JPH09279341A - トレイ搬送式インライン成膜装置 - Google Patents
トレイ搬送式インライン成膜装置Info
- Publication number
- JPH09279341A JPH09279341A JP11974996A JP11974996A JPH09279341A JP H09279341 A JPH09279341 A JP H09279341A JP 11974996 A JP11974996 A JP 11974996A JP 11974996 A JP11974996 A JP 11974996A JP H09279341 A JPH09279341 A JP H09279341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tray
- film forming
- chamber
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
のトレイへの付着を防止するとともに、基板加熱の際の
時間やエネルギーロスを減少させる。 【解決手段】 基板1の搬送の順に基板搬入チャンバー
44、成膜チャンバー42、基板搬出チャンバー45が
縦設されており、基板1は、トレイ搬送系によって成膜
チャンバー42内で循環するトレイ1に載せられて成膜
手段により成膜される。基板1は搬入側基板搬送系6に
よって基板搭載位置に送られ、搬出側基板搬送系7によ
って基板回収位置から搬出される。トレイ搬送系は、基
板搭載位置に配設された搭載側受け板機構31、搭載側
トレイ搬送機構32及び搭載側垂直移動機構33と、基
板搭載位置から基板回収位置までトレイを搬送する往路
搬送機構34と、基板回収位置に配設された回収側受け
板機構35、回収側垂直移動機構36及び回収側トレイ
搬送機構37と、基板回収位置から基板搭載位置にトレ
イ1を戻す復路搬送機構38とによって構成されてい
る。
Description
に載せて搬送して基板の表面に所定の薄膜を作成するト
レイ搬送式の成膜装置であって、成膜チャンバーを含む
複数の真空チャンバーを搬送の方向に沿って縦設したイ
ンライン式の成膜装置に関する。
は、真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD(化学
的気相成長)装置等の各種のタイプのものが知られてい
る。これらの装置では、基板をトレイに載せて搬送して
基板の表面に所定の薄膜を作成するトレイ搬送式の装置
が従来より知られている。また、成膜チャンバーを含む
複数の真空チャンバーを搬送の方向に沿って縦設したイ
ンライン式の装置も従来より知られている。図9は、従
来のトレイ搬送式インライン式成膜装置の構成を説明す
る正面断面概略図である。図9に示す装置は、水平な姿
勢のトレイ1の上に基板2を載せ、このトレイ1をトレ
イ搬送系3によって水平に搬送させる。
複数の真空チャンバー41,42,43が縦設されてい
る。各々の真空チャンバー41,42,43はゲートバ
ルブ40を介して気密に接続されている。各々の真空チ
ャンバー41,42,43は、トレイ1の搬送順に、仕
込みチャンバー41、成膜チャンバー42、回収チャン
バー43になっている。成膜チャンバー42は、成膜の
方式に従って構成された成膜手段5を備えている。成膜
手段5は、例えば真空蒸着により成膜を行う場合、電子
ビーム加熱方式等の蒸発源で構成され、成膜チャンバー
42内に成膜材料よりなる蒸気流を発生させて基板2に
到達させ、成膜を行うようにする。
ャンバー41に搬入され、トレイ搬送系3がトレイ1を
搬送することで成膜チャンバー42に移動する。そし
て、上記のような成膜の後、トレイ1及び基板2は、回
収チャンバー43から搬出され、その後基板2はトレイ
1から回収される。従って、トレイ1は、大気側、真空
雰囲気、大気側の順に送られることになる。
レイ搬送式インライン成膜装置では、トレイは、大気
側、真空雰囲気、大気側の順に送られる。即ち、大気側
と成膜チャンバーとを交互に行き来する。このため、大
気側に出た際に大気中の水分や有機物がトレイに付着
し、基板に作成される膜中にこれらが取り込まれて不純
物となる。この問題を解決するには、トレイを成膜チャ
ンバーに搬入した後、充分な時間をかけて成膜チャンバ
ーを排気し、成膜チャンバー内をかなり低い真空圧力に
してから成膜を開始する方法がある。しかし、この方法
ではタクトタイムが非常に長くかかり、生産性が低下す
る欠点がある。
も堆積するが、このように膜が堆積したトレイを大気に
開放して基板を搭載する際、大気中の水分や有機物によ
って膜が汚染され、膜の表面に汚染層が形成される。そ
して、このトレイを再び成膜チャンバーに搬入して成膜
に使用すると、表面の汚染層の上にさらに膜が堆積し、
汚染層の界面を持った膜が積層されることになる。この
ように汚染層の界面のある膜は剥がれ易く、剥がれた膜
はパーティクルとなって成膜チャンバー中を浮遊し、基
板に付着することによって膜の表面欠陥等の重大な問題
を生ずることになる。
0℃程度に加熱することが多い。この場合、基板温度の
均一性を確保するため、トレイも基板温度と同様の温度
まで加熱する必要がある。従来の装置では、基板をトレ
イに搭載する際には基板もトレイも常温であり、成膜チ
ャンバーに搬入してから基板とトレイとを同時に加熱す
るようにしている。しかし、この方式では、熱容量の大
きなトレイを必要な温度に加熱するのに長い時間がかか
り、また基板のみを加熱する場合に比べ大きな電力が必
要になる。また、トレイは、大気中の常温と真空中の高
温との熱サイクルを繰り返すことになって大きなエネル
ギー損失が生ずる他、トレイに堆積した膜がトレイとの
熱膨張率の差によって剥がれやすくなり、剥がれた膜は
前述と同様にパーティクルを発生させる。
して成されたものであり、トレイが大気に開放されるこ
となくしてトレイへの基板の搭載やトレイからの基板の
回収を可能し、大気中の水分等のトレイへの付着を防止
するとともに、基板を加熱する場合にも大きな電力を必
要とせずエネルギーロスの少ない装置を提供することを
目的としている。
め、本願の請求項1記載の発明は、基板の表面に所定の
薄膜を作成する成膜手段を備えた成膜チャンバーと、大
気側から成膜チャンバーに基板を搬入する際に基板が一
時的に配置される基板搬入チャンバーと、成膜された基
板を大気側に搬出する際に基板が一時的に配置される基
板搬出チャンバーとを含む複数の真空チャンバーを基板
の搬送の方向に沿って縦設し、基板を水平に載せたトレ
イを搬送ラインに沿って搬送して成膜を行うトレイ搬送
式インライン成膜装置であって、トレイへの基板の搭載
及びトレイからの基板の回収の動作の際に大気に開放さ
れない前記成膜チャンバー又は成膜チャンバーを含む複
数の真空チャンバー内を通過するようにして一つ又は複
数のトレイを無終端状のトレイ搬送ラインに沿って循環
させて搬送するトレイ搬送系と、トレイ搬送ライン上の
基板搭載位置に基板搬入チャンバーから基板を搬送する
搬入側基板搬送系と、トレイ搬送ライン上の基板回収位
置から基板搬出チャンバーまで基板を搬送する搬出側基
板搬送系とを具備し、基板搭載位置で基板がトレイに搭
載されて基板回収位置まで搬送される間に当該トレイは
前記成膜チャンバー中に位置して基板が成膜されるとと
もに、当該トレイは基板回収位置で基板が回収された後
に基板搭載位置まで戻るよう構成されている。同様に上
記課題を解決するため、請求項2記載の発明は、上記請
求項1の構成において、前記トレイ搬送系は、基板回収
位置から基板搭載位置までトレイを戻す際に、成膜の際
にトレイが位置する場所を挟んで成膜手段とは反対側の
位置を通過するようにしてトレイを戻すよう構成されて
いる。同様に上記課題を解決するため、請求項3記載の
発明は、上記請求項1又は2の構成において、前記トレ
イ搬送系は、基板搭載位置から基板回収位置までトレイ
を水平な姿勢のまま移動させる往路側水平移動機構と、
基板回収位置においてトレイを水平な姿勢のまま上方又
は下方に移動させる回収側垂直移動機構と、基板回収位
置から基板搭載位置までトレイを水平な姿勢のまま移動
させる復路側水平移動機構と、基板搭載位置においてト
レイを水平な姿勢のまま下方又は上方に移動させる搭載
側垂直移動機構とから構成されている。同様に上記課題
を解決するため、請求項4記載の発明は、上記請求項
1、2又は3の構成において、前記基板回収位置から前
記基板搭載位置までに戻るトレイ搬送ライン上において
トレイを加熱する加熱手段が設けられている。同様に上
記課題を解決するため、請求項5記載の発明は、上記請
求項4の構成において、前記加熱手段は、成膜が行われ
る位置のトレイに対しても加熱が行えるよう構成されて
いる。同様に上記課題を解決するため、請求項6記載の
発明は、上記請求項1、2、3、4又は5の構成におい
て、前記トレイ搬送系は、成膜チャンバーを構成する一
つの真空チャンバーの内部でトレイを搬送するよう構成
されている。同様に上記課題を解決するため、請求項7
記載の発明は、上記請求項1、2、3、4、5又は6の
構成において、前記トレイは、基板の成膜する領域の形
状に応じた開口を有して成膜面を下方に向けて基板を載
せることが可能になっており、前記成膜手段は、このト
レイの開口を通して成膜材料を下方から基板の表面に到
達させることが可能に構成されている。
いて説明する。図1から図6は、本願発明の実施形態の
構成を説明する図である。このうち、図1は実施形態の
トレイ搬送式インライン成膜装置の構成を説明する正面
概略図、図2は、図1の装置における搬入側基板搬送系
の構成を説明する斜視概略図である。また、図3は、図
1の装置におけるトレイの構成を説明する斜視概略図、
図4は、トレイへの基板の受け渡しを行う受け板機構の
構成を説明する斜視概略図である。また、図5から図8
は、図1の装置におけるトレイ搬送系の構成を例示する
図である。このうち、図5は、図1の装置における搭載
側垂直移動機構及び搭載側トレイ搬送機構の構成を説明
する斜視概略図、図6及び図7は、トレイへの基板の搭
載動作を説明する側面概略図、図8はトレイからの基板
の回収動作を説明する側面概略図である。
は、大気側から基板2を搬入する基板搬入チャンバー4
4と、基板2の表面の所定の薄膜を作成する成膜手段5
を備えた成膜チャンバー42と、成膜された基板2を搬
出する基板搬出チャンバー45とを基板2の搬送の方向
に沿って縦設した構成となっている。基板搬入チャンバ
ー44、成膜チャンバー42、基板搬出チャンバー45
の各々の境界部分、基板搬入チャンバー44の入り口
側、及び、基板搬出チャンバー45の出口側には、それ
ぞれゲートバルブ40が配設されており、トレイ1に載
せられた基板2は、これらのゲートバルブ40を通し
て、基板搬入チャンバー44、成膜チャンバー42、基
板搬出チャンバー45の順に搬送されるようになってい
る。尚、各チャンバー44,42,45には、不図示の
排気系が接続され、所定の圧力まで排気可能に構成され
ている。
1の搬送の構成に大きな特徴の一つがあるので、以下の
説明では、この点に重点をおいて説明する。本実施形態
では、基板2は、基板搬入チャンバー44に搬入された
後、搬入側基板搬送系6によって基板搭載位置まで搬送
され、搭載側受け板機構31を使用してトレイ1に搭載
されるようになっている。そして、トレイ1が搭載側ト
レイ搬送機構32及び往路搬送機構34によって成膜チ
ャンバー42内を往路搬送ラインに沿って搬送される過
程で、トレイ1上の基板2に所定の成膜が行われ、基板
回収位置において回収側受け板機構35を使用して基板
2がトレイ1から回収されて、搬出側基板搬送系7によ
って基板搬出チャンバー45に搬送されるようになって
いる。そして、トレイ1は、回収側垂直移動機構36に
よって上昇した後、往路搬送ラインの上側に設定された
復路搬送ラインを回収側トレイ搬送機構37及び復路搬
送機構38によって搬送され、その後搭載側垂直移動機
構33によって基板搭載位置に戻るようになっている。
従って、正面から見ると、トレイ1は、長方形状の循環
経路に沿って循環するようになっている。
の構成について説明する。本実施形態の装置によって成
膜される基板2は、図2に示すように長方形のものであ
る。具体的には、例えばプラズマディスプレイ用のガラ
ス基板等が想定されている。基板2の大きさは、例えば
1000mm×650mm程度であり、厚さは例えば3
mm程度である。
状のものである。即ち、トレイ1は中央に長方形の開口
を有する。トレイ1の内側の縁には、図2に示すような
段差が設けられており、この段差の部分に基板2を落と
し込むようになっている。尚、本実施形態では、基板2
の成膜を行う表面(以下、成膜面)が下側を向くように
して基板2がトレイ1に載せられるようになっており、
下方から成膜材料を成膜面に到達させて成膜を行うよう
になっている。また、トレイ1は、長辺の部分の両側に
三つずつ均等間隔で受け板用凹部11が形成されてい
る。尚、基板2は、長辺の方向に搬送されるようになっ
ており、また基板2を載せたトレイ1も基本的に基板2
の長辺の方向に搬送されるようになっている。
5の構成について説明する。受け板機構31,35は、
トレイ1への基板2の受け渡しの際に使用されるもので
あり、搭載側受け板機構31も回収側受け板機構35も
同様な構成になっている。搭載側受け板機構31は、図
3に示すような左右一対の受け板ユニット311,31
2から構成されている。受け板ユニット311,312
は、基板2の長辺の方向に長い帯板状の受け板保持板3
111,3121と、受け板保持板3111,3121
に固定された受け板3112,3122とから構成され
ている。受け板3112,3122は、トレイ1の受け
板用凹部11の位置に相当するように三つずつ設けられ
ており、基板2の長辺部分の端部の図3に示すように支
えるよう構成されている。尚、受け板ユニット311,
312には、図6及び図7に示すように、受け板移動棒
313を介して受け板駆動源314が接続されており、
受け板駆動源314によって、両側の受け板ユニット3
11,312が接近する向きと遠ざかる向きとで直線移
動することが可能に構成されている。
搬送系6について説明する。搬入側基板搬送系6は、基
板搬入チャンバー44から基板搭載位置まで基板2を搬
送するためのものである。この搬入側基板搬送系6は、
基板搬入チャンバー44に配設された搬入側第一基板搬
送機構61と、成膜チャンバー42内の基板搭載位置に
配設された搬入側第二基板搬送機構62とから主に構成
されている。
構成が示されている。搬入側第二基板搬送機構62は、
搬送方向に沿って両側に配設された一対の基板搬送ユニ
ットによって構成されている。この基板搬送ユニット6
20は、複数の搬送コロ621と、各搬送コロ621を
軸支する様搬送コロ621を先端に固定したコロ軸62
2と、ベアリングを介在させて各コロ軸622を貫通さ
せて保持した保持板623と、各コロ軸622に固定さ
れたプーリ624とから主に構成されている。
軸625が固定された駆動プーリになっており、他のプ
ーリ624は従動プーリになっている。プーリ駆動軸6
25は、スライドジョイント626を介して導入棒62
7に連結されており、導入棒627は、成膜チャンバー
42の器壁420を気密に貫通し、成膜チャンバー42
外に配設されたモータ等のコロ回転駆動源628に連結
されている。そして、各プーリ625にはベルト629
が架けられており、コロ回転駆動源628が駆動される
と、スライドジョイント626を介して駆動プーリ62
4が回転し、この回転がベルト629によって従動プー
リ624に伝えられ、これによって、すべての搬送コロ
621が同じ向きに回転するようになっている。
ッチ等を備えた運動伝達機構6281を介してコロ回転
駆動源628に連結されている。また、スライドジョイ
ント626は、基板搬送ユニット620の直線移動を許
容しつつ導入棒627とプーリ駆動軸625とを連結
し、回転運動を伝えるためのものである。尚、他方の側
の基板搬送ユニット620も同様な構成であり、両側に
並んだ搬送コロ621の回転によって搬送コロ621の
上に載った基板2を搬送するようになっている。
とは反対側の面には、保持体移動棒6231が固定され
ている。この保持体移動棒6231は、成膜チャンバー
42の器壁に気密に貫通しており、成膜チャンバー42
外に配設されたエアシリンダ等の直線駆動源6232に
連結されている。直線駆動源6232が駆動されると、
保持体移動棒6231によって保持体が移動し、一対の
基板搬送ユニット620が互いに接近する向きと互いに
遠ざかる向きとに直線移動するよう構成されている。
尚、基板搬送ユニット620の移動を直線性よくガイド
する不図示のリニアガイドが設けられている。
搬入側第一基板搬送機構61は、上記保持体移動棒62
31及び直線駆動源6232が設けられていない点を除
き、上記搬入側第二基板搬送機構62と同様の構成であ
る。また、搬出側基板搬送系7も、上記搬入側基板搬送
系6と同様の構成であり、基板搬出チャンバー45に配
置された搬出側第一基板搬送機構71と、基板回収位置
に配設された搬出側第二基板搬送機構72とから構成さ
れている。そして、搬出側第二基板搬送機構72は、上
述のものと同様の保持体移動棒及び直線駆動源を備えて
いる。
直移動機構33及び搭載側トレイ搬送機構32の構成を
説明する。本実施形態では、搭載側垂直移動機構33に
よってトレイ1を垂直移動させながら、受け板311
2,3122から基板2を受け取ってトレイ1に載せ、
搭載側トレイ搬送機構32によって成膜チャンバー42
内の搬送を開始するよう構成されている。まず、搭載側
トレイ搬送機構32は、上述した搬入側第二基板搬送機
構62と類似した構成になっており、搬送方向に沿って
両側に配設された一対のトレイ搬送ユニット320によ
って構成されている。即ち、トレイ搬送ユニット320
は、複数の搬送コロ321と、各搬送コロ321を軸支
するよう搬送コロ321を先端に固定したコロ軸322
と、ベアリングを介在させて各コロ軸322を貫通させ
て保持した保持板323と、各コロ軸322に固定され
たプーリ324とから主に構成されている。
ーリ駆動軸325が固定された駆動プーリになってお
り、他のプーリ324は従動プーリになっている。プー
リ駆動軸325は、ユニバーサルジョイントのような着
脱ジョイント326を介して導入棒327に連結されて
おり、導入棒327は、成膜チャンバー42の器壁42
0を気密に貫通し、成膜チャンバー42外に配設された
モータ等のコロ回転駆動源328に連結されている。
架けられており、コロ回転駆動源328が駆動される
と、着脱ジョイント326を介して駆動プーリ324が
回転し、ベルト329によってこの回転が伝えられて従
動プーリ329が回転し、これによってすべての搬送コ
ロ321が同じ向きに回転するようになっている。尚、
導入棒327は、減速器やクラッチ等を備えた運動伝達
機構3281を介してコロ回転駆動源328に連結され
ている。また、他方の側のトレイ搬送ユニット320も
同様な構成であり、両側に並んだ搬送コロ321の回転
によって搬送コロ321の上に載ったトレイ1を搬送す
るようになっている。
のトレイ搬送ユニット320全体を垂直に移動させ、こ
れによってトレイ1を垂直に移動させるようになってい
る。搭載側垂直移動機構33は、保持板323の中央部
分を支持するL字状の小さな板材からなる支持体331
と、支持体331の下面に先端が固定されるとともに成
膜チャンバー42の底面の器壁420に気密に貫通した
垂直移動棒332と、垂直移動棒332に連結されたエ
アシリンダ等の垂直駆動源333等から主に構成されて
いる。垂直駆動源334が駆動されると、垂直駆動棒3
32がトレイ搬送ユニット320全体を垂直方向に移動
させ、これによってトレイ1が垂直移動を行うようにな
っている。尚、トレイ搬送ユニット320の垂直移動を
直線性よくガイドする不図示のリニアガイドが設けられ
ている。
トレイ搬送機構37の構成も上述とほぼ同様である。但
し、後述するように、回収側トレイ搬送機構37のコロ
回転駆動源378及び導入棒377は、搭載側トレイ搬
送機構32のものよりも高い位置、具体的には復路搬送
ラインの高さの位置に設けられている。尚、図1に示す
往路搬送機構34及び復路搬送機構38は、具体的に示
されていないが、図5に示す搭載側トレイ搬送機構32
とほぼ同様の構成である。但し、トレイ1を垂直移動さ
せることはないので、搭載側垂直移動機構33のような
ものは設けられていない。
への基板2の搭載動作について説明する。図6及び図7
には、片方の側の基板搬送ユニット620、トレイ搬送
ユニット320、搭載側受け板機構31及び搭載側垂直
移動機構33等が示されている。まず、搬入側基板搬送
系6によって基板2が基板搭載位置まで搬送される。こ
の際、搬入側第二基板搬送機構62の基板搬送ユニット
620は、図6中に二点鎖線で示す位置に位置してい
る。不図示のセンサによって基板2が所定位置に達した
ことを検出すると、基板搬送ユニット620のコロ回転
駆動源628が停止し、基板2を停止させる。次に、搭
載側受け板機構31が駆動され、一対の受け板ユニット
311,312(受け板ユニット312は図6及び図7
中不図示)が互いに接近する方向に移動し、図6に示す
ように、基板2の長辺方向の端部を支持する位置まで移
動して停止する。この際、各受け板3112,3122
は、基板搬送ユニット620の各搬送コロ621の間を
進入し、搬送コロ621にはぶつからないようになって
いる。
源628が駆動され、一対の基板搬送ユニット620が
互いに遠ざかる向きに移動する。図6に示す片側の基板
搬送ユニット620は、実線で示す位置に位置する。こ
の状態では、基板2は、受け板3112,3122のみ
で支持された状態となっている。そして次に、搭載側垂
直移動機構33が駆動され、下方の待機位置にあったト
レイ搬送ユニット320が上昇し、トレイ搬送ユニット
320上のトレイ1に基板2が載るか又はその僅か下方
の位置に達すると移動を停止する。この際、受け板31
12,3122は、前述したようにトレイ1に形成され
た受け板用凹部11内に位置した状態となる。
れ、受け板ユニット311,312を互い遠ざかる向き
に移動させる。これによって、図7に示すように、基板
2はトレイ1上に完全に載った状態となり、受け板ユニ
ット311,312は、図7に示すように退避位置まで
移動して停止する。そして、搭載側垂直移動機構33が
再び駆動され、トレイ搬送ユニット320を所定位置ま
で上昇させる。この所定位置とは、成膜の際の搬送ライ
ンである復路搬送ラインの高さの位置である。この位置
に達すると、図7中に示すように、トレイ搬送ユニット
320のプーリ駆動軸325が、着脱ジョイント326
を介して導入棒327に連結された状態となるようにな
っている。従って、トレイ搬送ユニット320がこの位
置に達した後、コロ回転駆動源328が駆動されて各搬
送コロ321が回転し、これによってトレイ1は往路搬
送ラインに沿って成膜チャンバー42内を搬送されてい
くことになる。
板2の回収動作について説明する。図8は、図6及び図
7と同様に、片方の側の基板搬送ユニット640、回収
側受け板機構35、回収側垂直移動機構36及び回収側
トレイ搬送機構37のトレイ搬送ユニット370を示し
ている。尚、図8に示す基板搬送ユニット640は、基
板回収位置に配設された搬出側第二基板搬送機構64の
ものを示している。往路搬送ラインに沿ってトレイ1が
搬送されて成膜が完了すると、トレイ1は基板回収位置
に達して停止する。この停止動作は、不図示のセンサの
信号等によって行う。トレイ1が基板回収位置に達した
際には、トレイ搬送ユニット370は、図8中にAで示
す往路搬送ラインの高さの位置に位置している。この状
態で、まず回収側垂直移動機構36が動作し、トレイ搬
送ユニット370をBの位置まで下降させる。このBの
位置は、トレイ1上の基板2が、搬出側基板搬送系7の
基板搬送ラインの高さの位置になるような位置である。
避位置にあった一対の受け板ユニット351,352
(受けユニット352は図8中不図示)を互いに接近す
る向きに移動させる。そして、受け板3512,352
2(受け板3522は図8中不図示)がトレイ1の受け
板用凹部11に進入しながら基板2の長辺方向の端部を
支持する位置に達すると、受け板ユニット351,35
2の移動は停止される。
し、トレイ搬送ユニット370をさらに下降させ、図8
にCで示す下方の退避位置まで移動させて停止させる。
これによって、トレイ1は基板2を載置しない空の状態
となるとともに、基板2は受け板3512,3522の
上に載って受け板3512,3522のみで支持された
状態となる。
線駆動源378が動作して一対の基板搬送ユニット37
0が互いに接近する向きに移動し、先端の搬送コロ37
1が基板2の長辺方向の端部の下方に達すると移動を停
止する。この状態で、回収側受け板機構35が再び駆動
され、一対の受け板ユニット351,352が互いに遠
ざかる向きに移動し、当初の待機位置に復帰する。これ
によって、受け板3512,3522に支持されていた
基板2は、基板搬送ユニット640の搬送コロ641の
上に移る。この状態で、基板搬送ユニット640のコロ
回転駆動源648が駆動され、搬送コロ641は、成膜
チャンバー42から基板搬出チャンバー45へ基板2を
送る。
れると、基板回収位置にある一対の基板搬送ユニット3
70は互いに遠ざかる向きに移動し、当初の待機位置に
復帰する。そして、回収側垂直移動機構36が再び駆動
され、トレイ搬送ユニット370を図8にDで示す位置
まで上昇させる。このDの位置は、往路搬送ラインより
も高い位置に設定された復路搬送ラインの位置である。
このDの位置にトレイ搬送ユニット370が達すると、
図8に二点鎖線で示すように、プーリ駆動軸375と導
入棒377とが着脱ジョイント376によって連結され
た状態となる。従って、この状態でコロ回転駆動源37
8が駆動されることにより、空のトレイ1は、復路搬送
ラインに沿って搬送されていくことになる。
送系34及び復路搬送ラインに沿って設けられた復路搬
送系38については、具体的に図示されていないが、図
5に示すトレイ搬送ユニット320と同様の構成が採用
されている。即ち、搬送ラインの両側に設けられた複数
の搬送コロをプーリ及びベルトからなる駆動機構によっ
て回転させて搬送する構成が採用されている。尚、往路
搬送系34及び復路搬送系38には、図5に示す搭載側
垂直移動機構33のような構成は設けられていない。ま
た、基板搬入チャンバー44への基板2の搬入及び基板
搬出チャンバー45からの基板2の搬出については、不
図示の搬送ロボットを使用して行われるか、もしくは、
搬送コロを使用した搬送機構を別途配設して行われる。
場合によって、オペレーターが直接手で基板2を持って
行う場合もある。
手段5及び加熱手段の構成について説明する。本実施形
態の装置は、真空蒸着によって成膜を行うよう構成され
ており、成膜手段5は、成膜チャンバー42にゲートバ
ルブ40を介して接続された蒸発源チャンバー51と、
蒸発源チャンバー51内に配設された蒸発源52と、蒸
発源52からの蒸気流を遮断するシャッタ53等から主
に構成されている。成膜チャンバー42の底面の中央に
は、図1に示すような大きな開口421が設けられてお
り、この開口421を通して蒸発材料を供給するように
蒸発源チャンバー51が気密に接続されている。成膜チ
ャンバー42内の蒸発源52には、例えば電子ビーム加
熱方式又は抵抗加熱方式のるつぼが採用されており、内
部に収容した材料を加熱して蒸発させるようになってい
る。
ら成膜チャンバー42に進入し、トレイ1上の基板2の
成膜面に達して所定の膜が作成される。本実施形態で
は、成膜面が下方を向いており、下方から成膜材料を到
達させている。この構成は、成膜チャンバー42内に存
在する塵や埃、パーティクル等が成膜面に付着しづらく
し、膜の欠陥を生じにくくするという点に大きく貢献し
ている。次に、加熱手段は、成膜の際の基板2の温度を
所定温度まで高くして、成膜速度を上げたり、膜質を向
上させたりするためのものである。この加熱手段には、
本実施形態では、輻射加熱ランプ8が採用されており、
輻射加熱によって基板2を加熱するようになっている。
輻射加熱ランプ8は、棒状のものであり、搬送方向に直
角な方向に延びるようして搬送方向に複数並べて設けら
れるとともに、往路搬送ラインを挟んで蒸着チャンバー
51と向かい合うようにして配設されている。
レイ1に載せられて往路搬送ラインを搬送されてくる
と、上側に設けられた輻射加熱ランプ8によって基板2
及びトレイ1が加熱され、所定の高温になり、この状態
で成膜が行われる。そして、本実施形態の加熱手段の大
きな特徴は、復路搬送ラインに沿って搬送されるトレイ
1も、加熱手段によって加熱される点である。即ち、図
1に示すように、復路搬送ラインは、加熱手段である輻
射加熱ランプ8群のすぐ上側に設定されており、輻射加
熱ランプ8の直上をトレイ1が通過するようになってい
る。従って、復路搬送ラインに沿ってトレイ1が搬送さ
れる過程で、輻射加熱ランプ8によってトレイ1は加熱
される。尚、輻射加熱ランプ8群の上側を覆うようにし
て均熱板を配設し、輻射加熱ランプ8からの輻射線によ
って均熱板を加熱してこの均熱板からの輻射線によって
トレイ1を加熱するようにすると、広範な復路搬送ライ
ン上の場所で均一にトレイ1を加熱することができる。
基板2の搭載前に予め加熱されるようになっている。従
って、トレイ1に基板2を載せた後の加熱時間が短縮化
でき、温度均一性に優れた良質な成膜処理を高い生産性
で行うことができる。また、トレイ1は大気中に取り出
されず成膜室内で循環しているので、トレイ1の温度は
相当程度高い領域で小さな昇降を繰り返すことになり、
大気中に取り出して一旦常温にする従来に比べ、加熱の
エネルギー効率の格段に向上している。成膜の具体例に
ついて説明すると、例えばプラズマディスプレイ用のガ
ラス基板について、表面保護用の薄膜をMgOを材料と
して作成することができる。膜厚は例えば5000オン
グストローム程度である。この際のガラス基板の加熱温
度は、例えば250℃程度である。
いて、トレイ1は一枚の基板2を載置するものであった
が、二枚もしくはそれ以上の基板2を載置するようにし
てもよい。また、一つのトレイ1だけが循環する場合で
も、充分発明の効果が得られる。また、成膜手段5の構
成としては、前述した蒸発源チャンバー51の構成に加
えて、基板2の近傍に所定のガスを供給する手段を付加
し、蒸発させた材料とガスとを反応させて所望の薄膜を
作成する場合があるし、高周波電力供給手段等を付加し
てガスにエネルギーを与えながら成膜する場合もある。
個体ソースとしてのるつぼの他、ガスソースや液体を加
熱蒸発させて供給する液体ソース等も使用できる。さら
に、蒸発源にイオンソースを使用してイオンビーム蒸着
を行ったり、分子線源を使用して分子線エピタキシャル
成長を行うようにすることも可能である。さらにまた、
真空蒸着以外の方式の成膜手段5を採用することも可能
である。例えば、成膜手段5として、スパッタリングカ
ソードとスパッタ用ガス導入手段を採用してスパッタリ
ングにより成膜する構成としたり、気相成長用の反応性
ガスを導入するガス導入手段と熱又は高周波電力等のエ
ネルギーを供給するエネルギー供給手段を採用して化学
的気相成長法(CVD)により成膜する構成とすること
も可能である。
は一つの真空チャンバー即ち成膜チャンバー42内のみ
で循環するよう構成されたが、成膜チャンバー42の前
後に別の真空チャンバーを接続し、これら複数の真空チ
ャンバーにまたがって循環するよう構成してもよい。但
し、一つの真空チャンバー内を循環するようにすると、
トレイ搬送系の構成が簡略化される他、装置全体の小型
化にも貢献できる。尚、成膜手段5が配設された部分と
は反対側の部分に復路搬送ラインが設定され、成膜手段
5とは反対側の部分を回ってトレイ1が基板搭載位置に
復帰する本実施形態の構成は、復路搬送ラインに沿った
搬送系の構成が複雑にならず、装置全体がコンパクトに
できる効果があるが、これに限られるものではない。ま
た、加熱手段の構成としては、輻射加熱ランプ8以外の
輻射加熱手段(例えば、赤外線セラミックヒータ等)や
接触加熱を行う加熱手段等を使用することができる。加
熱手段が成膜中の基板2を加熱するとともに復路搬送ラ
インにあるトレイ1をも加熱する上記実施形態の構成
は、加熱手段を兼用しているので、装置が簡略化され、
コストが安くなるメリットがあるが、これに限られるも
のではない。
平移動と水平な姿勢を保ったままの垂直移動とを組み合
わせた前述の構成の他、トレイ1の搬送方向を転換する
転換機構を採用して、トレイ1の基板載置面が常に搬送
方向に沿うようにして搬送する機構も考えられる。但
し、水平移動と水平な姿勢を保ったままの垂直移動とを
組み合わせた前述の構成は、搬送のための機構に要する
スペースが小さくでき、装置全体の大型化を抑制できる
メリットがある。
チャンバー45を一つの真空チャンバーで兼用すること
も可能である。例えば、成膜チャンバー42にゲートバ
ルブを介して気密に接続した真空チャンバー内に、基板
1を多数収容可能な基板カセットと搬送ロボットとを配
設し、搬送ロボットによって基板1を一枚ずつ基板カセ
ットから基板搭載位置に搬送するとともに、成膜が終わ
った基板1を一枚ずつ取り出して基板カセットに収容す
る構成が考えられる。本願の発明は、上述のように各種
の機構を使用しているが、これらの機構は、上記実施形
態の構成に限られるものではない。
明によれば、トレイへの基板の搭載及びトレイからの基
板の回収の動作の際に大気圧に開放されない真空チャン
バー内をトレイが循環するよう構成されているので、ト
レイが大気に触れて水分等を吸着することによる問題が
発生せず、良質な成膜処理を高い生産性で行うことがで
きる。また、請求項2の発明によれば、上記請求項1の
効果に加え、成膜の際にトレイが位置する場所を挟んで
成膜手段5とは反対側の位置を通過するようにしてトレ
イが基板搭載位置に戻るよう構成されているので、装置
の構成が簡略化されるというメリットがある。また、請
求項3の発明によれば、上記請求項1又は2の効果に加
え、水平移動と水平な姿勢を保ったままの垂直移動とを
組み合わせたトレイ搬送系の構成を採用しているので、
搬送のための機構に要するスペースが小さくでき、装置
全体の大型化を抑制できるメリットがある。また、請求
項4の発明によれば、上記請求項1、2又は3の効果に
加え、基板搭載位置までに戻るトレイ搬送ライン上にお
いてトレイを加熱する加熱手段が設けられているので、
基板2を加熱しながら処理する際の処理時間が短くでき
るとともに加熱のエネルギー効率も格段に向上する。ま
た、請求項5の発明によれば、上記請求項4の効果に加
え、加熱手段が成膜の際の加熱にも兼用されているの
で、加熱手段の構成が簡略化され、コスト的にもメリッ
トが大きい。また、請求項6の発明によれば、上記請求
項1、2、3、4又は5の効果に加え、成膜チャンバー
を構成する一つの真空チャンバーの内部でトレイが搬送
されるので、トレイ搬送系の構成が簡略化される他、装
置全体の小型化にも貢献できる。また、請求項7の発明
によれば、上記請求項1、2、3、4、5又はの6の効
果に加え、基板の成膜面が下方を向き、成膜材料を下方
から成膜面に到達させる成膜するので、成膜面への塵や
埃の付着が抑制され、成膜の質が向上する。
成膜装置の構成を説明する正面概略図である。
説明する斜視概略図である。
視概略図である。
を行う受け板機構の構成を説明する斜視概略図である。
載側垂直移動機構及び搭載側トレイ搬送機構の構成を説
明する斜視概略図である。
を説明する側面概略図である。
を説明する側面概略図である。
作を説明する、側面概略図である。
成を説明する正面断面概略図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 基板の表面に所定の薄膜を作成する成膜
手段を備えた成膜チャンバーと、大気側から成膜チャン
バーに基板を搬入する際に基板が一時的に配置される基
板搬入チャンバーと、成膜された基板を大気側に搬出す
る際に基板が一時的に配置される基板搬出チャンバーと
を含む複数の真空チャンバーを基板の搬送の方向に沿っ
て縦設し、基板を水平に載せたトレイを搬送ラインに沿
って搬送して成膜を行うトレイ搬送式インライン成膜装
置であって、 トレイへの基板の搭載及びトレイからの基板の回収の動
作の際に大気に開放されない前記成膜チャンバー又は成
膜チャンバーを含む複数の真空チャンバー内を通過する
ようにして一つ又は複数のトレイを無終端状のトレイ搬
送ラインに沿って循環させて搬送するトレイ搬送系と、
トレイ搬送ライン上の基板搭載位置に基板搬入チャンバ
ーから基板を搬送する搬入側基板搬送系と、トレイ搬送
ライン上の基板回収位置から基板搬出チャンバーまで基
板を搬送する搬出側基板搬送系とを具備し、基板搭載位
置で基板がトレイに搭載されて基板回収位置まで搬送さ
れる間に当該トレイは前記成膜チャンバー中に位置して
基板が成膜されるとともに、当該トレイは基板回収位置
で基板が回収された後に基板搭載位置まで戻るよう構成
されていることを特徴とするトレイ搬送式インライン成
膜装置。 - 【請求項2】 前記トレイ搬送系は、基板回収位置から
基板搭載位置までトレイを戻す際に、成膜の際にトレイ
が位置する場所を挟んで成膜手段とは反対側の位置を通
過するようにしてトレイを戻すよう構成されていること
を特徴とする請求項1記載のトレイ搬送式インライン成
膜装置。 - 【請求項3】 前記トレイ搬送系は、基板搭載位置から
基板回収位置までトレイを水平な姿勢のまま移動させる
往路側水平移動機構と、基板回収位置においてトレイを
水平な姿勢のまま上方又は下方に移動させる回収側垂直
移動機構と、基板回収位置から基板搭載位置までトレイ
を水平な姿勢のまま移動させる復路側水平移動機構と、
基板搭載位置においてトレイを水平な姿勢のまま下方又
は上方に移動させる搭載側垂直移動機構とから構成され
ていることを特徴とする請求項1又は2記載のトレイ搬
送式インライン成膜装置。 - 【請求項4】 前記基板回収位置から前記基板搭載位置
までに戻るトレイ搬送ライン上においてトレイを加熱す
る加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項
1、2又は3記載のトレイ搬送式インライン成膜装置。 - 【請求項5】 前記加熱手段は、成膜が行われる位置の
トレイに対しても加熱が行えるよう構成されていること
を特徴とする請求項4記載のトレイ搬送式インライン成
膜装置。 - 【請求項6】 前記トレイ搬送系は、成膜チャンバーを
構成する一つの真空チャンバーの内部でトレイを搬送す
るよう構成されていることを特徴とする請求項1、2、
3、4又は5記載のトレイ搬送式インライン成膜装置。 - 【請求項7】 前記トレイは、基板の成膜する領域の形
状に応じた開口を有して成膜面を下方に向けて基板を載
せることが可能になっており、前記成膜手段は、このト
レイの開口を通して成膜材料を下方から基板の表面に到
達させることが可能に構成されていることを特徴とする
請求項1、2、3、4、5又は6記載のトレイ搬送式イ
ンライン成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11974996A JP3909888B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | トレイ搬送式インライン成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11974996A JP3909888B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | トレイ搬送式インライン成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09279341A true JPH09279341A (ja) | 1997-10-28 |
JP3909888B2 JP3909888B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=14769206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11974996A Expired - Lifetime JP3909888B2 (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | トレイ搬送式インライン成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3909888B2 (ja) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003522295A (ja) * | 1999-08-04 | 2003-07-22 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 電子ビーム物理蒸着装置 |
JP2006219760A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-24 | Semes Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006237161A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置の搬送機構 |
WO2007099929A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Ulvac, Inc. | 有機薄膜蒸着方法及び有機薄膜蒸着装置 |
JP2009228105A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置及び成膜方法 |
JP2009299081A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Ulvac Japan Ltd | 蒸発装置、成膜装置、有機薄膜形成方法 |
JP2010118157A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Ulvac Japan Ltd | フロントパネル製造方法 |
KR100971369B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2010-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판트레이를 포함하는 엘씨디 제조장치 및 이를 이용한기판의 로딩 또는 언로딩 방법 |
KR100971511B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2010-07-21 | 주성엔지니어링(주) | 기판트레이와, 이를 이용하는 엘씨디 제조장치 및 이를이용하여 기판을 이송하는 방법 |
KR101068769B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2011-09-30 | 주성엔지니어링(주) | 컨베이어를 이용하여 기판을 교환하는 대면적 엘씨디제조장치 및 이를 이용한 기판의 운송방법 |
JP2011219866A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法 |
WO2012053430A1 (ja) * | 2010-10-19 | 2012-04-26 | 株式会社アルバック | 蒸着装置及び蒸着方法 |
JP2012522137A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置と薄膜蒸着方法及び薄膜蒸着システム |
KR101271176B1 (ko) * | 2010-11-16 | 2013-06-04 | 주식회사 엠엠테크 | 기판 로딩 및 언로딩 장치 |
JP2013533922A (ja) * | 2010-06-10 | 2013-08-29 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置及び薄膜蒸着システム |
US8574366B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-11-05 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
JP2014080655A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
TWI496239B (zh) * | 2008-07-02 | 2015-08-11 | Jusung Eng Co Ltd | 基板支撐框架及包含該框架之基板處理設備 |
CN105316658A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-02-10 | 奈恩泰克有限公司 | 在线型化学气相沉积系统 |
KR20170003277A (ko) * | 2015-06-30 | 2017-01-09 | (주) 나인테크 | 인라인 화학기상증착시스템 |
KR20180104703A (ko) | 2016-04-26 | 2018-09-21 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
JP2018150611A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | 日新電機株式会社 | 真空処理装置 |
CN108588669A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-09-28 | 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 | 一种连体镀膜机生产线 |
CN112962081A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | 一种钢板连续镀膜生产线及镀膜工艺 |
CN112962078A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | 一种镀膜生产线及镀膜工艺 |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP11974996A patent/JP3909888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4780884B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2011-09-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 電子ビーム物理蒸着装置 |
JP2003522295A (ja) * | 1999-08-04 | 2003-07-22 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 電子ビーム物理蒸着装置 |
KR101068769B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2011-09-30 | 주성엔지니어링(주) | 컨베이어를 이용하여 기판을 교환하는 대면적 엘씨디제조장치 및 이를 이용한 기판의 운송방법 |
KR100971511B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2010-07-21 | 주성엔지니어링(주) | 기판트레이와, 이를 이용하는 엘씨디 제조장치 및 이를이용하여 기판을 이송하는 방법 |
KR100971369B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2010-07-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판트레이를 포함하는 엘씨디 제조장치 및 이를 이용한기판의 로딩 또는 언로딩 방법 |
JP2006219760A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-24 | Semes Co Ltd | 基板処理装置 |
US7918940B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-04-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
JP4582450B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-11-17 | 株式会社アルバック | 真空成膜装置の搬送機構 |
JP2006237161A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置の搬送機構 |
US8574366B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-11-05 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
WO2007099929A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Ulvac, Inc. | 有機薄膜蒸着方法及び有機薄膜蒸着装置 |
JP2009228105A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置及び成膜方法 |
JP2009299081A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-12-24 | Ulvac Japan Ltd | 蒸発装置、成膜装置、有機薄膜形成方法 |
TWI496239B (zh) * | 2008-07-02 | 2015-08-11 | Jusung Eng Co Ltd | 基板支撐框架及包含該框架之基板處理設備 |
JP2010118157A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Ulvac Japan Ltd | フロントパネル製造方法 |
JP2012522137A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置と薄膜蒸着方法及び薄膜蒸着システム |
JP2011219866A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法 |
JP2013533922A (ja) * | 2010-06-10 | 2013-08-29 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置及び薄膜蒸着システム |
WO2012053430A1 (ja) * | 2010-10-19 | 2012-04-26 | 株式会社アルバック | 蒸着装置及び蒸着方法 |
JP5730322B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2015-06-10 | 株式会社アルバック | 蒸着装置及び蒸着方法 |
KR101271176B1 (ko) * | 2010-11-16 | 2013-06-04 | 주식회사 엠엠테크 | 기판 로딩 및 언로딩 장치 |
JP2014080655A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
CN105316658A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-02-10 | 奈恩泰克有限公司 | 在线型化学气相沉积系统 |
CN105316658B (zh) * | 2014-07-25 | 2018-04-10 | 奈恩泰克有限公司 | 直列式化学气相沉积系统 |
KR20170003277A (ko) * | 2015-06-30 | 2017-01-09 | (주) 나인테크 | 인라인 화학기상증착시스템 |
KR20180104703A (ko) | 2016-04-26 | 2018-09-21 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
DE112016006798T5 (de) | 2016-04-26 | 2019-01-17 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Schichtaufbringungsvorrichtung |
JP2018150611A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | 日新電機株式会社 | 真空処理装置 |
CN108588669A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-09-28 | 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 | 一种连体镀膜机生产线 |
CN112962081A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | 一种钢板连续镀膜生产线及镀膜工艺 |
CN112962078A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | 一种镀膜生产线及镀膜工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3909888B2 (ja) | 2007-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3909888B2 (ja) | トレイ搬送式インライン成膜装置 | |
JP4034860B2 (ja) | トレイ搬送式成膜装置及び補助チャンバー | |
JP2888026B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP6231078B2 (ja) | 真空プロセスのためのシステム構成 | |
TWI311895B (ja) | ||
JP5657029B2 (ja) | コーティング装置及び遮蔽プレートを有するコーティング装置の操作方法 | |
TWI232242B (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
JP2001257250A (ja) | デュアル基板ロードロック・プロセス装置 | |
US5538610A (en) | Vacuum coating system | |
JPH083744A (ja) | 真空処理装置、真空処理装置の中で基板を処理する方法、及び、真空処理装置用のロック | |
JP2008297584A (ja) | 成膜装置 | |
JPH09176857A (ja) | ワークピースを表面処理するための真空装置 | |
JP2009094242A (ja) | 基板保持機構、基板受渡機構、及び基板処理装置 | |
KR101760667B1 (ko) | 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착 시스템 | |
TW201017912A (en) | Apparatus for manufacturing thin-film solar cell | |
KR102444086B1 (ko) | 스윙 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 스윙 모듈, 및 진공 프로세싱 시스템 | |
JP2000273615A (ja) | 成膜装置における基板保持具の表面の堆積膜の除去方法及び成膜装置 | |
JP6055229B2 (ja) | 被処理体の搬送機構および真空処理装置 | |
JP3753896B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
JP2003137574A (ja) | ガラス熱処理システム | |
JP6336146B2 (ja) | インライン式成膜装置、および、成膜方法 | |
JPH05263228A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPH08260149A (ja) | 減圧表面処理装置及び太陽電池製作装置 | |
EP1348777B1 (en) | Vacuum deposition apparatus | |
JP3580916B2 (ja) | 基板加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051031 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070123 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100202 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100202 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100202 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130202 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |