JP2001049432A - ワーク移動式反応性スパッタ装置とワーク移動式反応性スパッタ方法 - Google Patents

ワーク移動式反応性スパッタ装置とワーク移動式反応性スパッタ方法

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JP2001049432A
JP2001049432A JP11218490A JP21849099A JP2001049432A JP 2001049432 A JP2001049432 A JP 2001049432A JP 11218490 A JP11218490 A JP 11218490A JP 21849099 A JP21849099 A JP 21849099A JP 2001049432 A JP2001049432 A JP 2001049432A
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shield
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Kosei Sumida
孝生 隅田
Muneya Araki
宗也 荒木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のプロセス部2A、2Bを分離部3を
介して連接し、各プロセス部2A、2Bにそれぞれ互い
に独立したガス雰囲気をつくり、そのプロセス部2A、
2Bにてそれぞれ異なる成膜をスパッタにより行うワー
ク移動式(搬送台車インライン方式)反応性スパッタに
おいて、CRT搭載台車10の大きさの違いに対する対
応度を高め、且つガス交換の必要性をなくし、ガス交換
時間の存在によってCRT台車10の転送に時間が長く
かかるという問題をなくす。 【解決手段】 分離用ガス、例えば不活性ガスアルゴン
Arを略垂直方向に供給する手段5を設けて分離用ガス
カーテンを形成するようにし、更に、分離部3内にすだ
れ状遮蔽物8を配設してプロセス2A、2B内の放電ガ
ス雰囲気間の分離を行い、その状態で、各プロセス部2
A、2Bでの独立したスパッタを行うと共に、CRT1
1のプロセス部2A・2B間における移動を行うように
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のプロセス部
を分離部を介して連接し、該各プロセス部にそれぞれ互
いに独立したガス雰囲気をつくり、そのプロセス部にて
それぞれ異なる成膜をスパッタにより行うワーク移動式
(搬送台車インライン方式)反応性スパッタ装置と、そ
れを用いたワーク移動式反応性スパッタ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】陰極線管(CRT)の画面(管面)に反
射防止膜等の機能性薄膜を形成する方法の一つとして、
管面に直接コーティングをする方法がある。その直接コ
ーティング方法には、従来、図5(側面図)に示すよう
なインライン方式(ワーク、即ち、被コーティング体、
例えばCRTが移動する方式)の反応性スパッタ装置1
00が使用された。同図において、101は第1のプロ
セス部、102は第2のプロセス部、103はその二つ
のプロセス部101・102間に配置された分離部、1
04は第1のプロセス部101と分離部103との間
に、105は第2プロセス部101と分離部103との
間に、設けられた間仕切り板で、上下方向に移動してそ
の間を開閉する。
【0003】106は入り口側(CRTがローディング
される側)の、107は出口(CRTがアンローディン
グされる側)のゲート、108はガスAをプロセス部1
01及び分離部103に供給するガス管、109はガス
Bをプロセス部102及び分離部103に供給するガス
管、110はガス管108の分離部103にガス供給す
る部分に設けたバルブ、111はガス管109の分離部
103にガス供給する部分に設けたバルブである。
【0004】第1と第2の二つのプロセス部101、1
02を設けるのは、機能性薄膜に要求される特性の多様
化に対応して膜が多層化し、多層膜を構成する各膜毎に
別々のガスを形成する必要性に能率的に応えるためであ
る。即ち、一つの装置内に、別々に圧力調整された放電
ガス雰囲気をつくるために、二つのプロセス部101、
102を設け、その間に2枚の間仕切り板104、10
5を離間して設け(その間仕切り板104・105間が
分離部103である。)ており、その分離部103内に
その別々放電ガスを交互に入れ換え、CRTを載せた台
車をプロセス部101、102に搬送してそこでCRT
の管面に薄膜をスパッタにより形成します。
【0005】より具体的に説明すると、二つのプロセス
部101及び102にて間仕切り板104及び105を
共に閉状態にして、その状態で各プロセス部101及び
102にて並行してスパッタを行い、そのスパッタが終
わると、その間の分離部103に例えばガスAを供給
し、その分離部103をガスAの雰囲気にし、その後、
間仕切り板104を開いてプロセス部101をガスAの
雰囲気にしてその中にCRTを載せた台車を入れる。次
に、間仕切り板104及び105を閉じた状態にし、分
離部103を真空排気し、その後、その分離部103を
ガスBの雰囲気にし、更に間仕切り板105を開き、搬
送台車を払い出します。このようにしてCRT台車の移
動を行います。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の上述
したワーク移動式反応性スパッタ装置によれば、上記間
仕切り板104、105による放電ガス雰囲気の分離を
行うので、間仕切り板104、105が不可欠であり、
その設置位置が固定され、CRT搭載台車の大きさの変
化等に対応することが難しいという問題もあった。とい
うのは、CRTの多様化により大型のCRTが現れ、そ
れに対応してCRT搭載台車を大きくして能率低下を回
避する必要があるが、間仕切り板104、105を完全
に閉じた状態でスパッタをする必要があるため、CRT
搭載台車の大型化に対応することが制約されるという問
題があったのである。
【0007】また、上記機械的なガス雰囲気分離手段に
よれば、間仕切り板104、105の開閉動作に要する
時間及び間仕切り板104・105間(分離部103)
の放電ガスを交互に入れ換えるに要する時間が長くかか
り、生産性の向上を阻害する要因となるという問題もあ
った。更に、従来においては、図6に示すように、各プ
ロセス部における放電ガスの種類は一つに限定され、そ
のため、膜構成は従来においては、GLASS/TIO
2/Si34/airというような2層構造に限定され
ると言う問題もあった。図6におけるTi、Siはター
ゲットを示し、スパッタ装置の同図における左側のプロ
セス部には放電ガス02を、左側のプロセス部には放電
ガスN2を供給し、左側のプロセス部ではTIO2を、右
側のプロセス部ではSi34を形成するようにしてい
る。
【0008】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、CRT等のワークを搭載するワーク
搭載台車の大きさの違いに対する対応度を高め、更に膜
特性に対する要求に応じた膜構成の変更、多層化を容易
にし、且つガス交換の必要性をなくし、ガス交換時間の
存在によってワーク搭載台車の転送に時間が長くかかる
という問題をなくし、効率を高めることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、分離部内に、
不活性ガスを略垂直方向に供給する手段を設け、更に、
上記分離部内にすだれ状遮蔽物を配設してなる、或いは
そのようにすることを特徴とする。
【0010】従って、本発明によれば、複数のプロセス
部間に分離部があり、この分離部に複数のプロセス部の
該分離部を介しての連設方向と交差する方向に不活性ガ
スを供給するので、先ずこの不活性ガスの流れによるガ
スカーテンが形成されることから複数のプロセス部の放
電ガス雰囲気間を分離することができるうえ、更に上記
分離部内にすだれ状遮蔽物を配設したので、そのすだれ
状遮蔽物により分離部を挟む複数プロセス部間の放電ガ
スの拡散を抑制することができる。依って、複数のプロ
セス部間の放電ガス雰囲気間を有効に分離することがで
きる。また、図4に示すように、左側の部分及び右側の
部分には例えば放電ガスN 2を、中間の部分には例えば
放電ガス02を供給して、例えばGLASS/Si34
/TIO2/Si34/airというようなより複雑な
膜構成を容易に得ることができ得る。
【0011】そして、間仕切り板の開閉という動作は全
く必要ではなく、不活性ガスを供給しながらそれによる
ガスカーテンと、すだれ状遮蔽物とにより放電ガス雰囲
気間を分離しながらスパッタ、複数プロセス部間のワー
ク搭載台車の移動を行うことができ、台車移動に面倒な
ガス交換や、間仕切り板の開閉という面倒な作業を必要
としなくなり、延いては生産性の向上を図ることができ
る。
【0012】また、ワーク移動式反応性スパッタ装置内
に間仕切り板を配置する必要がなく、分離部内にCRT
搭載台車の一部が入っても支障なくスパッタができ、ワ
ーク搭載台車の大きさの違いに対する対応度を高めるこ
とができる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明において、分離用ガスカー
テンを成すガスは不活性ガスが好適であり、最も好適と
言えるのはアルゴンArである。しかし、それ以外のガ
スを用いても良い。その場合のガスの種類は、分離部の
両側のプロセス部に供給されるガスの種類等に応じて適
宜選択すべきである。
【0014】すだれ状遮蔽物は、例えばテフロン(登録
商標)等の薄い(例えば厚さ0.2mm)板の上端部を
除く部分を短冊状にしたものを用いると良い。というの
は、すだれ状遮蔽物がCRTと接する部分まで垂下さ
せ、CRTの基部(ネックの先端)に触れてもそれを傷
付けないようにできるからである。
【0015】また、短冊状の薄板はCRT搬送方向に対
して略垂直に設けるのが好ましいと言える。なぜなら
ば、その薄板によりより有効に複数プロセス部間におけ
る放電ガスの拡散に対するコンダクタンスを増加させる
ことができ、分離効果を強めることができるからであ
る。
【0016】
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図1、図2は本発明ワーク移動式反応性スパッ
タ装置の一つの実施例の概略構成を示すものであり、図
1(A)は平面断面図、(B)は正面断面図、図2はワ
ーク移動式反応性スパッタ装置をその分離部で切断した
横断面図である。図面において、1はワーク移動式反応
性スパッタ装置、2Aは第1のプロセス部、2Bは第2
のプロセス部、3はその第1及び第2のプロセス部2A
・2B間に設けられた分離部で、該分離部3と、プロセ
ス部2A及び2Bとの間には間仕切り板が設けられてお
らず、これら分離部3及びプロセス部2A、2Bは互い
に連通している。
【0017】4Aは第1のプロセス部2A内に放電ガス
Aを供給する供給管、4Bは第2のプロセス部2B内に
放電ガスBを供給する供給管、5は上記分離部3内に分
離用の不活性ガス、例えばアルゴンArガスを供給する
供給管で、該供給管5は例えば3本の供給部5a、5
b、5cに分岐され、ノズルを通じて下から上に噴出さ
れ、分離用のガスカーテンをつくる。6Aは第1のプロ
セス部2A内を、6Bは第2のプロセス部2B内を真空
引きする真空ポンプ、7は分圧センサである。
【0018】8、8、・・・は分離部3の天井に設けら
れたガス吸引部9側から垂下されたすだれ状の遮蔽物
で、例えば、薄い(厚さ例えば0.2mm)成形したテ
フロン板に切り込み8a、8a、・・・を入れて短冊状
にしてなる。短冊状にするのは、CRT搭載台車10の
移動時にCRT11のネック部12がすだれ状遮蔽物
8、8、・・・に触れても該すだれ状遮蔽物8、8、・
・・によってネック部12が傷つくおそれを無くするこ
とができるからである。このすだれ状遮蔽物8はCRT
搭載台車10に搭載された下向きのCRT110のネッ
ク部12が通るところに垂下されており、下から上向き
に噴出される分離用ガスの流れに対してはコンダクタン
スをほとんど増加させないが、プロセス部4A・4B間
の放電ガスの横方向への流れ、拡散に対してはコンダク
タンスが増える。
【0019】従って、プロセス部4Aの放電ガスAの雰
囲気とプロセス部4Bの放電ガスBの雰囲気との間を上
記分離用のアルゴンArガスによるガスカーテンと、上
記すだれ状遮蔽物8により分離することができる。従っ
て、各プロセス部4A、4Bにおいて、それぞれ独立し
てスパッタができる。尚、13はターゲットである。
【0020】図3は、図5に示す従来のワーク移動式反
応性スパッタ装置での下記の4つの条件下で第2のプロ
セス部2Bにおける放電ガスBの分圧を測定を実施した
ケースでの分圧測定結果を示すものであり(尚、全圧は
一定)、横軸は上記条件(1〜4)、縦軸は分圧(To
rr)である。これにより、条件の違いによるガス分離
効果の違いが解る。 条件1:間仕切り板を2枚共開にした場合 条件2:間仕切り板を2枚共開にし、更に、本実施例と
同様にCRT搭載用の台車口部にすだれ状遮蔽物を設
け、更に搬送方向の搬送口以外に隔壁を設置
【0021】条件3:間仕切り板を2枚共開にし、更
に、本実施例と同様にCRT搭載用の台車口部にすだれ
状遮蔽物を設け、更に搬送方向の搬送口以外に隔壁を設
置(条件2と同じ)した上、本実施例と同様にアルゴン
Arガスによるガスカーテンを形成する。 条件4:間仕切り板2を2枚とも閉にし、プロセス部1
01(図4参照)には放電ガスAとアルゴンArガスと
の混合ガスを供給し、プロセス部102にはガスBを供
給し、分離部103にはアルゴンArガスを供給
【0022】尚、図中において、●は全圧、▲はアルゴ
ンArガス、◆は反応ガスA、■は反応ガスBをそれぞ
れ示す。
【0023】図3から明らかなように、条件3は、条件
4の場合よりも反応ガスA・B間の分離効果が悪いが、
しかし、条件1よりも分離効果は良く、条件2と比較し
ても分離効果は同等であり、アルゴンArガスによるガ
スカーテンとすだれ状遮蔽物による分離効果により間仕
切り板を用いなくとも条件1よりも優れ、条件2と同等
の実用上問題のない程度の分離効果を充分に得ることが
できる。
【0024】従って、間仕切り板の開閉というようなこ
とを全くしなくても各プロセス室で独立してスパッタが
でき、また、スパッタ終了後における複数プロセス部間
のCRT搭載台車の移動を行うことができ、台車移動に
あたっての面倒なガス交換や、間仕切り板の開閉という
面倒な作業を必要としなくなることが図3から解る。将
に、本ワーク移動式反応性スパッタ装置はそのことを最
大限に利用しているのである。
【0025】即ち、本ワーク移動式反応性スパッタ装置
を用いて、常にアルゴンArガスによるガスカーテンを
形成する状態で、各プロセス部2A、2Bでの独立して
のスパッタによる機能性薄膜の形成を行い、また、その
スパッタ終了後におけるCRT搭載台車10の移動を行
うという方法で機能性薄膜の形成を順次進行させるので
ある。従って、本方法によれば、台車移動にあたっての
面倒なガス交換や、間仕切り板の開閉という面倒な作業
を必要としなくなり、延いては生産性の向上を図ること
ができる。
【0026】また、本ワーク移動式反応性スパッタ装置
を用いた場合、ワーク移動式反応性スパッタ装置内に間
仕切り板が配置されていないので、分離部内にCRT搭
載台車の一部が入っても支障なくスパッタができ、CR
T搭載台車の大きさの違いに対する対応度を高めること
ができる。即ち、スパッタ時にCRT搭載台車10の一
部が分離部3内に入り込むことが許容され、図5に示す
従来のワーク移動式反応性スパッタ装置において間仕切
り板が存在していた故に存在する物理的制約が軽減され
る。
【0027】図4は、本発明の別の実施例を示す平面断
面図である。本発明に係るスパッタ装置は、ガスカーテ
ンによる遮蔽は遮蔽位置を変えたりすることが容易であ
り、また、遮蔽位置間に実質的に一室を形成して、左右
のプロセス部とは別の放電ガスを供給できるようにする
ことが可能である。そこで、同図における左側の部分に
は放電ガスN2を供給してSi34を形成し、ガスカー
テン間の部分にはO2を供給してTIO2を形成し、右側
の部分には放電ガスN2を供給してSi34を形成する
ようにするようにしたものであり、これによりGLAS
S/Si34/TIO2/Si34/airの三層構造
の膜が一台のスパッタ装置で形成することができる。図
中のSi、Tiはシリコン、チタンのターゲットであ
る。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、複数のプロセス部間に
分離部があり、この分離部に複数のプロセス部の該分離
部を介しての連設方向と交差する方向に不活性ガスを供
給するので、先ずこの不活性ガスの流れによるガスカー
テンが形成されることから複数のプロセス部の放電ガス
雰囲気間を分離することができるうえ、更に上記分離部
内にすだれ状遮蔽物を配設したので、そのすだれ状遮蔽
物により分離部を挟む複数プロセス部間の放電ガスの拡
散を抑制することができる。依って、複数のプロセス部
間の放電ガス雰囲気間を有効に分離することができる。
【0029】そして、間仕切り板の開閉という動作は全
く必要ではなく、不活性ガスを供給しながらそれによる
ガスカーテンと、すだれ状遮蔽物とにより放電ガス雰囲
気間を分離しながらスパッタ、複数プロセス部間のCR
T搭載台車の移動を行うことができ、台車移動に面倒な
ス交換や、間仕切り板の開閉という面倒な作業を必要と
しなくなり、延いては生産性の向上を図ることができ
る。また、図4に示すように、左側の部分及び右側の部
分には例えば放電ガスN2を、中間の部分には例えば放
電ガス02を供給して、例えばGLASS/Si34
TIO2/Si34/airというようなより複雑な膜
構成を容易に得ることができ得る。
【0030】また、ワーク移動式反応性スパッタ装置内
に間仕切り板を配置する必要がなく、分離部内にCRT
搭載台車の一部が入っても支障なくスパッタができ、C
RT搭載台車の大きさの違いに対する対応度を高めるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)、(B)は本発明ワーク移動式反応性ス
パッタ装置の一つの実施例の概略構成を示すものであ
り、(A)は平面断面図、(B)は正面断面図である。
【図2】上記実施例をその分離部で切断した横断面図で
ある。
【図3】図5に示す従来のワーク移動式反応性スパッタ
装置での下記の4つの条件下で第2のプロセス部2Bに
おける放電ガスBの分圧を測定を実施したケースでの分
圧測定結果を示すものであり(尚、全圧は一定)、横軸
は上記条件(1〜4)、縦軸は分圧(Torr)であ
る。
【図4】本発明の別の実施例におけるターゲットの配置
及び放電ガスの供給の仕方を示す平面断面図である。
【図5】ワーク移動式反応性スパッタ装置の従来例の概
略構成を示す平面断面図である。
【図6】図5に示す従来例におけるターゲットの配置及
び放電ガスの供給の仕方に関する一例を示す平面断面図
である。
【符号の説明】
1・・・ワーク移動式反応性スパッタ装置、2A、2B
・・・プロセス部、3・・・分離部、5・・・分離用ガ
ス供給手段、8・・・すだれ状遮蔽物、10・・・CR
T搭載台車、11・・・CRT(ワーク)、12・・・
CRT(ワーク)のネック部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K029 AA09 BA17 BA35 BA48 BA58 BB02 CA06 DA04 DC05 DC16 KA01 KA05 5C012 AA01 5C028 AA01 AA10

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のプロセス部を分離部を介して連設
    し、該各プロセス部にそれぞれ互いに独立したガス雰囲
    気をつくり、そのプロセス部にてそれぞれ独立して成膜
    をスパッタにより行うワーク移動式反応性スパッタ装置
    において、 上記分離部内に、分離用ガスを複数のプロセス部の連設
    方向と交差する方向に供給する分離用ガス給手段を設
    け、 更に、上記分離部内にすだれ状遮蔽物を配設してなるこ
    とを特徴とするワーク移動式反応性スパッタ装置。
  2. 【請求項2】 複数のプロセス部を分離部を介して連設
    し、該記各プロセス部にそれぞれ互いに独立したガス雰
    囲気をつくり、そのプロセス部にてそれぞれ独立して成
    膜をスパッタにより行うワーク移動式反応性スパッタ方
    法において、 上記分離部内にすだれ状遮蔽物を垂下状に配設し、 上記分離部内に、複数のプロセス部の連設方向と交差す
    る方向に不活性ガスをを供給して分離用ガスカーテンを
    形成し、該分離用ガスカーテンにより複数のプロセス部
    のガス雰囲気を分離した状態で、スパッタ及び被スパッ
    タ物の移動を行うことを特徴とするワーク移動式反応性
    スパッタ方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032752A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate production equipment
WO2009033674A2 (en) * 2007-09-11 2009-03-19 Centrotherm Photovoltaics Ag Method and apparatus for thermally converting metallic precursor layers into semiconducting layers, and also solar module
WO2010100560A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-10 Centrotherm Photovoltaics Ag Process and device for the thermal conversion of metallic precursor layers into semiconducting layers with chalcogen recovery
CN102024870A (zh) * 2010-04-19 2011-04-20 福建欧德生光电科技有限公司 半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法
CN104937706A (zh) * 2012-07-09 2015-09-23 法国圣戈班玻璃厂 用于处理衬底的设备和方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008032752A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate production equipment
WO2009033674A2 (en) * 2007-09-11 2009-03-19 Centrotherm Photovoltaics Ag Method and apparatus for thermally converting metallic precursor layers into semiconducting layers, and also solar module
WO2009033674A3 (en) * 2007-09-11 2009-05-22 Centrotherm Photovoltaics Ag Method and apparatus for thermally converting metallic precursor layers into semiconducting layers, and also solar module
WO2009034131A3 (en) * 2007-09-11 2009-05-22 Centrotherm Photovoltaics Ag Method and arrangement for providing chalcogens
WO2010100560A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-10 Centrotherm Photovoltaics Ag Process and device for the thermal conversion of metallic precursor layers into semiconducting layers with chalcogen recovery
CN102024870A (zh) * 2010-04-19 2011-04-20 福建欧德生光电科技有限公司 半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法
CN104937706A (zh) * 2012-07-09 2015-09-23 法国圣戈班玻璃厂 用于处理衬底的设备和方法
US9926626B2 (en) 2012-07-09 2018-03-27 Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry System and method for processing substrates
CN104937706B (zh) * 2012-07-09 2019-02-26 蚌埠玻璃工业设计研究院 用于处理衬底的设备和方法

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