成された
開口を通じて窒素やアルゴンのような清浄ガスが導入さ
れる。前記開口部分におけるガス圧力は、被保護表面端
部の周囲の空隙周縁部分において室環境に対して正圧が
維持されるような圧力になされ、清浄ガスが前記開口か
ら空隙周縁を通して半径方向外方へ流れ、それによって
流動ガス中に浮遊する粒子や、室内の急速なポンプ排気
の間に室内に凝縮した水分が空隙内に進入して保護面に
付着しないように保護または少なくとも抑制するように
なされる。別の見方をすれば、空隙周縁部分から外方へ
向かうガス流がガス中に浮遊する蒸気粒子の流れを偏向
して、室内の水分粒子が空隙内に進入して物体の被保護
面に付着しないように保護する。
ガイド板が、保護されるべき被処理物体面に接近して空
隙を置いてほぼ平行な関係に（例えば、室内に支持され
た半導体ウェーハの前面位置に）保持される。このガイ
ド板は保護されるべきウェーハのデバイス面全体を覆
い、また、ウェーハのデバイス面と協働してガイド板と
保護されるべき面との間に空隙を形成する。室（圧力密
閉室）を通気および排気する間はガイド板に形成された
開口を通じて窒素やアルゴンのような清浄ガスが導入さ
れる。前記開口部分におけるガス圧力は、被保護表面端
部の周囲の空隙周縁部分において室環境に対して正圧が
維持されるような圧力になされ、清浄ガスが前記開口か
ら空隙周縁を通して半径方向外方へ流れ、それによって
流動ガス中に浮遊する粒子や、室内の急速なポンプ排気
の間に室内に凝縮した水分が空隙内に進入して保護面に
付着しないように保護または少なくとも抑制するように
なされる。別の見方をすれば、空隙周縁部分から外方へ
向かうガス流がガス中に浮遊する蒸気粒子の流れを偏向
して、室内の水分粒子が空隙内に進入して物体の被保護
面に付着しないように保護する。
室内へのガス充填は、ガイド板に形成された開口を通
じて室内に通気されるガスのみによって、またはこのガ
ス以外に、他の穴を通じて室内に流入する付加的な通気
ガスによって達成することが好ましい。
じて室内に通気されるガスのみによって、またはこのガ
ス以外に、他の穴を通じて室内に流入する付加的な通気
ガスによって達成することが好ましい。
本発明の好適実施形態によれば、室内の排気は、室内
ガスをポンプ排気すると同時に、清浄な乾燥ガスをガイ
ド板を通じて被保護物体面に隣接する空隙内に導入する
ことで達成される。室内を排気する間に導入されるガス
は、ガイド板と被保護面との間の空隙を、室内圧力レベ
ルよりも高い圧力レベルにまで圧縮するために十分な導
入量になされる。室内をポンプ排気する間の通気ガスの
導入量は、ポンプ排気流量よりも小さい。
ガスをポンプ排気すると同時に、清浄な乾燥ガスをガイ
ド板を通じて被保護物体面に隣接する空隙内に導入する
ことで達成される。室内を排気する間に導入されるガス
は、ガイド板と被保護面との間の空隙を、室内圧力レベ
ルよりも高い圧力レベルにまで圧縮するために十分な導
入量になされる。室内をポンプ排気する間の通気ガスの
導入量は、ポンプ排気流量よりも小さい。
本発明によるポンプ排気と通気のみが行われるロード
ロックを備えたウェーハ処理機では、ウェーハに付着す
る粒子数が、例えば１つのウェーハにつき約45個から約
10個にまで減少することが判った。また、本発明によれ
ば室およびその付近の清浄化のためにそれほど厳格でな
い規格を使用できる。
ロックを備えたウェーハ処理機では、ウェーハに付着す
る粒子数が、例えば１つのウェーハにつき約45個から約
10個にまで減少することが判った。また、本発明によれ
ば室およびその付近の清浄化のためにそれほど厳格でな
い規格を使用できる。
真空圧（すなわち負圧）の環境内で処理が行われる機
械と共に使用される本発明の好適実施例が以下に説明さ
れているが、本明細書に記載されている原理の幾つか
は、高い圧力で行われる処理に適用できる。しかしなが
ら、本発明によって解決される特別な問題および実現さ
れる利点は、真空中での処理、特にスパッター処理作業
においても同様である。更に、本発明の原理の幾つか
は、室内の急速排気および急速な圧力低下が生じるとき
は常に、また、それ以外に室内で水分が凝縮する傾向の
ある箇所に適用できる。しかしながら、本発明によって
解決される特別な問題および実現される利点は、真空中
での処理、特にスパッター処理作業に適用できる。
械と共に使用される本発明の好適実施例が以下に説明さ
れているが、本明細書に記載されている原理の幾つか
は、高い圧力で行われる処理に適用できる。しかしなが
ら、本発明によって解決される特別な問題および実現さ
れる利点は、真空中での処理、特にスパッター処理作業
においても同様である。更に、本発明の原理の幾つか
は、室内の急速排気および急速な圧力低下が生じるとき
は常に、また、それ以外に室内で水分が凝縮する傾向の
ある箇所に適用できる。しかしながら、本発明によって
解決される特別な問題および実現される利点は、真空中
での処理、特にスパッター処理作業に適用できる。
更に、本発明の好適実施例を、半導体ウェーハの被覆
またはエッチングのための機械について説明している
が、本発明の原理は、乱気流（すなわち、ガス乱流）や
その他の粒子の移動が存在したり、水分を含むガスが、
室のポンプ排気または室の通気によって急速に動くよう
な室内で、レンズや、磁気、光または蒸気光学的ディス
クのような物体が被覆、エッチングまたはその他の処理
を施される機械および方法に適用できる。本発明によれ
ば、半導体ウェーハのデバイス面を含むがこれに限定さ
れるわけではない各種の基体表面が凝縮による汚染から
保護される。この保護は、定期的なポンプ排気および通
気が圧力変化を引き起こし、これが蒸気の凝縮を引き起
こすようなロードロック室等の室においても重量であ
る。反応ガスエッチング室およびスパッター被覆室のよ
うな他の室もまた、ポンプ排気と通気を行って、本発明
による利点を得ることができる。
またはエッチングのための機械について説明している
が、本発明の原理は、乱気流（すなわち、ガス乱流）や
その他の粒子の移動が存在したり、水分を含むガスが、
室のポンプ排気または室の通気によって急速に動くよう
な室内で、レンズや、磁気、光または蒸気光学的ディス
クのような物体が被覆、エッチングまたはその他の処理
を施される機械および方法に適用できる。本発明によれ
ば、半導体ウェーハのデバイス面を含むがこれに限定さ
れるわけではない各種の基体表面が凝縮による汚染から
保護される。この保護は、定期的なポンプ排気および通
気が圧力変化を引き起こし、これが蒸気の凝縮を引き起
こすようなロードロック室等の室においても重量であ
る。反応ガスエッチング室およびスパッター被覆室のよ
うな他の室もまた、ポンプ排気と通気を行って、本発明
による利点を得ることができる。
本発明のその他の目的および利点は、図面を引用した
以下の実施例の説明によって明らかになるだろう。
以下の実施例の説明によって明らかになるだろう。
実施例 本発明の１つの好適例により作動されるロードロック
またはその他の室は、共通して譲渡された何れも「ウェ
ーハ状材料の操作および処理方法および装置」と称する
米国特許第4,909,695号および第4,915,654号に開示され
たスパッター被覆およびスパッターエッチング装置のよ
うなウェーハ処理装置と組合わせて使用するのが特に好
適である。
またはその他の室は、共通して譲渡された何れも「ウェ
ーハ状材料の操作および処理方法および装置」と称する
米国特許第4,909,695号および第4,915,654号に開示され
たスパッター被覆およびスパッターエッチング装置のよ
うなウェーハ処理装置と組合わせて使用するのが特に好
適である。
これらの特許は、関連する部分において、機械の主室
内に維持される真空圧環境のもとでウェーハを処理す
る、特に半導体ウェーハをスパッター被覆およびエッチ
ングする方法および装置を記載している。これらの特許
に記載された装置において、ウェーハは主室（真空圧処
理室）内の複数の処理ステーションにおいて同時または
順次に処理される。ウェーハは、主室内で回転板に保持
され、回転板の円周に沿って角度間隔を置いた複数の処
理ステーションにウェーハが割り出される。このステー
ションには複数の処理ステーションおよび１つのロード
ロックステーションが含まれ、ロードロックステーショ
ンにはロードロックが配置され、このロードロックを通
して主処理室に対するウェーハの装入と取り出しが行わ
れ、また、外部環境に対する取り出しと装入が行われ
る。ロードロックは、主室と機械の外部環境の両方に対
して密閉できる。
内に維持される真空圧環境のもとでウェーハを処理す
る、特に半導体ウェーハをスパッター被覆およびエッチ
ングする方法および装置を記載している。これらの特許
に記載された装置において、ウェーハは主室（真空圧処
理室）内の複数の処理ステーションにおいて同時または
順次に処理される。ウェーハは、主室内で回転板に保持
され、回転板の円周に沿って角度間隔を置いた複数の処
理ステーションにウェーハが割り出される。このステー
ションには複数の処理ステーションおよび１つのロード
ロックステーションが含まれ、ロードロックステーショ
ンにはロードロックが配置され、このロードロックを通
して主処理室に対するウェーハの装入と取り出しが行わ
れ、また、外部環境に対する取り出しと装入が行われ
る。ロードロックは、主室と機械の外部環境の両方に対
して密閉できる。
また、前記特許は、未処理半導体ウェーハを外部環境
からロードロック内のホルダー内に装入し、処理済みウ
ェーハをロードロックから外部環境へ取り出す機構を開
示している。これらの特許は、ウェーハ操作機構、ロー
ドロックの構造および作動、ホルダーに支持されたウェ
ーハをロードロックと主室内のステーションとの間で移
動させる機構の構造および作動、およびロードロックを
主室から遮断する構造を詳細に説明している。
からロードロック内のホルダー内に装入し、処理済みウ
ェーハをロードロックから外部環境へ取り出す機構を開
示している。これらの特許は、ウェーハ操作機構、ロー
ドロックの構造および作動、ホルダーに支持されたウェ
ーハをロードロックと主室内のステーションとの間で移
動させる機構の構造および作動、およびロードロックを
主室から遮断する構造を詳細に説明している。
第１図および第２図は従来技術の装置および本発明の
特徴を備えずに構成されたその他の装置を示す。第３図
および第４図は本発明の特徴を有するロードロックを示
す。第５図は第１図および第２図のロードロックの特徴
を有し、更に本発明により機能する第３図および第４図
のロードロックの構造を有するロードロックを示す。
特徴を備えずに構成されたその他の装置を示す。第３図
および第４図は本発明の特徴を有するロードロックを示
す。第５図は第１図および第２図のロードロックの特徴
を有し、更に本発明により機能する第３図および第４図
のロードロックの構造を有するロードロックを示す。
第５図に示すように、ロードロック10はウェーハ処理
装置12の壁11に付設されている。壁11は主室（真空圧処
理室）13を包囲し、この主室は連続的に内部真空圧レベ
ルに保持するのが好ましく、通常は空気以外のガスを収
容している。例えばスパッター処理装置では、内部環境
13におけるガスは被覆またはエッチング処理の間にイオ
ン化されるようになっており、このガスの代表例はアル
ゴン等の不活性ガスである。通常、外部環境14は大気圧
の空気であり、装置12を取り囲み、装置12の壁11の外側
に存在する。この外部環境は常に少なくとも若干の水分
を含む。
装置12の壁11に付設されている。壁11は主室（真空圧処
理室）13を包囲し、この主室は連続的に内部真空圧レベ
ルに保持するのが好ましく、通常は空気以外のガスを収
容している。例えばスパッター処理装置では、内部環境
13におけるガスは被覆またはエッチング処理の間にイオ
ン化されるようになっており、このガスの代表例はアル
ゴン等の不活性ガスである。通常、外部環境14は大気圧
の空気であり、装置12を取り囲み、装置12の壁11の外側
に存在する。この外部環境は常に少なくとも若干の水分
を含む。
ロードロック10は、主室13と外部環境14との間で中間
移送室すなわちロードロック室15を区画形成している。
ロードロック10は、外部環境14に面する側に位置するロ
ードロック扉16を有し、扉16を開放すると、ロードロッ
ク室15と外部環境14との間で被処理物品を動かすことが
できる。ロードロック扉16は密閉状態で閉じることがで
き、ロードロック室15の内部と外部環境14とを遮断す
る。また、ロードロック10は遮断閉鎖可能な通路17を備
えており、通路17を通してウェーハまたはその他の物品
がロードロック室15と処理の行われる主室13との間で動
かされる。第５図では、通路17が、ウェーハホルダー支
持体をクランプする可動室部分18と、ロードロック扉16
の周囲の壁11に対する密閉リング19との間で密閉された
状態で示されている。
移送室すなわちロードロック室15を区画形成している。
ロードロック10は、外部環境14に面する側に位置するロ
ードロック扉16を有し、扉16を開放すると、ロードロッ
ク室15と外部環境14との間で被処理物品を動かすことが
できる。ロードロック扉16は密閉状態で閉じることがで
き、ロードロック室15の内部と外部環境14とを遮断す
る。また、ロードロック10は遮断閉鎖可能な通路17を備
えており、通路17を通してウェーハまたはその他の物品
がロードロック室15と処理の行われる主室13との間で動
かされる。第５図では、通路17が、ウェーハホルダー支
持体をクランプする可動室部分18と、ロードロック扉16
の周囲の壁11に対する密閉リング19との間で密閉された
状態で示されている。
半導体ウェーハ20のような物品は密閉リング19に担持
されたホルダー21の中でロードロック室15内に支持され
る。密閉リング19は、主室13内に配置された回転可能な
割り出し板22に対して弾性的に取り付けられている。室
部分18は、壁11から後退可能であり、それによってロー
ドロック室15と主室13との間の通路17を開放し、割り出
し板22が回転する時に、ホルダー21内のウェーハ20をロ
ードロック室15と主室13内の処理ステーションとの間で
横方向に動かすことができる。
されたホルダー21の中でロードロック室15内に支持され
る。密閉リング19は、主室13内に配置された回転可能な
割り出し板22に対して弾性的に取り付けられている。室
部分18は、壁11から後退可能であり、それによってロー
ドロック室15と主室13との間の通路17を開放し、割り出
し板22が回転する時に、ホルダー21内のウェーハ20をロ
ードロック室15と主室13内の処理ステーションとの間で
横方向に動かすことができる。
ロードロック10は排気穴23を有し、排気穴23に対して
真空ポンプ24が連結され、ロードロック室15を主室13の
内部環境の真空圧レベルになるまでポンプ排気するよう
になっている。また、ロードロック10は、通気によって
ロードロック室内圧力を外部環境14の圧力に回復させる
通気穴25を有する。
真空ポンプ24が連結され、ロードロック室15を主室13の
内部環境の真空圧レベルになるまでポンプ排気するよう
になっている。また、ロードロック10は、通気によって
ロードロック室内圧力を外部環境14の圧力に回復させる
通気穴25を有する。
未処理ウェーハ20は、開放されたロードロック扉16を
通して外部環境14から主室13内部に導入されるが、この
間、ロードロック室15と主室13との間の通路17は密閉さ
れている。処理済みウェーハ20は、開放されたロードロ
ック扉16を通してロードロック10のロードロック室15と
外部環境14との間で動かされるようにウェーハを移動さ
せるための方法および装置を含めて、外部環境14とロー
ドロック室15との間でのウェーハ20の移動は、米国特許
第4,915,564号に記載されている。
通して外部環境14から主室13内部に導入されるが、この
間、ロードロック室15と主室13との間の通路17は密閉さ
れている。処理済みウェーハ20は、開放されたロードロ
ック扉16を通してロードロック10のロードロック室15と
外部環境14との間で動かされるようにウェーハを移動さ
せるための方法および装置を含めて、外部環境14とロー
ドロック室15との間でのウェーハ20の移動は、米国特許
第4,915,564号に記載されている。
ウェーハがロードロック10のロードロック室15内にあ
り、ロードロック扉16が閉成されてロードロック室15を
外部環境14に対して封止している時、ロードロック室15
は、主室13の内部環境と同じ圧力レベルになるまでポン
プ排気される。この排気は、排気穴23を通じてポンプ24
によって行われる。ロードロック室15のポンプ排気と同
時に、ロードロック10の通気穴25を通じたロードロック
室15内への置換ガスの注入が行われ、ロードロック室15
内が、主室13内と同じガス成分を含む真空に近い圧力レ
ベルになされることで、達成される。
り、ロードロック扉16が閉成されてロードロック室15を
外部環境14に対して封止している時、ロードロック室15
は、主室13の内部環境と同じ圧力レベルになるまでポン
プ排気される。この排気は、排気穴23を通じてポンプ24
によって行われる。ロードロック室15のポンプ排気と同
時に、ロードロック10の通気穴25を通じたロードロック
室15内への置換ガスの注入が行われ、ロードロック室15
内が、主室13内と同じガス成分を含む真空に近い圧力レ
ベルになされることで、達成される。
ロードロック室15のポンプ排気は、機械の生産性を最
大限にするために可及的速やかに行われる。このような
迅速ポンプ排気と、これにより生じるロードロック室15
内の急激な圧力低下は、最初に室を充満した外部環境14
からくる気体（ガス）が担持する浮遊水蒸気の循環的な
凝縮を引き起こす。この凝縮は、以下に更に詳細に説明
されるように本発明が関係する問題を提起する。
大限にするために可及的速やかに行われる。このような
迅速ポンプ排気と、これにより生じるロードロック室15
内の急激な圧力低下は、最初に室を充満した外部環境14
からくる気体（ガス）が担持する浮遊水蒸気の循環的な
凝縮を引き起こす。この凝縮は、以下に更に詳細に説明
されるように本発明が関係する問題を提起する。
一旦ロードロック10がポンプ排気され、ロードロック
室15内が主室13内の圧力レベルになったならば、ロード
ロック室15が主室13内に対して開放されて、ウェーハ20
が主室13内に動かされ、主室13内の複数の処理ステーシ
ョン間で段階的に動かされてウェーハの処理が行われ
る。スパッター処理装置、およびロードロック室15から
主室13へのウェーハ20の移動方法は、米国特許第4,909,
695号に記載されている。
室15内が主室13内の圧力レベルになったならば、ロード
ロック室15が主室13内に対して開放されて、ウェーハ20
が主室13内に動かされ、主室13内の複数の処理ステーシ
ョン間で段階的に動かされてウェーハの処理が行われ
る。スパッター処理装置、およびロードロック室15から
主室13へのウェーハ20の移動方法は、米国特許第4,909,
695号に記載されている。
主室13から外部環境14へのウェーハの移動は、外部環
境14から主室13内へのウェーハの移動の際と同じロード
ロックを通して行う必要はない。しかしながら、単一の
ロードロック10を両方向におけるウェーハの移動に使用
して処理済みウェーハと未処理ウェーハ交換を行うのが
好ましい。したがって、本発明を説明する目的で、単一
のロードロックを使用する場合について述べる。
境14から主室13内へのウェーハの移動の際と同じロード
ロックを通して行う必要はない。しかしながら、単一の
ロードロック10を両方向におけるウェーハの移動に使用
して処理済みウェーハと未処理ウェーハ交換を行うのが
好ましい。したがって、本発明を説明する目的で、単一
のロードロックを使用する場合について述べる。
主室13からの外部環境14へのウェーハ20の移動のため
に、ロードロック10は主室13に対して開かれてウェーハ
20が主室13から通路17を通してロードロック室15へ移動
するようになされる。前記引用特許に記載された好まし
い装置12において、板22が回転する際、処理済みウェー
ハが主室13からロードロック室15に動かされ、これと同
時に、未処理ウェーハがロードロック室15から主室13に
動かされ、これに伴ってウェーハ20、密閉リング19およ
びホルダー21がロードロック室15のウェーハ、密閉リン
グおよびホルダーと交換される。
に、ロードロック10は主室13に対して開かれてウェーハ
20が主室13から通路17を通してロードロック室15へ移動
するようになされる。前記引用特許に記載された好まし
い装置12において、板22が回転する際、処理済みウェー
ハが主室13からロードロック室15に動かされ、これと同
時に、未処理ウェーハがロードロック室15から主室13に
動かされ、これに伴ってウェーハ20、密閉リング19およ
びホルダー21がロードロック室15のウェーハ、密閉リン
グおよびホルダーと交換される。
外部環境14への移動のために、処理済みウェーハ20が
ロードロック10内に置かれ、また、ロードロック室15が
主室13内から遮断された時に、通気ガスがバルブ26を通
じてロードロック室15内に送られ、ロードロック室15内
の圧力が外部環境14の圧力にまで上昇せしめられる。ロ
ードロック室15内の圧力が外部環境14の圧力と等しくな
った後、ロードロック扉16が開放され、ロードロック10
からウェーハ20が取り出される。
ロードロック10内に置かれ、また、ロードロック室15が
主室13内から遮断された時に、通気ガスがバルブ26を通
じてロードロック室15内に送られ、ロードロック室15内
の圧力が外部環境14の圧力にまで上昇せしめられる。ロ
ードロック室15内の圧力が外部環境14の圧力と等しくな
った後、ロードロック扉16が開放され、ロードロック10
からウェーハ20が取り出される。
第１図、第２図には、ロードロック室15内の各部材の
表面に集まる傾向のある固体粒子27が従来のロードロッ
ク室内に示されている。ロードロック室15内のウェーハ
20はその片側にデバイス面28を有し、その面上に多数の
半導体デバイスが形成される。ウェーハ20のデバイス面
28への固体粒子27の移動が許される場合には、処理過程
で形成されるデバイスに欠陥が生じる。これは、第１図
に示されるように、特に主室13に対するウェーハ20の装
入による問題であるが、第２図に示すようにウェーハ20
が主室13から取り出される場合にも生じ、その場合、ロ
ードロック室15及び装置12から他の装置にウェーハが送
られ、その装置において固体粒子が更に他の処理を阻害
することになる。
表面に集まる傾向のある固体粒子27が従来のロードロッ
ク室内に示されている。ロードロック室15内のウェーハ
20はその片側にデバイス面28を有し、その面上に多数の
半導体デバイスが形成される。ウェーハ20のデバイス面
28への固体粒子27の移動が許される場合には、処理過程
で形成されるデバイスに欠陥が生じる。これは、第１図
に示されるように、特に主室13に対するウェーハ20の装
入による問題であるが、第２図に示すようにウェーハ20
が主室13から取り出される場合にも生じ、その場合、ロ
ードロック室15及び装置12から他の装置にウェーハが送
られ、その装置において固体粒子が更に他の処理を阻害
することになる。
さらに、第２図は、ロードロック室15の内部を、ポン
プ排気によって発生する急激な圧力低下の直後の状態と
して示している。この圧力低下が生じると、ロードロッ
ク室15の内部に生じる傾向のある雲状水滴すなわち霧27
aが従来のロードロック室内に存在する状態が第２図に
示されている。ウェーハ20のデバイス面上への、水滴す
なわち霧27aの移動が許容されると、処理過程で形成さ
れるデバイスに欠陥を引き起こす可能性がある。デバイ
ス面28上に凝縮した水分は固体や分解物質を担持してお
り、これらは、最終的に水分が蒸発した時にデバイス面
28上に汚染物として残ってデバイス面28の適正な処理を
妨げる。これは、第２図に示すように特にウェーハの主
室13への装入による問題である。
プ排気によって発生する急激な圧力低下の直後の状態と
して示している。この圧力低下が生じると、ロードロッ
ク室15の内部に生じる傾向のある雲状水滴すなわち霧27
aが従来のロードロック室内に存在する状態が第２図に
示されている。ウェーハ20のデバイス面上への、水滴す
なわち霧27aの移動が許容されると、処理過程で形成さ
れるデバイスに欠陥を引き起こす可能性がある。デバイ
ス面28上に凝縮した水分は固体や分解物質を担持してお
り、これらは、最終的に水分が蒸発した時にデバイス面
28上に汚染物として残ってデバイス面28の適正な処理を
妨げる。これは、第２図に示すように特にウェーハの主
室13への装入による問題である。
従来技術において、ロードロック室15の通気（第１
図）およびロードロック室のポンプ排気（第２図）のい
ずれも、ロードロック室15内に乱気流を発生させる。こ
の乱気流は、ロードロック10の内部表面から粒子を払い
落し、これらの払い落された粒子をロードロック室15内
で移動させる。気体（ガス）に担持された粒子の一部は
ウェーハ20のデバイス面28上に落ち、半導体デバイスを
損傷する可能性がある。ウェーハ20が20.3cm（８イン
チ）直径の円形ウェーハで、これが多数の半導体デバイ
スに形成される場合、デバイス面28上に落ちた粒子のた
めに、例えば約40〜50個の欠陥デバイスが発生する。
図）およびロードロック室のポンプ排気（第２図）のい
ずれも、ロードロック室15内に乱気流を発生させる。こ
の乱気流は、ロードロック10の内部表面から粒子を払い
落し、これらの払い落された粒子をロードロック室15内
で移動させる。気体（ガス）に担持された粒子の一部は
ウェーハ20のデバイス面28上に落ち、半導体デバイスを
損傷する可能性がある。ウェーハ20が20.3cm（８イン
チ）直径の円形ウェーハで、これが多数の半導体デバイ
スに形成される場合、デバイス面28上に落ちた粒子のた
めに、例えば約40〜50個の欠陥デバイスが発生する。
また、従来技術では、ロードロック室15の通気または
ロードロック室のポンプ排気の何れかによって、急速な
圧力低下がロードロック室15内での蒸気凝縮を発生させ
る可能性がある。この凝縮はロードロック室15の内部に
霧27aを発生させる。そして、気体（ガス）に担持され
た水滴がウェーハ20のデバイス面28上に落ち、そこに形
成される半導体デバイスを損傷するだろう。
ロードロック室のポンプ排気の何れかによって、急速な
圧力低下がロードロック室15内での蒸気凝縮を発生させ
る可能性がある。この凝縮はロードロック室15の内部に
霧27aを発生させる。そして、気体（ガス）に担持され
た水滴がウェーハ20のデバイス面28上に落ち、そこに形
成される半導体デバイスを損傷するだろう。
第３図〜第５図を見ると、本発明に従って、ロードロ
ック室15がガイド板30を備え、これは、実質的にウェー
ハ20のデバイス面28に対して平行であって、しかも狭い
間隔で隣接するようになっていて、空隙31がそれらの間
に形成され、この空隙がウェーハ20のデバイス面28を覆
うようになっている。ガイド板30は、好ましくは、円形
になされるとともにウェーハ20のデバイス面28と少なく
とも同じ大きさになされる。ガイド板30が概ね平坦でウ
ェーハのデバイス面28と平行であるため、それにより画
成される空隙は均一な寸法（すなわち、間隔寸法）とな
る。この空隙寸法は1.3〜13mm（0.05〜0.5インチ）であ
るのが好ましく、約2.5mm（0.1インチ）が好適である。
前面ヒーターのような他の構造体が板30と同様に配置さ
れる場合には、その構造体の表面を板30の代りにするこ
とができる。しかしながら本発明の好適例によれば、通
気穴25と、デバイス面28を覆うガイド板30の開口35との
間を通気ライン33が連結する。開口35とガイド板30の中
央に設けて、ロードロック室15の通気（第３図）および
所望の真空圧となるまでのポンプ排気（第４図）の間
に、通気ガスの一部または全部を通気穴25から空隙31に
通すようにするのが好ましい。
ック室15がガイド板30を備え、これは、実質的にウェー
ハ20のデバイス面28に対して平行であって、しかも狭い
間隔で隣接するようになっていて、空隙31がそれらの間
に形成され、この空隙がウェーハ20のデバイス面28を覆
うようになっている。ガイド板30は、好ましくは、円形
になされるとともにウェーハ20のデバイス面28と少なく
とも同じ大きさになされる。ガイド板30が概ね平坦でウ
ェーハのデバイス面28と平行であるため、それにより画
成される空隙は均一な寸法（すなわち、間隔寸法）とな
る。この空隙寸法は1.3〜13mm（0.05〜0.5インチ）であ
るのが好ましく、約2.5mm（0.1インチ）が好適である。
前面ヒーターのような他の構造体が板30と同様に配置さ
れる場合には、その構造体の表面を板30の代りにするこ
とができる。しかしながら本発明の好適例によれば、通
気穴25と、デバイス面28を覆うガイド板30の開口35との
間を通気ライン33が連結する。開口35とガイド板30の中
央に設けて、ロードロック室15の通気（第３図）および
所望の真空圧となるまでのポンプ排気（第４図）の間
に、通気ガスの一部または全部を通気穴25から空隙31に
通すようにするのが好ましい。
本発明の好適例によれば、例えば通気による第３図の
充填手順の間に、乾燥窒素やアルゴンのような通気ガス
が、通気ライン33を通して、ロードロック室15の圧力よ
りも高い6.9kN/cm2〜21kN/cm2（１〜3psi）の圧力でロ
ードロック室15の中央に導入され、更にそこから半径方
向外方へ向かうように空隙31内に導入され、ロードロッ
ク室を約10秒間で大気圧にする。例えばポンプ排気によ
るロードロックの排気においては、通常、ロードロック
室15を大気圧から同様に約10秒間で十分な真空圧レベル
となるようにするような流量になされる。ロードロック
室は約1.5リットルの容積があるので、ポンプ排気の初
期流量は約９リットル／分である。導入される通気ガス
は超乾燥状態、典型的には100万部当たり10部以下の水
分含有量にするのが好ましい。このようなレベルでは、
通気ガスさら水分が凝縮することはなく、保護されるべ
きウェーハ面とガスのみが接触する。
充填手順の間に、乾燥窒素やアルゴンのような通気ガス
が、通気ライン33を通して、ロードロック室15の圧力よ
りも高い6.9kN/cm2〜21kN/cm2（１〜3psi）の圧力でロ
ードロック室15の中央に導入され、更にそこから半径方
向外方へ向かうように空隙31内に導入され、ロードロッ
ク室を約10秒間で大気圧にする。例えばポンプ排気によ
るロードロックの排気においては、通常、ロードロック
室15を大気圧から同様に約10秒間で十分な真空圧レベル
となるようにするような流量になされる。ロードロック
室は約1.5リットルの容積があるので、ポンプ排気の初
期流量は約９リットル／分である。導入される通気ガス
は超乾燥状態、典型的には100万部当たり10部以下の水
分含有量にするのが好ましい。このようなレベルでは、
通気ガスさら水分が凝縮することはなく、保護されるべ
きウェーハ面とガスのみが接触する。
ロードロック室15に対してガス（気体）が流入しまた
流出するときは、常に、ウェーハ20のデバイス面28の全
周まわりにおいて、空隙31から半径方向外方へ向かう清
浄通気ガスの流れが維持される。これは矢印37で示され
ている。この外方へ向かうガス流は、空隙31の縁部分周
囲におけるロードロック室15内の圧力よりも十分に高い
清浄ガスの圧力を開口35の位置に維持することによっ
て、デバイス面28の周辺回りで外方へ向かって維持され
る。このようにして、ロードロック室15の内面から離れ
る固体粒子27およびロードロック室15内で形成された水
滴すなわち霧27aは流動するガスにより担持されるが、
矢印37で示されるように清浄通気ガスの半径方向外方へ
向かう流れによって、空隙31の中に進入してデバイス面
28に接触することはない。通気穴25に入る通気ガスは、
例えばガス供給手段（ガス供給源）40から送られる窒素
ガスであり、これはフィルター41、好ましくは0.2マイ
クロメータフィルターを通過されて粒子を除去された
後、バルブ26を通して流される。バルブ26は、清浄バル
ブ（好ましくは、ベロー形式のバルブ）であり、ガス供
給手段40から、電解研磨された曲がりの無いガスライン
に流れるガス流量を制御し、このラインが通気穴25を介
してロードロック室15に連通する。
流出するときは、常に、ウェーハ20のデバイス面28の全
周まわりにおいて、空隙31から半径方向外方へ向かう清
浄通気ガスの流れが維持される。これは矢印37で示され
ている。この外方へ向かうガス流は、空隙31の縁部分周
囲におけるロードロック室15内の圧力よりも十分に高い
清浄ガスの圧力を開口35の位置に維持することによっ
て、デバイス面28の周辺回りで外方へ向かって維持され
る。このようにして、ロードロック室15の内面から離れ
る固体粒子27およびロードロック室15内で形成された水
滴すなわち霧27aは流動するガスにより担持されるが、
矢印37で示されるように清浄通気ガスの半径方向外方へ
向かう流れによって、空隙31の中に進入してデバイス面
28に接触することはない。通気穴25に入る通気ガスは、
例えばガス供給手段（ガス供給源）40から送られる窒素
ガスであり、これはフィルター41、好ましくは0.2マイ
クロメータフィルターを通過されて粒子を除去された
後、バルブ26を通して流される。バルブ26は、清浄バル
ブ（好ましくは、ベロー形式のバルブ）であり、ガス供
給手段40から、電解研磨された曲がりの無いガスライン
に流れるガス流量を制御し、このラインが通気穴25を介
してロードロック室15に連通する。
以上、本発明の実施例および応用例について説明した
が、本発明の原理から逸脱することなく各種の変更が可
能である。
が、本発明の原理から逸脱することなく各種の変更が可
能である。
図面の簡単な説明 第１図は、真空圧処理装置のロードロック室またはそ
の他の室の通気を示し、従来技術によるロードロック室
内の乱気流（乱ガス流）、およびそのガス中に浮遊する
粒状汚染物質の動きを示す図面。
の他の室の通気を示し、従来技術によるロードロック室
内の乱気流（乱ガス流）、およびそのガス中に浮遊する
粒状汚染物質の動きを示す図面。
第２図は、真空圧処理装置のロードロック室またはそ
の他の室のポンプ排気、従来技術による室内での乱気流
（乱ガス流）およびガス中に浮遊する粒状汚染物質の動
き、およびガス浮遊凝縮物質の形成を示す第１図と同様
な図面。
の他の室のポンプ排気、従来技術による室内での乱気流
（乱ガス流）およびガス中に浮遊する粒状汚染物質の動
き、およびガス浮遊凝縮物質の形成を示す第１図と同様
な図面。
第３図は、本発明の原理により構成され作動するウェ
ーハ処理装置におけるロードロック室の通気を示す図
面。
ーハ処理装置におけるロードロック室の通気を示す図
面。
第４図は、本発明の原理により構成され作動されるウ
ェーハ処理装置におけるロードロック室の排気すなわち
ポンプ排気を示す図面。
ェーハ処理装置におけるロードロック室の排気すなわち
ポンプ排気を示す図面。
第５図は、第３図および第４図の図面に示されたロー
ドロック室を示す横断面図。
ドロック室を示す横断面図。
10…ロードロック 11…壁 12…ウェーハ処理装置 13…主室 14…外部環境 15…ロードロック室 16…ロードロック扉 17…通路 18…可動部分 19…密閉リング 20…ウェーハ 21…ホルダー 22…割り出し板 23…排気穴 24…真空ポンプ 25…通気穴 26…バルブ 27…固体粒子 27a…霧 28…デバイス面 30…ガイド板 31…空隙 35…開口 37…矢印 40…ガス供給手段 41…フィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 B01J 3/02
Claims (13)
- 【請求項１】処理装置の圧力密閉室内で支持された基板
を、室内ガス圧が変化する間に、ガス中に含まれる汚染
物質から保護する方法であって、 前記圧力密閉室が前記基板を覆うガイド板を有し、該ガ
イド板が開口を有し、前記圧力密閉室の室壁に設けた通
気穴を通してガスを流すことにより前記圧力密閉室内の
汚染物質担持ガスの圧力を変化させ、該ガス圧力が変化
する間、前記開口を通して清浄ガスを導入することを包
含する、前記保護方法において、 前記基板の少なくとも１つの特定面が保護され、 該特定面が処理面であり、 前記保護すべき特定面を覆って、その特定面に隣接して
平行な空隙が形成され、 この空隙が、前記保護すべき特定面および前記空隙を包
囲して前記圧力密閉室に連なる境界を有し、 前記圧力密閉室内の汚染物質担持ガスの圧力が変化する
間、 前記空隙に沿い前記保護すべき特定面を横切って、かつ
前記空隙の前記境界に沿って前記空隙から外方へ、さら
に前記圧力密閉室内へ、前記導入された清浄ガスを誘導
し、もって前記圧力密閉室から前記空隙および前記保護
すべき特定面への前記汚染物質担持ガスの流れを制限す
ることを特徴とする圧力密閉室内の基板をガス中に含ま
れる汚染物質から保護する方法。 - 【請求項２】前記通気穴を通して前記圧力密閉室内へガ
スを流すことによって該圧力密閉室内のガス圧力を増大
させて前記汚染物質担持ガスの圧力を変化させ、前記通
気穴を通って流れる前記ガスの少なくとも一部が前記開
口を通じて導入された清浄ガスである請求項１に記載さ
れた圧力密閉室内の基板をガス中に含まれる汚染物質か
ら保護する方法。 - 【請求項３】前記空隙から離れた位置にある前記通気穴
を通して前記圧力密閉室から予め定めた流量でガスを排
出し、前記圧力密閉室内のガス圧力を変化させて所定の
低い圧力レベルになし、また前記圧力密閉室からガスを
排出する間に、前記予め定めた流量よりも少ない流量で
前記空隙内に前記清浄ガスを導入する請求項１に記載さ
れた圧力密閉室内の基板をガス中に含まれる汚染物質か
ら保護する方法。 - 【請求項４】前記圧力密閉室からポンプによって所定の
流速でガスを排出して、前記圧力密閉室を真空圧レベル
になす請求項３に記載された圧力密閉室内の基板をガス
中に含まれる汚染物質から保護する方法。 - 【請求項５】前記導入された清浄ガスが清浄な乾燥ガス
であり、該清浄な乾燥ガスは、前記ガイド板の前記開口
を通して前記空隙内に導入され、そのガス圧力は、前記
圧力密閉室からガスを排出する間、前記空隙の周囲で該
空隙から外方に向かって前記圧力密閉室内へのガスの流
れを維持することができる大きさであり、それによって
ガスに担持された水分が、前記空隙内に入って前記保護
すべき特定面に向かうことが制限され、該保護すべき特
定面が汚染されないように保護される請求項３または請
求項４に記載された圧力密閉室内の基板をガス中に含ま
れる汚染物質から保護する方法。 - 【請求項６】前記圧力密閉室が反復操作され、該反復操
作が、前記圧力密閉室から少なくとも部分的にガスを排
出した後、前記空隙に清浄ガスを導入して前記圧力密閉
室を満たし、この間に、前記保護すべき特定面に沿って
前記空隙を通り前記空隙の境界で前記圧力密閉室に向か
って外方へ流れるように前記導入された清浄ガスを案内
する段階を含む請求項３から請求項５までのいずれか１
項に記載された圧力密閉室内の基板をガス中に含まれる
汚染物質から保護する方法。 - 【請求項７】前記圧力密閉室を通気して外部環境の圧力
になし、前記圧力密閉室をポンプ排気して内部環境の圧
力になす反復操作を更に含み、前記通気およびポンプ排
気の間、ガス導入が行われる請求項１から請求項６まで
のいずれか１項に記載された圧力密閉室内の基板をガス
中に含まれる汚染物質から保護する方法。 - 【請求項８】前記空隙の境界近傍の圧力が前記圧力密閉
室の圧力を超える十分な圧力で前記清浄ガスを導入し、
それによって前記空隙の境界から外方への清浄ガスの流
れを維持する請求項１から請求項７までのいずれか１項
に記載された圧力密閉室内の基板をガス中に含まれる汚
染物質から保護する方法。 - 【請求項９】前記保護すべき特定面に隣接するとともに
間隔を置いて配置された前記ガイド板によって前記空隙
が形成され、前記ガイド板の中央部に形成された前記開
口によって前記空隙内に前記清浄ガスが導入され、もっ
て前記空隙内のガス流を半径方向外方のあらゆる方向に
向かわせる請求項１から請求項８までのいずれか１項に
記載された圧力密閉室内の基板をガス中に含まれる汚染
物質から保護する方法。 - 【請求項１０】前記圧力密閉室の通気およびポンプ排気
に伴なって該圧力密閉室内でガス乱流が生じる間に、前
記保護すべき特定面が粒状汚染物質から保護され、また
前記圧力密閉室内で十分なガスが流れて該圧力密閉室の
壁から粒子が払い落とされて運び去られる時には、常に
清浄ガスが導入される請求項１から請求項９までのいず
れか１項に記載された圧力密閉室内の基板をガス中に含
まれる汚染物質から保護する方法。 - 【請求項１１】外部環境から隔離された内部環境内で基
板が処理される処理装置であって、 その内部環境内で基板を支持するための基板ホルダー、
ガス導入口およびガス排出口を有する圧力密閉室であっ
て、該ガス導入口とガス排出口の一方が、外部環境の圧
力にまで前記室の通気を行なうための通気穴であり、前
記ガス導入口とガス排出口の他方が、内部環境の圧力に
まで前記圧力密閉室のポンプ排気を行うためのポンプ排
気用排気穴であり、外部環境に対して密封可能な前記内
部環境を画成する室と、内部環境の圧力と外部環境の圧
力との間で、前記圧力密閉室内の圧力を変化させる手段
と、基板を覆うとともに開口を有するガイド板と、基板
保護の対象物である汚染物質に関して相対的に清浄なガ
スを、前記開口を通じて供給するための手段とを具備す
る処理装置において、 使用するにあたって、基板（20）の少なくとも１つの特
定面（28）が汚染から保護され、その面は処理される面
であり、前記開口（35）を有する前記ガイド板（30）
が、前記保護すべき特定面（28）に隣接するとともに平
行で狭い間隔を置いて位置づけられて前記保護すべき特
定面（28）を覆う空隙（31）を形成し、この空隙（31）
の周縁は前記開口（35）および前記保護すべき特定面
（28）を包囲しており、また前記ガイド板は、前記圧力
密閉室（15）内の圧力を超え、前記開口（35）から前記
空隙（31）の周囲へ向かって低下する圧力を前記空隙の
周囲に形成する上で十分な、かつまた、前記基板（20）
が前記圧力密閉室（15）内に支持されてその内部の圧力
が変化されるときに前記空隙の周縁にて該空隙（31）か
ら外方に向かって前記圧力密閉室内へ流れる清浄ガス流
を維持するために十分な圧力で、清浄ガスをガス供給手
段（40）から前記ガイド板の前記開口（35）を通して前
記空隙（31）内に導入する手段を含み、これにより前記
圧力密閉型（15）からガス中の汚染物質が前記空隙（3
1）内に進入して前記保護すべき特定面（28）へ向う流
れを制限するようになされていることを特徴とする処理
装置。 - 【請求項１２】前記圧力を変化させる手段が、前記圧力
密閉室（13）内のガスをポンプ排気してその内部圧力を
低下させるために前記ガス排出口（23）に連結された手
段（24）を含み、前記清浄ガスを導入する手段が乾燥清
浄ガスの供給源（40）および乾燥清浄ガスを前記ガス供
給手段（40）から前記ガイド板（30）の前記開口（35）
を通して前記空隙（31）内に導入する手段を含み、これ
により前記圧力密閉室（13）内に生じ得る汚染物質が前
記空隙（31）内に流入して前記保護すべき特定面（28）
に接しないように制限する請求項11に記載された処理装
置。 - 【請求項１３】前記圧力密閉室がロードロック室（15）
であり、また、前記ロードロック室（15）を取り囲み、
外部環境（14）に対する前記ロードロック室（15）の開
放および前記ロードロック室の密閉を交互に行い、前記
ロードロック室が外部環境（14）に対して開放されたと
きに前記ロードロック室（15）に対する基板（20）の出
し入れを可能にする扉（16）と、内部環境（13）に対す
る前記ロードロック室（15）の開放および前記ロードロ
ック室の密閉を交互に行い、前記ロードロック室（15）
が内部環境（13）に対して開放されたときに前記ロード
ロック室（15）に対する基板の（20）の出し入れを可能
にする密閉可能な通路（17）とを有する壁を含み、ま
た、前記ガス導入口および前記ガス排出口（25,23）が
前記ロードロック室（15）に連通され、これによりガス
中の汚染物質による基板（20）の汚染を防止する手段が
前記ロードロック室（15）の排気または通気の間の汚染
を防止するように操作可能である請求項11または請求項
12に記載された処理装置。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US573845 | 1990-08-28 | ||
| US07/573,845 US5237756A (en) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | Method and apparatus for reducing particulate contamination |
| US714864 | 1991-06-13 | ||
| US07/714,864 US5205051A (en) | 1990-08-28 | 1991-06-13 | Method of preventing condensation of air borne moisture onto objects in a vessel during pumping thereof |
| PCT/US1991/005999 WO1992003590A1 (en) | 1990-08-28 | 1991-08-22 | Method and apparatus for reducing wafer contamination |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06502687A JPH06502687A (ja) | 1994-03-24 |
| JP3012328B2 true JP3012328B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=27076220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3514553A Expired - Fee Related JP3012328B2 (ja) | 1990-08-28 | 1991-08-22 | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5205051A (ja) |
| EP (1) | EP0546011B1 (ja) |
| JP (1) | JP3012328B2 (ja) |
| AU (1) | AU8441891A (ja) |
| CA (1) | CA2089646A1 (ja) |
| DE (1) | DE69102536T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992003590A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308989A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-03 | Eaton Corporation | Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter |
| US5423918A (en) * | 1993-09-21 | 1995-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices |
| KR100369200B1 (ko) * | 1994-04-30 | 2003-03-26 | 가부시키가이샤 세이부 기켄 | 고속유체에의한저온급속탈수건조의방법 |
| US6032419A (en) * | 1997-04-08 | 2000-03-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus with low particle generating vacuum seal |
| TW471010B (en) | 2000-09-28 | 2002-01-01 | Applied Materials Inc | Wafer cleaning equipment |
| JP3511514B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2004-03-29 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法 |
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