JPH05263228A

JPH05263228A - スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH05263228A
Application number: JP6368092A
Authority: JP
Inventors: Naoki Suzuki; 尚樹鈴木
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1992-03-19
Filing date: 1992-03-19
Publication date: 1993-10-12

Abstract

(57)【要約】【目的】メインテナンス性が向上し、ごみなどが付着
しにくく、薄膜の厚さを任意に設定できるスパッタリン
グ装置を提供する。【構成】被処理基板Ｂを搬入室１から搬入し、搬送室
４内の搬送機構11に取り付ける。被処理基板Ｂを、搬送
室４の搬送機構11によって搬入室１から搬送室４に枚様
式に搬送し、予備の加熱機構６によって加熱する。搬送
機構11は被処理基板Ｂを反応室２に搬送し、被処理基板
Ｂをマスク16に保持させ、搬送機構11は被処理基板Ｂを
外した状態で搬送室４に戻る。被処理基板Ｂをマスク16
に保持した状態で、加熱機構６は加熱機構支柱17を滑動
移動し、被処理基板Ｂの裏面の所定位置に静止し、被処
理基板Ｂを加熱する。ターゲットユニット５に電力を供
給して移動する。マスク16に保持された被処理基板Ｂの
前面を移動速度で通過し被処理基板Ｂに薄膜を堆積させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被処理基板に薄膜を形
成するスパッタリング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種のスパッタリング装置とし
ては、図４に示すように、搬入用の搬入室１、この搬入
室１に連設された薄膜形成用の真空炉の反応室２、この
反応室２に連設され搬出を行なう搬出室３、および、搬
出室３と搬入室１との間を搬送する搬送室４から構成さ
れたインラインスパッタリング方式が知られている。

【０００３】また、反応室２は、図３に示すように、タ
ーゲットユニット５および複数の加熱機構６が固定して
配設されている。さらに、ターゲットユニット５に対向
するとともに加熱機構６間に位置して、被処理基板Ｂを
保持し、搬送するホルダ７が移動するようになってい
る。

【０００４】そして、図示していない基板着脱部にて、
被処理基板Ｂをホルダ７に装着し、このホルダ７を、搬
入室１から搬入し、反応室２にて薄膜を形成し、搬出室
３に取り出される。また、反応室２は真空であるため、
搬入室１および搬出室３は、ホルダ７が搬入および搬出
されるごとに、大気圧から所定の気圧の真空に、あるい
は、所定の気圧の真空から大気圧にされ、反応室２の所
定の圧力およびグロー放電が維持される。そして、この
ホルダ７は真空でない搬送室４を搬送され、図示してい
ない基板着脱部にて被処理基板Ｂをホルダ７に着脱し、
薄膜形成を繰り返す。

【０００５】また、反応室２では、ホルダ７に装着され
た被処理基板Ｂが、加熱機構６により温度を制御されな
がら、ターゲットユニット５の前面を所定の速度で搬送
され、被処理基板Ｂに薄膜を形成している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
３および図４に示す従来のスパッタリング装置では、被
処理基板Ｂを装着したホルダ７が加熱機構６を有する反
応室２などの真空炉中の真空雰囲気と装置設置場所雰囲
気を移動して薄膜形成の過程をたどることになり、ホル
ダ７等に付着した薄膜が、雰囲気の急激な変化のため剥
離し、ごみとなって反応室２で薄膜中に取り込まれる。
さらに、ホルダ７のごみなどを付着を防止するため、交
換が必要で有りメンテナンス性が悪い問題を有してい
る。

【０００７】また、ホルダ７の移動速度に合わせて、被
処理基板Ｂに薄膜が形成されるため、被処理基板Ｂの表
面に形成される膜厚は、ターゲットユニット５に供給さ
れる供給電源容量に制限されてしまう問題を有してい
る。

【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、メインテナンス性が向上し、ごみなどが付着しにく
く、薄膜の厚さを任意に設定できるスパッタリング装置
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板を
搬送する機構を有する搬送室と、この搬送室に連設され
所定のガス雰囲気の真空炉内のターゲットユニットにグ
ロー放電を生じさせ、前記搬送機構によって搬送された
前記被処理基板に薄膜を形成する反応室とを備えたスパ
ッタリング装置において、前記ターゲットユニットは、
静止した前記被処理基板に対して移動して薄膜を堆積形
成するものである。

【００１０】

【作用】本発明は、ターゲットユニットが、静止した被
処理基板に対して移動して薄膜を堆積形成するため、被
処理基板の移動量が減少しごみが発生しにくくなり、装
置設置場所雰囲気に影響されること無く、再現性良く、
良好な膜質で、かつ、投入可能電力に制限されない膜厚
の薄膜を堆積する。

【００１１】

【実施例】以下、本発明のスパッタリング装置の一実施
例を図面を参照して説明する。なお、図３および図４に
示す従来のスパッタリング装置に対応する部分には同一
符号を付して説明する。

【００１２】図２に示すように、搬入用の搬入室１、こ
の搬入室１に連設された搬送用の搬送室４、この搬送室
４に連設され搬出を行なう搬出室３、および、搬送室４
に連設され薄膜形成用の真空炉の反応室２を有してい
る。すなわち、反応室２は、搬送室４にのみ連設され、
被処理基板Ｂは搬送室４により反応室２に搬出入されて
いる。

【００１３】また、図１に示すように、搬送室４内は、
被処理基板Ｂを予備加熱する加熱機構６および被処理基
板Ｂを反応室２に搬送する搬送機構11が設置されてい
る。

【００１４】一方、反応室２は搬送室４に連通孔12にて
連通され、この連通孔12は仕切体13にて開閉自在であ
り、反応室２内には被処理基板Ｂに薄膜を堆積させるタ
ーゲットユニット５がターゲットユニット搬送機構14に
てターゲットユニット支柱15に保持され、ターゲットユ
ニット搬送機構14は、ターゲットユニット支柱15を案内
として滑動する構造となっている。

【００１５】また、ターゲットユニット５がターゲット
ユニット支柱15のほぼ中央に位置した場合、ターゲット
ユニット５に対向して、被処理基板Ｂを薄膜堆積中に保
持するマスク16が固定されている。さらに、反応室２内
には被処理基板Ｂを加熱する加熱機構６が設けられ、こ
の加熱機構６は、ターゲットユニット支柱15に対して平
行な加熱機構支柱17を案内として滑動する構造となって
いる。

【００１６】そして、反応室２および搬送室４は図示し
ていない排気装置に連通する反応室排気孔18および搬送
室排気孔19がそれぞれ形成され、これら反応室排気孔18
および搬送室排気孔19にてそれぞれ排気されるようにな
っている。

【００１７】次に、上記実施例の動作について説明す
る。

【００１８】まず、被処理基板Ｂを搬入室１から搬入
し、搬送室４内の搬送機構11に取り付ける。そして、被
処理基板Ｂは、搬送室４の搬送機構11によって搬入室１
から搬送室４に枚様式に搬送され、予備の加熱機構６に
よって加熱される。この時、搬送室４内は図示していな
いガス供給機構により、反応室２の圧力と同一に調圧し
ておく。その後、仕切体13を開き、搬送機構11は加熱し
た被処理基板Ｂを連通孔12から反応室２に搬送し、被処
理基板Ｂをマスク16に保持させ、搬送機構11は被処理基
板Ｂを外した状態で搬送室４に戻るとともに、仕切体13
は連通孔12を閉塞する。したがって、被処理基板Ｂを保
持するマスク16は反応室２の真空炉外に出ることはな
い。

【００１９】そして、被処理基板Ｂがマスク16に保持さ
れた状態で、加熱機構６は、加熱機構支柱17を滑動移動
し、被処理基板Ｂの裏面の所定位置に静止し、被処理基
板Ｂを加熱する。

【００２０】また、ターゲットユニット５に図示してい
ない電源より電力を供給し、放電開始後、ターゲットユ
ニット搬送機構14によりターゲットユニット支柱15を案
内として、マスク16に保持された被処理基板Ｂの前面を
移動速度で通過し、被処理基板Ｂに薄膜を堆積させる。
この時、ターゲットユニット５の移動速度は任意に設定
する。

【００２１】被処理基板Ｂに薄膜を形成した後は、搬送
機構11により反応室２から搬送室４に被処理基板Ｂを搬
出し、さらに、搬出室３を介して被処理基板Ｂを搬出す
る。

【００２２】上記実施例のスパッタリング装置によれ
ば、ターゲットユニット５が任意の速度で被処理基板Ｂ
の前面を移動するため、従来のように、被処理基板Ｂの
搬送速度に制限されることがなくなるので、ターゲット
ユニット５の供給可能電力に制限されること無く、薄膜
の堆積速度を任意に制御できる。また、反応室２の真空
炉内から被処理基板Ｂを保持するマスク16を取り出す必
要が無いため、マスク16に堆積されたごみが雰囲気の急
激な変化により剥離することを防止できる。

【００２３】したがって、従来のように、薄膜の膜厚が
任意に制御できず、被処理基板Ｂを保持するホルダなど
に付着した不純物ガスの影響、ホルダに付着した薄膜が
雰囲気変化により剥がれることが無く、再現性良く良好
な膜質のスパッタリングによる薄膜堆積を被処理基板Ｂ
に行なうことができる。

【００２４】

【発明の効果】本発明のスパッタリング装置によれば、
ターゲットユニットは、静止した被処理基板に対して移
動して薄膜を堆積形成するため、被処理基板の移動量が
減少しごみが発生しにくくなり、装置設置場所雰囲気に
影響されること無く、再現性良く、良好な膜質で、か
つ、投入可能電力に制限されない膜厚の薄膜を堆積する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリング装置の一実施例を示す
断面図である。

【図２】同上スパッタリング装置の配置を示す配置図で
ある。

【図３】従来例のスパッタリング装置を示す断面図であ
る。

【図４】同上スパッタリング装置の配置を示す配置図で
ある。

【符号の説明】

２反応室４搬送室５ターゲットユニット 11 搬送機構Ｂ被処理基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板を搬送する機構を有する搬送
室と、この搬送室に連設され所定のガス雰囲気の真空炉
内のターゲットユニットにグロー放電を生じさせ、前記
搬送機構によって搬送された前記被処理基板に薄膜を形
成する反応室とを備えたスパッタリング装置において、前記ターゲットユニットは、静止した前記被処理基板に
対して移動して薄膜を堆積形成することを特徴とするス
パッタリング装置。