KR100504477B1 - 유기 ｅｌ의 열 소스 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 유기 EL(electroluminescence)을 이용하여 평판 디스플레이(flat panel display) 패널을 제작할 때 사용되는 대용량 유기 EL의 열 소스(source) 장치에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명에 따른 투명기판 상에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극이 형성되는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기물 증착에 사용되는 선 모양(linear)의 열 소스(source) 장치에 셔터(shutter)를 부착한다.

Description

유기 ＥＬ의 열 소스 장치{Heating source apparatus for Organic electron luminescence}

본 발명은 유기 EL(electroluminescence)을 이용하여 평판 디스플레이(flat panel display) 패널을 제작할 때 사용되는 대용량 유기 EL의 열 소스(source) 장치에 관한 것이다.

일반적으로 저분자 유기 EL 소자 제작시 유기물 증착은 열(thermal) 승화 방식을 이용한다. 이때 사용되는 열을 가하여 유기물을 승화시키는 열 소스(source) 장치로는 도가니형, 보트형, 바스켓형 등이 있으나 이것들은 대부분 용량이 작아 대면적 기판을 이용한 양산 시에는 보다 큰 열 소스 장치가 필요하다.

도 1a 내지 도1c는 종래 유기 EL의 열 소스(source) 장치를 나타내는 도면이다.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 도 1a는 기존의 작은 도가니(crucible)를 여러개 사용한 열 소스 장치이며, 도 1b는 기존 도가니(crucible) 형태를 유지하면서 용량(크기)을 늘린 형태의 열 소스 장치이다.

그리고, 도 1c는 도 1b와 같이 대면적 기판의 폭 길이와 같거나 긴 선 모양의(linear) 소스를 이용하여 스캔을 하면서 증착하는 방식의 열 소스 방식이 대두되었다.

이와 같은 방식의 열 소스(source) 장치는 도가니 하나하나를 컨트롤(control)하기 어렵고 점점 더 복잡해지는 유기 EL 소자 구조에 대응하기가 어려우며, 특히 2~3개의 물질을 코-데포지션(co-deposition) 하기에 많은 선 모양(linear)의 소스(source)와 챔버(chamber)가 필요한 번거로움이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 종래 기술의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 복잡한 유기 EL 소자에 대응하여 양산에 적합한 유기 EL의 열 소스(source) 장치를 제공하기 위한 것이다.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 투명기판 상에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극이 형성되는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기물 증착에 사용되는 선 모양(linear)의 열 소스(source) 장치에 셔터(shutter)를 부착한다.

바람직하게, 상기 셔터의 모양은 유기물이 증착되는 부분의 양에 따라 개구율을 작게하거나 크게 한다.

그리고, 상기 개구율의 모양은 삼각 이상의 다각형 내지 원, 타원등 어느 하나의 모양이 이용된다.

또한, 상기 개구율의 조절은 홀의 간격을 조절하거나, 홀의 크기를 조절하여 개구율을 줄이고, 또는 홀의 간격과 홀의 크기를 혼용하여 조절하므로 개구율이 조절된다.

이하 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 유기 EL의 열 소스(source) 장치를 나타내는 도면이다.

도 2a는 유기 EL의 열 소스(source) 장치를 나타낸 평면도이고, 도 2b는 유기 EL의 열 소스 장치를 나타낸 단면도이며, 도 2c는 유기 EL의 열 소스 장치의 측면도 이다. 이때, 소자 구조가 글래스/ ITO/ CuPC/ NPD: Alq3(1:1)/ Alq3/ LiF/ Al 일 경우를 실시예로 설명하면 다음과 같다.먼저 기판 위에 애노드 전극으로 ITO를 100nm 정도 입힌다.

그리고, 상기 애노드 위에 정공 주입층으로 코퍼 프탈로시아닌(CuPc) 등을 10nm 정도 입힌다.

그 다음, 정공 수송층으로서 4, 4'-bis[N-(l-naphthy)-N-pheny1-amino]bipheny1(NPD)을 50nm 정도 입힌다.

다음으로 셔터가 부착된 선 모양의 소스를 사용하게 되면 각 선 모양의 소스에 부착된 셔터 오브-오프(shutter of-off)함으로 해서 구조를 형성한다.이때, 기존의 선 모양의 소스로 상기 유기 EL 소자의 NPD / NPD: Alq3 부분을 형성하기 위해서는 NPD용 싱글 선 모양의 소스 1개, NPD : Alq3(1 : 1) 용 더블 선 모양의 소스 1개, Alq3용 싱글 선 모양의 소스 1개, 모두 3 셋트의 선 모양의 소스 및 3개의 챔버가 필요하지만, 본 발명에서는 셔터가 부착된 선 모양의 소스를 사용하게 되면 각 선 모양의 소스에 부착된 셔터 오브-오프(shutter of-off)함으로 해서 구조를 형성할 수 있기 때문에 단 1개의 선 모양의 소스 셋트와 1개의 챔버만 있으면 된다.

이를 이용하여, 전자 수송층으로 8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)을 30nm 정도 입힌다.

그 다음, 전자주입층으로 Li2O를 0.5nm 정도 입히고, 캐소드 전극으로 Al을 200nm 정도 입힌다.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 유기 EL의 열 소스 장치의 다양한 모양을 나타낸 도면으로, 증착용 선 모양의 소스 셔터 모양은 개구율이 증착되는 유기물의 양을 고려하여 유기물이 두껍게 증착되는 부분에는 개구율을 작게, 유기물이 얇게 증착되는 부분에는 개구율을 크게 함으로 해서 두께를 균일(uniformity)하게 맞출 수 있다.

이때 홀(hole)의 모양은 삼각이상의 다각형 내지 원, 타원 모두 사용해도 상관없으며, 개구율을 줄이는 방법은 도 3a나 3b와 같이 홀(hole) 간격을 줄이거나, 늘리는 방법과 도 3c와 같이 홀(hole)의 크기를 줄이거나 늘리는 방법도 있으며, 홀의 간격을 줄이거나 늘리는 방법과 홀의 크기를 줄이거나 늘리는 방법을 혼용하여 사용할 수 있다.

이상의 설명에서와 같이 본 발명은 도가니 하나하나를 컨트롤(control)하기 쉽고 점점 더 복잡해지는 유기 EL 소자 구조에 대응하여 특히 2~3개의 물질을 코-데포지션(co-deposition) 하여도 많은 개수의 선 모양(linear)의 소스(source)와 챔버(chamber)가 필요하지 않으며, 선 모양의 소스를 균일하게 보정할 수 있는 장점이 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다.

도 1a 내지 도 1c는 종래 유기 EL이 열 소스(source) 장치들을 나타낸 도면

도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 유기 EL의 열 소스(source) 장치를 나타낸 도면

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 유기 EL의 열 소스 장치의 다양한 모양을 나타낸 도면

Claims (4)

1. 투명기판 상에 제 1 전극, 유기물층, 제 2 전극이 형성되는 유기 EL 소자에 있어서,

   상기 유기물 증착에 사용되는 선 모양(linear)의 열 소스(source) 장치에 다수개의 홀이 형성된 셔터(shutter)를 부착하는 것을 특징으로 하는 유기 EL의 열 소스 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 셔터의 홀은 유기물이 증착되는 부분의 양에 따라 홀의 크기를 작게하거나 크게 하는 것을 특징으로 하는 유기 EL의 열 소스 장치.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 홀의 모양은 삼각 이상의 다각형 내지 원, 타원등 중 어느 하나의 모양이 이용되는 것을 특징으로 하는 유기 EL의 열 소스 장치.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 홀의 간격을 조절하거나, 홀의 크기를 조절하여 개구율을 줄이고, 또는 홀의 간격과 홀의 크기를 혼용하여 조절하므로 개구율이 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 EL의 열 소스 장치.