JP2714833B2 - 仕込・取出室 - Google Patents
仕込・取出室Info
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- JP2714833B2 JP2714833B2 JP63318939A JP31893988A JP2714833B2 JP 2714833 B2 JP2714833 B2 JP 2714833B2 JP 63318939 A JP63318939 A JP 63318939A JP 31893988 A JP31893988 A JP 31893988A JP 2714833 B2 JP2714833 B2 JP 2714833B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、基板に薄膜を形成したり、あるいは基板
上の薄膜を微細加工する真空処理室に連接される仕込室
や取出室等の仕込・取出室に関するものである。
上の薄膜を微細加工する真空処理室に連接される仕込室
や取出室等の仕込・取出室に関するものである。
（従来の技術） インライン式真空処理装置では、一般に、基板に薄膜
を形成したり、あるいは基板上の薄膜を微細加工する真
空処理室の入口側に基板の仕込室が連接され、また出口
側に基板の取出室が連接されている。
を形成したり、あるいは基板上の薄膜を微細加工する真
空処理室の入口側に基板の仕込室が連接され、また出口
側に基板の取出室が連接されている。
従来の仕込室や取出室の仕込・取出室は、第10図〜第
13図に示されている。これら図において、仕込・取出室
の真空室１の室壁には、両側に基板２を着脱自在に取付
けた縦型基板ホルダ３を搬入させる搬入口４と、基板ホ
ルダ３を搬出させる搬出口５とが設けられ、搬入口４に
は、例えば、シリンダ６、ラック７、歯車８、回転軸９
等よりなる開閉機構10によって開閉させられる入口弁11
が着座するようになっており、また搬出口５には、例え
ば、シリンダ12、ラック13、歯車14、回転軸15等よりな
る開閉機構16によって開閉させられる出口弁17が着座す
るようになっている。真空室１の室内には搬送機構18が
配設され、その搬送機構18は、例えば、回転駆動機（図
示せず）によって回転させられる回転軸20に固定された
ピニオン21と、このピニオン21と噛合するラック22と、
このラック22との間でバネ（図示せず）で弾圧され、か
つラック22とともに移動する。基板ホルダ３を固定する
基板ホルダ固定台23と、この基板ホルダ固定台23の前部
及び後部にそれぞれ取付けられた一対の滑車24と、この
一対の滑車24の走行する平行に一対のレール25とからな
っている。真空室１の室壁となる天板にはガス導入口26
が設けられ、また室壁となる水平な底板には真空排気口
27が設けられている。
13図に示されている。これら図において、仕込・取出室
の真空室１の室壁には、両側に基板２を着脱自在に取付
けた縦型基板ホルダ３を搬入させる搬入口４と、基板ホ
ルダ３を搬出させる搬出口５とが設けられ、搬入口４に
は、例えば、シリンダ６、ラック７、歯車８、回転軸９
等よりなる開閉機構10によって開閉させられる入口弁11
が着座するようになっており、また搬出口５には、例え
ば、シリンダ12、ラック13、歯車14、回転軸15等よりな
る開閉機構16によって開閉させられる出口弁17が着座す
るようになっている。真空室１の室内には搬送機構18が
配設され、その搬送機構18は、例えば、回転駆動機（図
示せず）によって回転させられる回転軸20に固定された
ピニオン21と、このピニオン21と噛合するラック22と、
このラック22との間でバネ（図示せず）で弾圧され、か
つラック22とともに移動する。基板ホルダ３を固定する
基板ホルダ固定台23と、この基板ホルダ固定台23の前部
及び後部にそれぞれ取付けられた一対の滑車24と、この
一対の滑車24の走行する平行に一対のレール25とからな
っている。真空室１の室壁となる天板にはガス導入口26
が設けられ、また室壁となる水平な底板には真空排気口
27が設けられている。
そして、第13図に示すように真空室１のガス導入口26
には、ガス導入開閉弁28とガス流量調整弁29とを備えた
ガス導入配管30が接続され、真空室１の真空排気口27に
は、排気開閉弁31と排気速度調整弁32とをとを備えた真
空排気配管33が接続されている。
には、ガス導入開閉弁28とガス流量調整弁29とを備えた
ガス導入配管30が接続され、真空室１の真空排気口27に
は、排気開閉弁31と排気速度調整弁32とをとを備えた真
空排気配管33が接続されている。
しかしながら、従来の仕込・取出室は、真空室１内に
おいて、真空室１内の気流の流れを調整する手段が設け
られていなかった。
おいて、真空室１内の気流の流れを調整する手段が設け
られていなかった。
（発明が解決しようとする課題） 従来の仕込・取出室は、上記のように真空室１内にお
いて、真空室１内の気流の流れを調整する手段が設けら
れていなかったため、ガス導入配管29よりガスを真空室
１内に導入して、真空室１内を大気圧に戻すときにや、
反対に、真空排気配管32より真空室１内を真空排気する
ときに、真空室１内で気流の乱れが生じ、真空室１内の
ダストが撹拌され、基板２にダストが付着する問題があ
った。そこで、このダストの付着を防止するために、真
空室１内の気流の流れに乱れが生じないように、ゆっく
りと大気圧に戻したり、あるいはゆっくりと真空室１内
を真空排気すれば、その排気時間が長時間になる問題が
あった。更に、水平な底板に真空排気口27を設けていた
ため、真空室１内を真空排気するときには、真空排気口
27の入口近傍の空間において、渦が発生し、その渦によ
って、真空排気口27の入口近傍の空間で気流の乱れがお
こる問題があった。
いて、真空室１内の気流の流れを調整する手段が設けら
れていなかったため、ガス導入配管29よりガスを真空室
１内に導入して、真空室１内を大気圧に戻すときにや、
反対に、真空排気配管32より真空室１内を真空排気する
ときに、真空室１内で気流の乱れが生じ、真空室１内の
ダストが撹拌され、基板２にダストが付着する問題があ
った。そこで、このダストの付着を防止するために、真
空室１内の気流の流れに乱れが生じないように、ゆっく
りと大気圧に戻したり、あるいはゆっくりと真空室１内
を真空排気すれば、その排気時間が長時間になる問題が
あった。更に、水平な底板に真空排気口27を設けていた
ため、真空室１内を真空排気するときには、真空排気口
27の入口近傍の空間において、渦が発生し、その渦によ
って、真空排気口27の入口近傍の空間で気流の乱れがお
こる問題があった。
次の第１表は、約1000の容積の真空室１内を真空排
気したとき、５インチウェハーの表面に付着した径0.5
μ以上のダストの量を示している。
気したとき、５インチウェハーの表面に付着した径0.5
μ以上のダストの量を示している。
この発明は、従来の問題を解決して、真空排気や大気
圧へと戻しをゆっくりと行なわなくても、基板に付着す
るダストの量を少なくすることのできる仕込・取出室を
提供することを目的としている。
圧へと戻しをゆっくりと行なわなくても、基板に付着す
るダストの量を少なくすることのできる仕込・取出室を
提供することを目的としている。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明は、真空室と、
該真空室内に備えられ、基板を着脱自在に取付けた基板
ホルダを搬送する搬送機構を有し、真空排気口より真空
室内を真空排気したり、あるいは真空排気された真空室
内に気体を導入して、真空室内を大気圧に戻す仕込・取
出室において、上記基板ホルダの基板を着脱自在に取付
けた側に、上記基板ホルダと所定の間隔をもって配設し
た整流板と、上記基板及び基板ホルダの表面に沿って大
気圧に戻す際のガスを流すために、ガスを噴出して、上
記基板ホルダと整流板との間の空間に噴出したガスを流
すガス噴出口付ガス導入管とを備え、真空室内で気流の
乱れがある場合でも、整流板と対向した基板の表面は、
ガス噴出口付ガス導入管から噴出されたガスにより、真
空排気口方向に整流されたガス流が形成されるように構
成されたことを特徴とするものである。
該真空室内に備えられ、基板を着脱自在に取付けた基板
ホルダを搬送する搬送機構を有し、真空排気口より真空
室内を真空排気したり、あるいは真空排気された真空室
内に気体を導入して、真空室内を大気圧に戻す仕込・取
出室において、上記基板ホルダの基板を着脱自在に取付
けた側に、上記基板ホルダと所定の間隔をもって配設し
た整流板と、上記基板及び基板ホルダの表面に沿って大
気圧に戻す際のガスを流すために、ガスを噴出して、上
記基板ホルダと整流板との間の空間に噴出したガスを流
すガス噴出口付ガス導入管とを備え、真空室内で気流の
乱れがある場合でも、整流板と対向した基板の表面は、
ガス噴出口付ガス導入管から噴出されたガスにより、真
空排気口方向に整流されたガス流が形成されるように構
成されたことを特徴とするものである。
（作用） この作用において、ガス噴出口付ガス導入管より噴出
されたガスは、基板ホルダと整流板との間の空間で、基
板及び基板ホルダの表面に沿ってガスが流れる。そのた
め、真空排気口より真空排気しているときや、真空室内
にガスを導入して真空室内を大気圧に戻すときに、真空
室内で気流の乱れがあったとしても、整流板と対向した
基板の表面は、常に、ガス噴出口付ガス導入管より噴出
されたガスにより、真空排気口方向に整流された流れが
形成され、基板の表面における気流の乱れが防止され
る。また、真空室内を真空排気する真空排気ポンプを大
容量のものにすれば、気流の乱れが防止するために多量
のガスを流しても、排気時間が長くなることがなくな
る。
されたガスは、基板ホルダと整流板との間の空間で、基
板及び基板ホルダの表面に沿ってガスが流れる。そのた
め、真空排気口より真空排気しているときや、真空室内
にガスを導入して真空室内を大気圧に戻すときに、真空
室内で気流の乱れがあったとしても、整流板と対向した
基板の表面は、常に、ガス噴出口付ガス導入管より噴出
されたガスにより、真空排気口方向に整流された流れが
形成され、基板の表面における気流の乱れが防止され
る。また、真空室内を真空排気する真空排気ポンプを大
容量のものにすれば、気流の乱れが防止するために多量
のガスを流しても、排気時間が長くなることがなくな
る。
（実施例） 以下、この発明の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
基板の仕込室は、基板に薄膜を形成したり、あるいは
基板上の薄膜を微細加工する真空処理室の入口側に連接
され、また基板の取出室は、真空処理室の出口側に連接
される。
基板上の薄膜を微細加工する真空処理室の入口側に連接
され、また基板の取出室は、真空処理室の出口側に連接
される。
そこで、この発明の第１実施例である仕込室や取出室
の仕込・取出室は第１図〜第５図に示されている。これ
らの図に示される符号のうち、従来の仕込・取出室を示
す第10図〜第13図の符号と同符号のものは、従来のもの
と同等につき、その説明を省略するが、この発明の第１
実施例では、従来のものと違って、真空室１の一方の室
壁の上下にはブラケット51a1、51a2が取付けられ、その
ブラケット51a1、51a2には石英ガラスでできた整流板52
aが縦に固定されている。そのため、整流板52aは、縦型
基板ホルダ３の基板２を着脱自在に取付けた側に、縦型
基板ホルダ３と所定の間隔をもって配設されている。ま
た、真空室１の他方の室壁の上下には、ブラケット51
b1、51b2が取付けられ、そのブラケット51b1、51b2には
石英ガラスでできた整流板52bが縦に固定されている。
そのため、整流板52bは、縦型基板ホルダ３の基板２を
着脱自在に取付けた側に、縦型基板ホルダ３と所定の間
隔をもって配設されている。そして、整流板52a、52bは
縦型基板ホルダ３を挟んで、平行な一対の整流板を形成
している。真空室１の天板にはブラケット53が取付けら
れ、このブラケット53にはガス導入管54が、縦型基板ホ
ルダ３の上端の上方に位置するように固定されている。
ガス導入管54は、縦型基板ホルダ３の上端向き、即ち下
向きにガスを噴出する複数のガス噴出口（図示せず）を
もっている。したがって、ガス導入管54のガス噴出口よ
り噴出されたガスは、縦型基板ホルダ３と整流板52aと
の間の空間、及び縦型基板ホルダ３と整流板52bとの間
の空間を上部より下方に向かって、基板２及び縦型基板
ホルダ３の表面に沿って流れ、そして、上記空間の下部
より流出し、真空排気口27より排気される。真空排気口
27は室壁となる傾斜した底板1aの最下部に設けられてい
る。なお、ガス導入管54は、真空室１の外において、ガ
ス導入開閉弁55と、ガス流量調整弁56とを備えている。
また、真空排気管32に接続されている真空排気ポンプ
（図示せず）は、従来の技術で使用されてきた真空排気
ポンプの２倍以上の排気速度をもっている。
の仕込・取出室は第１図〜第５図に示されている。これ
らの図に示される符号のうち、従来の仕込・取出室を示
す第10図〜第13図の符号と同符号のものは、従来のもの
と同等につき、その説明を省略するが、この発明の第１
実施例では、従来のものと違って、真空室１の一方の室
壁の上下にはブラケット51a1、51a2が取付けられ、その
ブラケット51a1、51a2には石英ガラスでできた整流板52
aが縦に固定されている。そのため、整流板52aは、縦型
基板ホルダ３の基板２を着脱自在に取付けた側に、縦型
基板ホルダ３と所定の間隔をもって配設されている。ま
た、真空室１の他方の室壁の上下には、ブラケット51
b1、51b2が取付けられ、そのブラケット51b1、51b2には
石英ガラスでできた整流板52bが縦に固定されている。
そのため、整流板52bは、縦型基板ホルダ３の基板２を
着脱自在に取付けた側に、縦型基板ホルダ３と所定の間
隔をもって配設されている。そして、整流板52a、52bは
縦型基板ホルダ３を挟んで、平行な一対の整流板を形成
している。真空室１の天板にはブラケット53が取付けら
れ、このブラケット53にはガス導入管54が、縦型基板ホ
ルダ３の上端の上方に位置するように固定されている。
ガス導入管54は、縦型基板ホルダ３の上端向き、即ち下
向きにガスを噴出する複数のガス噴出口（図示せず）を
もっている。したがって、ガス導入管54のガス噴出口よ
り噴出されたガスは、縦型基板ホルダ３と整流板52aと
の間の空間、及び縦型基板ホルダ３と整流板52bとの間
の空間を上部より下方に向かって、基板２及び縦型基板
ホルダ３の表面に沿って流れ、そして、上記空間の下部
より流出し、真空排気口27より排気される。真空排気口
27は室壁となる傾斜した底板1aの最下部に設けられてい
る。なお、ガス導入管54は、真空室１の外において、ガ
ス導入開閉弁55と、ガス流量調整弁56とを備えている。
また、真空排気管32に接続されている真空排気ポンプ
（図示せず）は、従来の技術で使用されてきた真空排気
ポンプの２倍以上の排気速度をもっている。
この第１実施例では、上記のようにガス導入管54のガ
ス噴出口より噴出されたガスが、縦型基板ホルダ３と整
流板52aとの間の空間、及び縦型基板ホルダ３と整流板5
2bとの間の空間を上部より下方に向かって、基板２及び
縦型基板ホルダ３の表面に沿って流れるため、真空排気
口27より真空室１内を真空排気するときには、基板２と
整流板52a 52bとの間において、常に、ガスは乱れを生
ぜず、整流となっており、基板２の表面に付着するダス
トの量が非常に少なくなる。又、ガス導入口26より真空
室１内にガスを導入して、真空室１内を急激に真空から
大気圧に戻すときも、ガス導入管54のガス噴出口より噴
出されたガスは、基板２と整流板52a 52bとの間におい
て、常に、乱れを生じることなく、整流となって流れる
ため、基板２の表面にはダストが付着しずらくなる。更
に、真空排気口27が室壁となる傾斜した底板1aの最下部
に設けられているため、真空排気時、ガスは傾斜した底
板1aに沿って流れ、真空排気口27の入口近傍の空間にお
いて、渦が発生しなくなり、気流の乱れがなくなる。
ス噴出口より噴出されたガスが、縦型基板ホルダ３と整
流板52aとの間の空間、及び縦型基板ホルダ３と整流板5
2bとの間の空間を上部より下方に向かって、基板２及び
縦型基板ホルダ３の表面に沿って流れるため、真空排気
口27より真空室１内を真空排気するときには、基板２と
整流板52a 52bとの間において、常に、ガスは乱れを生
ぜず、整流となっており、基板２の表面に付着するダス
トの量が非常に少なくなる。又、ガス導入口26より真空
室１内にガスを導入して、真空室１内を急激に真空から
大気圧に戻すときも、ガス導入管54のガス噴出口より噴
出されたガスは、基板２と整流板52a 52bとの間におい
て、常に、乱れを生じることなく、整流となって流れる
ため、基板２の表面にはダストが付着しずらくなる。更
に、真空排気口27が室壁となる傾斜した底板1aの最下部
に設けられているため、真空排気時、ガスは傾斜した底
板1aに沿って流れ、真空排気口27の入口近傍の空間にお
いて、渦が発生しなくなり、気流の乱れがなくなる。
次に、第２表は、第１表と同様に、約1000の容積の
真空室１内を真空排気したとき、５インチウェハーの表
面に付着した径0.5μ以上のダストの量を示している。
真空室１内を真空排気したとき、５インチウェハーの表
面に付着した径0.5μ以上のダストの量を示している。
第１表と第２表とを比較すると、この発明の第１実施
例によれば、ゆるやかな排気を行なわなくても、基板の
表面へのダストの付着を防止できることがわかる。
例によれば、ゆるやかな排気を行なわなくても、基板の
表面へのダストの付着を防止できることがわかる。
なお、第１実施例を示す図において、58、59は基板２
等を加熱するランプヒータ、60はガス導入管54の回りに
配設された笠である。
等を加熱するランプヒータ、60はガス導入管54の回りに
配設された笠である。
次に、第６図〜第９図はこの発明の第２実施例を示し
ている。第２実施例は、整流板52a 52bが金属製である
点と、基板２等を加熱するランプヒータがない点とにお
いて、第１実施例と相違しているが、その他の点は第１
実施例と同様につき、その説明を省略する。
ている。第２実施例は、整流板52a 52bが金属製である
点と、基板２等を加熱するランプヒータがない点とにお
いて、第１実施例と相違しているが、その他の点は第１
実施例と同様につき、その説明を省略する。
ところで、上記第１及び第２実施例は縦型基板ホルダ
３を使用しているが、これに限定されることなく、横型
基板ホルダを使用してもよい。その場合には、平行な一
対の整流板も横になると共に、ガス導入管のガス噴出口
より噴出されるガスも横向きとなる。また、上記第１及
び第２実施例のガガス導入管のガス噴出口は多数の穴よ
りできているが、穴の代りに、スリット状であってもよ
い。更に、上記第１及び第２実施例は縦型基板ホルダ３
の両側にそれぞれ基板２を着脱自在に取付けてているた
め、縦型基板ホルダ３の両側に整流板52a、52bを配設し
ているが、これに限定されることなく、基板を着脱自在
に取付けている側が基板ホルダの片側だけであれば、基
板ホルダの片側だけに整流板を、基板ホルダと所定の間
隔をおいて配設してもよい。基板ホルダの片側だけに整
流板を配設するのは、縦型基板ホルダに限らず、横型基
板ホルダの場合も同様である。
３を使用しているが、これに限定されることなく、横型
基板ホルダを使用してもよい。その場合には、平行な一
対の整流板も横になると共に、ガス導入管のガス噴出口
より噴出されるガスも横向きとなる。また、上記第１及
び第２実施例のガガス導入管のガス噴出口は多数の穴よ
りできているが、穴の代りに、スリット状であってもよ
い。更に、上記第１及び第２実施例は縦型基板ホルダ３
の両側にそれぞれ基板２を着脱自在に取付けてているた
め、縦型基板ホルダ３の両側に整流板52a、52bを配設し
ているが、これに限定されることなく、基板を着脱自在
に取付けている側が基板ホルダの片側だけであれば、基
板ホルダの片側だけに整流板を、基板ホルダと所定の間
隔をおいて配設してもよい。基板ホルダの片側だけに整
流板を配設するのは、縦型基板ホルダに限らず、横型基
板ホルダの場合も同様である。
（発明の効果） この発明は、上記のような構成をし、ガス噴出口付ガ
ス導入管より噴出されたガスは、基板ホルダと整流板と
の間の空間で、基板及び基板ホルダの表面に沿ってガス
が流れる。そのため、真空排気口より真空排気している
ときや、真空室内にガスを導入して真空室内を大気圧に
戻すときに、真空室内で気流の乱れがあったとしても、
整流板と対向した基板の表面は、常に、ガス噴出口付ガ
ス導入管より噴出されたガスにより、真空排気口方向に
整流された流れが形成され、基板の表面における気流の
乱れが防止される。そのため、真空排気や大気圧に戻す
のをゆっくりとしなくても、基板の表面に付着するダス
トの量が少なくなる等の効果をもっている。
ス導入管より噴出されたガスは、基板ホルダと整流板と
の間の空間で、基板及び基板ホルダの表面に沿ってガス
が流れる。そのため、真空排気口より真空排気している
ときや、真空室内にガスを導入して真空室内を大気圧に
戻すときに、真空室内で気流の乱れがあったとしても、
整流板と対向した基板の表面は、常に、ガス噴出口付ガ
ス導入管より噴出されたガスにより、真空排気口方向に
整流された流れが形成され、基板の表面における気流の
乱れが防止される。そのため、真空排気や大気圧に戻す
のをゆっくりとしなくても、基板の表面に付着するダス
トの量が少なくなる等の効果をもっている。
第１図〜第５図はこの発明の第１実施例を示しており、
第１図は縦断面図、第２図は第１図のＩ−Ｉ線で切断し
た断面図、第３図は一部切欠横断面図、第４図は左側面
図、第５図は説明図である。第６図〜第９図はこの発明
の第２実施例を示しており、第６図は縦断面図、第７図
は第６図のII−II線で切断した断面図、第８図は一部切
欠横断面図、第９図は右側面図である。第10図〜第13図
は従来の仕込・取出室を示しており、第10図は縦断面
図、第11図は第10図のIII−III線で切断した断面図、第
12図は一部切欠横断面図、第13図は説明図である。 図中 １……真空室 1a……底板（傾斜した室壁） ２……基板 ３……基板ホルダ 18……搬送機構 27……真空排気口 52a……整流板 52b……整流板 54……ガス導入管
第１図は縦断面図、第２図は第１図のＩ−Ｉ線で切断し
た断面図、第３図は一部切欠横断面図、第４図は左側面
図、第５図は説明図である。第６図〜第９図はこの発明
の第２実施例を示しており、第６図は縦断面図、第７図
は第６図のII−II線で切断した断面図、第８図は一部切
欠横断面図、第９図は右側面図である。第10図〜第13図
は従来の仕込・取出室を示しており、第10図は縦断面
図、第11図は第10図のIII−III線で切断した断面図、第
12図は一部切欠横断面図、第13図は説明図である。 図中 １……真空室 1a……底板（傾斜した室壁） ２……基板 ３……基板ホルダ 18……搬送機構 27……真空排気口 52a……整流板 52b……整流板 54……ガス導入管
Claims (3)
- 【請求項１】真空室と、該真空室内に備えられ、基板を
着脱自在に取付けた基板ホルダを搬送する搬送機構を有
し、真空排気口より真空室内を真空排気したり、あるい
は真空排気された真空室内に気体を導入して、真空室内
を大気圧に戻す仕込・取出室において、上記基板ホルダ
の基板を着脱自在に取付けた側に、上記基板ホルダと所
定の間隔をもって配設した整流板と、上記基板及び基板
ホルダの表面に沿って大気圧に戻す際のガスを流すため
に、ガスを噴出して、上記基板ホルダと整流板との間の
空間に噴出したガスを流すガス噴出口付ガス導入管とを
備え、真空室内で気流の乱れがある場合でも、整流板と
対向した基板の表面は、ガス噴出口付ガス導入管から噴
出されたガスにより、真空排気口方向に整流されたガス
流が形成されるように構成されたことを特徴とする仕込
・取出室。 - 【請求項２】上記基板ホルダの両側に上記整流板を配設
していることを特徴とする請求項１記載の仕込・取出
室。 - 【請求項３】仕込・取出室の一部の室壁を傾斜させ、こ
の傾斜した室壁に上記真空排気口を設けたことを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の仕込・取出室。
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