JP2011219866A - 薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりが向上した薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着用基板を静電チャックで固定させるローディング部と、チャンバと、チャンバの内部に配され、かつ静電チャックに固定された基板500に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリー100を備える蒸着部と、静電チャックから蒸着が完了した基板を分離させるアンローディング部と、基板が固定された静電チャックをローディング部、蒸着部及びアンローディング部に順次移動させる第1循環部610と、を備え、第1循環部は、互いに平行に形成された2対の第1ガイドレール613及び第2ガイドレール617と、第1ガイドレールに結合する一つ以上の第1ガイドブロック615と、第2ガイドレールに結合する一つ以上の第2ガイドブロック619とを備える。
【選択図】図4

Description

本発明は、薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法に係り、さらに詳細には、大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりを向上する薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法に関する。
ディスプレイ装置のうち、有機発光表示装置は視野角が広くてコントラストが優れているだけでなく、応答速度が速いという長所を持っており、よって次世代ディスプレイ装置として注目されている。
有機発光表示装置は、互いに対向する第1電極と第2電極との間に発光層及びこれを含む中間層を備える。この時、前記電極及び中間層はいろいろな方法で形成されうるが、そのうち一つの方法が独立蒸着方式である。蒸着方法を用いて有機発光表示装置を製作するためには、薄膜などが形成される基板面に、形成される薄膜などのパターンと同じパターンを持つファインメタルマスク(Fine Metal Mask:FMM)を密着させ、薄膜などの材料を蒸着して所定パターンの薄膜を形成する。
しかし、これらのFMMを用いる方法は、5G以上のマザーガラスを使用する大面積化には適していないという限界がある。すなわち、大面積マスクを使用すれば、自重によりマスクの反り現象が発生するが、この反り現象によるパターンの歪曲が発生しうるためである。これは、パターンに高精細を要する現在の傾向に反することである。
本発明は、前記のような従来のFMMを用いた蒸着方法の限界を乗り越えるためのものであって、大型基板の量産工程にさらに適しており、高精細のパターニングの可能な薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、被蒸着用基板を静電チャックで固定させるローディング部と、チャンバと、前記チャンバの内部に配され、かつ前記静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部と、前記静電チャックから蒸着が完了した前記基板を分離させるアンローディング部と、前記基板が固定された静電チャックを前記ローディング部、蒸着部及びアンローディング部に順次移動させる第1循環部と、を備え、前記第1循環部は、互いに平行に形成された2対の第1ガイドレール及び第2ガイドレールと、前記第1ガイドレールに結合する一つ以上の第1ガイドブロックと、前記第2ガイドレールに結合する一つ以上の第2ガイドブロックとを備えることを特徴とする薄膜蒸着装置を提供する。
本発明において、前記2対の第1ガイドレール及び第2ガイドレールは、前記チャンバに貫設されるが、前記1対の第1ガイドレールが前記1対の第2ガイドレールの外側に配されるように形成し、前記第1ガイドブロックは、前記第1ガイドレールに沿って直線往復動し、前記第2ガイドブロックは、前記第2ガイドレールに沿って直線往復動する。
ここで、前記基板を固定している前記静電チャックが前記第1ガイドブロックまたは第2ガイドブロック上に配されて、前記基板が前記第1ガイドレールまたは前記第2ガイドレールに沿って直線往復動できる。
ここで、前記第1ガイドブロックと前記第2ガイドブロックとは、互いに独立して直線往復動する。
本発明において、前記静電チャックは、前記第1ガイドブロック上に配される第1静電チャックと、前記第2ガイドブロック上に配される第2静電チャックと、を備える。
ここで、前記第1静電チャックで、前記第2ガイドブロックと対向する領域には第1陥没部が形成され、前記第2静電チャックで、前記第1ガイドブロックと対向する領域には第2陥没部が形成される。
ここで、前記第1静電チャックと前記第2ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成され、前記第2静電チャックと前記第1ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成される。
本発明において、前記第1ガイドレール及び第2ガイドレールは、LMレール(linear motion rail)であり、前記第1ガイドブロック及び第2ガイドブロックは、LMブロック(linear motion block)である。
本発明において、前記チャンバ内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーが備えられうる。
本発明において、前記チャンバは、その内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーがそれぞれ備えられた第1チャンバと第2チャンバとを備え、前記第1チャンバと第2チャンバとが互いに連係している。
本発明において、前記薄膜蒸着アセンブリーは、蒸着物質を放射する蒸着源と、前記蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成された蒸着源ノズル部と、前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第1方向に沿って複数のパターニングスリットが配されるパターニングスリットシートと、前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間に、前記第1方向に沿って配されて、前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数の蒸着空間に区切る複数の遮断板を備える遮断板アセンブリーと、を備え、前記薄膜蒸着アセンブリーは前記基板と離隔するように配され、前記薄膜蒸着アセンブリーと前記基板とは、互いに相対的に移動する。
前記薄膜蒸着アセンブリーの前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成される。
前記複数の遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直な第2方向に沿って延びるように形成される。
前記複数の遮断板は等間隔で配される。
前記遮断板アセンブリーは、複数の第1遮断板を備える第1遮断板アセンブリーと、複数の第2遮断板を備える第2遮断板アセンブリーと、を備える。
前記複数の第1遮断板及び前記複数の第2遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直な第2方向に沿って延びるように形成される。
前記複数の第1遮断板及び前記複数の第2遮断板それぞれは、互いに対応するように配される。
前記互いに対応する第1遮断板及び第2遮断板は、実質的に同じ平面上に位置するように配される。
本発明において、前記薄膜蒸着アセンブリーは、蒸着物質を放射する蒸着源と、前記蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第1方向に対して垂直な第2方向に沿って複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を備え、前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第1方向に沿って移動しつつ蒸着が行われ、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは一体に形成される。
前記蒸着源及び前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとは、連結部材により結合されて一体に形成される。
前記連結部材は、前記蒸着物質の移動経路をガイドする。
前記連結部材は、前記蒸着源及び前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間の空間を外部から密閉するように形成される。
前記薄膜蒸着装置は、前記基板と所定ほど離隔するように形成される。
前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第1方向に沿って移動しつつ、前記基板上に前記蒸着物質が連続的に蒸着される。
前記薄膜蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成される。
本発明において、前記複数の蒸着源ノズルは、所定角度チルトされるように形成される。
前記複数の蒸着源ノズルは、前記第1方向に沿って形成された二列の蒸着源ノズルを備え、前記二列の蒸着源ノズルは、互いに対向する方向にチルトされている。
前記複数の蒸着源ノズルは、前記第1方向に沿って形成された二列の蒸着源ノズルを備え、前記二列の蒸着源ノズルのうち、第1側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第2側端部に向かうように配され、前記二列の蒸着源ノズルのうち、第2側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第1側端部に向かうように配される。
他の側面に関する本発明は、被蒸着用基板を静電チャックで固定させるローディング部、前記基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部、及び前記静電チャックから蒸着が完了した前記基板を分離させるアンローディング部を備える薄膜蒸着装置を用いた有機発光表示装置の製造方法において、前記ローディング部で前記基板を前記静電チャックで固定させる段階と、第1ガイドレールに沿って移動するように形成された第1ガイドブロックまたは第2ガイドレールに沿って移動するように形成された第2ガイドブロック上に、前記基板が固定された前記静電チャックを配する段階と、前記基板と前記薄膜蒸着アセンブリーとの相対的移動により、前記薄膜蒸着アセンブリーで放射された蒸着物質が前記基板に蒸着される段階と、前記アンローディング部から前記静電チャックが、前記第1ガイドブロックまたは前記第2ガイドブロックから分離される段階と、前記静電チャックが分離された前記第1ガイドブロックまたは前記第2ガイドブロックが、前記第1ガイドレールまたは前記第2ガイドレールに沿って前記ローディング部方向に移動する段階と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明において、前記静電チャックは、前記第1ガイドブロック上に配される第1静電チャックと、前記第2ガイドブロック上に配される第2静電チャックと、を備える。
前記第1静電チャックで、前記第2ガイドブロックと対向する領域には第1陥没部が形成され、前記第2静電チャックで、前記第1ガイドブロックと対向する領域には第2陥没部が形成される。
前記第1静電チャックと前記第2ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成され、前記第2静電チャックと前記第1ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成される。
本発明において、前記第1ガイドレール及び第2ガイドレールはLMレールであり、前記第1ガイドブロック及び第2ガイドブロックはLMブロックである。
本発明において、前記チャンバ内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーが備えられて、各薄膜蒸着アセンブリーにより前記基板に連続的に蒸着が行われる。
本発明において、前記チャンバは、その内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーがそれぞれ備えられ、互いに連係した第1チャンバと第2チャンバとを備え、前記基板が、前記第1チャンバ及び第2チャンバにわたって移動しつつ連続的に蒸着が行われる。
本発明の薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法によれば、製造が容易であり、大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まり及び蒸着効率が向上し、蒸着物質のリサイクルが容易になる効果を得ることができる。
本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着装置を概略的に示すシステム構成図である。 図1の変形例を示す図面である。 図1の静電チャックの一例を示す概略面である。 図1の薄膜蒸着装置の第1循環部を概略的に示す斜視図である。 図4の第1循環部で、第1静電チャック及び第1ガイドブロックを示す平面図である。 図4の第1循環部で、第2静電チャック及び第2ガイドブロックを示す平面図である。 図1の薄膜蒸着装置で、ガイドブロックの循環メカニズムを示す図面である。 図1の薄膜蒸着装置で、ガイドブロックの循環メカニズムを示す図面である。 図1の薄膜蒸着装置で、ガイドブロックの循環メカニズムを示す図面である。 図1の薄膜蒸着装置で、ガイドブロックの循環メカニズムを示す図面である。 図1の薄膜蒸着装置の薄膜蒸着アセンブリーを概略的に示す斜視図である。 図11の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な側断面図である。 図11の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な平断面図である。 本発明の他の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリーを概略的に示す斜視図である。 本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着アセンブリーを概略的に示す斜視図である。 図15の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な側面図である。 図15の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な平面図である。 本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着アセンブリーを図示した斜視図である。 図18の薄膜蒸着アセンブリーで蒸着源ノズルをチルトさせていない時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面である。 図18の薄膜蒸着アセンブリーで蒸着源ノズルをチルトさせた時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面である。 本発明の蒸着装置を用いて製造されたアクティブマトリックス型有機発光表示装置の断面を示す図面である。
以下、添付した図面を参照して本発明による望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。
図1は、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着装置を概略的に図示したシステム構成の上方から見た平面図であり、図2は、図1の変形例を図示したものである。図3は、後述する構成にて反転された静電チャック600の一例を示す概略側面図である。
図1を参照すれば、本発明の一実施形態による薄膜蒸着装置は、ローディング部710、蒸着部730、アンローディング部720、第1循環部610及び第2循環部620を備える。
ローディング部710は、第1ラック712と、導入ロボット714と、導入室716と、第1反転室718とを備えることができる。
第1ラック712には蒸着が行われる前の基板500が多く積載されており、導入ロボット714は、前記第1ラック712から基板500を捉えて第2循環部620から移送されてきた静電チャック600に基板500を載置した後、基板500が付着された静電チャック600を導入室716に移す。
導入室716に隣接して第1反転室718が備えられ、第1反転室718に位置した第1反転ロボット719が静電チャック600を反転させて、静電チャック600を蒸着部730の第1循環部610に装着する。
静電チャック600は、図3から分かるように、セラミックからなる本体691の内部に電源が印加される電極692が埋め立てられたものであって、この電極692に高電圧が印加されることによって本体691の表面に基板500を付着させることである。
図1からみれば、導入ロボット714は、静電チャック600の上面に基板500を載せ、この状態で静電チャック600は導入室716に移送され、第1反転ロボット719が静電チャック600を反転させることによって、蒸着部730では基板500が下方を向かうように位置する。
アンローディング部720の構成は、前述したローディング部710の構成と逆に構成される。すなわち、蒸着部730を経た基板500及び静電チャック600を、第2反転室728で第2反転ロボット729が反転させて搬出室726に移送し、搬出ロボット724が搬出室726から基板500及び静電チャック600を取り出した後、基板500を静電チャック600から分離して第2ラック722に積載する。基板500と分離された静電チャック600は、第2循環部620を通じてローディング部710に回送される。
しかし、本発明は必ずしもこれに限定されるものではなく、基板500が静電チャック600に最初に固定される時から静電チャック600の下面に基板500を固定させて、そのまま蒸着部730に移送させてもよい。この場合、例えば、第1反転室718及び第1反転ロボット719と第2反転室728及び第2反転ロボット729は必要なくなる。
蒸着部730は少なくとも一つの蒸着用チャンバを備える。図1による本発明の望ましい一実施形態によれば、前記蒸着部730は第1チャンバ731を備え、この第1チャンバ731内に複数の薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400が配される。図1に図示された本発明の望ましい一実施形態によれば、前記第1チャンバ731内に第1薄膜蒸着アセンブリー100、第2薄膜蒸着アセンブリー200、第3薄膜蒸着アセンブリー300及び第4薄膜蒸着アセンブリー400の4つの薄膜蒸着アセンブリーが設けられているが、その数字は蒸着物質及び蒸着条件によって可変できる。前記第1チャンバ731は、蒸着が進む間に真空に維持される。
また、図2による本発明の他の一実施形態によれば、前記蒸着部730は互いに連係した第1チャンバ731及び第2チャンバ732を備え、第1チャンバ731には第1及び2薄膜蒸着アセンブリー100及び200が、第2チャンバ732には第3及び4薄膜蒸着アセンブリー300及び400が配されうる。この時、チャンバの数が追加されうるということは言うまでもない。
一方、図1による本発明の望ましい一実施形態によれば、前記基板500が固定された静電チャック600は、第1循環部610により少なくとも蒸着部730に、望ましくは、前記ローディング部710、蒸着部730及びアンローディング部720に順次移動し、前記アンローディング部720で基板500と分離された静電チャック600は、第2循環部620により前記ローディング部710に戻される。
前記第1循環部610は、前記蒸着部730を通過する時に前記第1チャンバ731を貫通するように備えられ、前記第2循環部620は、静電チャックが移送されるように備えられる。
図4は、図1の薄膜蒸着装置の第1循環部を概略的に示す斜視図であり、図5は、図4の第1循環部で第1静電チャック及び第1ガイドブロックの断面を第1反転ロボット719側又は第2反転ロボット729側から見た図であり、図6は、図4の第1循環部で第2静電チャック及び第2ガイドブロックの断面を第1反転ロボット719側又は第2反転ロボット729側から見た図である。
図4ないし図6を参照すれば、第1循環部610は、基板500を固定している静電チャック601及び602を移動させる役割を行う。ここで、第1循環部610は、支持台611と、前記支持台611上に形成された2対のガイドレール613、617と、前記2対のガイドレール613、617上にそれぞれ形成された複数のガイドブロック615、619とを備える。これをさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
前述したように本発明では、基板が固定された静電チャックがチャンバ内部で直線運動しつつ蒸着が行われる。この場合、既存の移送方式であるローラやコンベヤーベルトを使用すれば、基板の位置精密度が落ちるため、基板の精密な移送のためには、ガイドレールとガイドブロックとで形成されたリニアモーションシステムを用いることが望ましい。ところが、基板の精密な移送のためには、すなわち、直線運動の精密度を保証するためには、ガイドレールとガイドブロックとの間の間隔を最小化せねばならず、ガイドレールとガイドブロックとの間のボールベアリングのサイズを大きくするか、またはガイドレールに弾性変形を加え、かつ予圧を印加してクリアランスを最小化せねばならない。この場合、ガイドレールとガイドブロックとは互いに密着結合されて分離できなくなるが、このような構造では、蒸着が完了した後、ガイドブロックがローディング部に原位置する間に蒸着が行われることができないので、タクトタイム(tact time)が長くなって収率が低下するという問題点が存在している。
このような問題点を解決するために、本発明の一実施形態による薄膜蒸着装置では、2対のガイドレール及び前記それぞれのガイドレールに結合される複数のガイドブロックを備えて、いずれか一つのガイドレールに沿って移送される基板に蒸着が行われる間、残りの一つのガイドレールに沿ってガイドブロックをローディング部に原位置させることで、基板の位置精密度を向上させると同時に、休止期間なしに連続的に蒸着を行わせることを一特徴とする。
さらに詳細には、前記支持台611と、支持台611上に形成された2対のガイドレール613、617とは前記蒸着部730のチャンバ、例えば、図1の実施形態では第1チャンバ731、図2の実施形態では第1チャンバ731と第2チャンバ732とを貫通するように設けられる。
支持台611の上部は概略扁平な平面に形成されており、前記支持台611の上部面上には2対のガイドレール613、617が形成されている。さらに詳細には、1対の第1ガイドレール613は支持台611の外側に形成され、1対の第2ガイドレール617は支持台611の内側に形成される。
一方、第1ガイドレール613には第1ガイドブロック615が挟み込まれて、第1ガイドブロック615が前記第1ガイドレール613に沿って往復動し、第2ガイドレール617には第2ガイドブロック619が挟み込まれて、第2ガイドブロック619が前記第2ガイドレール613に沿って往復動する。
前記第1ガイドブロック615及び前記第2ガイドブロック619には所定の駆動部(図示せず)が備えられうる。駆動部(図示せず)は、第1ガイドブロック615及び第2ガイドブロック619を第1ガイドレール613及び第2ガイドレール617に沿って移動させる部材であって、それ自体から駆動力を提供するものであってもよく、別途の駆動源からの駆動力を第1ガイドブロック615及び第2ガイドブロック619に伝達するものであってもよい。
一方、静電チャック(図1の600参照)は、第1静電チャック601及び第2静電チャック602を備える。第1静電チャック601の下部面の第2ガイドブロック619と対応する領域には、第1静電チャック601と第2ガイドブロック619とが互いに接触しないように第1陥没部601aが形成されている。すなわち、第1静電チャック601は、第1ガイドブロック615のみと接触しており、したがって、第1ガイドブロック615の上部に配された第1静電チャック601が第1ガイドレール613に沿って移動する時、第2ガイドブロック619にその移動経路が干渉されない。
同様に、第2静電チャック602の下部面の第1ガイドブロック615と対応する領域には、第2静電チャック602と第1ガイドブロック615とが互いに接触しないように第2陥没部602aが形成されている。すなわち、第2静電チャック602は、第2ガイドブロック619のみと接触しており、したがって、第2ガイドブロック619の上部に配された第2静電チャック602が第2ガイドレール617に沿って移動する時、第1ガイドブロック615にその移動経路が干渉されない。
このような構成によって、第1ガイドブロック615は、第2静電チャック602と干渉せずに直線往復動を行え、同時に、第2ガイドブロック619は、第1静電チャック601と干渉せずに直線往復動を行える。
ここで、前記ガイドレール613、617としてLMレール(Linear Motion rail)を備え、前記ガイドブロック615、619としてLMブロック(Linear Motion block)を備え、所定のLMシステムを構成できる。LMシステムは、過去の滑り案内システムに比べて摩擦係数が小さくて位置誤差がほとんど発生しなくて位置精密度が非常に高い移送システムであり、本明細書では、このようなLMシステムについてはその詳細な説明を省略する。
次いで、前記第1ガイドブロック615(及びその上に配された第1静電チャック601)と、前記第2ガイドブロック619(及びその上に配された第2静電チャック602)との循環メカニズムについて説明する。
図7ないし図10は、前記ガイドブロックの循環メカニズムを示す図面である。ここで、説明の便宜のために第1ガイドブロック上に配された第1静電チャックと、第2ガイドブロック上に配された第2静電チャックとは図示していないが、実際の蒸着過程では、前記それぞれの第1ガイドブロック615a、615b、615c上にはそれぞれ第1静電チャックが配され、前記それぞれの第2ガイドブロック619a、619b、619c上にはそれぞれ第2静電チャックが配されると想定できる。
また、図面には、第1ガイドブロックと第2ガイドブロックとが3対ずつ備えられていると図示されているが、本発明の思想はこれに制限されず、薄膜蒸着装置の製品仕様によって、前記ガイドブロックの数は多様に適用できるといえる。ただし、タクトタイムの短縮のために、第1ガイドブロック同士と第2ガイドブロック同士とはそれぞれ密集して配されることが望ましい。すなわち、第1ガイドブロックと第2ガイドブロックとが交互に配されるものではなく、複数の第1ガイドブロックが順に配された後、その一側に複数の第2ガイドブロックが順に配されることが望ましいといえる。
まず、図7を参照すれば、複数の第1ガイドブロック615a、615b、615cは、第1ガイドレール613に沿って矢印D方向に移動し、同時に複数の第2ガイドブロック619a、619b、619cは、第2ガイドレール617に沿って矢印D方向に移動する。この過程で、薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400から放射される蒸着物質が基板(図4の500参照)上に蒸着される。(すなわち、ガイドレール上にガイドブロックが配されて、ガイドブロック上に静電チャックが安着して、静電チャックに基板が結合されている。)。
次いで、図8に図示されたように、薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400を完全に通過して蒸着が完了した第2ガイドブロック619a、619b、619cは、薄膜蒸着アセンブリー400の一側に集まる。この時、薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400を完全に通過した第2ガイドブロック619a、619b、619cの上部に配された第2静電チャック(図4の602参照)は、アンローディング部(図1の720参照)により第2ガイドブロック619a、619b、619cから分離され、前記分離された第2静電チャック(図4の602参照)は、第2循環部(図1の620参照)を通じてローディング部(図1の710参照)に原位置する。
次いで、図9に図示されたように、第2静電チャック(図4の602参照)が分離された第2ガイドブロック619a、619b、619cは、矢印Dの逆方向に移動してローディング部(図1の710参照)側に原位置することで、次の蒸着を用意する。この時、第1静電チャック(図4の601参照)には第1陥没部(図4の601a参照)が形成されているため、第2ガイドブロック619a、619b、619cは何の干渉も受けずに矢印Dの逆方向に移動できる。
次いで、図10に図示されたように、ローディング部(図1の710参照)に原位置した第2ガイドブロック619a、619b、619cに、基板(図1の500参照)が付着された第2静電チャックが装着された後、第2ガイドブロック619a、619b、619cが第2ガイドレール617に沿って矢印D方向に移動しつつ、薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400から放射される蒸着物質が基板(図4の500参照)上に連続的に蒸着される。
同様に、薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400を完全に通過して蒸着が完了した第1ガイドブロック615a、615b、615cから第1静電チャックが分離された後、第1ガイドブロック615a、615b、615cが矢印Dの逆方向に移動してローディング部(図1の710参照)側に原位置することで、次の蒸着のために準備する。この時、第2静電チャック(図4の602参照)には第2陥没部(図4の602a参照)が形成されているため、第1ガイドブロック615a、615b、615cは、何の干渉も受けずに矢印Dの逆方向に移動できることである。
かかる本発明によって、2対のガイドレール及び前記それぞれのガイドレールに結合される複数のガイドブロックを備えて、いずれか一つのガイドレールに沿って移送される基板に蒸着が行われる間、残りの一つのガイドレールに沿ってガイドブロックをローディング部に原位置させることで、基板の位置精密度を向上させると同時に、休止期間なしに連続的に蒸着が行われる効果を得ることができる。
次いで、本発明の一実施形態による薄膜蒸着装置の薄膜蒸着アセンブリー100を説明する。図11は、図1の薄膜蒸着装置の薄膜蒸着アセンブリーを概略的に示す斜視図であり、図12は、図11の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な側断面図であり、図13は、図11の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な平断面図である。
図11ないし図13を参照すれば、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100は、蒸着源110、蒸着源ノズル部120、遮断板アセンブリー130及びパターニングスリット151を備える。
ここで、図11ないし図13には、説明の便宜のためにチャンバを図示していないが、図11ないし図13のあらゆる構成は、適切な真空度が維持される第1チャンバ内に配されることが望ましい。これは、蒸着物質の直進性を確保するためである。
さらに詳細には、蒸着源110から放出された蒸着物質115を、蒸着源ノズル部120及びパターニングスリット151を通過して基板500に所望のパターンに蒸着させるためには、基本的にチャンバ(図示せず)の内部は高真空状態を維持せねばならない。また遮断板131及びパターニングスリットシート150の温度が蒸着源110の温度より十分に低くて初めて(約100℃以下)、蒸着源ノズル121とパターニングスリット151との間の空間を高真空状態に維持できる。このように、遮断板アセンブリー130とパターニングスリットシート150との温度が十分に低ければ、願わない方向に放射される蒸着物質115はいずれも遮断板アセンブリー130面に吸着されて高真空を維持できるため、蒸着物質間の衝突が発生しなくて蒸着物質の直進性を確保できるようになる。この時、遮断板アセンブリー130は高温の蒸着源110に向かっており、蒸着源110と近いところは最大167℃ほど温度が上昇するため、必要な場合、部分冷却装置(図示せず)がさらに備えられうる。
このような第1チャンバ内には、被蒸着体である基板500が静電チャック600により移送される。前記基板500は、平板表示装置用基板になりうるが、複数の平板表示装置を形成できるマザーガラスのような大面積基板が適用されうる。
ここで、本発明の一実施形態では、基板500が薄膜蒸着アセンブリー100に対して相対的に移動するが、望ましくは、薄膜蒸着アセンブリー100に対して基板500をA方向に移動させることができる。
さらに詳細には、既存FMM蒸着方法では、マスクのサイズが基板サイズと同一またこれより大きくなければならなかった。したがって、基板サイズが増大するほどマスクも大型化せねばならず、したがって、このような大型のマスクの製作が容易ではなく、マスクを引っ張って精密なパターンにアラインすることも容易ではないという問題点がある。
このような問題点を解決するために、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100は、薄膜蒸着アセンブリー100と基板500とが互いに相対的に移動しつつ蒸着が行われることを一特徴とする。言い換えれば、薄膜蒸着アセンブリー100と対向するように配された基板500が、Y軸方向に沿って移動しつつ連続的に蒸着する。すなわち、基板500が図11の矢印A方向に移動しつつスキャニング方式で蒸着が行われることである。ここで、図面には、基板500がチャンバ(図示せず)内でY軸方向に移動しつつ蒸着が行われると図示されているが、本発明の思想はこれに制限されず、基板500は固定されており、薄膜蒸着アセンブリー100自体がY軸方向に移動しつつ蒸着を行うことも可能であるといえる。
したがって、本発明の薄膜蒸着アセンブリー100では、従来のFMMに比べて非常に小さくパターニングスリットシート150を設けることができる。すなわち、本発明の薄膜蒸着アセンブリー100の場合、基板500がY軸方向に沿って移動しつつ連続的に、すなわち、スキャニング方式で蒸着を行うため、パターニングスリットシート150のX軸方向への幅と基板500のX軸方向への幅のみ実質的に同一に形成されれば、パターニングスリットシート150のY軸方向の長さは、基板500の長さより非常に小さく形成されても構わない。もちろん、パターニングスリットシート150のX軸方向への幅が基板500のX軸方向への幅より小さく形成されるとしても、基板500と薄膜蒸着アセンブリー100との相対的移動によるスキャニング方式により、十分に基板500全体に対して蒸着できるようになる。
このように、従来のFMMに比べて非常に小さくパターニングスリットシート150を設けることができるため、本発明のパターニングスリットシート150はその製造が容易である。すなわち、パターニングスリットシート150のエッチング作業や、その後の精密引張及び溶接作業、移動及び洗浄作業などのあらゆる工程で、小サイズのパターニングスリットシート150がFMM蒸着方法に比べて有利である。また、これは、ディスプレイ装置が大型化するほどさらに有利になる。
このように、薄膜蒸着アセンブリー100と基板500とが互いに相対的に移動しつつ蒸着が行われるためには、薄膜蒸着アセンブリー100と基板500とが一定距離ほど離隔することが望ましい。これについては、後述する。
一方、第1チャンバ内で前記基板500と対向する側には、蒸着物質115が収納及び加熱される蒸着源110が配される。
前記蒸着源110は、その内部に蒸着物質115が満たされる坩堝112と、この坩堝112を取り囲む冷却ブロック111とが備えられる。冷却ブロック111は、坩堝112からの熱が外部、すなわち、第1チャンバの内部に発散されることを最大限抑制するためのものであり、この冷却ブロック111には坩堝111を加熱させるヒータ(図示せず)が備えられている。
蒸着源110の一側、さらに詳細には、蒸着源110から基板500に向かう側には蒸着源ノズル部120が配される。そして、蒸着源ノズル部120には、X軸方向に沿って複数の蒸着源ノズル121が形成される。ここで、前記複数の蒸着源ノズル121は等間隔で形成されうる。蒸着源110内で気化した蒸着物質115は、このような蒸着源ノズル部120の蒸着源ノズル121を通過して、被蒸着体である基板500側に向かう。
蒸着源ノズル部120の一側には遮断板アセンブリー130が備えられる。前記遮断板アセンブリー130は、複数の遮断板131と、遮断板131の外側に備えられる遮断板フレーム132とを備える。前記複数の遮断板131は、X軸方向に沿って互いに平行に配されうる。ここで、前記複数の遮断板131は等間隔で形成されうる。また、それぞれの遮断板131は、図面からみれば、YZ平面に沿って延びており、望ましくは、長方形に備えられうる。このように配された複数の遮断板131は、蒸着源ノズル部120とパターニングスリット150との間の空間を複数の蒸着空間Sに区切る。すなわち、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100は、前記遮断板131によって、図13から分かるように、蒸着物質が噴射されるそれぞれの蒸着源ノズル121別に蒸着空間Sが分離される。
ここで、それぞれの遮断板131は、互いに隣接している蒸着源ノズル121の間に配されうる。これは、言い換えれば、互いに隣接している遮断板131の間に一つの蒸着源ノズル121が配されることである。望ましくは、蒸着源ノズル121は、互いに隣接している遮断板131間の正中央に位置できる。しかし、本発明は必ずしもこれに限定されず、互いに隣接している遮断板131の間に複数の蒸着源ノズル121が配されてもよい。ただし、この場合にも、複数の蒸着源ノズル121を互いに隣接している遮断板131の間の正中央に位置させることが望ましい。
このように、遮断板131が蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間の空間を複数の蒸着空間Sに区切ることによって、一つの蒸着源ノズル121から排出される蒸着物質は、他の蒸着源ノズル121から排出された蒸着物質と混合されず、パターニングスリット151を通過して基板500に蒸着されることである。すなわち、前記遮断板131は、各蒸着源ノズル121を通じて排出される蒸着物質が分散されずに直進性を維持するように、蒸着物質のZ軸方向の移動経路をガイドする役割を行う。
このように、遮断板131を備えて蒸着物質の直進性を確保することによって、基板に形成される陰影(shadow)のサイズを大幅に縮めることができ、したがって、薄膜蒸着アセンブリー100と基板500を一定距離ほど離隔させることができる。これについては、後述する。
一方、前記複数の遮断板131の外側には、遮断板フレーム132がさらに備えられうる。遮断板フレーム132は、複数の遮断板131の側面にそれぞれ備えられて、複数の遮断板131の位置を固定させると同時に、蒸着源ノズル121を通じて排出される蒸着物質がY軸方向に分散されないように、蒸着物質のY軸方向の移動経路をガイドする役割を行う。
前記蒸着源ノズル部120と遮断板アセンブリー130とは一定距離ほど離隔されたことが望ましい。これにより、蒸着源110から発散される熱が遮断板アセンブリー130に伝導されることを防止できる。しかし、本発明の思想はこれに制限されるものではない。すなわち、蒸着源ノズル部120と遮断板アセンブリー130との間に適切な断熱手段が備えられる場合、蒸着源ノズル部120と遮断板アセンブリー130とが結合して接触してもよい。
一方、前記遮断板アセンブリー130は、薄膜蒸着アセンブリー100から着脱自在に形成されうる。本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100では、遮断板アセンブリー130を用いて蒸着空間を外部空間と分離したので、基板500に蒸着されていない蒸着物質は、大部分遮断板アセンブリー130内に蒸着される。したがって、遮断板アセンブリー130を薄膜蒸着アセンブリー100から着脱自在に形成して、長時間蒸着後に遮断板アセンブリー130に蒸着物質が多く溜まれば、遮断板アセンブリー130を薄膜蒸着アセンブリー100から分離して、別途の蒸着物質リサイクル装置に入れて蒸着物質を回収できる。このような構成を通じて、蒸着物質リサイクル率を高めることによって、蒸着効率が向上してコストダウン効果を得ることができる。
一方、蒸着源110と基板500との間にはパターニングスリットシート150及びフレーム155がさらに備えられる。前記フレーム155は、窓枠状に形成され、その内側にパターニングスリットシート150が結合される。そして、パターニングスリットシート150にはX軸方向に沿って複数のパターニングスリット151が形成される。各パターニングスリット151はY軸方向に沿って延びている。蒸着源110内で気化して蒸着源ノズル121を通過した蒸着物質115は、パターニングスリット151を通過して被蒸着体である基板500側に向かう。
前記パターニングスリットシート150は金属薄板で形成され、引張られた状態でフレーム155に固定される。前記パターニングスリット151は、ストライプタイプであって、パターニングスリットシート150にエッチングを通じて形成される。
ここで、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100は、蒸着源ノズル121の総数より、パターニングスリット151の総数がさらに多く形成される。また、互いに隣接している2つの遮断板131の間に配された蒸着源ノズル121の数より、パターニングスリット151の数がさらに多く形成される。前記パターニングスリット151の数は、基板500に形成される蒸着パターンの数に対応させることが望ましい。
一方、前述した遮断板アセンブリー130とパターニングスリットシート150とは、互いに一定距離ほど離隔するように形成され、遮断板アセンブリー130とパターニングスリットシート150とは、別途の連結部材135によって互いに連結されうる。さらに詳細には、高温状態の蒸着源110により、遮断板アセンブリー130の温度は最大100℃以上上昇するため、上昇した遮断板アセンブリー130の温度がパターニングスリットシート150に伝導されないように、遮断板アセンブリー130とパターニングスリットシート150とを一定距離ほど離隔させることである。
前述したように、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100は、基板500に対して相対的に移動しつつ蒸着を行い、このように薄膜蒸着アセンブリー100が基板500に対して相対的に移動するために、パターニングスリットシート150は基板500から一定距離ほど離隔するように形成される。そして、パターニングスリットシート150と基板500とを離隔させる場合に発生する陰影問題を解決するために、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間に遮断板131を備えて蒸着物質の直進性を確保することによって、基板に形成される陰影のサイズを大幅に縮めたことである。
従来のFMM蒸着方法では、基板に陰影が生じないようにするために、基板にマスクを密着させて蒸着工程を進めた。しかし、このように基板にマスクを密着させる場合、基板とマスクとの接触により基板に既に形成されていたパターンがかかれるなど、不良が発生するという問題点が存在している。また、マスクを基板に対して移動させられないため、マスクが基板と同じサイズに形成されねばならない。したがって、ディスプレイ装置が大型化することによってマスクのサイズも大きくならねばならないが、このような大型マスクを形成し難いという問題点がある。
このような問題点を解決するために、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100では、パターニングスリットシート150が被蒸着体である基板500と所定間隔をおいて離隔するように配させる。これは、遮断板131を備えて、基板500に生成される陰影が小さくなることによって実現可能になる。
このような本発明によってパターニングスリットシートを基板より小さく形成した後、このパターニングスリットシートを基板に対して相対移動させることによって、従来FMM方法のように大きいマスクを製作しなくて済むようになった。また、基板とパターニングスリットシートとの間が離隔されているために、互いの接触による不良を防止する効果を得ることができる。また、工程で基板とパターニングスリットシートとを密着させる時間が不要になるため、製造速度が向上する効果を得ることができる。
図14は、本発明の望ましい他の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリーを概略的に示す斜視図である。
図14に図示された実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー100は、蒸着源110、蒸着源ノズル部120、第1遮断板アセンブリー130、第2遮断板アセンブリー140、パターニングスリットシート150を備える。
ここで、図14には説明の便宜のためにチャンバを図示していないが、図14のあらゆる構成は、適切な真空度が維持されるチャンバ内に配されることが望ましい。これは、蒸着物質の直進性を確保するためである。
このようなチャンバ(図示せず)内には被蒸着体である基板500が配される。そして、チャンバ(図示せず)内で基板500と対向する側には、蒸着物質115が収納及び加熱される蒸着源110が配される。
蒸着源110及びパターニングスリットシート150の詳細な構成は、前述した図11による実施形態と同一であるので、詳細な説明を省略する。そして、前記第一遮断板アセンブリー130は、図11による実施形態の遮断板アセンブリーと同一であるので、やはり詳細な説明は省略する。
本実施形態では、第1遮断板アセンブリー130の一側に第2遮断板アセンブリー140が備えられる。前記第2遮断板アセンブリー140は、複数の第2遮断板141と、第2遮断板141の外側に備えられる第2遮断板フレーム142とを備える。
前記複数の第2遮断板141は、X軸方向に沿って互いに平行に備えられうる。そして、前記複数の第2遮断板141は等間隔で形成されうる。また、それぞれの第2遮断板141は、図面からみた時にYZ平面と平行に、言い換えれば、X軸方向に垂直に形成される。
このように配された複数の第1遮断板131及び第2遮断板141は、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間の空間を区切る役割を行う。すなわち、前記第1遮断板131及び第2遮断板141によって、蒸着物質が噴射されるそれぞれの蒸着源ノズル121別に蒸着空間が分離されることを一特徴とする。
ここで、それぞれの第2遮断板141は、それぞれの第1遮断板131と一対一対応するように配されうる。言い換えれば、それぞれの第2遮断板141は、それぞれの第1遮断板131とアラインされて互いに平行に配されうる。すなわち、互いに対応する第1遮断板131と第2遮断板141とは、互いに同じ平面上に位置する。図面には、第1遮断板131の長さと第2遮断板141のX軸方向の幅とが同一であると図示されているが、本発明の思想はこれに制限されるものではない。すなわち、パターニングスリット151との精密なアラインが要求される第2遮断板141は相対的に薄く形成される一方、精密なアラインが要求されない第1遮断板131は相対的に厚く形成されて、その製造を容易にすることも可能であるといえる。
以上説明したような薄膜蒸着アセンブリー100は、図1から分かるように、第1チャンバ731内に複数が連続して配されうる。この場合、各薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400は相異なる蒸着物質を蒸着させることができ、この時、各薄膜蒸着アセンブリー100、200、300、400のパターニングスリットのパターンを相異なるパターンにして、例えば、赤、緑、青色の画素を一括蒸着するなどの成膜工程を進めることができる。
図15は、本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着アセンブリー900を概略的に示す斜視図であり、図16は、図15の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な側面図であり、図17は、図15の薄膜蒸着アセンブリーの概略的な平面図である。
図15ないし図17を参照すれば、本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着アセンブリー900は、蒸着源910、蒸着源ノズル部920及びパターニングスリットシート950を備える。
ここで、図15ないし図17には、説明の便宜のためにチャンバを図示していないが、図15ないし図17のあらゆる構成は、適切な真空度が維持される第1チャンバ内に配されることが望ましい。これは、蒸着物質915の直進性を確保するためである。
そして、第1チャンバ(図示せず)内には、被蒸着体である基板500が静電チャック600により移送される。前記基板500は、平板表示装置用基板になりうるが、複数の平板表示装置を形成できるマザーガラスのような大面積基板が適用されうる。
ここで、本発明の一実施形態では、基板500が薄膜蒸着アセンブリー900に対して相対的に移動しつつ蒸着が進まれることを一特徴とする。さらに詳細には、薄膜蒸着アセンブリー900と対向するように配された基板500が、Y軸方向に沿って移動しつつ連続的に蒸着を行う。すなわち、基板500が図15の矢印A方向に移動しつつスキャニング方式で蒸着が行われることである。ここで、図面には基板500がチャンバ内でY軸方向に移動しつつ蒸着が行われると図示されているが、本発明の思想はこれに制限されず、基板500は固定されており、薄膜蒸着アセンブリー900自体がY軸方向に移動しつつ蒸着を行うことも可能であるといえる。
したがって、本発明の薄膜蒸着アセンブリー900では、従来のFMMに比べて非常に小さくパターニングスリットシート950を設けることができる。すなわち、本発明の薄膜蒸着アセンブリー900の場合、基板500がY軸方向に沿って移動しつつ連続的に、すなわち、スキャニング方式で蒸着を行うため、パターニングスリットシート950のX軸方向及びY軸方向の長さは、基板500の長さより非常に小さく形成されうる。このように、従来のFMMに比べて非常に小さくパターニングスリットシート950を設けることができるため、本発明のパターニングスリットシート950はその製造が容易である。すなわち、パターニングスリットシート950のエッチング作業や、その後の精密引張及び溶接作業、移動及び洗浄作業などのあらゆる工程で、小サイズのパターニングスリットシート950がFMM蒸着方法に比べて有利である。また、これはディスプレイ装置が大型化するほどさらに有利になる。
このように、薄膜蒸着アセンブリー900と基板500とが互いに相対的に移動しつつ蒸着が行われるためには、薄膜蒸着アセンブリー900と基板500とが一定距離ほど離隔することが望ましい。これについては、後述する。
一方、チャンバ内で前記基板500と対向する側には、蒸着物質915が収納及び加熱される蒸着源910が配される。前記蒸着源910内に収納されている蒸着物質915が気化することで基板500に蒸着が行われる。
さらに詳細には、蒸着源910は、その内部に蒸着物質915が満たされる坩堝911と、坩堝911を加熱させて坩堝911の内部に満たされた蒸着物質915を坩堝911の一側、さらに詳細には、蒸着源ノズル部920側に蒸発させるためのヒータ912とを備える。
蒸着源910の一側、詳細には、蒸着源910から基板500に向かう側には蒸着源ノズル部920が配される。そして、蒸着源ノズル部920には、Y軸方向、すなわち、基板500のスキャン方向に沿って複数の蒸着源ノズル921が形成される。ここで、前記複数の蒸着源ノズル921は等間隔で形成されうる。蒸着源910内で気化した蒸着物質915は、このような蒸着源ノズル部920を通過して被蒸着体である基板500側に向かう。このように、蒸着源ノズル部920上にY軸方向、すなわち、基板500のスキャン方向に沿って複数の蒸着源ノズル921が形成する場合、パターニングスリットシート950のそれぞれのパターニングスリット951を通過する蒸着物質により形成されるパターンのサイズは、蒸着源ノズル921の一つのサイズのみに影響されるので(すなわち、X軸方向には蒸着源ノズル921が一つだけ存在するので)、陰影が発生しなくなる。また、複数の蒸着源ノズル921がスキャン方向に存在するので、個別蒸着源ノズル間のフラックス差が発生しても、その差が相殺されて蒸着均一度が一定に維持される効果を得ることができる。
一方、蒸着源910と基板500との間には、パターニングスリットシート950及びフレーム955がさらに備えられる。フレーム955は、窓枠状に形成され、その内側にパターニングスリットシート950が結合される。そして、パターニングスリットシート950には、X軸方向に沿って複数のパターニングスリット951が形成される。蒸着源910内で気化した蒸着物質915は、蒸着源ノズル部920及びパターニングスリットシート950を通過して被蒸着体である基板500側に向かうようになる。この時、前記パターニングスリットシート950は、従来のFMM、特にストライプタイプのマスクの製造方法と同じ方法であるエッチングを通じて製作されうる。この時、蒸着源ノズル921の総数よりパターニングスリット951の総数がさらに多く形成されうる。
一方、前述した蒸着源910及びこれと結合された蒸着源ノズル部920とパターニングスリットシート950とは、互いに一定距離ほど離隔するように形成され、蒸着源910及びこれと結合された蒸着源ノズル部920とパターニングスリットシート950とは、連結部材935によって互いに連結されうる。すなわち、蒸着源910、蒸着源ノズル部920及びパターニングスリットシート950が連結部材935により連結されて、互いに一体に形成されうる。ここで、連結部材935は、蒸着源ノズル921を通じて排出される蒸着物質が分散されないように蒸着物質の移動経路をガイドできる。図面には、連結部材935が蒸着源910、蒸着源ノズル部920及びパターニングスリットシート950の左右方向のみに形成されて、蒸着物質のX軸方向のみをガイドすると図示されているが、これは図示の便宜のためのものであって、本発明の思想はこれに制限されず、連結部材935がボックス状の密閉型に形成されて、蒸着物質のX軸方向及びY軸方向移動を同時にガイドすることもできる。
前述したように、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー900は、基板500に対して相対的に移動しつつ蒸着を行い、このように薄膜蒸着アセンブリー900が基板500に対して相対的に移動するために、パターニングスリットシート950は、基板500から一定距離ほど離隔するように形成される。
さらに詳細には、従来のFMM蒸着方法では、基板に陰影を生じさせないために、基板にマスクを密着させて蒸着工程を進めた。しかし、このように基板にマスクを密着させる場合、基板とマスクとの接触による不良が発生するという問題点がある。また、マスクを基板に対して移動させられないため、マスクが基板と同じサイズに形成されねばならない。したがって、ディスプレイ装置の大型化につれてマスクのサイズも大きくならねばならないが、このような大型マスクを形成し難いという問題点がある。
このような問題点を解決するために、本発明の一実施形態に関する薄膜蒸着アセンブリー900では、パターニングスリットシート950を、被蒸着体である基板500と所定間隔をおいて離隔するように配させる。
このような本発明によってマスクを基板より小さく形成した後、マスクを基板に対して移動させつつ蒸着を行うことで、マスク製作が容易になる効果を得ることができる。また、基板とマスクとの接触による不良を防止する効果を得ることができる。また、工程で基板とマスクとを密着させる時間が不要になるため、製造速度が向上する効果を得ることができる。
図18は、本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着アセンブリーを示す図面である。図面を参照すれば、本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着アセンブリーは、蒸着源910、蒸着源ノズル部920及びパターニングスリットシート950を備える。ここで、蒸着源910は、その内部に蒸着物質915が満たされる坩堝911と、坩堝911を加熱させて、坩堝911の内部に満たされた蒸着物質915を蒸着源ノズル部920側に蒸発させるためのヒータ912とを備える。一方、蒸着源910の一側には蒸着源ノズル部920が配され、蒸着源ノズル部920にはY軸方向に沿って複数の蒸着源ノズル921が形成される。一方、蒸着源910と基板500との間には、パターニングスリットシート950及びフレーム955がさらに備えられ、パターニングスリットシート950には、X軸方向に沿って複数のパターニングスリット951が形成される。そして、蒸着源910及び蒸着源ノズル部920とパターニングスリットシート950とは、連結部材935によって結合される。
本実施形態では、蒸着源ノズル部920に形成された複数の蒸着源ノズル921が所定角度チルトされて配されるという点で、前述した実施形態と区別される。詳細には、蒸着源ノズル921は2列の蒸着源ノズル921a、921bで形成され、前記2列の蒸着源ノズル921a、921bは交互に配される。この時、蒸着源ノズル921a、921bは、XZ平面上で所定角度傾くようにチルトされて形成されうる。
すなわち、本実施形態では、蒸着源ノズル921a、921bを所定角度チルトして配する。ここで、第1列の蒸着源ノズル921aは、第2列の蒸着源ノズル921bに向かうようにチルトされ、第2列の蒸着源ノズル921bは、第1列の蒸着源ノズル921aに向かうようにチルトされうる。言い換えれば、左側列に配された蒸着源ノズル921aは、パターニングスリットシート950の右側端部に向かうように配され、右側列に配された蒸着源ノズル921bは、パターニングスリットシート950の左側端部に向かうように配されうる。
図19は、本発明による薄膜蒸着アセンブリーで蒸着源ノズルをチルトさせていない時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面であり、図20は、本発明による薄膜蒸着アセンブリーで蒸着源ノズルをチルトさせた時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面である。図19と図20とを比較すれば、蒸着源ノズルをチルトさせた時、基板の両端部に成膜される蒸着膜の厚さが相対的に増大して、蒸着膜の均一度が上昇することが分かる。
このような構成によって、基板の中央と端部とでの成膜厚さ差が低減して、全体的な蒸着物質の厚さが均一になるように蒸着量を制御でき、さらには、材料利用効率が増大する効果を得ることができる。
ここで、本発明のさらに他の一実施形態による薄膜蒸着装置では、2対のガイドレール及び前記それぞれのガイドレールに結合される複数のガイドブロックを備え、いずれか一つのガイドレールに沿って移送される基板に蒸着が行われる間、残りの一つのガイドレールに沿ってガイドブロックをローディング部に原位置させることで、基板の位置精密度を向上させると同時に、休止期間なしに連続的に蒸着を行わせることを一特徴とする。これについては、第1実施形態で詳細に説明したので、本実施形態ではその詳細な説明は省略する。
図21は、本発明の蒸着装置を用いて製造されたアクティブマトリックス型有機発光表示装置の断面を図示したものである。
図21を参照すれば、前記アクティブマトリス型の有機発光表示装置は基板30上に形成される。前記基板30は透明な素材、例えば、ガラス材、プラスチック材、または金属材で形成されうる。前記基板30上には、全体的にバッファ層のような絶縁膜31が形成されている。
前記絶縁膜31上には、図21に示したようなTFT 40と、キャパシタ50と、有機発光素子60とが形成される。
前記絶縁膜31の上面には、所定パターンで配列された半導体活性層41が形成されている。前記半導体活性層41は、ゲート絶縁膜32によって埋め立てられている。前記活性層41は、p型またはn型の半導体で備えられうる。
前記ゲート絶縁膜32の上面には、前記活性層41と対応する所にTFT 40のゲート電極42が形成される。そして、前記ゲート電極42を覆うように層間絶縁膜33が形成される。前記層間絶縁膜33が形成された後には、ドライエッチングのエッチング工程によって、前記ゲート絶縁膜32と層間絶縁膜33とをエッチングしてコンタクトホールを形成させて、前記活性層41の一部を露出させる。
次いで、前記層間絶縁膜33上にソース/ドレイン電極43が形成されるが、コンタクトホールを通じて露出された活性層41に接触するように形成される。前記ソース/ドレイン電極43を覆うように保護膜34が形成され、エッチング工程を通じて前記ドレイン電極43の一部を露出させる。前記保護膜34上には、保護膜34の平坦化のために別途の絶縁膜をさらに形成してもよい。
一方、前記有機発光素子60は、電流のフローによって赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するためのものであって、前記保護膜34上に第1電極61を形成する。前記第1電極61は、TFT 40のドレイン電極43と電気的に連結される。
そして、前記第1電極61を覆うように画素定義膜35が形成される。この画素定義膜35に所定の開口64を形成した後、この開口64で限定された領域内に有機発光膜63を形成する。有機発光膜63上には第2電極62を形成する。
前記画素定義膜35は各画素を区切るものであって、有機物で形成されて、第1電極61が形成されている基板の表面、特に、保護層34の表面を平坦化する。
前記第1電極61と第2電極62とは互いに絶縁されており、有機発光膜63に相異なる極性の電圧を加えて発光がなされるようにする。
前記有機発光膜63は、低分子または高分子有機物が使われうるが、低分子有機物を使用する場合、ホール注入層(HIL:Hole Injection Layer)、ホール輸送層(HTL:Hole Transport Layer)、発光層(EML:Emission Layer)、電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)、電子注入層(EIL:Electron Injection Layer)などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン(CuPc)、N,N−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPB)、トリス−8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)などをはじめとして多様に適用できる。これら低分子有機物は、図1ないし図3に示した蒸着装置及び蒸着ソースユニット10を用いて真空蒸着の方法で形成されうる。
まず、画素定義膜35に開口64を形成した後、この基板30を図1のようにチャンバ20内に移送する。そして、第1蒸着ソース11と第2蒸着ソース12とに目標有機物を収納した後、蒸着する。この時、ホストとドーパントとを同時に蒸着させる場合には、第1蒸着ソース11と第2蒸着ソース12とにそれぞれホスト物質とドーパント物質とを収納して蒸着させる。
このような有機発光膜を形成した後には、第2電極62も同じ蒸着工程で形成できる。
一方、前記第1電極61はアノード電極の機能を行い、前記第2電極62はカソード電極の機能を行えるが、もちろん、これら第1電極61と第2電極62との極性は逆になってもよい。そして、第1電極61は、各画素の領域に対応するようにパターニングされ、第2電極62は、あらゆる画素を覆うように形成されうる。
前記第1電極61は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、ITO、IZO、ZnO、またはInで備えられ、反射型電極として使われる時には、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、及びこれらの化合物などで反射層を形成した後、その上にITO、IZO、ZnO、またはInに透明電極層を形成できる。このような第1電極61は、スパッタリング方法などにより成膜された後、フォトリソグラフィ法などによりパターニングされる。
一方、前記第2電極62も透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、この第2電極62がカソード電極として使われるので、仕事関数の小さな金属、すなわち、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、及びこれらの化合物が有機発光膜63の方向に向かうように蒸着した後、その上にITO、IZO、ZnO、またはInなどで補助電極層やバス電極ラインを形成できる。そして、反射型電極として使われる時には、前記Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、及びこれらの化合物を全面蒸着して形成する。この時、蒸着は前述した有機発光膜63の場合と同じ方法で行える。
本発明はこれ以外にも、有機TFTの有機膜または無期膜などの蒸着にも使用できて、その他に多様な素材の成膜工程に適用できる。
本発明は図面に図示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるだろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
本発明は、薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置関連の技術分野に好適に用いられる。
100 薄膜蒸着アセンブリー
110 蒸着源
120 蒸着源ノズル部
130 遮断板アセンブリー
131 遮断板
132 遮断板フレーム
150 パターニングスリットシート
155 フレーム
500 基板
600 静電チャック

Claims (35)

  1. 被蒸着用基板を静電チャックで固定させるローディング部と、
    チャンバと、前記チャンバの内部に配され、かつ前記静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部と、
    前記静電チャックから蒸着が完了した前記基板を分離させるアンローディング部と、
    前記基板が固定された静電チャックを前記ローディング部、蒸着部及びアンローディング部に順次移動させる第1循環部と、を備え、
    前記第1循環部は、互いに平行に形成された2対の第1ガイドレール及び第2ガイドレールと、前記第1ガイドレールに結合する一つ以上の第1ガイドブロックと、前記第2ガイドレールに結合する一つ以上の第2ガイドブロックとを備えることを特徴とする薄膜蒸着装置。
  2. 前記2対の第1ガイドレール及び第2ガイドレールは、前記チャンバに貫設されるが、前記1対の第1ガイドレールが前記1対の第2ガイドレールの外側に配されるように形成し、
    前記第1ガイドブロックは、前記第1ガイドレールに沿って直線往復動し、
    前記第2ガイドブロックは、前記第2ガイドレールに沿って直線往復動することを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  3. 前記基板を固定している前記静電チャックが前記第1ガイドブロックまたは第2ガイドブロック上に配されて、前記基板が前記第1ガイドレールまたは前記第2ガイドレールに沿って直線往復動することを特徴とする請求項2に記載の薄膜蒸着装置。
  4. 前記第1ガイドブロックと前記第2ガイドブロックとは、互いに独立して直線往復動することを特徴とする請求項2に記載の薄膜蒸着装置。
  5. 前記静電チャックは、前記第1ガイドブロック上に配される第1静電チャックと、前記第2ガイドブロック上に配される第2静電チャックと、を備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  6. 前記第1静電チャックで、前記第2ガイドブロックと対向する領域には第1陥没部が形成され、
    前記第2静電チャックで、前記第1ガイドブロックと対向する領域には第2陥没部が形成されることを特徴とする請求項5に記載の薄膜蒸着装置。
  7. 前記第1静電チャックと前記第2ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成され、
    前記第2静電チャックと前記第1ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成されることを特徴とする請求項5に記載の薄膜蒸着装置。
  8. 前記第1ガイドレール及び第2ガイドレールは、LMレールであり、前記第1ガイドブロック及び第2ガイドブロックは、LMブロックであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  9. 前記チャンバ内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーが備えられたことを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  10. 前記チャンバは、その内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーがそれぞれ備えられた第1チャンバと第2チャンバとを備え、前記第1チャンバと第2チャンバとが互いに連係された請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  11. 前記薄膜蒸着アセンブリーは、
    蒸着物質を放射する蒸着源と、
    前記蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成された蒸着源ノズル部と、
    前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第1方向に沿って複数のパターニングスリットが配されるパターニングスリットシートと、
    前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間に、前記第1方向に沿って配されて、前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数の蒸着空間に区切る複数の遮断板を備える遮断板アセンブリーと、を備え、
    前記薄膜蒸着アセンブリーは前記基板と離隔するように配され、
    前記薄膜蒸着アセンブリーと前記基板とは、互いに相対的に移動することを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  12. 前記薄膜蒸着アセンブリーの前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする請求項11に記載の薄膜蒸着装置。
  13. 前記複数の遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直な第2方向に沿って延びるように形成されたことを特徴とする請求項11に記載の薄膜蒸着装置。
  14. 前記複数の遮断板は等間隔で配されることを特徴とする請求項11に記載の薄膜蒸着装置。
  15. 前記遮断板アセンブリーは、複数の第1遮断板を備える第1遮断板アセンブリーと、複数の第2遮断板を備える第2遮断板アセンブリーと、を備えることを特徴とする請求項11に記載の薄膜蒸着装置。
  16. 前記複数の第1遮断板及び前記複数の第2遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直な第2方向に沿って延びるように形成されたことを特徴とする請求項15に記載の薄膜蒸着装置。
  17. 前記複数の第1遮断板及び前記複数の第2遮断板それぞれは、互いに対応するように配されることを特徴とする請求項16に記載の薄膜蒸着装置。
  18. 前記互いに対応する第1遮断板及び第2遮断板は、実質的に同じ平面上に位置するように配されることを特徴とする請求項17に記載の薄膜蒸着装置。
  19. 前記薄膜蒸着アセンブリーは、
    蒸着物質を放射する蒸着源と、
    前記蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、
    前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第1方向に対して垂直な第2方向に沿って複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を備え、
    前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第1方向に沿って移動しつつ蒸着が行われ、
    前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは一体に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜蒸着装置。
  20. 前記蒸着源及び前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとは、連結部材により結合されて一体に形成されることを特徴とする請求項19に記載の薄膜蒸着装置。
  21. 前記連結部材は、前記蒸着物質の移動経路をガイドすることを特徴とする請求項20に記載の薄膜蒸着装置。
  22. 前記連結部材は、前記蒸着源及び前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間の空間を外部から密閉するように形成されることを特徴とする請求項20に記載の薄膜蒸着装置。
  23. 前記薄膜蒸着装置は、前記基板と所定ほど離隔するように形成されることを特徴とする請求項19に記載の薄膜蒸着装置。
  24. 前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第1方向に沿って移動しつつ、前記基板上に前記蒸着物質が連続的に蒸着されることを特徴とする請求項19に記載の薄膜蒸着装置。
  25. 前記薄膜蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする請求項19に記載の薄膜蒸着装置。
  26. 前記複数の蒸着源ノズルは、所定角度チルトされるように形成されることを特徴とする請求項19に記載の薄膜蒸着装置。
  27. 前記複数の蒸着源ノズルは、前記第1方向に沿って形成された二列の蒸着源ノズルを備え、前記二列の蒸着源ノズルは、互いに対向する方向にチルトされていることを特徴とする請求項26に記載の薄膜蒸着装置。
  28. 前記複数の蒸着源ノズルは、前記第1方向に沿って形成された二列の蒸着源ノズルを備え、
    前記二列の蒸着源ノズルのうち、第1側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第2側端部に向かうように配され、
    前記二列の蒸着源ノズルのうち、第2側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第1側端部に向かうように配されることを特徴とする請求項26に記載の薄膜蒸着装置。
  29. 被蒸着用基板を静電チャックで固定させるローディング部、前記基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部、及び前記静電チャックから蒸着が完了した前記基板を分離させるアンローディング部を備える薄膜蒸着装置を用いた有機発光表示装置の製造方法において、
    前記ローディング部で前記基板を前記静電チャックで固定させる段階と、
    第1ガイドレールに沿って移動するように形成された第1ガイドブロックまたは第2ガイドレールに沿って移動するように形成された第2ガイドブロック上に、前記基板が固定された前記静電チャックを配する段階と、
    前記基板と前記薄膜蒸着アセンブリーとの相対的移動により、前記薄膜蒸着アセンブリーで放射された蒸着物質が前記基板に蒸着される段階と、
    前記アンローディング部から前記静電チャックが、前記第1ガイドブロックまたは前記第2ガイドブロックから分離される段階と、
    前記静電チャックが分離された前記第1ガイドブロックまたは前記第2ガイドブロックが、前記第1ガイドレールまたは前記第2ガイドレールに沿って前記ローディング部方向に移動する段階と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  30. 前記静電チャックは、前記第1ガイドブロック上に配される第1静電チャックと、前記第2ガイドブロック上に配される第2静電チャックと、を備えることを特徴とする請求項29に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  31. 前記第1静電チャックで、前記第2ガイドブロックと対向する領域には第1陥没部が形成され、
    前記第2静電チャックで、前記第1ガイドブロックと対向する領域には第2陥没部が形成されることを特徴とする請求項30に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  32. 前記第1静電チャックと前記第2ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成され、
    前記第2静電チャックと前記第1ガイドブロックとは、互いに一定距離ほど離隔するように形成されることを特徴とする請求項30に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  33. 前記第1ガイドレール及び第2ガイドレールはLMレールであり、前記第1ガイドブロック及び第2ガイドブロックはLMブロックであることを特徴とする請求項29に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  34. 前記チャンバ内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーが備えられて、各薄膜蒸着アセンブリーにより前記基板に連続的に蒸着が行われることを特徴とする請求項29に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  35. 前記チャンバは、その内部に複数の薄膜蒸着アセンブリーがそれぞれ備えられ、互いに連係した第1チャンバと第2チャンバとを備え、前記基板が、前記第1チャンバ及び第2チャンバにわたって移動しつつ連続的に蒸着が行われることを特徴とする請求項29に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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Publication Number Publication Date
JP2011219866A true JP2011219866A (ja) 2011-11-04
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ID=44709978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011079343A Expired - Fee Related JP5751891B2 (ja) 2010-04-06 2011-03-31 薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法

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US (1) US8865252B2 (ja)
JP (1) JP5751891B2 (ja)
KR (1) KR101202348B1 (ja)
TW (1) TWI523969B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101420333B1 (ko) * 2012-11-19 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102098741B1 (ko) 2013-05-27 2020-04-09 삼성디스플레이 주식회사 증착용 기판 이동부, 이를 포함하는 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20150052996A (ko) * 2013-11-07 2015-05-15 삼성디스플레이 주식회사 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
KR20180058952A (ko) * 2016-11-25 2018-06-04 주식회사 선익시스템 증착챔버용 도가니
JP6846943B2 (ja) * 2017-02-10 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、および塗布方法
CN114127973A (zh) 2019-07-10 2022-03-01 科迪华公司 沉积机的基底定位
KR20200024178A (ko) * 2020-02-17 2020-03-06 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 자가조립용 기판 척
KR102422443B1 (ko) * 2020-07-30 2022-07-20 주식회사 선익시스템 증착 방법
US11780242B2 (en) 2020-10-27 2023-10-10 Kateeva, Inc. Substrate positioning for deposition machine

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0916960A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Hitachi Maxell Ltd 情報記録媒体の製造装置
JPH09279341A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Anelva Corp トレイ搬送式インライン成膜装置
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
JP2004349101A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 膜形成方法、膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2005293968A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20060174829A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
JP2008121098A (ja) * 2006-11-16 2008-05-29 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
JP2010015694A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 有機elの成膜装置および蒸着装置
US20110045617A1 (en) * 2009-08-24 2011-02-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Family Cites Families (424)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57194252U (ja) 1981-06-02 1982-12-09
JPS6053745B2 (ja) 1981-07-31 1985-11-27 アルバツク成膜株式会社 二元蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法
JPS5959237U (ja) 1982-10-15 1984-04-18 鐘通工業株式会社 切換可能の永久磁石チヤツク
KR890002747B1 (ko) 1983-11-07 1989-07-26 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치
JPH0682642B2 (ja) 1985-08-09 1994-10-19 株式会社日立製作所 表面処理装置
JPH0522405Y2 (ja) 1985-12-05 1993-06-08
US4792378A (en) 1987-12-15 1988-12-20 Texas Instruments Incorporated Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor
JPH02247372A (ja) 1989-03-17 1990-10-03 Mitsubishi Electric Corp 薄膜成膜方法
JPH0827568B2 (ja) 1990-07-02 1996-03-21 三田工業株式会社 画像形成装置における転写紙の分離装置
JP3125279B2 (ja) 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JP2572861Y2 (ja) 1991-05-13 1998-05-25 テイエチケー株式会社 直線運動用スライドユニット
JPH0598425A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH05230628A (ja) 1992-02-18 1993-09-07 Fujitsu Ltd 金属膜形成装置、金属膜形成装置における金属材回収方法
JP2797233B2 (ja) 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
FR2695943B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Alsthom Cge Alcatel Procédé de dépôt en phase vapeur d'un film en verre fluoré sur un substrat.
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
US6045671A (en) 1994-10-18 2000-04-04 Symyx Technologies, Inc. Systems and methods for the combinatorial synthesis of novel materials
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH0995776A (ja) 1995-09-29 1997-04-08 Sony Corp 真空蒸着装置
JPH1050478A (ja) 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
CH691680A5 (de) 1996-10-15 2001-09-14 Unaxis Deutschland Gmbh Transportvorrichtung für Werkstücke in einer Vakuumanlage.
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
JPH10270535A (ja) 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
KR100257219B1 (ko) 1997-10-23 2000-05-15 박용관 가스배관용 폴리에틸렌 밸브의 개폐 안전 구동장치 및 그 방법
JP3948082B2 (ja) 1997-11-05 2007-07-25 カシオ計算機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6099649A (en) 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP2000068054A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd El素子の製造方法
US6280821B1 (en) 1998-09-10 2001-08-28 Ppg Industries Ohio, Inc. Reusable mask and method for coating substrate
US6384529B2 (en) 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
US6699324B1 (en) 1999-01-26 2004-03-02 Klaus Berdin Method for coating the inside of pipes and coating system
US6610150B1 (en) 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
JP3734239B2 (ja) 1999-04-02 2006-01-11 キヤノン株式会社 有機膜真空蒸着用マスク再生方法及び装置
KR20000019254U (ko) 1999-04-07 2000-11-06 손대균 회전바퀴
JP4136185B2 (ja) 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
US6469439B2 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
EP1115268A1 (en) 1999-07-07 2001-07-11 Sony Corporation Method and apparatus for manufacturing flexible organic el display
JP2001028325A (ja) 1999-07-13 2001-01-30 Tdk Corp チップ部品の搬送装置及び搬送方法並びに電極形成装置
JP2001052862A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法と装置
JP4352522B2 (ja) 1999-09-01 2009-10-28 ソニー株式会社 発光型平面表示素子
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
KR20010050711A (ko) 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
KR100302159B1 (ko) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 향발생장치 및 방법
KR20010039298A (ko) 1999-10-29 2001-05-15 김영남 전계 방출 표시기
WO2001030404A1 (en) 1999-10-29 2001-05-03 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
KR100388903B1 (ko) 1999-12-10 2003-06-25 삼성에스디아이 주식회사 평면형 음극선관용 섀도우마스크 프레임 조립체
JP2001185350A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (ko) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 시스템의 단말기
JP3754859B2 (ja) 2000-02-16 2006-03-15 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造法
US20030021886A1 (en) 2000-02-23 2003-01-30 Baele Stephen James Method of printing and printing machine
KR20010092914A (ko) 2000-03-27 2001-10-27 윤종용 섀도우 링을 구비하는 정전척
JP3802309B2 (ja) 2000-03-28 2006-07-26 株式会社アドテックエンジニアリング 多層回路基板製造における位置合わせ装置及び露光装置
JP4053209B2 (ja) 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機elディスプレイの製造方法
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
ATE497028T1 (de) 2000-06-22 2011-02-15 Panasonic Elec Works Co Ltd Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen
KR20020000201A (ko) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
US6673386B2 (en) 2000-06-29 2004-01-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for forming pattern onto panel substrate
TW451601B (en) 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
JP2002075638A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Nec Corp マスク蒸着方法及び蒸着装置
JP2002099095A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Orc Mfg Co Ltd 自動両面露光装置およびその方法
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
TW594395B (en) 2000-09-29 2004-06-21 Nippon Zeon Co Photoresist composition for insulating film, insulating film for organic electroluminescent element, and process for producing the same
US7078070B2 (en) 2000-11-07 2006-07-18 Helix Technology Inc. Method for fabricating an organic light emitting diode
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (ko) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 버추얼 채널 에스디램
US6558735B2 (en) 2001-04-20 2003-05-06 Eastman Kodak Company Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100463212B1 (ko) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP4704605B2 (ja) 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
KR20020091457A (ko) 2001-05-30 2002-12-06 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 박막 트랜지스터 액정표시장치의 색특성 제어방법
US20020197393A1 (en) 2001-06-08 2002-12-26 Hideaki Kuwabara Process of manufacturing luminescent device
KR100406059B1 (ko) 2001-06-22 2003-11-17 미래산업 주식회사 트레이 피더용 트랜스퍼
JP2003077662A (ja) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
KR100732742B1 (ko) 2001-06-27 2007-06-27 주식회사 하이닉스반도체 포커스 모니터링 방법
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
US6554969B1 (en) 2001-07-11 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustically enhanced deposition processes, and systems for performing same
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
KR200257218Y1 (ko) 2001-09-07 2001-12-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기발광소자용 마스크장치
KR100437768B1 (ko) 2001-09-13 2004-06-30 엘지전자 주식회사 박막증착장치
US20090208754A1 (en) 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
KR100730111B1 (ko) 2001-10-26 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 el 소자의 마스크용 프레임
KR100430336B1 (ko) 2001-11-16 2004-05-03 정광호 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치
KR100450978B1 (ko) 2001-11-26 2004-10-02 주성엔지니어링(주) 정전척
JP2003159786A (ja) 2001-11-28 2003-06-03 Seiko Epson Corp 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
KR100490534B1 (ko) 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
SG114589A1 (en) 2001-12-12 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
JP2003197531A (ja) 2001-12-21 2003-07-11 Seiko Epson Corp パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器
TW200305773A (en) 2001-12-26 2003-11-01 Pentax Corp Projection Aligner
US20090169868A1 (en) 2002-01-29 2009-07-02 Vanderbilt University Methods and apparatus for transferring a material onto a substrate using a resonant infrared pulsed laser
US6897164B2 (en) 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6919139B2 (en) 2002-02-14 2005-07-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with phosphinoalkoxides and phenylpyridines or phenylpyrimidines and devices made with such compounds
US7006202B2 (en) 2002-02-21 2006-02-28 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Mask holder for irradiating UV-rays
KR100595310B1 (ko) 2002-02-22 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 마스크 고정장치 및 그를 이용한 uv조사장치
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
KR100501306B1 (ko) 2002-04-01 2005-07-18 (주) 휴네텍 도광판 제조방법 및 제조장치와 이를 위한 도광판 제조용입자분사장치
KR100469252B1 (ko) 2002-04-12 2005-02-02 엘지전자 주식회사 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 풀칼라 유기 el 표시소자
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
JP2003321767A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Seiko Epson Corp 薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
CA2483653C (en) 2002-05-03 2014-10-28 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services Dengue tetravalent vaccine containing a common 30 nucleotide deletion in the 3'-utr of dengue types 1,2,3, and 4, or antigenic chimeric dengue viruses 1,2,3, and 4
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4030350B2 (ja) 2002-05-28 2008-01-09 株式会社アルバック 分割型静電吸着装置
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
KR100908232B1 (ko) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
CN100464440C (zh) 2002-06-03 2009-02-25 三星移动显示器株式会社 用于有机电致发光装置的薄层真空蒸发的掩模框组件
US20030221620A1 (en) 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
JP4286496B2 (ja) 2002-07-04 2009-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置及び薄膜作製方法
MY164487A (en) 2002-07-11 2017-12-29 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography processes
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
JP2004069414A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Nec Corp プラズマディスプレイパネルにおけるマスクと基板との間のギャップの測定方法
KR100397196B1 (ko) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법
JP2004091858A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置の製造方法
TWI252706B (en) 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004107764A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US6911671B2 (en) 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US20040086639A1 (en) 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly
JP4139186B2 (ja) 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004143521A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100504477B1 (ko) 2002-11-05 2005-08-03 엘지전자 주식회사 유기 el의 열 소스 장치
KR100532657B1 (ko) 2002-11-18 2005-12-02 주식회사 야스 다증발원을 이용한 동시증착에서 균일하게 혼합된 박막의증착을 위한 증발 영역조절장치
JP4072422B2 (ja) 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機el素子の製造方法
JP2004225058A (ja) 2002-11-29 2004-08-12 Sony Corp 成膜装置および表示パネルの製造装置とその方法
JP2004183044A (ja) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004199919A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp 有機el表示パネルの製造方法
JP2004207142A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
EP2326143B1 (en) 2003-01-24 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic book
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
EP1458019A3 (de) 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter
JP4230258B2 (ja) 2003-03-19 2009-02-25 東北パイオニア株式会社 有機elパネル、有機elパネルの製造方法
JP3966292B2 (ja) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
KR100520305B1 (ko) 2003-04-04 2005-10-13 한국전자통신연구원 레이저 변위 센서를 이용하여 마스크와 기판 사이의간격을 측정하는 간격 측정 장치 및 그 방법
JP3915734B2 (ja) 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP2004342455A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Tokki Corp フラットパネルディスプレイ製造装置
WO2004105095A2 (en) 2003-05-16 2004-12-02 Svt Associates Inc. Thin-film deposition evaporator
JP2004355975A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Sony Corp 表示装置の製造方法
US6995035B2 (en) 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
KR100517255B1 (ko) 2003-06-20 2005-09-27 주식회사 야스 유기 발광소자 박막 제작을 위한 선형 노즐 증발원
KR100724478B1 (ko) 2003-06-30 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조방법
JP4599871B2 (ja) 2003-06-30 2010-12-15 ブラザー工業株式会社 液滴噴射装置
WO2005004229A1 (ja) 2003-07-08 2005-01-13 Future Vision Inc. 基板ステージ用静電チャック及びそれに用いる電極ならびにそれらを備えた処理システム
JP4124046B2 (ja) 2003-07-10 2008-07-23 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 金属酸化物被膜の成膜方法および蒸着装置
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
EP2369035B9 (en) 2003-08-04 2014-05-21 LG Display Co., Ltd. Evaporation source
KR100656845B1 (ko) 2003-08-14 2006-12-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
KR20050028943A (ko) 2003-09-17 2005-03-24 삼성전자주식회사 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
US7339139B2 (en) 2003-10-03 2008-03-04 Darly Custom Technology, Inc. Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
KR100889764B1 (ko) 2003-10-04 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체및, 그것을 이용한 박막 증착 방법
US20050079418A1 (en) 2003-10-14 2005-04-14 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for thin film battery fabrication
JP4547599B2 (ja) 2003-10-15 2010-09-22 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
KR20050039140A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 바라트론 센서
CN1618716B (zh) 2003-11-12 2011-03-16 周星工程股份有限公司 装载锁及使用其的装载锁腔室
JP2005165015A (ja) 2003-12-03 2005-06-23 Seiko Epson Corp 膜形成用マスク、膜形成装置、電気光学装置および電子機器
KR200342433Y1 (ko) 2003-12-04 2004-02-21 현대엘씨디주식회사 고압 분사형 유기물 증착 도가니
JP2005174843A (ja) 2003-12-15 2005-06-30 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法
KR101061843B1 (ko) 2003-12-19 2011-09-02 삼성전자주식회사 다결정용 마스크 및 이를 이용한 규소 결정화 방법
JP2005206939A (ja) 2003-12-26 2005-08-04 Seiko Epson Corp 薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP4475967B2 (ja) 2004-01-29 2010-06-09 三菱重工業株式会社 真空蒸着機
JP2005213616A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Pioneer Electronic Corp 蒸着方法および装置ならびにプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4441282B2 (ja) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機el表示デバイスの製造方法
US20050166844A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Nicholas Gralenski High reflectivity atmospheric pressure furnace for preventing contamination of a work piece
JP2005235568A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び有機el装置の製造方法
KR100712096B1 (ko) 2004-02-19 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
JP4366226B2 (ja) 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機elパネルの製造方法、有機elパネルの成膜装置
JP2005296737A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp ビートプレート
US7273526B2 (en) 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US20050244580A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP4455937B2 (ja) 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法
JP4545504B2 (ja) 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR20060007211A (ko) 2004-07-19 2006-01-24 삼성전자주식회사 노광 시스템
KR20060008602A (ko) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착 방법
JP4121514B2 (ja) 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
US7449831B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7273663B2 (en) 2004-08-20 2007-09-25 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
JP2006057173A (ja) 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法
KR100579406B1 (ko) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 수직 이동형 유기물 증착 장치
KR100623696B1 (ko) 2004-08-30 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 고효율 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
US7821199B2 (en) 2004-09-08 2010-10-26 Toray Industries, Inc. Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
KR20060028115A (ko) 2004-09-24 2006-03-29 삼성탈레스 주식회사 통신 단말기의 한글 입력 방법
KR100719991B1 (ko) 2004-09-30 2007-05-21 산요덴키가부시키가이샤 일렉트로루미네센스 소자
KR101121417B1 (ko) 2004-10-28 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 표시소자의 제조장치
KR100669757B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
TWI447840B (zh) 2004-11-15 2014-08-01 尼康股份有限公司 基板搬運裝置、基板搬運方法以及曝光裝置
WO2006054137A1 (en) 2004-11-16 2006-05-26 International Business Machines Corporation Organic light emitting device s comprising dielectric capping layers
US20060102078A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Intevac Inc. Wafer fab
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
KR20060056706A (ko) 2004-11-22 2006-05-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 형성 방법
US7748343B2 (en) 2004-11-22 2010-07-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electrohydrodynamic spraying system
KR100603403B1 (ko) 2004-11-25 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
KR100700013B1 (ko) 2004-11-26 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
KR100708655B1 (ko) 2004-11-27 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR20060060994A (ko) 2004-12-01 2006-06-07 삼성에스디아이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR100700641B1 (ko) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR20060065978A (ko) 2004-12-11 2006-06-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 슬릿 마스크
JP4553124B2 (ja) 2004-12-16 2010-09-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空蒸着方法及びelディスプレイ用パネル
JP4510609B2 (ja) 2004-12-21 2010-07-28 株式会社アルバック 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置
KR20060073367A (ko) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 클리닝룸의 유기물 처리장치
KR101157322B1 (ko) 2004-12-31 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링장치의 반송유닛
JP4384109B2 (ja) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR100645719B1 (ko) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치
KR100796148B1 (ko) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 수직이동형 증착시스템
US7538828B2 (en) 2005-01-10 2009-05-26 Advantech Global, Ltd Shadow mask deposition system for and method of forming a high resolution active matrix liquid crystal display (LCD) and pixel structures formed therewith
KR101200693B1 (ko) 2005-01-11 2012-11-12 김명희 대면적 유기박막 제작용 선형 다점 도가니 장치
KR20060083510A (ko) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 결함성 부산물들을 제거하는 포토마스크 장비
JP2006210038A (ja) 2005-01-26 2006-08-10 Seiko Epson Corp マスクの製造方法
JP4440837B2 (ja) 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
KR100666574B1 (ko) 2005-01-31 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 증발원
KR100703427B1 (ko) 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 채용한 증착장치
KR100661908B1 (ko) 2005-02-07 2006-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20060092387A (ko) 2005-02-17 2006-08-23 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 멀티 슬릿 마스크
KR20060098755A (ko) 2005-03-07 2006-09-19 에스케이씨 주식회사 유기 발광 다이오드의 진공 증착 장치 및 방법
KR100687007B1 (ko) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치
JP2006275433A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 吸収式小型冷却及び冷凍装置
KR100705316B1 (ko) 2005-03-30 2007-04-09 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자용 마스크의 클램핑 장치 및 방법
KR100637714B1 (ko) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP4777682B2 (ja) 2005-04-08 2011-09-21 株式会社ブイ・テクノロジー スキャン露光装置
KR100773249B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 형성용 마스크
EP1717339A2 (de) * 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films GmbH & Co. KG Kontinuierliche Beschichtungsanlage
JP4701815B2 (ja) 2005-04-26 2011-06-15 株式会社アルバック 成膜装置
CN100481369C (zh) 2005-04-28 2009-04-22 信越工程株式会社 静电夹盘装置
KR100810632B1 (ko) 2005-04-29 2008-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR20060114462A (ko) 2005-04-29 2006-11-07 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자용 마스크의 클램핑 장치 및 방법
KR101219036B1 (ko) 2005-05-02 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2006318837A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Hitachi Displays Ltd 有機電界発光素子及び有機電界発光装置
KR100700493B1 (ko) 2005-05-24 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 효율적인 필라멘트 배열 구조를 갖는 촉매 강화 화학 기상증착 장치
KR100670344B1 (ko) 2005-05-30 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 기판과 마스크의 정렬 장치 및 정렬 방법
KR20060127743A (ko) 2005-06-06 2006-12-13 스미토모덴키고교가부시키가이샤 질화물 반도체 기판과 그 제조 방법
JP4591222B2 (ja) 2005-06-09 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び画像形成装置
US7296673B2 (en) 2005-06-10 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Substrate conveyor system
KR101174154B1 (ko) 2005-06-13 2012-08-14 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
US20070017445A1 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Takako Takehara Hybrid PVD-CVD system
DE502005001749D1 (de) 2005-07-28 2007-11-29 Applied Materials Gmbh & Co Kg Bedampfervorrichtung
JP4959961B2 (ja) 2005-07-29 2012-06-27 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 有機el素子の製造方法
JP4873399B2 (ja) 2005-08-08 2012-02-08 五鈴精工硝子株式会社 赤外線吸収能を有する屈折率分布型光学素子の製造方法
JP4655812B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 楽音発生装置、及びプログラム
WO2007023553A1 (ja) 2005-08-25 2007-03-01 Hitachi Zosen Corporation 真空蒸着用アライメント装置
US8070145B2 (en) 2005-08-26 2011-12-06 Nikon Corporation Holding unit, assembly system, sputtering unit, and processing method and processing unit
TWI414618B (zh) 2005-08-26 2013-11-11 尼康股份有限公司 A holding device, an assembling system, a sputtering device, and a processing method and a processing device
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100711885B1 (ko) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR20070035796A (ko) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조장치
KR20070037848A (ko) 2005-10-04 2007-04-09 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100697663B1 (ko) 2005-10-27 2007-03-20 세메스 주식회사 유기물 증착 장치
JP4767000B2 (ja) 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 真空蒸着装置
KR101254335B1 (ko) 2005-11-29 2013-04-12 황창훈 금속판 벨트 증발원을 이용한 선형 유기소자 양산장비
KR100741142B1 (ko) 2005-11-29 2007-07-23 주식회사 알파로보틱스 복수의 테이블을 가진 리니어 가이드 장치
JP4666219B2 (ja) 2005-12-02 2011-04-06 セイコーエプソン株式会社 コンテナ
KR100696550B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
KR100696547B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법
US20070148337A1 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Nichols Jonathan A Flame-perforated aperture masks
KR100752321B1 (ko) 2005-12-23 2007-08-29 주식회사 두산 백색 유기 전계 발광소자
KR100729097B1 (ko) 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
KR101340899B1 (ko) 2006-01-06 2013-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자용 노즐장치
US7645483B2 (en) 2006-01-17 2010-01-12 Eastman Kodak Company Two-dimensional aperture array for vapor deposition
JP4692290B2 (ja) 2006-01-11 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 マスクおよび成膜方法
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
KR20070080635A (ko) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 유기물증발 보트
US20070190235A1 (en) 2006-02-10 2007-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus, film forming method, and manufacturing method of light emitting element
KR100736218B1 (ko) 2006-02-21 2007-07-06 (주)얼라이드 테크 파인더즈 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마소스
KR20070084973A (ko) 2006-02-22 2007-08-27 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
WO2007106076A2 (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
KR100994505B1 (ko) 2006-03-06 2010-11-15 엘아이지에이디피 주식회사 바이폴라 전극 패턴이 형성된 정전 척
US8691323B2 (en) 2006-03-06 2014-04-08 Nalco Company Method and apparatus for monitoring and controlling the application of performance enhancing materials to creping cylinders
JP2007242436A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100768212B1 (ko) 2006-03-28 2007-10-18 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착 방법 및 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR20070098122A (ko) 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
JP2007291506A (ja) 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc 成膜方法
JP4948021B2 (ja) 2006-04-13 2012-06-06 株式会社アルバック 触媒体化学気相成長装置
KR20070105595A (ko) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착장치
KR20070112668A (ko) 2006-05-22 2007-11-27 세메스 주식회사 유기발광소자 박막 제작을 위한 선형증발원
US7835001B2 (en) 2006-05-24 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of aligning a substrate, mask to be aligned with the same, and flat panel display apparatus using the same
KR101264329B1 (ko) 2006-07-18 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 그를 이용한 기판 정렬 방법
KR100770653B1 (ko) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 박막형성용 증착장치
KR101248004B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 증착 스템과, 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100800125B1 (ko) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장비의 소스셔터 및 기판 제어방법
WO2008004792A1 (en) 2006-07-03 2008-01-10 Yas Co., Ltd. Multiple nozzle evaporator for vacuum thermal evaporation
KR100980729B1 (ko) * 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
JP2008019477A (ja) 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc 真空蒸着装置
US7910386B2 (en) 2006-07-28 2011-03-22 General Electric Company Method of making organic light emitting devices
KR100723627B1 (ko) 2006-08-01 2007-06-04 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100815265B1 (ko) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 마이크로 히터 및 도가니 제조 방법, 그리고 이들을 구비한유기물 진공 증착 장치
US7322248B1 (en) 2006-08-29 2008-01-29 Eastman Kodak Company Pressure gauge for organic materials
JP4971723B2 (ja) 2006-08-29 2012-07-11 キヤノン株式会社 有機発光表示装置の製造方法
KR100787457B1 (ko) 2006-08-31 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 기판 정렬 장치 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치용제조 장치
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US20080057183A1 (en) 2006-08-31 2008-03-06 Spindler Jeffrey P Method for lithium deposition in oled device
JP5063969B2 (ja) 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR100739309B1 (ko) 2006-10-13 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치
KR100823508B1 (ko) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
JP4809186B2 (ja) 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機elディスプレイおよびその製造方法
KR100836471B1 (ko) 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 증착 장치
US20080100201A1 (en) 2006-10-31 2008-05-01 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Organic electroluminescence device and fabricating method thereof
KR100823511B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20080045886A (ko) 2006-11-21 2008-05-26 삼성전자주식회사 유기막 증착용 마스크 및 그 제조방법, 이를 포함하는유기전계 발광표시장치의 제조방법
KR20080046761A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 엘지디스플레이 주식회사 기판이송장치 및 이를 구비하는 박막 형성 장치
KR20080048653A (ko) 2006-11-29 2008-06-03 엘지디스플레이 주식회사 마스크 장치 및 그를 이용한 평판 표시 장치의 제조방법
US20080131587A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
US8092601B2 (en) 2006-12-13 2012-01-10 Ascentool, Inc. System and process for fabricating photovoltaic cell
KR20080055124A (ko) 2006-12-14 2008-06-19 엘지디스플레이 주식회사 증착 장치
JP2008153543A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
KR20080060400A (ko) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
KR20080061666A (ko) 2006-12-28 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR20080061132A (ko) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기막 증착 장치
KR20080061774A (ko) 2006-12-28 2008-07-03 엘지전자 주식회사 액정표시장치의 마스크를 정렬하는 장치 및 방법
KR20080062212A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR100899279B1 (ko) 2007-01-26 2009-05-27 창원대학교 산학협력단 상면 평판냉각기와 측면 열유도판을 결합한 리니어모터의 냉각장치
JP2008196003A (ja) 2007-02-13 2008-08-28 Seiko Epson Corp 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR101403328B1 (ko) 2007-02-16 2014-06-05 엘아이지에이디피 주식회사 돌기 모양의 전극 패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를이용한 기판 처리 방법
US8222061B2 (en) 2007-03-30 2012-07-17 The Penn State Research Foundation Mist fabrication of quantum dot devices
KR101394922B1 (ko) 2007-03-30 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP4909152B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-04 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP2008285719A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Fujifilm Corp 真空蒸着方法
KR101409524B1 (ko) 2007-05-28 2014-06-20 엘지디스플레이 주식회사 기판 이송 장치
JP2008300056A (ja) 2007-05-29 2008-12-11 Shinko Electric Co Ltd マスクアライメント装置
KR101288599B1 (ko) 2007-05-29 2013-07-22 엘지디스플레이 주식회사 기판 이송 장치
KR20080109559A (ko) 2007-06-13 2008-12-17 주식회사 하이닉스반도체 국부적 변형조명을 제공하는 마스크 및 제조 방법
JP5277571B2 (ja) 2007-06-18 2013-08-28 セイコーエプソン株式会社 ノズル基板の製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法
KR101647265B1 (ko) 2007-06-19 2016-08-09 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 변위 스케일을 제조하는 시스템 및 방법
JP5081516B2 (ja) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP5132213B2 (ja) 2007-07-18 2013-01-30 富士フイルム株式会社 蒸着装置及び蒸着方法並びにその方法を用いてパターン形成した層を有する電子素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20090017910A (ko) 2007-08-16 2009-02-19 엘지디스플레이 주식회사 쉐도우 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광소자의제조방법
JP2009049223A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Seiko Epson Corp 発光装置
JP4889607B2 (ja) 2007-09-10 2012-03-07 株式会社アルバック 供給装置、蒸着装置
EP2190264A4 (en) 2007-09-10 2011-11-23 Ulvac Inc EXPANSION UNIT
JP4904237B2 (ja) 2007-09-25 2012-03-28 ヤマハ発動機株式会社 基板処理装置、表面実装機、印刷機、検査機、及び塗布機
KR20090038733A (ko) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Soi 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치
KR100972636B1 (ko) 2007-10-22 2010-07-27 네오뷰코오롱 주식회사 증착 마스크 유닛
KR100790718B1 (ko) 2007-11-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR100889872B1 (ko) 2007-11-08 2009-03-24 (주)와이티에스 디스플레이용 글라스 기판 얼라인 시스템의 얼라인 카메라진직도 자동 보정방법
JP5280667B2 (ja) 2007-11-08 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法及び蒸着マスクのクリーニング方法
KR100928136B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기물 선형 증착 장치
KR100908658B1 (ko) 2007-11-20 2009-07-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP5046882B2 (ja) 2007-11-21 2012-10-10 三菱重工業株式会社 インライン式成膜装置
KR100903624B1 (ko) 2007-11-23 2009-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시장치의 박막 증착용 마스크 조립체
KR20090062088A (ko) 2007-12-12 2009-06-17 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조방법
KR100979189B1 (ko) 2007-12-20 2010-08-31 다이나믹솔라디자인 주식회사 연속 기판 처리 시스템
US8298338B2 (en) 2007-12-26 2012-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus
JP2009170200A (ja) 2008-01-15 2009-07-30 Sony Corp 表示装置の製造方法
KR20090079765A (ko) 2008-01-17 2009-07-22 이태환 중력을 이용한 동력발생장치
KR101415551B1 (ko) 2008-01-25 2014-07-04 (주)소슬 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR100964224B1 (ko) 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
KR101352567B1 (ko) 2008-03-04 2014-01-24 삼성테크윈 주식회사 리니어 이송 스테이지 장치
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR100922763B1 (ko) 2008-03-13 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20090107702A (ko) 2008-04-10 2009-10-14 엘지디스플레이 주식회사 박막 증착방법 및 장비
US7943202B2 (en) 2008-05-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and methods for providing a static interferometric display device
KR100953658B1 (ko) 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
CN101779241B (zh) * 2008-06-17 2012-08-29 佳能安内华股份有限公司 具有沉积遮蔽件的承载件
JP5368013B2 (ja) 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機elディスプレイの製造方法
KR20100000128A (ko) 2008-06-24 2010-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치용 증착 마스크 유닛
KR20100000129U (ko) 2008-06-26 2010-01-06 (주) 씨앤앤 발광 수위표
KR20100002381A (ko) 2008-06-30 2010-01-07 (주)드림젯코리아 흡착가열방식의 인쇄물거치대를 구비한 평판프린터
KR20100026655A (ko) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
KR100961110B1 (ko) 2008-09-02 2010-06-07 삼성엘이디 주식회사 교류구동 발광장치
US20100089443A1 (en) 2008-09-24 2010-04-15 Massachusetts Institute Of Technology Photon processing with nanopatterned materials
KR101592013B1 (ko) 2008-10-13 2016-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101487382B1 (ko) 2008-10-22 2015-01-29 주식회사 원익아이피에스 인라인 반도체 제조시스템
JP5157825B2 (ja) 2008-10-29 2013-03-06 ソニー株式会社 有機elディスプレイの製造方法
KR101017654B1 (ko) 2008-11-26 2011-02-25 세메스 주식회사 기판 척킹 부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
KR101542398B1 (ko) 2008-12-19 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101117645B1 (ko) 2009-02-05 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
KR20100099806A (ko) 2009-03-04 2010-09-15 삼성전자주식회사 홀로그래픽 노광 장치
US8202671B2 (en) 2009-04-28 2012-06-19 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus
KR101108151B1 (ko) 2009-04-30 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치
JP5323581B2 (ja) 2009-05-08 2013-10-23 三星ディスプレイ株式會社 蒸着方法及び蒸着装置
KR101074790B1 (ko) 2009-05-22 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101084168B1 (ko) 2009-06-12 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
KR101067709B1 (ko) 2009-05-28 2011-09-28 주식회사 태성기연 자기부상방식 판유리 이송장치
KR20100130786A (ko) 2009-06-04 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조방법
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101097311B1 (ko) 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
US20110033621A1 (en) 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
KR101127575B1 (ko) 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
KR101127578B1 (ko) 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR20110021090A (ko) 2009-08-25 2011-03-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크
US8486737B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101174877B1 (ko) 2009-08-27 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US20110052795A1 (en) 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR20110032589A (ko) 2009-09-23 2011-03-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
CN102024908A (zh) 2009-09-23 2011-04-20 乐金显示有限公司 有机发光器件及其制造方法
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US20110262625A1 (en) 2010-01-11 2011-10-27 Hyun-Sook Park Thin film deposition apparatus
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP4745447B2 (ja) 2010-02-04 2011-08-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置及び真空処理装置
KR101174879B1 (ko) 2010-03-09 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 조립방법
KR100965416B1 (ko) 2010-03-12 2010-06-24 엘아이지에이디피 주식회사 다중 전극 패턴을 가지는 정전척
KR20110110525A (ko) 2010-04-01 2011-10-07 삼성전자주식회사 무선 전력 전송 장치 및 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101801351B1 (ko) 2010-04-28 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치
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KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101146996B1 (ko) 2010-07-12 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101182448B1 (ko) 2010-07-12 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US8022448B1 (en) 2010-10-05 2011-09-20 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101223725B1 (ko) 2011-01-10 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP2012211352A (ja) 2011-03-30 2012-11-01 Hitachi High-Technologies Corp 蒸発源並びに有機elデバイス製造装置及び有機elデバイス製造方法
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US8614144B2 (en) 2011-06-10 2013-12-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for fabrication of interconnect structure with improved alignment for semiconductor devices
KR101705823B1 (ko) 2011-06-30 2017-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0916960A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Hitachi Maxell Ltd 情報記録媒体の製造装置
JPH09279341A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Anelva Corp トレイ搬送式インライン成膜装置
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
JP2004349101A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 膜形成方法、膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2005293968A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20060174829A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
JP2006219760A (ja) * 2005-02-07 2006-08-24 Semes Co Ltd 基板処理装置
JP2008121098A (ja) * 2006-11-16 2008-05-29 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
EP1927674A2 (en) * 2006-11-16 2008-06-04 Yamagata Promotional Organization for Industrial Technology Evaporation source and vacuum evaporator using the same
JP2010015694A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 有機elの成膜装置および蒸着装置
US20110045617A1 (en) * 2009-08-24 2011-02-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP2011042874A (ja) * 2009-08-24 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法

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