KR100736218B1 - 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마소스 - Google Patents

횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마소스 Download PDF

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Abstract

본 발명은 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 형상이나 면적, 크기에 관계없이, 확장성이 용이한 플라즈마 소스로서, 웨이퍼(wafer)나 LCD용 유리기판, 탄소나노튜브(CNT)등을 플라즈마를 사용하여 가공하는 증착(PECVD, HDPCVD, PEALD)장치 또는, 애싱(Ashing)을 포함한 식각(Etching)장치 등에 플라즈마를 독립적으로 발생시킬 수 있는 소스로 제공되며, RF전원에서 임피던스 정합기를 통하여 다수의 전극에 공통전원 또는 개별전원이 연결되어, 다수의 전원 전극에 대응되는 다수의 접지 전극 구조를 갖는 시스템으로, 종래의 평행 평판형 방식인 상하 대향 전극 구조 방식에서 가지는 하부 접지 전극이 없이도 방전이 이루어지는 횡방향 병렬 평행 평판 구조로 이루어진 플라즈마 소스를 제공하는데 그 목적이 있다.
평행 평판형 플라즈마 소스, 증착장치, 식각장치

Description

횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스 {THE PLASMA SOURCE WITH STRUCTURE OF MULTI-ELECTRODE FROM ONE SIDE TO THE OTHER}
도 1은 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스의 구성요소를 도시한 정단면도,
도 2는 본 발명에 따른 두개의 RF 전원과, 듀얼 주파수로 이루어진 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스의 구성요소를 도시한 정단면도,
도 3은 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스를 통해 형성된 원형상의 전극 형성체의 저면도,
도 4는 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스를 통해 형성된 사각 형상의 전극 형성체의 저면도,
도 5는 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체에 RF전원을 1개 이상 적용하여 제작되어 플라즈마 소스를 구성하는 것을 도시한 일실시예도,
도 6은 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체를 1개 이상 모듈형으로 구성하고 하나의 공통 전원 전극으로 연결되어 전원을 공급할 수 있도록 구성된 것을 도시한 일실시예도,
도 7은 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체가 각각의 모듈로 구성되고, 주파수가 같은 개별 전원을 각각 독립적으로 구성된 것을 도시한 일실시예도,
도 8은 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체가 각각의 모듈로 구성되고, 각각의 주파수가 다르고, 복수의 전원을 독립적으로 공급되도록 구성된 것을 도시한 일실시예도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
10 : RF공급원인 전원 장치
20 : 임피던스 정합기
30 : 플라즈마 소스 조립체
34: 플라즈마 소스 외곽 케이스(case)
40 : 진공 용기
50 : 하부 용기
60 : 진공펌프
61 : 압력 조절 밸브
100 : 플라즈마
본 발명은 웨이퍼(wafer) 및 LCD용 유리기판 등 플라즈마를 사용하여 가공하는 증착 장치( PECVD ; Plasma Enhenced Chemical Vapor Deposition, HDP_CVD ; High Density Plasma Chemical Vapor Deposition, PEALD)나 식각장치(Etching, Ashing)에 사용되는 상부 플라즈마 소스에 관계된 것으로, 가공물인 웨이퍼(wafer) 또는 유리기판의 형성과 크기에 따라서 적절한 기하학적 형상으로 전극의 형상을 구현하여, 증착장치나 식각장치 상부에 공급되는 플라즈마 소스에 관한 것이다.
일반적으로 반도체에 사용되는 웨이퍼(wafer)나 LCD에 사용되는 유리기판등의 표면에 미세패턴을 형성하는 표면 처리 기술에 있어서 플라즈마(Plasma)의 생성 기술은, 대표적으로 반도체에서는 미세 회로 선폭에 따라서, 유리기판을 사용하는 LCD분야에서는 크기에 따라서, 플라즈마 생성원의 발전을 이루어왔다.
반도체용 웨이퍼(wafer) 처리 기술에 사용되는 플라즈마 소스의 대표적인 방법으로는 평행 평판형 형상의 플라즈마 방식인 용량 결합 플라즈마 (capacitive coupling Plasma, CCP)와 안테나 코일에 의해 유도되는 유도 결합 플라즈마 ( Inductive coupling Plasma, ICP)방식으로 발전되어 왔다. 전자는 일본의 TEL(Tokyo electron)사와 미국의 LRC( Lam Research )사 등에 의해서 발전되어 왔으며, 후자는 미국의 AMT(Applied Materials)사와 LRC사에 의해 발전, 적용되고 있는 상황이다.
회로 선폭이 미세해짐에 따라, 안테나 코일을 사용하는 방식은, 낮은 압력에서 플라즈마를 발생시키거나, 플라즈마의 밀도면에서는 우수하나, 플라즈마 소스 자체가 가지는, 안테나 구조적인 문제에서 비롯된 균일하지 않는 플라즈마를 발생함에 따라 가공물인 웨이퍼(wafer)에 많은 문제점을 야기하여, 미세 패턴 가공에서는 점차적으로 배제되어 가는 추세이다.
한편, 유리 기판을 사용하는 LCD분야에서도 유리 기판의 크기가 작은 사이즈(size)에서는 시도를 해 보았으나, 유리 기판이 커짐에 따라 균일한 플라즈마를 발생시키지 못하기 때문에, 미국의 AMT, 일본의 TEL사, 한국의 ADP Engineering, 주성 엔지니어링 등은 평행 평판형 방식의 용량 결합 플라즈마를 발생시켜 증착장비나 식각장치를 제조하고 있다.
반면에 용량 결합 플라즈마 방식은 균일한 플라즈마를 발생하는데 있어서는 유리하지만, 가공물인 웨이퍼(wafer)나 유리 기판등에 전기장이 직접 영향을 미치기 때문에, 가공물의 미세 패턴 형성에 손상을 주기 쉬울 뿐만 아니라, 밀도에 있어서 ICP 소스에 비하여 상대적으로 낮은 밀도를 가지고 있기 때문에, 웨이퍼에 있어서는 회로 선폭이 좁아짐에 따라 패턴 형성에 불리하고, 유리 기판에 있어서는 넓은 면적(7세대, 8세대)에, 높은 파워(power)를 인가함에 따라, 전극에 균일한 파워(power)전달이 어려울 뿐만 아니라, 높은 파워(power)에 따른 가공물 및 장치에 많은 손상을 발생시키며 이로 인한 제작상의 많은 어려움에 직면하고 있다.
상기의 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은, 넓은 압력 범위(수mTorr~수Torr)에서 사용 가능하고, 공정조건에 부합되는 균일한 플라즈마를 발생시켜, 종래의 평행 평판형 장치에서 구현하기가 힘든 제한된 영역에서 플라즈마를 발생시켜 밀도를 높이고 파워(power)효율을 높임과 동시에, 가공물이 직접적으로 플라즈마에 의해서 손상을 입지 않도록 하는 용량 결합형 플라즈마 발생원인 다중 전극을 가지는 횡방향 평행 평판형 플라즈마 소스를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스는,
100KHz ~ 990MHz의 고주파로 동작하는 무선주파수(RF, radio frequency) 전원과,
그 RF 전원과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 임피던스 정합기와,
외부에 형성된 플라즈마 소스 외곽케이스 사이에 직하방향으로 사각구조 또는 원주방향을 갖는 복수개의 전극부과 그라운드부가 횡 방향으로 나란히 형성되고, 그 전극부와 그라운드부 사이에 층간 절연체가 있고, 가스공급라인을 통해 GAS가 공급되도록 절연체부가 형성된 플라즈마 소스 조립체와,
그 플라즈마 소스 조립체 하단부에 형성되어, 가스공급라인을 통해 용기내로 공급된 GAS를 포함, 플라즈마를 형성시키는 진공용기와,
히터 또는 정전척(ElectrostaticChuck)으로 대별되는, 가공대상물인 웨이퍼, LCD등이 안착될 수 있는 하부용기와,
그 하부용기 일측에 연결되어 진공 용기 내부에 진공을 형성하는 진공펌프가 모듈화되어 구성됨으로서 달성된다.
또한, 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스는, 1 개 이상의 복수의 RF전원을 사용한 것으로,
100KHz ~ 990MHz의 고주파로 동작하는 제1 무선주파수(RF, radio frequency) 전원과,
그 제 1 RF 전원과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 제1 임피던스 정합기와,
100KHz ~ 990MHz의 주파수로 동작하는 제2무선주파수(RF, radio frequency) 전원과,
그 제2RF 전원과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 제2임피던스 정합기와,
외부에 형성된 플라즈마 소스 외곽케이스 사이에 직하방향으로 또는 원주방향을 갖는 복수개의 전극부과 그라운드부가 횡방향으로 나란히 형성되고, 그 전극부와 그라운드부 사이에 층간 절연체가 있고, 가스공급라인을 통해 GAS가 공급되도록 절연체부가 형성된 플라즈마 소스 조립체와,
그 플라즈마 소스 조립체 하단부에 형성되어, 가스공급라인을 통해 용기내로 공급된 GAS를 포함, 플라즈마를 형성시키는 진공용기와,
히터 또는 정전척(Electrostatic Chuck)으로 대별되는, 가공대상물인 웨이퍼, LCD등이 안착될 수 있는 하부용기와,
그 하부용기 일측에 연결되어 진공용기 내부에 진공을 형성하는 진공펌프가 모듈화되어 구성됨으로서 달성된다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스의 구성요소를 도시한 정단면도로서, 이는 무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10), 임피던스 정합기(20), 플라즈마 소스 조립체(30), 진공용기(40), 하부용기(50), 진공펌프(60), 압력조절밸브(61)로 구성된다.
상기 무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10)은 100KHz ~ 990MHz의 고주파로 동작하는 전원을 공급하는 곳이고, 임피던스 정합기(20)는 RF 전원과 플라즈마 소스 사이의 임피던스 정합을 하는 곳이다.
상기 플라즈마 소스 조립체(30)는 외부에 형성된 플라즈마 소스 외곽케이스(34) 내부에 직하방향으로 또는 원주방향을 갖는 복수개의 전극부(31)과 그라운드 부(32)가 횡 방향으로 나란히 형성되고, 그 전극부(31)와 그라운드부(32) 사이에 층간절연체내에 가스공급라인(33a)을 구성하여, GAS가 공급되도록 절연체부(33)가 형성되도록 한다.
상기 진공용기(40)는 플라즈마 소스 조립체(30) 하단부에 형성되어, 가스공급라인을 통해 용기내로 공급된 GAS를 포함하여 플라즈마(100)를 형성시킨다.
상기 하부용기(50)는 히터 또는 정전척(ElectrostaticChuck)으로 대별되는, 가공대상물인 웨이퍼, LCD등이 안착되도록 구성된다.
상기 진공펌프(60)는 하부용기(50) 일측에 연결되어 진공용기(40) 내부에 진공을 형성하도록 구성한다.
이러한 구성을 통해 도 1 및 도 3에서 도시한 바와 같이 하부에서 본 다수의 원통형상의 전원 전극부(31)과 다수의 원통 형상의 절연체부(33), 그리고 다수의 원통 형상의 그라운드부(32)가 교대로 배열되어 전체적으로 웨이퍼와 같은 원형상으로 구성된 전극 형성체(300), 또는 도 1 및 도 4에서 도시한 바와 같이 하부에서 본 다수의 사각형상의 판넬로 구성된 전원 전극부(31)과 다수의 사각 판넬 형상의 절연체부(33) 그리고 다수의 사각 판넬 형상의 그라운드부(32)가 교대로 배열되어 전체적으로 사각 형상의 전극 형성체(400)를 형성하게 된다.
이처럼, 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스를 통해 형성된 원형상으로 구성된 전극 형성체(300) 또는 사각 형상의 전극 형성체(400)를 이용하여 웨이퍼(wafer)나 LCD용 유리기판, 탄소나노튜브(CNT)등을 플라즈마를 사용하여 가공하는 증착(PECVD, HDPCVD, PEALD)장치 또는, 애싱(Ashing)을 포함한 식각(Etching)장치 등에 응용하여 플라즈마를 독립적으로 발생시킬 수가 있다.
또한, 이러한 원형이나 사각형의 전극형성체(300, 400)가 장착된 플라즈마 소스 조립체(30)는 진공 용기(40) 상부에 A부 플라즈마 소스 조립체(30)를 오링("O" ring)을 사용하여 진공 용기(40)와 체결되어 완전한 진공을 유지하고, 진공 용기에 압력 게이지를 부착하여, 압력을 읽을 수 있도록 구성한다. 상기 전극부(31)에는 임피던스 정합기(20)를 통해 RF Generator에서 다양한 주파수, 100KHz - 990MHz를 가진 100watt - 100Kwatt의 다양한 전원이 인가될 수 있도록 한다.
그리고, 플라즈마 소스 외곽 케이스 외부(34)에서 공급되는 N2, Ar 등의 가스는 플라즈마 소스로 내부로 유입되고, 이를 다시 전극형성체의 절연물 내부 가스공급라인(33a)을 통해 진공 용기(40)내로 공급될 수 있도록 한다.
진공용기(40)의 하단부에 하부용기(50)가 형성되어 히터 또는 정전 척(ElectrostaticChuck) 상에, 가공대상물인 웨이퍼, LCD 등에 사용되는 유리기판이 설치된다.
또한, 그 하부용기(50) 일측에는 진공펌프(60)가 연결되어 진공용기(40) 내부에 진공이 일정하게 유지되도록 압력 조절 밸브(61)를 통해 압력이 조절된다.
이하, 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스의 구체적인 동작과정에 관해 설명하기로 한다.
먼저, 플라즈마 소스 외곽 케이스(34)에서, 아르곤 가스와 같은, 플라즈마를 활성화시키는 기체들을 적정한 양으로 조절하여, 진공 용기(40) 내에 공급하면 다수의 가스 공급 라인(33a)을 따라, 진공 용기 내로 가스가 공급되며, 진공 용기(40)내의 압력이 플라즈마(100)를 발생시킬 수 있는 적절한 압력, 즉 1 mTorr ~ 10 Torr 범위에 압력이 도달하도록 진공 펌프(60)와 압력 조절 밸브(61)를 이용하여 압력을 조절한다.
이때 RF 전원(10)으로부터 전원이 임피던스 정합기(20)를 거쳐, 다수의 공통 전원 전극부(31)에 동시에 균일한 전원을 공급하게 되면, 횡 방향으로 플라즈마(100)가 형성되게 된다.
이러한 방식의 형상으로 이루어진 플라즈마 소스는 진공 용기내의 체적을 줄여줌과 동시에, 하부용기(50)로 대별되어지는 히터(heater) 또는 정전 척(Electrostatic chuck) 위의 가공대상물, 웨이퍼(wafer) 또는 LCD에 사용되는 유리 기판에 직접적인 전기장의 영향을 피할 수 있을 뿐만 아니라, 플라즈마를 제한된 영역에 전극의 개수를 조절하여 발생시킬 수 있으므로, 불필요한 전원(power)의 손실을 줄일 수 있게 된다.
또한 도 1의 변형 형상으로 도 2에 도시한 바와 같이 RF 전원(10, 10a)을 1개 이상 사용하여, 27.12Mhz의 임피던스 정합기(20)와, 2MHz의 임피던스 정합기(20a)로 이루어진 듀얼 주파수를 사용하여 플라즈마를 발생시킬 수도 있다.
즉, 13.56 ~ 100MHz의 고주파로 동작하는 제1 무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10)과, 그 제1 RF 전원(10a)과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 제1 임피던스 정합기(20)와, 0.5 ~ 27.12MHz의 주파수로 동작하는 제2무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10a)과, 그 제2RF 전원(10a)과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 제2임피던스 정합기(20a)를 구성함으로서 듀얼 주파수로서도 사용할 수가 있다.
도 3은 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스를 통해 형성된 원형상의 전극 형성체의 저면도에 관한 것으로, 이는 웨이퍼(wafer)와 같은 원형상의 대상물 또는 가공물을 위해서 그 지름에 따라 전원 전극, 절연체, 접지 전극의 숫자를 증가 또는 감소시켜, 다양한 형상의 크기에 맞도록 플라즈마를 형성시켜 대응할 수 있으며, 이로 인해 가공물에 크기에 적합한 공간에만 고밀도의 플라즈마를 형성시킬 수 있다
도 4는 본 발명에 따른 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스를 통해 형성된 사각 형상의 전극 형성체의 저면도에 관한 것으로, 이는 LCD 유리기판과 같은 사각 형상에 대응하기 위해서는, 도 4처럼 구현이 가능할 뿐 아니라, 도 5에서와 같이 RF 전원(10)을 주파수가 다른 1개 이상의 전원을 구성하여 플라즈마를 발생시킬 수도 있다.
도 6은 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체가 다수개의 모듈형으로 제작되어 플라즈마 소스를 구성하는 것을 도시한 일실시예도에 관한 것으로, 이는 사각 형상의 전극 형성체를 2개의 모듈형으로 구성한 것이며, 필요한 형상에 맞게 다수의 모듈로 플라즈마 소스를 구성할 수 있다. 즉, 도 4의 형상을 작은 크기로 여러 개 제작하여, 연속적으로 배열한 형태이다.
이는 향후 LCD 기판이 대형화됨에 따라서, RF전원(Power)이 10Kwatt이상 필요해짐에 따라 RF전원장치의 크기도 커지며, 높은 전원(Power)가 필요함에 따라, 전계가 고루 분포되지 않는 것과 같은, 여러 가지 문제에 대응이 가능토록 구현한 것이다.
또 다른 일실시예로, 도 6에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체가 하나의 공통 전원 전극으로 연결되어 전원을 공급할 수 있도록 구성할 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체가 각각의 주파수가 같은 1개의 개별 전원을 전극부, 그라운드부에 각각 연결되어 독립적으로 구성할 수 있으며, 이는 낮은 power의 전원을 여러 개 사용하여 1개의 전원용량이 큰 전원를 대체하기 위한 것이다. 도 8에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 사각 형상의 전극 형성체가 각각의 주파수가 다르고, 복수의 전원을 독립적으로 공급되도록 구성할 수가 있다.
도6, 도7, 도8의 도시한 바와 같이 이는 기판 크기가 커짐에 따라, 공급되는 전원(Power)이 균일하지 않기 때문에, 대상물에 작용하는 플라즈마가 고르게 영향을 미치지 않으므로, 개별적으로 전원을 조정 공급하여, 대상물크기와 용도에 적합한 플라즈마 소스를 발생시키는데 있다.
본 발명에 따르면 웨이퍼(wafer)같은 형상의 대상물을 가공하는데 있어서, 종래의 수직적인 평행 평판형 플라즈마 소스가 구현하지 못하는, 횡 방향의 플라즈마를 발생시켜 직접적인 전기장의 영향을 대상물에 미치지 않도록 하는 동시에, 전극의 갯 수를 조절하여, 가공하고자 하는 대상물의 크기와 형상에 적합한 플라즈마를 발생시키는 소스를 제작하는데 있다.
또한 LCD 유리 기판과 같은 형상에 있어서도, 적절한 형상으로 구현이 가능할 뿐 아니라, 여러 개의 모듈(module)로 플라즈마 소스를 구성, 독립적인 개별 전원를 인가하여, 유리기판과 같은 대형 가공물에 직접적인 전기장이 미치지 않는 균일한 고 밀도의 플라즈마를 고르게 분포시킬 수 있는 소스를 제작하는데 있다.

Claims (12)

100KHz ~ 990MHz의 고주파로 동작하는 무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10)과,
그 RF 전원과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 임피던스 정합기(20)와,
외부에 형성된 플라즈마 소스 외곽케이스(34) 사이에 직하방향으로 또는 원주방향을 갖는 복수개의 전극부(31)과 그라운드부(32)가 횡방향으로 나란히 형성되고, 그 전극부(31)와 그라운드부(32) 사이에 층간 절연체가 있고, 가스공급라인(33a)을 통해 GAS가 공급되도록 절연체부가 형성된 플라즈마 소스 조립체(30)와,
그 플라즈마 소스 조립체(30) 하단부에 형성되어, 가스공급라인(33a)을 통해 용기내로 공급된 GAS를 포함, 플라즈마를 형성시키는 진공용기(40)와,
히터 또는 정전척(Electrostatic Chuck)으로 대별되는, 가공대상물인 웨이퍼, LCD등이 안착될 수 있는 하부용기(50)와,
그 하부용기 일측에 연결되어 진공용기 내부에 진공을 형성하는 진공펌프(60)가 모듈화되어 구성된 것에 있어서,
상기 플라즈마 소스 조립체(30)는 전극부(31), 그라운드부(32), 절연체부(33)의 개수를 조절하여 웨이퍼의 크기에 대응되도록, 전극형성체를 조절할 수 있도록 구성된 원형상의 전극형성체(300)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
삭제
삭제
제1항에 있어서, 플라즈마 소스 조립체(30)는 LCD 유리기판에 대응되는 사각형상의 전극형성체(400)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
제4항에 있어서, 사각형상의 전극형성체(400)는 전극부(31), 그라운드부(32), 절연체부(33)의 개수를 조절하여 LCD 유리기판의 크기에 대응할 수 있도록 조절이 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
삭제
100KHz ~ 990MHz의 고주파로 동작하는 제1 무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10)과,
그 제1 RF 전원과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 제1 임피던스 정합기(20)와,
100KHz ~ 990MHz의 주파수로 동작하는 제2무선주파수(RF, radio frequency) 전원(10a)과,
그 제2RF 전원과 플라즈마 소스 공급전원 사이의 임피던스 정합을 위하여 설치되는 제2임피던스 정합기(20a)와,
외부에 형성된 플라즈마 소스 외곽케이스(34) 사이에 직하방향으로 또는 원주방향을 갖는 복수개의 전극부(31)과 그라운드부(32)가 횡방향으로 나란히 형성되고, 그 전극부(31)와 그라운드부(32) 사이에 층간 절연체가 있고, 가스공급라인(33a)을 통해 GAS가 공급되도록 절연체부(33)가 형성된 플라즈마 소스 조립체(30) 와,
그 플라즈마 소스 조립체(30) 하단부에 형성되어, 가스공급라인(33a)을 통해 용기내로 공급된 GAS를 포함, 플라즈마(100)를 형성시키는 진공용기(40)와,
히터 또는 정전척(Electrostatic Chuck)으로 대별되는, 가공대상물인 웨이퍼, LCD등이 안착될 수 있는 하부용기(50)와,
그 하부용기(50) 일측에 연결되어 진공용기(40) 내부에 진공을 형성하는 진공펌프(60)가 모듈화되어 구성되는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
제7항에 있어서, 플라즈마 소스 조립체(30)는 웨이퍼로 대응되는 원형상의 전극형성체(300)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
제8항에 있어서, 원형상의 전극형성체(300)는 전극부(31), 그라운드부(32), 절연체부(33)의 개수를 조절하여 웨이퍼의 크기에 대응되도록, 전극형성체를 조절할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
제7항에 있어서, 플라즈마 소스 조립체(30)는 LCD 유리기판에 대응되는 사각형상의 전극형성체(400)가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
제10항에 있어서, 사각형상의 전극형성체(400)는 전극부(31), 그라운드부(32), 절연체부(33)의 개수를 조절하여 LCD 유리기판의 크기에 대응할 수 있도록 조절이 가능하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
제9항 또는 제11항에 있어서, 원형상의 전극형성체(300), 사각형상의 전극형성체(400)는 증착(PECVD, HDPCVD, PEALD)장치 또는 애싱(Ashing)을 포함한 식각(Etching)장치에 구성되는 것을 특징으로 하는 횡 방향의 다중 전극 구조를 가지는 평행 평판형 플라즈마 소스.
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8945974B2 (en) 2012-09-20 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9018647B2 (en) 2010-09-16 2015-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US9257649B2 (en) 2012-07-10 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9347886B2 (en) 2013-06-24 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9496317B2 (en) 2013-12-23 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
US9512515B2 (en) 2011-07-04 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR102231371B1 (ko) 2020-01-29 2021-03-25 주식회사 피에스엠 콜드 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 다중 콜드 플라즈마 어레이 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59127832A (ja) 1983-01-12 1984-07-23 Agency Of Ind Science & Technol プラズマｃｖｄ装置
JPH05226258A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Applied Materials Japan Kk プラズマ発生装置
JPH07176399A (ja) * 1994-10-24 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20060027357A (ko) * 2003-06-25 2006-03-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 플라즈마 처리 등의 표면 처리 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59127832A (ja) 1983-01-12 1984-07-23 Agency Of Ind Science & Technol プラズマｃｖｄ装置
JPH05226258A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Applied Materials Japan Kk プラズマ発生装置
JPH07176399A (ja) * 1994-10-24 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
KR20060027357A (ko) * 2003-06-25 2006-03-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 플라즈마 처리 등의 표면 처리 장치 및 방법

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8968829B2 (en) 2009-08-25 2015-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9224591B2 (en) 2009-10-19 2015-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of depositing a thin film
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8973525B2 (en) 2010-03-11 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8865252B2 (en) 2010-04-06 2014-10-21 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9136310B2 (en) 2010-04-28 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9018647B2 (en) 2010-09-16 2015-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US9512515B2 (en) 2011-07-04 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9777364B2 (en) 2011-07-04 2017-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9257649B2 (en) 2012-07-10 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module
US10431779B2 (en) 2012-07-10 2019-10-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US8945974B2 (en) 2012-09-20 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
US9347886B2 (en) 2013-06-24 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US9496317B2 (en) 2013-12-23 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
KR102231371B1 (ko) 2020-01-29 2021-03-25 주식회사 피에스엠 콜드 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 다중 콜드 플라즈마 어레이 장치
US11264211B2 (en) 2020-01-29 2022-03-01 Psm Inc. Cold plasma generating apparatus and multi-cold plasma array apparatus comprising the same

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