JP2003197531A

JP2003197531A - パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器

Info

Publication number: JP2003197531A
Application number: JP2001389676A
Authority: JP
Inventors: Takashi Miyazawa; 貴士宮澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-12-21
Filing date: 2001-12-21
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】材料の選択自由度を高くした新たな製造方法
と、この方法の実施に好適なパターニング装置を提供す
る。【解決手段】材料にレーザー光を照射することによっ
てこの材料から化学種を発生させる化学種発生部２と、
化学部発生部２で発生した化学種を吐出するノズル部３
と、ノズル部３と化学種が配置される基体との相対的な
位置を移動させる可動機構１５とを備えたパターニング
装置１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ等の
電子素子の製造方法、さらにはこれを備えた回路基板の
製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製
造方法、電子機器、及びこれらの製造方法に好適に用い
られるパターニング装置とこれを用いたパターニング方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、トランジスタの製造方法として
は、蒸着法（特開平８−２２８０３４、特開平８−２２
８０３５、特開平２００１−９４１０７など）やインク
ジェット法（ＵＳＰ６，０８７，１９６など）などに
より、各構成要素を形成する方法が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
トランジスタなどの電子素子の製造においては、各種構
成要素に対する材料の多様化などにより、特に材料の選
択自由度を高くした新たなパターニング方法の提供が望
まれている。そこで、本発明は、材料の選択自由度を高
くした新たな製造方法を提供するとともに、この方法の
実施に好適なパターニング装置およびパターニング方法
を提供することを目的としている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明のパターニング装置では、材料にレーザー光を照
射することによって該材料から化学種を発生させる化学
種発生部と、該化学部発生部で発生した化学種を吐出す
るノズル部と、該ノズル部と前記化学種が配置される基
体との相対的な位置を移動させる可動機構とを備えたこ
とを特徴としている。

【０００５】このパターニング装置によれば、高いエネ
ルギーでレーザー光が照射されると、照射された物質の
一部がガス状あるいはイオン状等の化学種となって飛散
することにより、レーザー光が照射された材料から発生
した化学種がノズル部より吐出される。したがって、可
動機構によってノズル部と基体との相対的な位置を移動
させることにより、基体への前記化学種の配置を制御し
て所望するパターンにこの化学種を配置することが可能
になり、よって、マスクを必要とすることなくパターニ
ングを行うことができるようになる。また、材料につい
ては特に限定されないことなく、材料の選択自由度を高
くすることができる。

【０００６】前記のパターニング装置においては、前記
基体を載置するステージが、前記可動機構によって移動
可能に備えられているのが好ましい。このようにすれ
ば、可動機構によってステージを移動させ、基体を形成
するパターンに対応して移動させることにより、基体に
所望パターンを形成することができる。

【０００７】前記のパターニング装置においては、前記
化学種発生部にレーザー光を透過させる窓が設けられて
いるのが好ましい。このようにすれば、レーザー光源を
化学種発生部の外部に配置し、窓を透過させてレーザー
光を材料に照射させることが可能になる。

【０００８】前記のパターニング装置においては、レー
ザー光源を備えてなるのが好ましい。このようにすれ
ば、レーザー光源からレーザー光を材料に照射させるこ
とが用になる。

【０００９】前記のパターニング装置においては、実質
的に真空に調整される真空チャンバーが備えられ、前記
ノズル部と基体とが該真空チャンバー内に設けられるの
が好ましい。このようにすれば、化学種をノズル部から
真空チャンバー内に吐出させるようにすることにより、
化学種を容易にかつ安定して吐出させることができる。

【００１０】本発明のパターニング方法では、材料にレ
ーザー光を照射して該材料から化学種を発生させ、この
発生させた化学種をノズル部から吐出し、基体上の所定
の位置に配置することを特徴としている。このパターニ
ング方法によれば、高いエネルギーでレーザー光が照射
されると、照射された物質の一部がガス状あるいはイオ
ン状等の化学種となって飛散することにより、レーザー
光が照射された材料から発生した化学種がノズル部より
吐出される。したがって、ノズル部から吐出した化学種
を基体上の所定の位置に配置することにより、この化学
種からなる所望のパターンを形成することが可能にな
り、よって、マスクを必要とすることなくパターニング
を行うことができるようになる。また、材料については
特に限定されないことなく、材料の選択自由度を高くす
ることができる。

【００１１】本発明の電子素子の製造方法では、導電材
料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも一つの材
料を備えた電子素子の製造方法であって、前記材料のう
ちの少なくとも一つあるいは前記材料の前駆体のうちの
少なくとも一つにレーザー光を照射し、前記材料のうち
の少なくとも一つの化学種を吐出し、基体の所定位置に
前記化学種を配置することを特徴としている。この電子
素子の製造方法によれば、導電材料、半導体材料、絶縁
材料のうちの少なくとも一つの化学種を吐出するので、
前記材料あるいは前駆体として特に制限されることなく
自由に選択して用い、前記材料を配置することができ
る。また、前記材料を基体上の所定位置に配置すること
により、マスクを必要とすることなくパターニングを行
うことができる。

【００１２】前記の電子素子の製造方法においては、電
子素子がダイオードであるのが好ましい。このようにす
れば、ダイオードの形成材料についての選択自由度を高
めることができる。

【００１３】前記の電子素子の製造方法においては、電
子素子がトランジスタであるのが好ましい。このように
すれば、トランジスタの形成材料についての選択自由度
を高めることができる。

【００１４】前記の電子素子の製造方法においては、こ
の電子素子がトランジスタであり、材料として導電材料
あるいはその前駆体が用いられ、導電材料の化学種が吐
出されたことによってゲート電極が形成されてなるのが
好ましい。このようにすれば、ゲート電極の形成材料に
ついての選択自由度を高めることができる。

【００１５】前記の電子素子の製造方法においては、こ
の電子素子がトランジスタであり、材料として半導体材
料あるいはその前駆体を用い、半導体材料の化学種を吐
出することによってトランジスタの半導体層を形成する
のが好ましい。このようにすれば、半導体層の形成材料
についての選択自由度を高めることができる。

【００１６】前記の電子素子の製造方法においては、半
導体材料が有機半導体材料であるのが好ましい。このよ
うにすれば、半導体層の形成材料についての選択自由度
を高めることができる。

【００１７】前記の電子素子の製造方法においては、こ
の電子素子がトランジスタであり、材料として絶縁材料
あるいはその前駆体を用い、絶縁材料の化学種を吐出す
ることによってゲート絶縁膜を形成するのが好ましい。
このようにすれば、ゲート絶縁膜の形成材料についての
選択自由度を高めることができる。

【００１８】本発明の回路基板の製造方法では、前記電
子素子の製造方法によって電子素子を複数形成すること
を特徴としている。この回路基板の製造方法によれば、
材料として特に制限されることなく自由に選択して用
い、前記材料を配置することができる。また、材料を基
体上の所定位置に配置することにより、マスクを必要と
することなくパターニングを行うことができる。

【００１９】本発明の電子装置の製造方法では、前記の
電子素子の製造方法を用いることを特徴としている。こ
の電子装置の製造方法によれば、材料として特に制限さ
れることなく自由に選択して用い、前記材料を配置する
ことができる。また、材料を基体上の所定位置に配置す
ることにより、マスクを必要とすることなくパターニン
グを行うことができる。

【００２０】本発明の電気光学装置の製造方法では、前
記の電子素子の製造方法を用いることを特徴としてい
る。この電気光学装置の製造方法によれば、材料として
特に制限されることなく自由に選択して用い、前記材料
を配置することができる。また、材料を基体上の所定位
置に配置することにより、マスクを必要とすることなく
パターニングを行うことができる。

【００２１】前記の電気光学装置の製造方法において
は、電気光学装置が液晶素子を備えてなるのが好まし
い。このようにすれば、液晶素子を備えてなる電気光学
装置の、材料の選択自由度を高めることができる。

【００２２】前記の電気光学装置の製造方法において
は、電気光学装置が電気泳動素子を備えてなるのが好ま
しい。このようにすれば、電気泳動素子を備えてなる電
気光学装置の、材料の選択自由度を高めることができ
る。

【００２３】前記の電気光学装置の製造方法において
は、電気光学装置が有機ＥＬ素子を備えてなるのが好ま
しい。このようにすれば、有機ＥＬ素子を備えてなる電
気光学装置の、材料の選択自由度を高めることができ
る。

【００２４】前記の、有機ＥＬ素子を備えてなる電気光
学装置の製造方法においては、前記材料のうちの少なく
とも一つあるいは前記材料の前駆体のうちの少なくとも
一つが有機ＥＬ素子における発光層、正孔注入層、正孔
輸送層のうちの少なくとも一つの形成材料であり、基体
上の所定位置に該材料が配置されたことにより有機ＥＬ
素子が形成されてなるのが好ましい。このようにすれ
ば、発光層、正孔注入層、正孔輸送層のうちの少なくと
も一つの形成材料について、その選択自由度を高めるこ
とができる。

【００２５】本発明の電気光学装置では、前記の電気光
学装置の製造方法によって得られることを特徴としてい
る。この電気光学装置によれば、材料が特に制限される
ことなく自由に選択して用いられることにより、材料の
選択自由度が高いものとなる。

【００２６】本発明の電子機器では、前記の電気光学装
置を表示手段として備えてなることを特徴としている。
この電子機器によれば、表示手段とする電気光学装置
が、これを製造する際にその材料の選択自由度が高いも
のとなる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は本発明のパターニング装置の概略構成を示す図で
あり、図１中符号１はパターニング装置である。このパ
ターニング装置１は、化学種発生部２と、この化学種発
生部２で発生させた化学種を吐出するノズル部３と、被
パターニング体となる基体Ｓを収納配置する真空チャン
バー４と、真空チャンバー４内に設けられて前記基体Ｓ
を保持固定するステージ５とを備え、さらに化学種発生
部２の外側にレーザー光源６を具備して構成されたもの
である。

【００２８】化学発生部２は、パターニングするための
材料７を配置する主チャンバー８と、主チャンバー８へ
の材料７の出し入れを行うためのローディングチャンバ
ー９と、材料７を保持固定するための材料保持具１０
と、主チャンバー８内を所望温度に加熱するための公知
の加熱手段（図示せず）と、前記ノズル部３とを備えて
構成されたものである。材料７は、基体Ｓにパターニン
グされる材料が例えば板状に形成されてなるもので、前
記の材料保持具１０により、前記レーザー光源６から出
射されるレーザー光を受ける位置に保持固定されるもの
である。なお、材料保持具１０にはヒーター（図示せ
ず）が設けられており、これによって材料７は、必要に
応じ所望温度に加熱されるようになっている。

【００２９】ここで、材料７としては、特に限定される
ことなく、目的とする形成要素に応じて任意のものが使
用可能であり、例えば金属単体としては、鉄、銅、ニッ
ケル、金、銀、マンガン、コバルトなどが使用可能であ
る。また、合金としては、ニッケル鉄、鉄マンガン、コ
バルト鉄、イリジウムマンガンなどが使用可能である。
誘電体としては、Ｋ₂ ＳｉＯ₃ 、Ｌｉ₂ ＳｉＯ₃ 、Ｃａ
ＳｉＯ₃ 、ＺｒＳｉＯ ₄ 、Ｎａ₂ ＳｉＯ₃ 等のケイ酸化
合物や、ＴｉＯ、Ｔｉ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 等の酸化チタ
ン、ＢａＴｉＯ₄ 、ＢａＴｉＯ₃ 、Ｂａ₂ Ｔｉ₉ Ｏ₂₀、
ＢａＴｉ₅ Ｏ₁₁、ＣａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 、ＰｂＴ
ｉＯ₃ 、ＭｇＴｉＯ₃ 、ＺｒＴｉＯ₂ 、ＳｎＴｉＯ₄ 、
Ａｌ₂ ＴｉＯ₅ 、ＦｅＴｉＯ₃ 等のチタン酸化合物、酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ₂ ）、ＢａＺｒＯ₃ 、ＺｒＳｉ
Ｏ₄ 、ＰｂＺｒＯ₃ 、ＭｇＺｒＯ₃、Ｋ₂ ＺｒＯ₃ 等の
ジルコン酸化物、さらにＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
₃ ］、ＰＬＺＴ［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
₃ ］、ＳＢＴ［Ｓｒ（Ｂｉ，Ｔａ）Ｏ］、ＳＢＮ［Ｓｒ
（Ｂｉ，Ｎｂ）Ｏ］などが使用可能である。

【００３０】また、材料７としては有機高分子材料、例
えばポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンビニ
レンやその誘導体などを用いることもでき、さらに蛋白
質等の生体物質も使用可能である。蛋白質等の生体物質
を材料７として用いる場合には、例えばこれを適当な溶
媒で混合し、これをサンプルプレート上で乾燥させて材
料７とする。そして、レーザー光源６としては、材料に
応じて適宜選択できる。例えば、エキシマレーザー、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザー、チタンサファイアレーザー、窒素
レーザーなどが使用可能である。ＣＷ（連続波）発振、
パルス発振でもよい。金属材料や無機誘電体材料に対し
て使用する際は、パルスレーザーのほうが好ましい場合
がある。材料を適当なイオン化促進剤と混合し、マトリ
ックス化した後、レーザー照射を行う、いわゆるマトリ
ックス支援レーザー脱離法も採用可能である。

【００３１】主チャンバー８には、本例では前記ローデ
ィングチャンバー９と反対の側に窓１１が形成されてい
る。この窓１１は、透明ガラス等のレーザー光を透過す
る材料からなるもので、前記レーザー光源６から出射す
る光の光路中に設けられ、これによりレーザー光を前記
材料７に照射可能になさせるものである。また、この主
チャンバー８には、必要に応じてキャリアガス供給源
（図示せず）を接続することができる。このキャリアガ
ス供給源は、主にヘリウム、アルゴン、窒素などの不活
性ガスをキャリアガスとして主チャンバー８内に圧送す
るもので、この圧送したキャリアガスにより、後述する
ように材料７へのレーザー光の照射によって発生した化
学種をノズル部３側に同伴させるものである。なお、後
述するノズル部３の吐出機構によっては、キャリアガス
供給源を設けることなく、したがってキャリアガスを使
用することなく、材料７から発生する化学種を吐出する
ようにしてもよいのはもちろんである。

【００３２】ノズル部３は、その後端側が主チャンバー
８に連通し、ノズル孔３ａを形成した先端側が真空チャ
ンバー４内に配置されたもので、その先端部には吐出機
構１２が設けられている。この吐出機構１２は、特に限
定されることなく種々のタイプのものが使用可能であ
る。例えば、一般的なメカニカルシャッターによる機構
や、さらには帯電制御型、加圧振動型といった連続方式
による機構、電気機械変換式（いわゆるピエゾタイ
プ）、電気熱変換方式、静電吸引方式といったオンデマ
ンド方式による機構などが採用可能である。

【００３３】ここで、メカニカルシャッターによる機構
とは、ノズル孔３ａにシャッター（図示せず）を設けて
おき、これを機械的に開閉することで、キャリアガスに
同伴され圧送されてきた材料（化学種）を間欠的（パル
ス的）に吐出するようにしたものである。なお、キャリ
アガスを用いることなく、ノズル孔３ａの外側となる真
空チャンバー４内とノズル部３内との圧力差により、シ
ャッターの開閉に伴ってノズル部３内の材料を自発的に
ノズル孔３ａより吐出させるような構成としてもよいの
は前述したとおりである。

【００３４】帯電制御型とは、送られてきた材料に帯電
電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御
してノズル孔３ａから吐出させるようにしたものであ
る。また、加圧振動型とは、材料に３０ｋｇ／ｃｍ²程
度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させる
もので、制御電圧をかけない場合に材料が直進してノズ
ル孔３ａを吐出し、制御電圧をかけると材料間に静電的
な反発が起こり、材料を飛散させてノズル孔３ａを通過
しないようにしたものである。

【００３５】また、電気機械変換方式とは、ピエゾ素子
がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用した
もので、ピエゾ素子が変形することによって材料（化学
種）を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、こ
の空間から材料を押し出してノズル孔３ａから吐出させ
るようにしたものである。ここで、材料を貯留する空間
については、例えば主チャンバー８の内部空間に連通す
る微小な材料貯留空間を形成するようにすればよい。

【００３６】また、電気熱変換方式とは、一般には材料
を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に
気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によ
って空間内の材料を吐出させるようにしたものである。
なお、本発明においては、これを加熱手段として用いる
ことができる。静電吸引方式とは、材料を貯留した空間
内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成
し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すよ
うにしたものである。なお、これら帯電制御型、加圧振
動型、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式
といった各機構については、先のメカニカルシャッター
による機構を併用して用いることにより、材料の吐出制
御をより確実に行うようにし、または間欠的な吐出を確
実に行うようにしてもよい。

【００３７】真空チャンバー４は、配管１３を介して真
空装置１４に接続されたもので、その内部空間にステー
ジ５を配設し、また被パターニング体となる基体Ｓの出
し入れを行うためのドア（図示せず）を気密に取り付け
たものである。なお、配管１３は、その端部が真空チャ
ンバー４内に開口しており、これによって真空装置１３
の作動により、真空チャンバー４内を排気して高真空雰
囲気にし得るようになっている。

【００３８】真空装置１４は、分子ターボポンプやロー
タリーポンプなどが組み合わされたことによって真空チ
ャンバー４内を高真空度に調整可能となるよう構成され
たものである。ここで、真空チャンバー４内は、真空装
置１４によって好ましくは１０^-3ｔｏｒｒ（１．３３３
２２×１０^-1Ｐａ）以下、より好ましくは１０^-5ｔｏｒ
ｒ（１．３３３２２×１０^-3Ｐａ）以下の高真空雰囲気
に調整されるようになっている。真空雰囲気を１０^-3ｔ
ｏｒｒ以下にすれば、例えば吐出されにくい材料につい
てもこれを容易に吐出することができ、１０^-5ｔｏｒｒ
以下にすれば、さらに多くの種類の材料を吐出可能にで
きるとともに、吐出する材料を分子線状にし易くするこ
とができる。なお、この真空装置１４については、この
装置を構成するポンプの振動が真空チャンバー４内に伝
播しないよう、これらポンプを真空チャンバー４から十
分に離しておくか、あるいはポンプ等に除振機能を付加
させておくのが好ましい。

【００３９】ステージ５は、前記ノズル孔３ａの直下に
配置されたもので、例えば後述するように有機エレクト
ロルミネッセンス素子等からなる電気光学装置作製用の
基体Ｓを保持固定するものである。このステージ５に
は、保持固定した基体Ｓを前記ノズル孔３ａに対してＸ
方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能にする可動機構１５
が設けられている。すなわち、この可動機構１５は、ノ
ズル孔３ａに対して基体Ｓをその鉛直方向（Ｚ方向）に
移動可能かつ位置決めするＺ可動部（図示せず）と、ス
テージ５をノズル孔３ａに対して水平方向（Ｘ方向、Ｙ
方向）にそれぞれ移動させかつ位置決めするＸ可動部
（図示せず）及びＹ可動部（図示せず）とを備えてなる
もので、これらの可動部の動作をそれぞれ制御部（図示
せず）で設定したとおりに制御できるように構成された
ものである。なお、これらＸ可動部、Ｙ可動部及びＺ可
動部は、例えばリニアモータによって構成されたものと
なっている。また、このステージ５には、その載置面側
に水冷式等の温度調整手段（図示せず）が設けられてお
り、これによってステージ５上の基体Ｓを所望温度に調
整できるようになっている。

【００４０】レーザー光源６は、例えばエキシマレーザ
ー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、チタンサファイアレーザ
ー、及びこれらレーザー光線の高調波、又はパラメトリ
ック波長変換により生ずる光線などを発生するものであ
る。なお、このレーザー光源６には、必要に応じてプリ
ズムやレンズ等の光学部品（図示せず）が組み合わされ
ることにより、その光路が前記窓１１を介して材料７に
至るように調整されている。

【００４１】このような構成のパターニング装置１を用
いて基体Ｓにパターニングを行うには、まず材料７とし
て、パターニングしたい材料となる化学種を構成するも
の、あるいはその前駆体を用い、これを材料保持具１０
に保持固定する。そして、必要に応じて主チャンバー８
内、及び／又は材料７を加熱し、その状態でレーザー光
源６からレーザー光を発射し、材料７の表面に照射す
る。また、このとき、特にキャリアガス供給源を設けた
場合には、必要に応じてこれを作動させ、キャリアガス
を主チャンバー８内に導入する。すると、材料７の照射
された部分がガス状あるいはイオン状等の化学種となっ
て飛散することにより、この材料７自体を構成する物質
（化学種）が、あるいはこの材料７を前駆体としてレー
ザー光の照射により化学変化した物質（化学種）が、ノ
ズル部３のノズル孔３ａ側に移行拡散する。

【００４２】このような状態のもとで吐出機構１２を作
動させると、前記の化学種がノズル孔３ａより吐出さ
れ、予めノズル孔３ａの直下に置かれた基体Ｓ上に射出
される。したがって、制御部によって可動機構１５の動
作を制御し、これによりノズル孔３ａと基板Ｓとの相対
的な位置関係を予め設定したとおりに移動させることに
より、この前記材料からなる化学種を基板Ｓ上の所定位
置に所望量射出することができる。このようにして化学
種を基板Ｓ上に射出すると、この化学種は基板Ｓの温度
にまで冷却されることにより、所望する材料となって固
化し、ここに固定される。

【００４３】よって、このようなパターニング装置１に
よるパターニング方法にあっては、ノズル部３から吐出
した化学種を基体Ｓ上の所定の位置に配置することによ
り、この化学種からなる所望のパターンを形成すること
ができ、よって、マスクを必要とすることなくパターニ
ングを行うことができる。また、材料７については前述
したように特に限定されないことから、材料の選択自由
度を高くすることができる。

【００４４】次に、このような構成のパターニング装置
１によるパターニングを、電子素子の製造に適用した例
について説明する。なお、ここで説明する例は、電子素
子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や容量素子の製
造方法と、これら電子素子を複数形成してなる回路基板
（本発明においては電子装置ともなる）の製造方法につ
いての一例であり、具体的には、図２に示すように同一
基板上にドライバー回路と画素部とを一体形成してなる
液晶装置（電気光学装置）用のアクティブマトリクス型
回路基板の製造方法についてである。ここで、図２にお
いては、ドライバー回路を構成する基本回路としてＣＭ
ＯＳ回路を示し、画素薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とし
てダブルゲート構造のＴＦＴを示している。

【００４５】まず、この製造方法によって得られる回路
基板（電子装置）について、図２を参照してその概略構
成を説明する。図２において符号１０１は耐熱性を有す
る基板であり、この基板１０１には、石英基板、シリコ
ン基板、セラミックス基板、金属基板（代表的にはステ
ンレス基板）等が用いられている。ただし、いずれの基
板が用いられていても、必要に応じて下地膜（好ましく
は珪素を主成分とする絶縁膜）が設けられる。符号１０
２は下地膜として設けられた酸化珪素膜であり、その上
にドライバーＴＦＴの活性層、画素ＴＦＴの活性層およ
び保持容量（容量素子）の下部電極となる半導体層が形
成されている。

【００４６】ドライバーＴＦＴの活性層は、Ｎチャネル
型ＴＦＴ（以下、ＮＴＦＴという）のソース領域１０
３、ドレイン領域１０４、ＬＤＤ（ライトドープトドレ
イン）領域１０５およびチャネル形成領域１０６、並び
にＰチャネル型ＴＦＴ（以下、ＰＴＦＴという）のソー
ス領域１０７、ドレイン領域１０８およびチャネル形成
領域１０９で形成されている。また、画素ＴＦＴ（ここ
ではＮＴＦＴを用いる。）の活性層は、ソース領域１１
０、ドレイン領域１１１、ＬＤＤ領域１１２ａ、１１２
ｂおよびチャネル形成領域１１３ａ、１１３ｂで形成さ
れている。さらに、ドレイン領域１１１から延長された
半導体層が、保持容量の下部電極１１４として用いられ
ている。

【００４７】なお、図２では下部電極１１４が画素ＴＦ
Ｔのドレイン領域１１１と直接的に接続されているが、
間接的に接続させて下部電極１１４とドレイン領域１１
１とが電気的に接続するような構造としてもよい。この
下部電極１１４には、半導体層に対して公知のドープ元
素が添加されている。そして、活性層および保持容量の
下部電極を覆ってゲート絶縁膜が形成されている。ま
た、本例では、保持容量の誘電体１１８が、画素ＴＦＴ
のゲート絶縁膜１１７よりも薄く形成される。

【００４８】このように、保持容量の下部電極１１４に
ドープ元素を含有させて下部電極１１４の低抵抗化を図
り、さらに保持容量の誘電体を薄くすることで、容量を
形成する面積を大きくすることなくキャパシティを稼ぐ
ことができる。また、ここでは、画素ＴＦＴのゲート絶
縁膜１１７とドライバーＴＦＴのゲート絶縁膜１１５、
１１６については同じ膜厚の同一絶縁膜としたが、例え
ば、回路特性に応じて同一基板上に異なるゲート絶縁膜
を有するＴＦＴが少なくとも二種類以上存在する構成と
してもよい。

【００４９】ゲート絶縁膜１１５、１１６、１１７の上
にはドライバーＴＦＴのゲート配線（ゲート電極）１１
９、１２０と、画素ＴＦＴのゲート配線（ゲート電極）
１２１が形成されている。また、同時に保持容量の誘電
体１１８の上には保持容量の上部電極１２２が形成され
ており、これによって前記下部電極１１４、誘電体１１
８、上部電極１２２により、保持電極（容量素子）が構
成されている。ゲート配線１１９〜１２１および保持容
量の上部電極１２２の形成材料としては、８００〜１１
５０℃（好ましくは９００〜１１００℃）の温度に耐え
る耐熱性を有する導電膜が用いられている。具体的に
は、導電性を有する珪素膜（例えばリンドープシリコン
膜、ボロンドープシリコン膜等）や金属膜（例えばタン
グステン膜、タンタル膜、モリブデン膜、チタン膜
等）、さらには前記金属膜をシリサイド化したシリサイ
ド膜、窒化した窒化膜（窒化タンタル膜、窒化タングス
テン膜、窒化チタン膜等）などが用いられ、これらは単
層構造としても複数種のものを組み合わせた積層構造と
してもよい。前記金属膜を用いる場合には、金属膜の酸
化を防止するために珪素膜との積層構造とすることが望
ましい。また、酸化防止という意味では、金属膜を窒化
珪素膜で覆った構造が有効である。図２では、窒化珪素
膜１２３を設けてゲート配線１１９〜１２１及び上部電
極１２２の酸化を防止している。

【００５０】また、符号１２４は第１層間絶縁膜であ
り、珪素を含む絶縁膜（単層または積層）で形成されて
いる。珪素を含む絶縁膜としては、酸化珪素膜、窒化珪
素膜、酸化窒化珪素膜（酸素よりも窒素の含有量の方が
多い）、窒化酸化珪素膜（窒素よりも酸素の含有量の方
が多い）が用いられる。この第１層間絶縁膜１２４には
コンタクトホールが設けられており、ドライバーＴＦＴ
のソース配線（ソース電極）１２５、１２６、ドレイン
配線（ドレイン電極）１２７、および画素ＴＦＴのソー
ス配線（ソース電極）１２８、ドレイン配線（ドレイン
電極）１２９が形成されている。その上にはパッシベー
ション膜１３０、第２層間絶縁膜１３１が形成され、さ
らにその上にはブラックマスク（遮光膜）１３２が形成
されている。また、ブラックマスク１３２の上には第３
層間絶縁膜１３３が形成され、コンタクトホールを設け
た後、画素電極１３４が形成されている。

【００５１】なお、図２では第２層間絶縁膜１３１上に
はブラックマスク（遮光膜）１３２が形成されている
が、特に限定されず、必要に応じて形成すればよい。例
えば、対向基板に遮光膜を設ける構成としてもよいし、
各ＴＦＴの下にゲート配線と同様の材料を用いた遮光膜
を設けるような構造としてもよい。第２層間絶縁膜１３
１や第３層間絶縁膜１３３としては、比誘電率の小さい
樹脂膜が好適に用いられ、具体的には、ポリイミド膜、
アクリル膜、ポリアミド膜、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテ
ン）膜などが用いられる。

【００５２】また、画素電極１３４としては、透過型の
液晶装置を作製するのであればＩＴＯ膜に代表される透
明導電膜が、反射型の液晶装置を作製するのであればア
ルミニウム膜に代表される反射率の高い金属膜が用いら
れる。なお、図２では画素電極１３４がドレイン電極１
２９を介して画素ＴＦＴのドレイン領域１１１と電気的
に接続されているが、画素電極１３４とドレイン領域１
１１とが直接的に接続するような構造としてもよい。

【００５３】次に、このような構成の回路基板（電子装
置）の製造方法を説明する。なお、基本的には図２に示
した回路基板を形成するものの、各構成要素の符号につ
いては、説明の便宜上、図２に示した符号とは異なる符
号を用いて説明する。まず、図３（ａ）に示すように基
板として石英基板２０１を用意し、その上に２０ｎｍ厚
の酸化珪素膜（下地膜）２０２と非晶質珪素膜（図示せ
ず）とを大気開放しないまま連続的に成膜する。こうす
ることで非晶質珪素膜の下表面に大気中に含まれるボロ
ン等の不純物が吸着することを防ぐことができる。な
お、本例では非晶質珪素（アモルファスシリコン）膜を
用いたが、他の半導体膜であっても構わない。微結晶質
珪素（マイクロクリスタルシリコン）膜でもよいし、非
晶質シリコンゲルマニウム膜でもよい。また、下地膜及
び半導体膜の形成方法としては、ＰＣＶＤ法、ＬＰＣＶ
Ｄ法またはスパッタ法等を用いることができるが、図１
に示したパターニング装置１を用いた成膜法を採用する
こともできる。

【００５４】次に、非晶質珪素膜の結晶化を行う。本例
では結晶化手段として、特開平９−３１２２６０号公報
に記載された技術を用いた。同公報に記載された技術
は、珪素膜の結晶化を助長する触媒元素としてニッケ
ル、コバルト、パラジウム、ゲルマニウム、白金、鉄、
銅から選ばれた元素を用いている。すなわち、触媒元素
としてニッケルを選択し、非晶質珪素膜上にニッケルを
含んだ層を形成し、５５０℃、１４時間の熱処理を行っ
て結晶化した。そして、形成された結晶質珪素（ポリシ
リコン）膜をパターニングして、ドライバーＴＦＴの半
導体層２０３、画素ＴＦＴの半導体層２０４を形成し
た。なお、ドライバーＴＦＴおよび画素ＴＦＴの半導体
層を形成する前後に、結晶質珪素膜に対してＴＦＴのし
きい値電圧を制御するための不純物元素（リンまたはボ
ロン）を添加してもよい。この工程はＮＴＦＴまたはＰ
ＴＦＴのみに行ってもよいし、双方に行ってもよい。

【００５５】次いで、図３（ｂ）に示すように、活性層
２０３ａ、２０４ａの上にレジストマスク２０５ａ、２
０５ｂを形成し、ドープ元素としてリンの添加を行う。
添加するリンの濃度は、５×１０¹⁸〜１×１０²⁰ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ³ とするのが好ましい。このようにして、リ
ンが添加されてなる領域（以下、リンドープ領域とい
う）２０３ｂ、２０４ｂが形成される。レジストマスク
２０５ａについては、後にドライバーＴＦＴのソース領
域またはドレイン領域となる領域の一部（または全部）
を露出させるようにして形成配置する。また、同様にレ
ジストマスク２０５ｂについても、後に画素ＴＦＴのソ
ース領域またはドレイン領域の一部（または全部）を露
出させるようにして形成配置する。このとき、保持容量
の下部電極となる領域にはレジストマスクを配置しない
ため、リンが全面的に添加され、リンドープ領域２０４
ｂとなる。なお、レジストマスク２０５ａ、２０５ｂを
形成する前に活性層表面を酸化しておくことが好まし
い。酸化珪素膜を設けておくことで、活性層とレジスト
マスクとの密着性を高められる他、活性層が有機物で汚
染されることを防げる。

【００５６】次に、図３（ｃ）に示すようにレジストマ
スク２０５ａ、２０５ｂを除去し、５００〜６５０℃の
熱処理を２〜１６時間加え、珪素膜の結晶化に用いた触
媒元素のゲッタリングを行う。ゲッタリング作用を奏す
るためには熱履歴の最高温度から±５０℃程度の温度が
必要であるが、結晶化のための熱処理が５５０〜６００
℃で行われるため、５００〜６５０℃の熱処理で十分に
ゲッタリング作用を奏することができる。本例では、６
００℃、８時間の熱処理を加えることにより、触媒元素
（ニッケル）を矢印方向に移動させ、リンドープ領域２
０３ｂ、２０４ｂに含まれるリンによりゲッタリングし
て捕獲した。このようにしてゲッタリング領域（リンド
ープ領域２０３ｂ、２０４ｂに対応する領域）が形成さ
れ、また、これによって２０３ａ、２０４ａで示した領
域に含まれるニッケルの濃度は十分に低減される。な
お、このゲッタリング領域は、保持容量の下部電極とし
て残り、ドライバーＴＦＴ及び画素ＴＦＴのソース領域
またはドレイン領域の一部または全部として残る。

【００５７】次に、図３（ｄ）に示すようにゲート絶縁
膜２０６を形成する。このゲート絶縁膜２０６の形成方
法としては、図１に示したパターニング装置１を用いる
方法が好適に採用される。すなわち、前記基板２０１を
図１に示した真空チャンバー４内に入れ上面側を上に向
けた状態でステージ５上に載置し、ここに保持固定する
とともに、真空装置１４を作動させて真空チャンバー４
内を真空雰囲気としておく。また、必要に応じて温度調
整手段（図示せず）でステージ５上の基板２０１を所望
温度（ノズル孔３ａから例えばガス化した状態で射出さ
れてきた材料（化学種）を十分に冷却して、液化あるい
は固化し得る温度）に調整しておく。また、予め主チャ
ンバー８内の材料保持具１０にゲート絶縁膜２０６の形
成材料、すなわちゲート絶縁膜２０６自体の材料か、あ
るいは前記形成材料の前駆体を保持固定しておき、必要
に応じてこれを加熱手段（図示せず）等により所定温度
にまで加熱しておく。

【００５８】ここで、ゲート絶縁膜２０６の形成材料と
しては、酸化珪素が好適に用いられるが、酸化珪素に加
えて窒化珪素を用いるようにしてもよい。その場合、酸
化珪素からなる膜の上に窒化珪素からなる膜を設けた積
層構造としてもよく、また、酸化珪素に窒素を添加した
酸化窒化珪素膜としてもよい。さらに、これらに代えて
前記した誘電体、すなわちケイ酸化合物や酸化チタン、
チタン酸化合物、ジルコン酸化物などを用いてもよい。
このような材料を前述したように必要に応じて所定温度
にまで加熱したら、さらに必要に応じて主チャンバー８
内を加熱し、その状態でレーザー光源６からレーザー光
を発射し、材料７の表面に照射する。また、このとき、
特にキャリアガス供給源を設けた場合には、必要に応じ
てこれを作動させ、キャリアガスを主チャンバー８内に
導入する。

【００５９】このようにしてレーザー光を材料７の表面
に照射すると、材料７の照射された部分がガス状あるい
はイオン状等の化学種、すなわちゲート絶縁膜２０６の
形成材料となる化学種となって飛散し、ノズル部３のノ
ズル孔３ａ側に移行拡散する。したがって、このような
状態のもとで吐出機構１２を作動させることにより、前
記の化学種をノズル孔３ａより吐出させ、予めノズル孔
３ａの直下に置かれた基体２０１上に射出することがで
きる。よって、制御部によって可動機構１５の動作を制
御し、これによりノズル孔３ａと基板２０１との相対的
な位置関係を予め設定したとおりに移動させることによ
り、この前記化学種を基板２０１上の所定位置に所望量
射出することができる。そして、このようにして基板２
０１上に射出された化学種は、基板２０１の温度にまで
冷却されることによって固化し、ここに固定されてゲー
ト絶縁膜２０６となる。なお、ゲート絶縁膜２０６の形
成については、パターニング装置１による方法に代え
て、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法で行うようにしても
よい。このようにして形成されるゲート絶縁膜２０６
は、画素ＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するものとな
り、膜厚は例えば５０〜２００ｎｍ程度に形成される。

【００６０】ゲート絶縁膜２０６を形成したら、これを
真空チャンバー４から取り出し、図３（ｅ）に示すよう
レジストマスク（図示せず）を設けてゲート絶縁膜を選
択的に除去する。このとき、画素ＴＦＴの上にゲート絶
縁膜２０６を残し、ドライバーＴＦＴおよび保持容量と
なる領域の上は除去する。次いで、８００〜１１５０℃
（好ましくは９００〜１１００℃）の温度で１５分〜８
時間（好ましくは３０分〜２時間）の熱処理工程を、酸
化性雰囲気下で行う（熱酸化工程）。この熱処理工程で
は、活性層の結晶粒内の欠陥等が修復されるという効果
が得られるため、極めて良好な結晶性を有する結晶質珪
素膜が形成される。なお、酸化性雰囲気としては、ドラ
イ酸素雰囲気でもウェット酸素雰囲気でもよいし、酸素
雰囲気中にハロゲン元素を含ませた雰囲気でもよい。ハ
ロゲン元素を含ませた雰囲気による熱酸化工程とした場
合、ニッケルを除去する効果も期待できるので有効であ
る。

【００６１】こうして熱酸化工程を行うことにより保持
容量となる領域において露出した半導体層の表面には、
図４（ａ）に示すように厚さ５〜５０ｎｍ程度の酸化珪
素膜（熱酸化膜）２０７が形成される。最終的に、酸化
珪素膜２０７は保持容量の誘電体として機能し、酸化珪
素膜２０６は画素ＴＦＴ及びドライバーＴＦＴのゲート
絶縁膜として機能する。なお、簡略化のため図示しない
が、画素ＴＦＴ及びドライバーＴＦＴに残存した酸化珪
素膜からなるゲート絶縁膜２０６と、その下の半導体層
２０３、２０４との界面においても酸化反応が進行す
る。そのため、最終的に画素ＴＦＴのゲート絶縁膜２０
６の膜厚は５０〜２００ｎｍ程度となる。

【００６２】こうして熱酸化工程を終了したら、次に、
図４（ｂ）に示すようにドライバーＴＦＴのゲート配線
（ゲート電極）２０９（ＮＴＦＴ側）、２１０（ＰＴＦ
Ｔ側）、画素ＴＦＴのゲート配線（ゲート電極）２１
１、保持容量の上部配線（上部電極）２１２を形成す
る。これらの各配線（電極）の形成についても、図１に
示したパターニング装置１を用いる方法が好適に採用さ
れる。すなわち、酸化珪素膜２０７を形成した基板２０
１を図１に示した真空チャンバー４内に入れてステージ
５上に載置し、先にゲート絶縁膜２０６を形成した場合
と同様にして配線（電極）材料、すなわち導電材料とな
る化学種をステージ５上の基板２０１に吐出し、各ゲー
ト配線２０９〜２１１、上部配線２１２を形成する。こ
のとき、制御部によって可動機構１５の動作を制御し、
ノズル孔３ａと基板２０１との相対的な位置関係を予め
設定したとおりに移動させることにより、各配線材料を
基板２０１上の所定位置に所望量射出することができ、
したがってフォトリソグラフィー工程等を必要とするこ
となく、各配線のパターニングを行ってゲート配線２０
９〜２１１、上部配線２１２をそれぞれ形成することが
できる。

【００６３】このようにして各配線が形成され、特に上
部配線２１２が形成されることにより、この上部配線２
１２と前記のリンドープ領域２０４ｂ、および酸化珪素
膜２０７とから、本発明の電子素子となる容量素子が形
成される。配線（電極）材料、すなわち導電材料として
は、導電性を有する珪素（例えばリンドープシリコン、
ボロンドープシリコン等）や金属（例えばタングステ
ン、タンタル、モリブデン、チタン等）、さらには該金
属をシリサイド化した金属シリサイド、窒化した窒化金
属（窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン等）
などが用いられる。また、これら材料は、単一の材料か
らなる単層構造、あるいは複数種の材料からなる積層構
造のいずれにも形成可能である。

【００６４】なお、これらゲート配線２０９〜２１１、
上部配線２１２に形成にあたっても、減圧熱ＣＶＤ法等
を採用することができる。また、ゲート配線２１１は画
素ＴＦＴがダブルゲート構造であるためゲート配線を２
本記載しているが、実際には同一配線である。また、ゲ
ート配線２０９〜２１１および保持容量の上部配線２１
２として、下層から珪素膜／窒化タングステン膜／タン
グステン膜（または下層から珪素膜／タングステンシリ
サイド膜）という積層膜を用いることもでき、これ以外
の導電膜を用いることもできる。

【００６５】次いで、ゲート配線２０９〜２１１および
保持容量の上部配線２１２を覆って２５ｎｍ程度の厚さ
の窒化珪素膜２１３を形成する。この窒化珪素膜２１３
の形成についても、前記の図１に示したパターニング装
置１を用いる方法が採用可能であり、また、ＣＶＤ法等
の従来からの方法も採用可能である。この窒化珪素膜２
１３は、ゲート配線２０９〜２１１および保持容量の上
部配線２１２の酸化を防ぐと同時に、後に珪素膜でなる
サイドウォールを除去する際にエッチングストッパーと
して機能するものとなる。このとき、窒化珪素膜２１３
を形成する前処理として、水素を含むガス（例えばアン
モニアガス）を用いたプラズマ処理を行うことは有効で
ある。この前処理によりプラズマによって活性化した
（励起した）水素が活性層（半導体層）内に閉じこめら
れるため、効果的に水素終端が行われる。さらに、水素
を含むガスに加えて亜酸化窒素ガスを加えると、発生し
た水分によって被処理体の表面が洗浄され、特に大気中
に含まれるボロン等による汚染を効果的に防ぐことがで
きる。

【００６６】次いで、非晶質珪素膜（図示せず）を形成
し、塩素系ガスによる異方性エッチングを行って図４
（ｃ）に示すようにサイドウォール２１４〜２１８を形
成する。サイドウォール２１４〜２１８を形成したら、
半導体層２０３、２０４に対し、ドープ元素としてリン
の添加を行う。この時、ゲート配線２０９〜２１１、保
持容量の上部電極２１２およびサイドウォール２１４〜
２１８がマスクとなり、自己整合的に不純物領域２１９
〜２２３が形成される。不純物領域２１９〜２２３に添
加するリンの濃度については、５×１０¹⁹〜１×１０²¹
ａｔｏｍｓ／ｃｍ ³ となるように調節する。なお、リン
の添加工程は、質量分離を行うイオンインプランテーシ
ョン法を用いてもよいし、質量分離を行わないプラズマ
ドーピング法を用いてもよい。また、本例ではサイドウ
ォールを用いて不純物の添加を行ったが特に限定され
ず、サイドウォールに代えて、フォトマスクを用いたレ
ジストマスクを用いてもよい。

【００６７】次いで、図４（ｄ）に示すようにサイドウ
ォール２１４〜２１８を除去し、再びリンの添加工程を
行う。この工程は先のリンの添加工程よりも低いドーズ
量で添加する。こうして先にはサイドウォール２１４〜
２１８がマスクとなってリンが添加されなかった領域
に、低濃度不純物領域が形成される。この低濃度不純物
領域に添加されるリンの濃度は、５×１０¹⁷〜５×１０
¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ となるように調節する。また、図
４（ｃ）に示した工程と同様に、リンの添加工程は質量
分離を行うイオンインプランテーション法を用いてもよ
いし、質量分離を行わないプラズマドーピング法を用い
てもよい。

【００６８】この工程によりＣＭＯＳ回路を形成するＮ
ＴＦＴのソース領域２２４、ＬＤＤ領域２２５、チャネ
ル形成領域２２６が形成される。また、画素ＴＦＴのソ
ース領域２２７、ドレイン領域２２８、ＬＤＤ領域２２
９ａ、２２９ｂ、チャネル形成領域２３０ａ、２３０ｂ
が形成され。さらに、保持容量の下部電極２３１が形成
される。また、ＣＭＯＳ回路のＰＴＦＴとなる領域にも
ＮＴＦＴと同様に低濃度不純物領域２３２が形成され
る。

【００６９】次いで、図５（ａ）に示すようにＣＭＯＳ
回路のＰＴＦＴとなる領域以外をレジストマスク２３
３、２３４で覆い、ドープ元素としてボロンの添加を行
う。この工程では、既に添加されているリンより高濃度
の不純物領域を形成するようなドーズ量で添加する。具
体的には、１×１０²⁰〜３×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³
の濃度でボロンが添加されるように調節する。その結
果、ＰＴＦＴとなる領域に形成されていたＮ型導電性を
呈する不純物領域は、全てボロンによって導電型が反転
し、Ｐ型導電性を呈する不純物領域となる。もちろん、
ボロンの工程も質量分離を行うイオンインプランテーシ
ョン法を用いてもよいし、質量分離を行わないプラズマ
ドーピング法を用いてもよい。また、加速電圧やドーズ
量の条件等は実施者が最適値を設定すればよい。

【００７０】この工程により、ＣＭＯＳ回路を構成する
ＰＴＦＴのソース領域２３５、ドレイン領域２３６、チ
ャネル形成領域２３７が形成される。また、ＣＭＯＳ回
路のＮＴＦＴのドレイン領域２３８が形成される。な
お、前記ドーピング順序は本例に限定されず、例えば図
４（ｂ）に示した工程後、サイドウォール２１４〜２１
８の形成工程に先立ってリンを添加して低濃度不純物領
域を形成する工程を行ってもよい。また、このリンの添
加工程は、保持容量となる領域と、ゲート絶縁膜の膜厚
が厚いドライバーＴＦＴおよび画素ＴＦＴとなる領域と
で分けて行ってもよい。

【００７１】このようにして全ての不純物領域を形成し
終えたら、図５（ｂ）に示すようにレジストマスク２３
３、２３４を除去する。そして、添加した不純物の活性
化をレーザー光または熱処理によって行い、チャネル形
成領域２３９〜２４１、ソース領域２４３〜２４５、ド
レイン領域２４６〜２４８を形成する。活性化を行うだ
けであれば、３００〜７００℃の温度範囲で２時間程度
で十分であるが、ここでは、７５０〜１１５０℃の温度
範囲で２０分〜１２時間の熱処理工程を行う。この工程
は、各不純物領域に添加されたリンまたはボロンを活性
化すると同時に、チャネル形成領域に残存していたニッ
ケル（結晶化時に用いた触媒元素）をリンのゲッタリン
グ作用によってソース領域およびドレイン領域へと再度
ゲッタリングする工程を兼ねたものとなっている。

【００７２】次いで、図５（ｃ）に示すように酸化珪素
膜からなる第１層間絶縁膜２４９を形成する。この第１
層間絶縁膜２４９の形成についても、前記の図１に示し
たパターニング装置１を用いる方法が採用可能であり、
また、ＣＶＤ法等の従来からの方法も採用可能である。
そして、この第１層間絶縁膜２４９にコンタクトホール
を形成し、その後、該コンタクトホールに埋め込んだ状
態でソース配線２５０〜２５２、ドレイン配線２５３、
２５４を形成する。これら配線についても、前記の図１
に示したパターニング装置１を用いる方法が採用可能で
あり、この方法を用いれば、特にコンタクトホール内へ
の配線材料の埋め込みが容易になる。すなわち、予め可
動機構１５によってパターニング装置１のノズル孔３ａ
をコンタクトホールに対向させておき、その状態で配線
材料を吐出することにより、配線材料となる化学種がコ
ンタクトホール内に良好に入り込むからである。なお、
このようにして形成するソース配線２５０〜２５２、ド
レイン配線２５３、２５４については、例えばアルミニ
ウムを主成分とする導電膜をチタン膜で挟んだ積層膜で
形成するのが好ましく、その場合に、積層構造に合わせ
て材料を変え、パターニング装置１のノズル部３からの
吐出を行うようにする。

【００７３】ここで、前記ドレイン配線２５３は、ＣＭ
ＯＳ回路を形成するＮＴＦＴおよびＰＴＦＴに共通の配
線として用いられる。また、前述のようにソース領域お
よびドレイン領域には高濃度にニッケルが含まれるた
め、ソース配線およびドレイン配線との良好なオーミッ
クコンタクトが実現できる。このように各配線２５０〜
２５２、２５３、２５４を形成することにより、本発明
の電子素子となるドライバーＴＦＴおよび画素ＴＦＴが
形成される。その後、パッシベーション膜２５５を形成
する。パッシベーション膜２５５としては、窒化珪素
膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、またはこれらの
絶縁膜と酸化珪素膜との積層膜を用いることができる。
このようなパッシベーション膜２５５の形成にあたって
も、前記の図１に示したパターニング装置１を用いる方
法が採用可能である。

【００７４】なお、窒化珪素膜を形成する前処理とし
て、アンモニアガスを用いたプラズマ処理を行い、その
後パッシベーション膜２５５を形成するようにしてもよ
い。このような前処理を行うと、プラズマで活性化した
（励起した）水素がパッシベーション膜２５５によって
閉じこめられるため、ＴＦＴの活性層（半導体層）の水
素終端が促進される。さらに、水素を含むガスに加えて
亜酸化窒素ガスを加えると、発生した水分によって被処
理体の表面が洗浄され、特に大気中に含まれるボロン等
による汚染を効果的に防ぐことができる。

【００７５】次いで、第２層間絶縁膜２５６として例え
ば１μｍ厚のアクリル膜を形成する。そして、その上に
チタン膜を２００ｎｍの厚さに形成してパターニングを
行い、ブラックマスク２５７を形成する。ここで、これ
ら第２層間絶縁膜２５６やブラックマスク２５７の形成
にあたっても、前記の図１に示したパターニング装置１
を用いる方法が採用可能である。その場合、特にブラッ
クマスク２５７の形成にあたっては、フォトリソグラフ
ィー工程やエッチング工程を必要とすることなく、直接
パターニングを行うことができる。その後、第３層間絶
縁膜２５８として再びアクリル膜を形成してコンタクト
ホールを形成し、ＩＴＯ膜でなる画素電極２５９を形成
することにより、回路基板が得られる。なお、この画素
電極２５９の形成にあたっても、前記の図１に示したパ
ターニング装置１を用いる方法が採用可能である。

【００７６】また、この回路基板上に公知の液晶セルを
設けて液晶素子を形成することにより、本発明において
電気光学装置として定義される液晶装置となる。図６
は、このような液晶素子を形成するための液晶セルの構
造を説明するための図であり、図６中符号２６０は対向
基板である。この対向基板２６０は、前記の回路基板
（図示せず）と反対の側に配置されるもので、ガラス基
板や石英基板等の透明基板からなるものである。この対
向基板２６０の内面側には、対向基板２６０側から入射
する光を前記の回路基板（図示せず）側に集光するため
のマイクロレンズ２６１が多数設けられており、これら
マイクロレンズ２６１を形成した側には、接着剤２６２
によってカバーガラス２６３が貼着されている。

【００７７】このカバーガラス２６３の内面側には、前
記マイクロレンズ２６１間の境界と対応する位置にそれ
ぞれ遮光膜２６４が形成されており、さらにこれを覆っ
た状態でカバーガラス２６３のほぼ全面にＩＴＯ等の透
明導電性材料からなる対向電極２６５が形成されてい
る。そして、この対向電極２６５の内面側にポリイミド
薄膜などの有機薄膜からなる配向膜２６６が形成され、
さらにこのように形成された対向基板２６０と前記回路
基板との間に液晶２６７が封止されることにより、液晶
装置が構成される。このような構成からなる液晶装置の
製造においても、その液晶セルにおける各構成要素、例
えば遮光膜２６４や対向電極２６５、配向膜２６６等の
形成において、前記の図１に示したパターニング装置１
を用いる方法が採用可能である。

【００７８】また、前記の回路基板は、液晶装置以外の
電気光学装置として、例えば電気泳動装置にも適用可能
である。電気泳動装置は、液体中に分散した帯電粒子が
電界印加により泳動する電気泳動現象と称される現象を
利用するもので、例えば染料で着色した分散液に帯電し
た顔料微粒子を分散させ、これを一対の電極間に挟んで
セルを形成し、これによって電気泳動素子としたもので
ある。

【００７９】図７は、このような電気泳動装置における
画素部の断面構造を示す図であり、この電気泳動装置
は、基本的に図２に示した回路基板と同じ構成からなる
回路基板３００上に対向基板３０１が貼設されて構成さ
れたものである。この対向基板３０１には共通電極３０
２が形成されており、この共通電極３０２と画素電極３
０３との間には電子インク層３０４が配設されている。
画素電極３０３には、回路基板３００に形成されたスイ
ッチング素子となるＴＦＴ（図示せず）のドレイン電極
（図示せず）が接続されており、これによって印加する
電圧を制御し、共通電極３０２との間の電子インク層に
かかる電界を制御することができるようになっている。
なお、この例では、共通電極３０２と画素電極３０３と
のうちの少なくとも一方が透明電極となっており、電気
泳動装置の表示面はこの透明電極側となっている。

【００８０】電子インク層３０４は、図８（ａ）に示す
ように光透過性を有する透明なバインダ３０５と、この
バインダ３０５の内部に均一かつ固定状態で分散させら
れた複数のマイクロカプセル３０６とから構成されたも
のである。電子インク層３０４は、その厚さがマイクロ
カプセル３０６の外経（直径）の１．５〜２倍程度に形
成されており、バインダ３０５は、シリコン樹脂等によ
って形成されている。マイクロカプセル３０６は、光透
過性を有する中空で球状のカプセル本体３０７と、その
内部に充填された液体（溶媒）３０８と、この液体３０
８中に分散させられた複数の帯電粒子３０９とからなる
もので、液体３０８と帯電粒子３０９とがほぼ同じ比重
に形成されたものである。帯電粒子３０９は負に帯電さ
せたもので、核３１０とこの核３１０を被覆する被覆層
３１１とから形成されている。このような帯電粒子３０
９と前記液体３０８とは、それぞれの色が相互に異なる
ように設定されており、例えば、帯電粒子３０９の色は
白、液体３０８の色は青、赤、緑、又は黒といったよう
に形成される。

【００８１】このような構成からなる電気泳動装置にあ
っては、マイクロカプセル３０６に外部から電界が印加
されると、帯電粒子３０９がマイクロカプセル３０６内
にて前記電界の方向と反対の方向に移動する。その結
果、例えば図６において表示面が上側面（対向基板３０
１側の面）であるとすると、帯電粒子３０９が図７にお
いて上側に移動した場合、液体３０８の色（例えば青、
赤、緑、又は黒）を背景として浮き出る帯電粒子３０９
の色（例えば白）が見えることになる（図８（ｂ）参
照）。逆に、電界印加に伴って帯電粒子３０９が図７中
の下側（回路基板３００側）に移動した場合、液体３０
８の色（例えば青、赤、緑、又は黒）のみが見えること
になる（図８（ｃ）参照）。なお、電界印加によってそ
の電界方向とは反対の方向に移動させられた帯電粒子３
０９は、その比重が液体３０８とほぼ同じであるので、
電界を消失させた後もその位置に長い時間留まろうとす
る。すなわちち、表示面に現れた帯電粒子３０９又は液
体３０８の色は暫くの間（数分から数十分）保持され、
メモリ性を有することになる。従って電界の印加を画素
毎に制御することで、その印加パターンに沿った情報が
表示されることになるが、その情報も比較的長時間保持
されるようになっているのである。

【００８２】このような電気泳動装置においても、その
回路基板については前述したとおり図１のパターニング
装置１を用いる方法が採用可能であり、また、電気泳動
素子を形成するセル側についても、例えばその共通電極
の形成などに図１のパターニング装置１を用いる方法が
採用可能である。また、このような電気泳動装置を表示
部に適用した、例えば電子ペーパーのように柔軟性が要
求される電子機器では、駆動素子を形成する回路基板に
ついて、特に前記駆動素子となる薄膜トランジスタとし
て、少なくともチャネル部が有機膜で形成された有機半
導体素子を用いたものとするのが好ましい。なお、電子
ペーパーとは、図９に示すように紙と同様の質感および
柔軟性を有するリライタブルシート３２０と、前記した
電気泳動装置からなる表示装置３２１とを備えて構成さ
れたものである。

【００８３】前記の有機半導体素子としては、例えば図
１０に示すような構成のものがある。図１０において符
号３５０は基板であり、この基板３５０上にはゲート電
極３５１が形成されている。また、基板３５０上にはゲ
ート電極３５１を覆った状態で高誘電率の絶縁体からな
るゲート絶縁膜３５２が形成され、このゲート絶縁膜３
５２上には有機半導体層３５３が形成されている。そし
て、この有機半導体層３５３上にソース電極３５４およ
びドレイン電極３５５が形成されることにより、薄膜ト
ランジスタとなる有機半導体素子が形成される。

【００８４】このような有機半導体素子の製造には、特
に前記の図１に示したパターニング装置１を用いる方法
が好適に採用される。すなわち、まず、基板３５０上に
ゲート電極材料を設けてゲート電極３５１を形成する
が、この形成にもパターニング装置１が好適に用いられ
る。パターニング装置１によってゲート電極３５１を形
成するには、まず、前記基板３５０を真空チャンバー４
内に入れ上面側を上に向けた状態でステージ５上に載置
し、さらにここに保持固定するとともに、真空装置１４
を作動させて真空チャンバー４内を真空雰囲気としてお
く。また、必要に応じて温度調整手段（図示せず）でス
テージ５上の基板３５０を所望温度（ノズル孔３ａから
例えばガス化した状態で射出されてきた材料（化学種）
を十分に冷却して、液化あるいは固化し得る温度）に調
整しておく。また、予め主チャンバー８内の材料保持具
１０にゲート絶縁膜２０６の形成材料、すなわちゲート
絶縁膜２０６自体の材料か、あるいは前記形成材料の前
駆体を保持固定しておき、必要に応じてこれを加熱手段
（図示せず）等により所定温度にまで加熱しておく。

【００８５】ここで、ゲート電極３５１形成用の材料と
しては、例えばクロム、チタン、銅、アルミニウム、モ
リブデン、タングステン、ニッケル、金、白金、パラジ
ウム、インジウム等の金属やこれら金属を用いた合金、
ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化
インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機
材料、また、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロー
ル、導電性ポリチオフェン等の有機材料が用いられ、こ
れらのうちの一種あるいは複数種が選択されて用いられ
る。このような材料を前述したように必要に応じて所定
温度にまで加熱したら、さらに必要に応じて主チャンバ
ー８内を加熱し、その状態でレーザー光源６からレーザ
ー光を発射し、材料７の表面に照射する。また、このと
き、特にキャリアガス供給源を設けた場合には、必要に
応じてこれを作動させ、キャリアガスを主チャンバー８
内に導入する。

【００８６】このようにしてレーザー光を材料７の表面
に照射すると、材料７の照射された部分がガス状あるい
はイオン状等の化学種、すなわちゲート電極３５１の形
成材料となる化学種となって飛散し、ノズル部３のノズ
ル孔３ａ側に移行拡散する。したがって、このような状
態のもとで吐出機構１２を作動させることにより、前記
の化学種をノズル孔３ａより吐出させ、予めノズル孔３
ａの直下に置かれた基体３５０上に射出することができ
る。よって、制御部によって可動機構１５の動作を制御
し、これによりノズル孔３ａと基板３５０との相対的な
位置関係を予め設定したとおりに移動させることによ
り、この前記化学種を基板３５０上の所定位置に所望量
射出することができる。そして、このようにして基板３
５０上に射出された化学種は、基板３５０の温度にまで
冷却されることによって固化し、ここに固定されてゲー
ト電極３５１となる。このようにしてパターニング装置
１でゲート電極３５１を形成すれば、マスクを必要とす
ることなく、したがってフォトリソグラフィー工程等を
必要とすることなく、ゲート電極３５１を所望パターン
に形成することができる。

【００８７】次に、このゲート電極３５１を覆った状態
にゲート絶縁膜３５２を形成するが、このゲート絶縁膜
３５２の形成にも、前記の図１に示したパターニング装
置１が好適に用いられる。ゲート絶縁膜３５２の形成材
料としては、限定されることなく種々のものが使用可能
であるが、特に高誘電率の絶縁体として、金属酸化物薄
膜、好ましくはチタン酸バリウムストロンチウム、ジル
コニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸
鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チ
タン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン
酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタ
ル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビス
マス、タンタル酸ニオブ酸ストロンチウムビスマス、ペ
ントオキサイドタンタル、ジオキサイドチタン、トリオ
キサイドイットリウム、酸化タンタル、酸化バナジウ
ム、酸化チタンなどの無機材料が好適に用いられる。ま
た、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、
ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ
化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリメチルメタ
クリレート、ポリサルファン、ポリカーボネート、ポリ
イミド等の有機材料も使用可能である。なお、特に前記
の無機材料によってゲート絶縁膜３５２を形成する場合
には、成膜後、さらにこれに１５０〜４００℃の範囲の
適宜な温度でアニール処理を行うのが、膜品質を改善
し、誘電率を増大させることができ好ましい。

【００８８】次いで、このゲート絶縁膜３５２上に有機
半導体層３５３を形成するが、この有機半導体層３５３
の形成にも、前記の図１に示したパターニング装置１が
好適に用いられる。有機半導体層３５３の形成材料とし
ては、ゲート電圧が増加するにしたがって電界効果移動
度の増大を示すポリマ半導体またはオリゴマー半導体が
用いられ、具体的には、ナフタレン、アントラセン、テ
トラセン、ペンタセン、ヘキサセン、およびその誘導体
や、ポリアセチレンのうちの１種以上が用いられる。ま
た、特にｐ−チャネル用とされる場合には、２〜５個の
炭素原子を介して結合された、オリゴ重合度が４以上８
以下のチオフェンのオリゴマー；２〜５個の炭素原子を
介して結合された、３〜６個のチオフェン環と末端基と
してチオフェンを有するビニレンと、チエニレンとの交
互共オリゴマー；ベンゾ［１，２−ｂ：４，５’］ジチ
オフェンの線状ダイマー及びトリマー；末端のチオフェ
ンの４個又は５個の炭素原子上に置換基（例えば、炭素
原子を１〜２０個有するアルキル置換基）を有する前記
オリゴマー；ポリマーマトリックス中のｐ、ｐ’−ジア
ミノビフェニル複合体なども使用可能であり、特にα−
ヘキサチエニレン（α−６Ｔ）が好適に用いられる。ま
た、特にｐ−チャネル用とされる場合には、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボキシルジアンヒドライ
ド（ＮＴＣＤＡ：naphthalene tetracarboxylic dianhy
dride ）、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボキ
シルジイミド（ＮＴＣＤＩ：naphthalene tetracarboxy
lic diimide ）、１１，１１，１２，１２−テトラシア
ノナフト−２，６−キノジメタン（ＴＣＮＮＱＤ：tetr
acyanonaphtho-2,6-quinodimethane）なども使用可能で
ある。このような有機半導体材料を前記のパターニング
装置１によって成膜した場合、特に溶剤を必要とするこ
となく直接これを基板３５０のゲート絶縁膜３５２上に
成膜することができることから、処理が容易になり、ま
た得られる膜質も溶剤に起因する劣化等がなく良好なも
のとなる。

【００８９】その後、この有機半導体層３５３上にソー
ス電極３５４およびドレイン電極３５５を形成するが、
これらソース・ドレイン電極３５４、３５５の形成に
も、図１に示したパターニング装置１が好適に用いられ
る。ソース・ドレイン電極３５４、３５５をパターニン
グ装置１で形成すれば、前記のゲート電極３５１の場合
と同様に、マスクを必要とすることなくこれらを所望パ
ターンに形成することができる。なお、ソース・ドレイ
ン電極３５４、３５５の形成材料としては、前記のゲー
ト電極３５１に用いられる材料と同様の材料が使用可能
である。

【００９０】このようにして得られた有機半導体素子、
すなわち本発明において電子素子となる有機半導体素子
は、その構成要素の少なくとも一つが前記パターニング
装置１によって形成されることにより、その材料選択の
自由度が高まり、したがってより良好な組み合わせで素
子を構成することができる。

【００９１】また、本発明の電気光学装置としては、前
記の液晶装置や電気泳動装置以外にも、例えば有機エレ
クトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を備えてな
る表示装置に適用可能である。図１１、図１２は本発明
の電気光学装置を、有機ＥＬ素子を用いたアクティブマ
トリクス型の表示装置に適用した場合の一例を示すもの
で、これらの図において符号２０は表示装置である。

【００９２】この表示装置２０は、回路図である図１１
に示すように透明の基体上に、複数の走査線３１と、こ
れら走査線３１に対して交差する方向に延びる複数の信
号線３２と、これら信号線３２に並列に延びる複数の共
通給電線３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線３
１及び信号線３２の各交点毎に、画素（画素領域素）１
Ａが設けられて構成されたものである。信号線３２に対
しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライ
ン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路２１が
設けられている。一方、走査線３１に対しては、シフト
レジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路２２
が設けられている。また、画素領域２０Ａの各々には、
走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給される
第１の薄膜トランジスタ４２と、この第１の薄膜トラン
ジスタ４２を介して信号線３２から供給される画像信号
を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって
保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄
膜トランジスタ４３と、この第２の薄膜トランジスタ４
３を介して共通給電線３３に電気的に接続したときに共
通給電線３３から駆動電流が流れ込む画素電極４１と、
この画素電極４１と対向電極５４との間に挟み込まれる
発光部４０と、が設けられている。

【００９３】このような構成のもとに、走査線３１が駆
動されて第１の薄膜トランジスタ４２がオンとなると、
そのときの信号線３２の電位が保持容量ｃａｐに保持さ
れ、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トラ
ンジスタ４３の導通状態が決まる。そして、第２の薄膜
トランジスタ４３のチャネルを介して共通給電線３３か
ら画素電極４１に電流が流れ、さらに発光部４０を通じ
て対向電極５４に電流が流れることにより、発光部４０
は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
ここで、各画素２０Ａの平面構造は、対向電極や有機エ
レクトロルミネッセンス素子を取り除いた状態での拡大
平面図である図１２に示すように、平面形状が長方形の
画素電極４１の四辺が、信号線３２、共通給電線３３、
走査線３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によ
って囲まれた配置となっている。

【００９４】次に、このような表示装置２０の製造方法
について、図１３〜図１５を用いて説明する。なお、図
１３〜図１５では、説明を簡略化するべく、単一の画素
２０Ａについてのみ図示する。まず、基板を用意する。
ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子では後述す
る発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能
であり、また基板と反対側から取り出す構成とすること
も可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする
場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明な
いし半透明なものが用いられるが、特に安価なソーダガ
ラスが好適に用いられる。ソーダガラスを用いた場合、
これにシリカコートを施すのが、酸アルカリに弱いソー
ダガラスを保護する効果を有し、さらに基板の平坦性を
よくする効果も有するため好ましい。また、基板に色フ
ィルター膜や発光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電
体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよ
い。また、基板と反対側から発光光を取り出す構成の場
合、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ
等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸
化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂などを用いることができる。

【００９５】本例では、基板として図１３（ａ）に示す
ようにソーダガラス等からなる透明基板２３を用意す
る。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テト
ラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズ
マＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン
酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。次
に、透明基板２３の温度を約３５０℃に設定して、下地
保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７
０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜２４
を形成する。

【００９６】続いて、この半導体膜２４に対してレーザ
アニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半
導体膜２４をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニ
ール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４
００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば
２００ｍＪ／ｃｍ²とする。ラインビームについては、
その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に
相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを
走査する。次いで、図１３（ｂ）に示すように、半導体
膜（ポリシリコン膜）２４をパターニングして島状の半
導体膜２５とする。なお、この島状の半導体膜２５の形
成にも、前記の図１に示したパターニング装置１を用い
た方法が採用可能であり、この方法によって形成した場
合、リソグラフィー工程、エッチング工程等によるパタ
ーニングの工程を不要にすることができる。

【００９７】次いで、その表面に対しＴＥＯＳや酸素ガ
スなどを原料として、プラズマＣＶＤ法により厚さ約６
０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなる
ゲート絶縁膜２６を形成する。なお、このゲート絶縁膜
２６の形成についても、図１に示したパターニング装置
１を用いた方法が採用可能である。ここで、半導体膜２
５は、図１１に示した第２の薄膜トランジスタ４３のチ
ャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものである
が、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ
４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半
導体膜も形成されている。つまり、図１３〜図１５に示
す製造工程では二種類のトランジスタ４２、４３が同時
に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下
の説明ではトランジスタに関しては、第２の薄膜トラン
ジスタ４３についてのみ説明し、第１の薄膜トランジス
タ４２についてはその説明を省略する。

【００９８】次いで、図１３（ｃ）に示すように、アル
ミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステ
ンなどの金属からなる導電膜をスパッタ法により形成
し、続いてこれをパターニングして、ゲート電極４３Ａ
を形成する。なお、このゲート電極４３Ａの形成にも、
図１に示したパターニング装置１を用いた方法が採用可
能である。この方法によって形成すれば、ゲート電極４
３Ａを直接所望形状に形成できるため、リソグラフィー
工程、エッチング工程等によるパターニングの工程を不
要にすることができる。次いで、ゲート電極４３Ａを形
成した状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜
２５に、ゲート電極４３Ａに対して自己整合的にソース
・ドレイン領域４３ａ、４３ｂを形成する。なお、不純
物が導入されなかった部分がチャネル領域４３ｃとな
る。

【００９９】次いで、図１３（ｄ）に示すように、層間
絶縁膜２７を形成した後、コンタクトホール６０、６１
を形成し、これらコンタクトホール６０、６１内に中継
電極６２、６３を埋め込む。このような中継電極６２、
６３の埋め込みに対しても、図１に示したパターニング
装置１を用いた方法が採用可能であり、この方法を用い
れば、前述したようにコンタクトホール内への電極材料
の埋め込みが容易になる。すなわち、予め可動機構１５
によってパターニング装置１のノズル孔３ａをコンタク
トホール６０（６１）に対向させておき、その状態で電
極材料を吐出することにより、気化した電極材料がコン
タクトホール６０（６１）内に良好に入り込むからであ
る。

【０１００】次いで、図１３（ｅ）に示すように、層間
絶縁膜２７上に、信号線３２、共通給電線３３及び走査
線（図１３に示さず）を、図１に示したパターニング装
置１を用いた方法、あるいはスパッタ法等による成膜法
とフォトリソグラフィー及びエッチングによるパターニ
ング法とからなる一連の方法で形成する。このとき、信
号線３２、共通給電線３３及び走査線の各配線について
は、配線として必要な厚さに捕らわれることなく、後述
するようにこれらを隔壁として機能させるべく十分に厚
く形成する。具体的には、各配線を１〜２μｍ程度の厚
さに形成する。ここで、これら各配線と前記の中継電極
６３とは、同一工程で形成してもよく、その場合にも、
図１に示したパターニング装置１を用いた方法が好適に
採用される。なお、その場合に中継電極６２について
は、後述する透明電極材料によって形成されることにな
る。

【０１０１】そして、各配線の上面をも覆うように層間
絶縁膜２８を形成し、中継電極６２に対応する位置にコ
ンタクトホール（図示せず）を形成し、そのコンタクト
ホール内にも埋め込まれるようにＩＴＯやフッ素をドー
プしてなるＳｎＯ₂ 、さらにＺｎＯやポリアニリン等の
透明電極材料からなる膜を形成し、さらにこの膜をパタ
ーニングして、信号線３２、共通給電線３３及び走査線
（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン
領域４３ａに電気的に接続する画素電極４１を形成す
る。なお、この画素電極４１の形成にも、図１に示した
パターニング装置１を用いた方法が採用可能であり、こ
の方法によって形成すれば、前述したようにリソグラフ
ィー工程、エッチング工程等によるパターニングの工程
を不要にすることができる。

【０１０２】ここで、信号線３２及び共通給電線３３、
さらには走査線（図示せず）に挟まれた部分が、後述す
るように正孔輸送層や発光層の形成場所となっている。
すなわち、これら配線とこれを覆う層間絶縁膜２８とか
ら、画素２０Ａ間を隔てる隔壁５０が形成されているの
である。そして、このような構成のもとに、正孔輸送層
や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布
（射出）位置とその周囲の隔壁５０との間には、十分な
高さの段差５５が形成されているのである。このように
して各配線からなる隔壁５０を形成したら、隔壁５０に
囲まれた画素２０Ａ内に正孔輸送層を形成する。この正
孔輸送層、さらには後述する発光層については、特に図
１に示したパターニング装置１を用いた方法が好適に用
いられる。パターニング装置１によって正孔輸送層を形
成するには、まず、基板２３を図１に示した真空チャン
バー４内に入れ上面側を上に向けた状態でステージ５上
に載置し、ここに保持固定するとともに、真空装置１４
を作動させて真空チャンバー４内を真空雰囲気としてお
く。また、必要に応じて温度調整手段（図示せず）でス
テージ５上の基板２０１を所望温度に調整しておく。ま
た、予め主チャンバー８内の材料保持具１０に正孔輸送
層の形成材料、すなわち正孔輸送層自体の材料か、ある
いは前記形成材料の前駆体を保持固定しておき、必要に
応じてこれを加熱手段（図示せず）等により所定温度に
まで加熱しておく。

【０１０３】ここで、正孔輸送層の形成材料としては、
特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、
例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチ
ルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリエチ
レンジオキシチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフ
ェンとポリスチレンスルホン酸との混合物等が挙げられ
る。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−
１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２
−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７
９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されている
もの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が
好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされ
る。なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するよ
うにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方
形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形
成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）
や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポ
リフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−
ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８
−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられ
るが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが
好ましい。このような材料を前述したように必要に応じ
て所定温度にまで加熱したら、さらに必要に応じて主チ
ャンバー８内を加熱し、その状態でレーザー光源６から
レーザー光を発射し、材料７の表面に照射する。また、
このとき、特にキャリアガス供給源を設けた場合には、
必要に応じてこれを作動させ、キャリアガスを主チャン
バー８内に導入する。

【０１０４】このようにしてレーザー光を材料７の表面
に照射すると、材料７の照射された部分がガス状あるい
はイオン状等の化学種、すなわち正孔輸送層あるいは正
孔注入層の形成材料となる化学種となって飛散し、ノズ
ル部３のノズル孔３ａ側に移行拡散する。したがって、
このような状態のもとで吐出機構１２を作動させること
により、前記の化学種をノズル孔３ａより吐出させ、予
めノズル孔３ａの直下に置かれた基体２３上に射出する
ことができる。よって、制御部によって可動機構１５の
動作を制御し、これによりノズル孔３ａと基板２３との
相対的な位置関係を予め設定したとおりに移動させるこ
とにより、図１４（ａ）に示すようにこの形成材料（化
学種）５６を基板２３上の所定位置、すなわち隔壁５０
に囲まれた各画素２０Ａの領域に所望量射出することが
できる。このようにして形成材料を画素２０Ａ上に射出
すると、この形成材料は基板２３の温度にまで冷却され
ることにより、液化しあるいは固化してここに固定され
る。このとき、吐出された形成材料５６が基板２３上に
て液状となった場合には、その流動性によって水平方向
に広がろうとするものの、射出された位置を囲んで隔壁
５０が形成されていることにより、形成材料５６は隔壁
５０を越えてその外側に広がることが防止されている。

【０１０５】このように吐出された形成材料５６が基板
２３上にて液化した場合には、基板２３を真空チャンバ
ー４内から一旦出し、必要に応じて冷却あるいは光照射
等の処理を行うことにより、図１４（ｂ）に示すように
画素電極４１上に、固状の正孔輸送層４０Ａを形成する
こともできる。ここで、吐出された形成材料５６が基板
２３上にて固化した場合には、前記の処理を行うことな
く、続けて発光層の形成を行う。なお、このような正孔
輸送層４０Ａの形成に代えて、前述したように銅フタロ
シアニン（ＣｕＰｃ）等を用いて正孔注入層を形成する
ようにしてもよい。また、特に正孔輸送層４０Ａの形成
に先立って正孔注入層を画素電極４１側に形成し、さら
に正孔輸送層４０Ａを形成するのが好ましい。このよう
に正孔注入層を正孔輸送層４０Ａとともに形成すること
により、駆動電圧の上昇を制御することができるととも
に、駆動寿命（半減期）を長くすることもできる。

【０１０６】次いで、先の正孔輸送層（及び／又は正孔
注入層）の形成材料の場合と同様にして、図１４（ｃ）
に示すようにパターニング装置１により発光層の形成材
料５７を基板２３上に吐出（射出）し、これによって図
１５（ａ）に示すように発光層４０Ｂを形成する。発光
層の形成材料５７としては、特に限定されることなく、
低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の
蛍光物質や燐光物質からなる発光物質が使用可能であ
る。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビ
ニレン構造を含むものが特に好ましい。低分子蛍光体で
は、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペ
リレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン
系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよ
びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニ
ルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５
１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されて
いる公知のものが使用可能である。

【０１０７】発光層の形成材料として高分子蛍光体を用
いる場合には、側鎖に蛍光基を有する高分子を用いるこ
とができるが、好ましくは共役系構造を主鎖に含むもの
で、特に、ポリチオフェン、ポリ−ｐ−フェニレン、ポ
リアリーレンビニレン、ポリフルオレンおよびその誘導
体が好ましい。中でもポリアリーレンビニレンおよびそ
の誘導体が好ましい。該ポリアリーレンビニレンおよび
その誘導体は、下記化学式（１）で示される繰り返し単
位を全繰り返し単位の５０モル％以上含む重合体であ
る。繰り返し単位の構造にもよるが、化学式（１）で示
される繰り返し単位が全繰り返し単位の７０％以上であ
ることがさらに好ましい。 −Ａｒ−ＣＲ＝ＣＲ’− （１）〔ここで、Ａｒは、共役結合に関与する炭素原子数が４
個以上２０個以下からなるアリーレン基または複素環化
合物基、Ｒ、Ｒ’はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数
４〜２０の複素環化合物、シアノ基からなる群から選ば
れた基を示す。〕

【０１０８】該高分子蛍光体は、化学式（１）で示され
る繰り返し単位以外の繰り返し単位として、芳香族化合
物基またはその誘導体、複素環化合物基またはその誘導
体、およびそれらを組み合わせて得られる基などを含ん
でいてもよい。また、化学式（１）で示される繰り返し
単位や他の繰り返し単位が、エーテル基、エステル基、
アミド基、イミド基などを有する非共役の単位で連結さ
れていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分
が含まれていてもよい。前記高分子蛍光体において化学
式（１）のＡｒとしては、共役結合に関与する炭素原子
数が４個以上２０個以下からなるアリーレン基または複
素環化合物基であり、下記の化学式（２）で示す芳香族
化合物基またはその誘導体基、複素環化合物基またはそ
の誘導体基、およびそれらを組み合わせて得られる基な
どが例示される。

【０１０９】

【化１】（Ｒ１〜Ｒ９２は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜
２０のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ
基；炭素数６〜１８のアリール基およびアリールオキシ
基；ならびに炭素数４〜１４の複素環化合物基からなる
群から選ばれた基である。）

【０１１０】これらのなかでフェニレン基、置換フェニ
レン基、ビフェニレン基、置換ビフェニレン基、ナフタ
レンジイル基、置換ナフタレンジイル基、アントラセン
−９，１０−ジイル基、置換アントラセン−９，１０−
ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、置換ピリジン
−２，５−ジイル基、チエニレン基および置換チエニレ
ン基が好ましい。さらに好ましくは、フェニレン基、ビ
フェニレン基、ナフタレンジイル基、ピリジン−２，５
−ジイル基、チエニレン基である。

【０１１１】化学式（１）のＲ、Ｒ’が水素またはシア
ノ基以外の置換基である場合について述べると、炭素数
１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基などが挙げ
られ、メチル基、エチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基が好ましい。アリール基として
は、フェニル基、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル
基（Ｃ１〜Ｃ１２は炭素数１〜１２であることを示す。
以下も同様である。）、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェ
ニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示さ
れる。溶媒可溶性の観点からは化学式（１）のＡｒが、
１つ以上の炭素数４〜２０のアルキル基、アルコキシ基
およびアルキルチオ基、炭素数６〜１８のアリール基お
よびアリールオキシ基ならびに炭素数４〜１４の複素環
化合物基から選ばれた基を有していることが好ましい。

【０１１２】これらの置換基としては以下のものが例示
される。炭素数４〜２０のアルキル基としては、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
また、炭素数４〜２０のアルコキシ基としては、ブトキ
シ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチル
オキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリ
ルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基が好
ましい。炭素数４〜２０のアルキルチオ基としては、ブ
チルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチ
ルチオ基、オクチルチオ基、デシルオキシ基、ラウリル
チオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基が好ましい。アリ
ール基としては、フェニル基、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルコ
キシフェニル基、４−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル
基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され
る。アリールオキシ基としては、フェノキシ基が例示さ
れる。複素環化合物基としては２−チエニル基、２−ピ
ロリル基、２−フリル基、２−、３−または４−ピリジ
ル基などが例示される。これら置換基の数は、該高分子
蛍光体の分子量と繰り返し単位の構成によっても異なる
が、溶解性の高い高分子蛍光体を得る観点から、これら
の置換基が分子量６００当たり１つ以上であることがよ
り好ましい。

【０１１３】なお、前記高分子蛍光体は、ランダム、ブ
ロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それ
らの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を
帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収
率の高い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム
共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブ
ロックまたはグラフト共重合体が好ましい。また、ここ
で形成する有機エレクトロルミネッセンス素子は、薄膜
からの蛍光を利用することから、該高分子蛍光体は固体
状態で蛍光を有するものが用いられる。

【０１１４】該高分子蛍光体に対して溶媒を使用する場
合に、好適なものとしては、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、
キシレンなどが例示される。高分子蛍光体の構造や分子
量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１ｗｔ％以上
溶解させることができる。また、前記高分子蛍光体とし
ては、分子量がポリスチレン換算で１０³ 〜１０ ⁷ であ
ることが好ましく、それらの重合度は繰り返し構造やそ
の割合によっても変わる。成膜性の点から一般には繰り
返し構造の合計数で好ましくは４〜１００００、さらに
好ましくは５〜３０００、特に好ましくは１０〜２００
０である。

【０１１５】このような高分子蛍光体の合成法として
は、特に限定されないものの、例えばアリーレン基にア
ルデヒド基が２つ結合したジアルデヒド化合物と、アリ
ーレン基にハロゲン化メチル基が２つ結合した化合物と
トリフェニルホスフィンとから得られるジホスホニウム
塩からのＷｉｔｔｉｇ反応が例示される。また、他の合
成法としては、アリーレン基にハロゲン化メチル基が２
つ結合した化合物からの脱ハロゲン化水素法が例示され
る。さらに、アリーレン基にハロゲン化メチル基が２つ
結合した化合物のスルホニウム塩をアルカリで重合して
得られる中間体から熱処理により該高分子蛍光体を得る
スルホニウム塩分解法が例示される。いずれの合成法に
おいても、モノマーとして、アリーレン基以外の骨格を
有する化合物を加え、その存在割合を変えることによ
り、生成する高分子蛍光体に含まれる繰り返し単位の構
造を変えることができるので、化学式（１）で示される
繰り返し単位が５０モル％以上となるように加減して仕
込み、共重合してもよい。これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ
反応による方法が、反応の制御や収率の点で好ましい。

【０１１６】さらに具体的に、前記高分子蛍光体の１つ
の例であるアリーレンビニレン系共重合体の合成法を説
明する。例えば、Ｗｉｔｔｉｇ反応により高分子蛍光体
を得る場合には、例えばまず、ビス（ハロゲン化メチ
ル）化合物、より具体的には、例えば２，５−ジオクチ
ルオキシ−ｐ−キシリレンジブロミドをＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応
させてホスホニウム塩を合成し、これとジアルデヒド化
合物、より具体的には、例えば、テレフタルアルデヒド
とを、例えばエチルアルコール中、リチウムエトキシド
を用いて縮合させるＷｉｔｔｉｇ反応により、フェニレ
ンビニレン基と２，５−ジオクチルオキシ−ｐ−フェニ
レンビニレン基を含む高分子蛍光体が得られる。このと
き、共重合体を得るために２種類以上のジホスホニウム
塩および／または２種類以上のジアルデヒド化合物を反
応させてもよい。これらの高分子蛍光体を発光層の形成
材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与
えるため、合成後、再沈精製、クロマトグラフによる分
別等の純化処理をすることが望ましい。

【０１１７】また、前記の高分子蛍光体からなる発光層
の形成材料としては、フルカラー表示をなすため、赤、
緑、青の三色の発光層形成材料が用いられ、それぞれが
パターニング装置１によって予め設定された位置の画素
２０Ａに射出され、パターニングされる。なお、前記の
発光物質としては、ホスト材料にゲスト材料を添加した
形態のものを用いることもできる。

【０１１８】このような発光材料としては、ホスト材料
として例えば高分子有機化合物や低分子材料が、またゲ
スト材料として得られる発光層の発光特性を変化させる
ための蛍光色素、あるいは燐光物質を含んでなるものが
好適に用いられる。高分子有機化合物としては、溶解性
の低い材料の場合、例えば前駆体が塗布された後、以下
の化学式（３）に示すように加熱硬化されることによっ
て共役系高分子有機エレクトロルミネッセンス層となる
発光層を生成し得るものがある。例えば、前駆体のスル
ホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニ
ウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等
がある。また、溶解性の高い材料では、材料をそのまま
塗布した後、溶媒を除去して発光層にし得るものもあ
る。

【０１１９】

【化２】

【０１２０】前記の高分子有機化合物は固体で強い蛍光
を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。し
かも、形成能に富みＩＴＯ電極との密着性も高く、さら
に、固化した後は強固な共役系高分子膜を形成する。

【０１２１】このような高分子有機化合物としては、例
えばポリアリーレンビニレンが好ましい。ポリアリーレ
ンビニレンは水系溶媒あるいは有機溶媒に可溶で第２の
基体１１に塗布する際の塗布液への調製が容易であり、
さらに一定条件下でポリマー化することができるため、
光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。このよう
なポリアリーレンビニレンとしては、ＰＰＶ（ポリ（パ
ラ−フェニレンビニレン））、ＭＯ−ＰＰＶ（ポリ
（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビニレ
ン））、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ビスヘキシルオ
キシ−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレ
ン）））、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−
（２’−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレン
ビニレン）、等のＰＰＶ誘導体、ＰＴＶ（ポリ（２，５
−チエニレンビニレン））等のポリ（アルキルチオフェ
ン）、ＰＦＶ（ポリ（２，５−フリレンビニレン））、
ポリ（パラフェニレン）、ポリアルキルフルオレン等が
挙げられるが、なかでも化学式（４）に示すようなＰＰ
ＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体からなるものや、化学式
（５）に示すようなポリアルキルフルオレン（具体的に
は化学式（６）に示すようなポリアルキルフルオレン系
共重合体）が特に好ましい。ＰＰＶ等は強い蛍光を持
ち、二重結合を形成するπ電子がポリマー鎖上で非極在
化している導電性高分子でもあるため、高性能の有機エ
レクトロルミネッセンス素子を得ることができる。

【０１２２】

【化３】

【０１２３】

【化４】

【０１２４】

【化５】

【０１２５】なお、前記ＰＰＶ薄膜の他に発光層を形成
し得る高分子有機化合物や低分子材料、すなわち本例に
おいてホスト材料として用いられるものは、例えばアル
ミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）やジスチリルビフェニ
ル、さらに化学式（７）に示すＢｅＢｑ２やＺｎ（ＯＸ
Ｚ）₂ 、そしてＴＰＤ、ＡＬＯ、ＤＰＶＢｉ等の従来よ
り一般的に用いられているものに加え、ピラゾリンダイ
マー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウムパーク
ロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、フェナ
ントロリンユウロピウム錯体等が挙げられ、これらの１
種または２種以上を含む有機エレクトロルミネッセンス
素子用組成物を用いることができる。

【０１２６】

【化６】

【０１２７】一方、このようなホスト材料に添加される
ゲスト材料としては、前記したように蛍光色素や燐光物
質が挙げられる。特に蛍光色素は、発光層の発光特性を
変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向
上、または光吸収極大波長（発光色）を変えるための手
段としても有効である。すなわち、蛍光色素は単に発光
層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材
料として利用することができる。例えば、共役系高分子
有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシト
ンのエネルギーを蛍光色素分子上に移すことができる。
この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子から
のみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。し
たがって、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えること
により、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のも
のとなるので、発光色を変えるための手段としても有効
となる。

【０１２８】なお、ここでいう電流量子効率とは、発光
機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であっ
て、下記式により定義される。ηE ＝放出されるフォト
ンのエネルギー／入力電気エネルギーそして、蛍光色素
のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば
赤、青、緑の３原色を発光させることができ、その結果
フルカラー表示体を得ることが可能となる。さらに蛍光
色素をドーピングすることにより、エレクトロルミネッ
センス素子の発光効率を大幅に向上させることができ
る。

【０１２９】蛍光色素としては、赤色の発色光を発光す
る発光層を形成する場合、レーザー色素のＤＣＭ−１、
あるいはローダミンまたはローダミン誘導体、ペニレン
等を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素をＰＰＶな
どホスト材料にドープすることにより、発光層を形成す
ることができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが
多いので、水溶性を有するＰＰＶ前駆体であるスルホニ
ウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一
な発光層の形成が可能になる。このような蛍光色素とし
て具体的には、ローダミンＢ、ローダミンＢベース、ロ
ーダミン６Ｇ、ローダミン１０１過塩素酸塩等が挙げら
れ、これらを２種以上混合したものであってもよい。

【０１３０】また、緑色の発色光を発光する発光層を形
成する場合、キナクリドン、ルブレン、ＤＣＪＴおよび
その誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素に
ついても、前記の蛍光色素と同様、ＰＰＶなどホスト材
料にドープすることにより、発光層を形成することがで
きるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、
水溶性を有するＰＰＶ前駆体であるスルホニウム塩にド
ープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の
形成が可能になる。

【０１３１】さらに、青色の発色光を発光する発光層を
形成する場合、ジスチリルビフェニルおよびその誘導体
を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素についても、
前記の蛍光色素と同様、ＰＰＶなどホスト材料にドープ
することにより、発光層を形成することができるが、こ
れらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有
するＰＰＶ前駆体であるスルホニウム塩にドープし、そ
の後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能
になる。

【０１３２】また、青色の発色光を有する他の蛍光色素
としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることがで
きる。これらの蛍光色素は、ＰＰＶと相溶性がよく発光
層の形成が容易である。また、これらのうち特にクマリ
ンは、それ自体は溶媒に不溶であるものの、置換基を適
宜に選択することによって溶解性を増し、溶媒に可溶と
なるものもある。このような蛍光色素として具体的に
は、クマリン−１、クマリン−６、クマリン−７、クマ
リン１２０、クマリン１３８、クマリン１５２、クマリ
ン１５３、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン
３３４、クマリン３３７、クマリン３４３等が挙げられ
る。

【０１３３】さらに、別の青色の発色光を有する蛍光色
素としては、テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）また
はＴＰＢ誘導体、ＤＰＶＢｉ等を挙げることができる。
これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素等と同様に水溶
液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形
成が容易である。以上の蛍光色素については、各色とも
に１種のみを用いてもよく、また２種以上を混合して用
いてもよい。なお、このような蛍光色素としては、化学
式（８）に示すようなものや、化学式（９）に示すよう
なもの、さらに化学式（１０）に示すようなものが用い
られる。

【０１３４】

【化７】

【０１３５】

【化８】

【０１３６】

【化９】

【０１３７】これらの蛍光色素については、前記共役系
高分子有機化合物等からなるホスト材料に対し、後述す
る方法によって０．５〜１０ｗｔ％添加するのが好まし
く、１．０〜５．０ｗｔ％添加するのがより好ましい。
蛍光色素の添加量が多過ぎると得られる発光層の耐候性
および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少な
過ぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる
効果が十分に得られないからである。

【０１３８】また、ホスト材料に添加されるゲスト材料
としての燐光物質としては、化学式（１１）に示すＩｒ
（ｐｐｙ）₃、Ｐｔ（ｔｈｐｙ）₂、ＰｔＯＥＰなどが
好適に用いられる。

【０１３９】

【化１０】

【０１４０】なお、前記の化学式（１１）に示した燐光
物質をゲスト材料とした場合、ホスト材料としては、特
に化学式（１２）に示すＣＢＰ、ＤＣＴＡ、ＴＣＰＢ
や、前記したＤＰＶＢｉ、Ａｌｑ３が好適に用いられ
る。また、前記蛍光色素と燐光物質については、これら
を共にゲスト材料としてホスト材料に添加するようにし
てもよい。

【０１４１】

【化１１】

【０１４２】なお、このようなホスト／ゲスト系の発光
物質によって発光層４０Ｂを形成する場合、例えば予め
パターニング装置１にノズル部３等の材料供給系を複数
形成しておき、これらノズル部３からホスト材料とゲス
ト材料とを予め設定した量比で同時に吐出させることに
より、ホスト材料に所望する量のゲスト材料が添加され
てなる発光物質による、発光層４０Ｂを形成することが
できる。

【０１４３】このようにして各画素２０Ａの正孔輸送層
４０Ａ上に発光層４０Ｂを形成したら、これら正孔輸送
層４０Ａ、発光層４０Ｂの場合と同様にして、パターニ
ング装置１により電子輸送層の形成材料を基板２３上に
吐出（射出）し、図１５（ｂ）に示すように電子輸送層
４０Ｃを形成する。電子輸送層の形成材料としては、特
に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アン
トラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよ
びその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アント
ラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノ
ジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフ
ェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキ
ノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体
の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送
層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同
６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９
号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同
３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載さ
れているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリ
ル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、ト
リス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされ
る。

【０１４４】なお、前述した正孔輸送層４０Ａの形成材
料や電子輸送層４０Ｃの形成材料を発光層４０Ｂの形成
材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよく、
その場合に、正孔輸送層形成材料や電子輸送層形成材料
の使用量については、使用する化合物の種類等によって
も異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない
量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発
光層形成材料に対して１〜４０重量％とされ、さらに好
ましくは２〜３０重量％とされる。

【０１４５】ここで、このようにして形成する正孔輸送
層４０Ａ、発光層４０Ｂ、電子輸送層４０Ｃの膜厚につ
いては、予めノズル孔３ａからの吐出量を適宜に設定し
ておくことにより、好ましい厚さ（例えば６５ｎｍ）に
形成する。なお、吐出量の調整については、ノズル孔３
ａの内径やキャリアガスの流量を適宜に設定しておくこ
となどによって行うことができる。その後、図１５
（ｃ）に示すように、透明基板２３の表面全体に、ある
いはストライプ状に対向電極５４を形成し、有機ＥＬ素
子を得る。この対向電極５４の形成についても、前記の
図１に示したパターニング装置１を用いた方法が採用可
能であるのはもちろんである。また、この対向電極５４
については、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの単体材料や
Ｍｇ：Ａｇ（１０：１合金）の合金材料からなる１層で
形成してもよく、２層あるいは３層からなる金属（合金
を含む）層として形成してもよい。具体的には、Ｌｉ₂
Ｏ（０．５ｎｍ程度）／ＡｌやＬｉＦ（０．５ｎｍ程
度）／Ａｌ、ＭｇＦ₂ ／Ａｌといった積層構造のものも
使用可能である。

【０１４６】このようにして得られた表示装置、すなわ
ち本発明において電気光学装置となる表示装置は、その
構成要素の少なくとも一つが前記パターニング装置１に
よって形成されることにより、その材料選択の自由度が
高まり、したがってより良好な組み合わせで装置を構成
することができる。なお、前記の正孔注入層（図示せ
ず）、正孔輸送層４０Ａ、発光層４０Ｂ、電子輸送層４
０Ｃに加えて、ホールブロッキング層を例えば発光層４
０Ｂの対向電極５４側に形成して、発光層４０Ｂの長寿
命化を図ってもよい。このようなホールブロッキング層
の形成材料としては、例えば化学式（１３）に示すＢＣ
Ｐや化学式（１４）で示すＢＡｌｑが用いられるが、長
寿命化の点ではＢＡｌｑの方が好ましい。

【０１４７】

【化１２】

【０１４８】

【化１３】

【０１４９】また、本発明の電子装置としては、前記の
半導体素子や液晶素子、電気泳動素子、有機ＥＬ素子を
備えてなる装置以外にも、例えばＦＲＡＭ（Ferroelect
ricＲＡＭ）やＭＲＡＭ(Magnetic ＲＡＭ）などのメモ
リ素子（電子素子）を備えた各種のメモリ装置や、発光
ダイオードなどのダイオードからなる電子素子を備えた
装置にも適用可能である。すなわち、ＦＲＡＭやＭＲＡ
Ｍなどのメモリ素子においては、例えばその強誘電体膜
（絶縁膜）の形成に前記パターニング装置１を用いた方
法が好適に採用され、その場合に強誘電体材料（絶縁材
料）の選択自由度が高いことからより良好な素子を構成
することが可能になる。

【０１５０】また、発光ダイオードを備えた電子装置と
しては、例えば図１６に示すような装置に本発明が適用
可能である。図１６に示した装置７０は、有機ＴＦＴ７
１と有機ＬＥＤ７２とが同一基板７３上にモノシリック
に集積化されてなるものである。有機ＴＦＴ７１は、基
板７３上に形成されたゲート電極７４と、これを覆って
形成された誘電体層７５と、この誘電体層７５上に形成
されたソース電極７６およびドレイン電極７７と、これ
ら電極を覆って形成された有機半導体層７８とから構成
されたものである。ここで、有機ＴＦＴ７１は、この図
１０に示した有機半導体素子と比べ、ソース・ドレイン
電極と有機半導体層との位置がやや異なっているもの
の、基本的には同じ構造を有するものである。

【０１５１】有機ＬＥＤ７２は、基板７３上に形成され
た陽極７９と、この陽極７９を覆って形成された正孔輸
送層８０と、この正孔輸送層８０上に形成された電子輸
送層８１と、この電子輸送／エミッタ層８１上に形成さ
れた陰極８２とから構成されたものである。なお、陽極
７９は前記のドレイン電極７７がそのまま基板７３上に
延びて形成されたものであり、また、正孔輸送層８０は
前記有機半導体層７８が陽極７９上に延びて形成された
ものである。

【０１５２】このような装置７０にあっても、その製造
に際しては、前記の図１に示したパターニング装置１を
用いた方法が好適に採用される。例えば、ゲート電極７
４やソース電極７６、ドレイン電極７７（陽極７９）は
もちろん、有機半導体層７８（正孔輸送層８０）や電子
輸送／エミッタ層８１、陰極８２の形成にもパターニン
グ装置１による方法が好適に採用される。ここで、有機
半導体層７８の形成材料としては、図１０に示した有機
半導体素子の場合と同様のものが使用可能である。ま
た、電子輸送／エミッタ層８１の形成材料としては、ポ
リフェニレン・ビニレン及びアルミニウム８−ヒドロオ
キシキノリネート（Ａｌｑ．）や、２−（４−ビフェニ
リル）−５−（４−タートブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、２−ナフチル−４，
５−ビス（４−メトキシフェニル）−１，３−オキサゾ
ール）、ビス−（８−ヒドロオキシキナルジン）アルミ
ニウム・フェノキシド及びビス（１０−ヒドロオキシベ
ンゾ−キノリネート（亜鉛）（ＺｎＢｑ２）などが用い
られる。また、陰極８２の形成材料としては、電子輸送
／エミッタ層８１に効率よく電子注入することができる
材料が用いられ、具体的にはアルミニウムやカルシウム
が好適に用いられる。

【０１５３】このような電子装置にあっても、その構成
要素の少なくとも一つが前記パターニング装置１によっ
て形成されることにより、その材料選択の自由度が高ま
り、したがってより良好な組み合わせで装置を構成する
ことができる。

【０１５４】次に、前記例の電気光学装置、すなわち液
晶装置、電気泳動装置、あるいは有機ＥＬ素子を用いて
なる表示装置が備えられた電子機器の具体例について説
明する。図１７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視
図である。図１７（ａ）において、５００は携帯電話本
体を示し、５０１は前記電気光学装置からなる表示手段
を示している。図１７（ｂ）は、ワープロ、パソコンな
どの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
図１７（ｂ）において、６００は情報処理装置、６０１
はキーボードなどの入力部、６０３は情報処理本体、６
０２は前記電気光学装置からなる表示手段を示してい
る。図１７（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図１７（ｃ）において、７００は時計本
体を示し、７０１は前記電気光学装置からなる表示手段
を示している。図１７（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器
は、前記電気光学装置が備えられたものであるので、そ
の構成要素の選択自由度が高められていることにより、
優れた表示品質が得られる表示手段を備えた電子機器と
なる。

【０１５５】

【発明の効果】以上説明したように本発明のパターニン
グ装置およびパターニング方法は、高いエネルギーでレ
ーザー光を照射すると、照射された物質の一部がガス状
あるいはイオン状等の化学種となって飛散することを利
用したもので、レーザー光を照射した材料から発生した
化学種をノズル部より吐出するものであるから、可動機
構によってノズル部と基体との相対的な位置を移動させ
ることにより、基体への前記化学種の配置を制御して所
望するパターンにこの化学種を配置することができ、こ
れによりマスクを必要とすることなくパターニングを行
うことができる。また、材料については特に限定されな
いことなく、材料の選択自由度を高くすることができ
る。

【０１５６】本発明の電子素子の製造方法にあっては、
導電材料、半導体材料、絶縁材料のうちの少なくとも一
つあるいは前記材料の前駆体のうちの少なくとも一つに
レーザー光を照射し、前記材料のうちの少なくとも一つ
の化学種を吐出するので、前記材料あるいは前駆体とし
て特に制限されることなく自由に選択して用い、前記材
料を配置することができる。また、前記材料を基体上の
所定位置に配置することにより、マスクを必要とするこ
となくパターニングを行うことができる。

【０１５７】本発明の回路基板の製造方法にあっては、
前記の電子素子の製造方法によって電子素子を複数形成
するので、材料あるいはその前駆体として特に制限され
ることなく自由に選択して用い、前記材料を配置するこ
とができる。また、材料あるいは前駆体を基体上の所定
位置に配置することにより、マスクを必要とすることな
くパターニングを行うことができる。

【０１５８】本発明の電子装置の製造方法にあっては、
前記の電子素子の製造方法を用いるので、材料あるいは
その前駆体として特に制限されることなく自由に選択し
て用い、前記材料を配置することができる。また、材料
あるいは前駆体を基体上の所定位置に配置することによ
り、マスクを必要とすることなくパターニングを行うこ
とができる。

【０１５９】本発明の電気光学装置の製造方法にあって
は、前記の電子素子の製造方法を用いるので、材料ある
いはその前駆体として特に制限されることなく自由に選
択して用い、前記材料を配置することができる。また、
材料あるいは前駆体を基体上の所定位置に配置すること
により、マスクを必要とすることなくパターニングを行
うことができる。また、本発明の電気光学装置にあって
は、前記の電気光学装置の製造方法によって得られるこ
とから、前記材料あるいは前駆体が特に制限されること
なく自由に選択して用いられることにより、材料の選択
自由度が高いものとなる。

【０１６０】本発明の電子機器にあっては、前記の電気
光学装置を表示手段として備えているので、表示手段と
する電気光学装置が、これを製造する際にその材料の選
択自由度が高いものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパターニング装置の一例の、概略構
成を示す側面図である。

【図２】本発明に係る回路基板（電子装置）の概略構
成を示す側断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は図２に示した回路基板（電
子装置）の製造方法を工程順に説明するための要部側断
面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は図３に続く工程を順に説明
するための要部側断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は図４に続く工程を順に説明
するための要部側断面図である。

【図６】液晶セルの概略構成を説明するための側断面
図である。

【図７】電気泳動装置における、画素部の概略構成を
示す要部側断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は電子インク層の概念的構成
及び電圧印加時の動作を説明するための図である。

【図９】図７に示した電気泳動装置によって形成され
る電子ペーパーの斜視図である。

【図１０】有機半導体素子の一例の概略構成を示す側
断面図である。

【図１１】本発明の電気光学装置としての、有機ＥＬ
素子を用いた表示装置の回路図である。

【図１２】図１１に示した表示装置における画素部の
平面構造を示す拡大平面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｅ）は図１１、図１２に示した
表示装置の製造方法を工程順に説明するための要部側断
面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｃ）は図１３に続く工程を順に
説明するための要部側断面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｃ）は図１４に続く工程を順に
説明するための要部側断面図である。

【図１６】発光ダイオードを備えた電子装置の一例を
説明するための要部側断面図である。

【図１７】本発明の電気光学装置が備えられた電子機
器の具体例を示す図であり、（ａ）は携帯電話に適用し
た場合の一例を示す斜視図、（ｂ）は情報処理装置に適
用した場合の一例を示す斜視図、（ｃ）は腕時計型電子
機器に適用した場合の一例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…パターニング装置、２…化学種発生部、３…ノズル
部、３ａ…ノズル孔、４…真空チャンバー、５…ステー
ジ、６…レーザー光源、７…材料、１１…窓、１５…可
動機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｚ５Ｆ０５２ 21/31 21/31 Ｄ５Ｆ１０３ 21/3205 29/78 ６２７Ｃ５Ｆ１１０ 21/336 ６１７Ｊ 29/786 ６１８Ａ６１８Ｂ６１７Ｖ 21/88 ＢＦターム(参考） 2H088 FA18 FA30 HA01 HA02 HA04 4K029 AA09 BA35 BA46 BA58 BA62 BB02 CA01 DB20 HA00 4M104 AA01 AA03 AA08 AA10 BB01 BB02 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB13 BB14 BB16 BB17 BB26 BB27 BB28 BB30 BB33 BB36 BB40 CC01 DD04 DD16 DD17 DD18 DD20 DD31 DD36 DD43 DD72 DD91 EE03 EE06 EE16 FF13 GG04 GG09 GG10 GG19 HH20 5F033 GG00 GG03 HH00 HH03 HH08 HH11 HH13 HH17 HH18 HH19 HH20 HH27 HH28 HH30 HH32 HH33 HH34 HH35 JJ01 JJ08 JJ33 JJ38 KK01 KK33 LL04 MM05 MM13 NN06 PP00 PP09 PP20 QQ09 QQ25 QQ37 QQ58 QQ73 QQ74 QQ83 RR03 RR04 RR08 RR11 RR21 SS00 SS04 SS08 SS15 VV06 VV10 XX00 5F045 AA12 AB04 AB32 AB33 EM10 5F052 AA02 AA11 AA17 BA07 BB07 DA02 DA03 DA10 DB02 DB03 DB07 EA16 FA06 JA01 JA04 5F103 AA01 BB01 BB16 DD16 LL13 5F110 AA16 BB04 BB05 CC07 DD01 DD03 DD13 EE01 EE02 EE04 EE05 EE06 EE07 EE09 EE14 EE15 EE28 EE31 EE44 EE45 FF02 FF03 FF04 FF09 FF23 FF29 FF30 FF33 FF36 GG02 GG05 GG13 GG32 GG43 GG45 GG47 HJ01 HJ04 HJ13 HJ18 HK38 HL03 HL04 HL12 HM15 NN03 NN04 NN22 NN23 NN27 NN35 NN73 NN78 PP03 PP06 PP10 PP34 QQ11 QQ25 QQ28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】材料にレーザー光を照射することによっ
て該材料から化学種を発生させる化学種発生部と、該化
学部発生部で発生した化学種を吐出するノズル部と、該
ノズル部と前記化学種が配置される基体との相対的な位
置を移動させる可動機構とを備えたことを特徴とするパ
ターニング装置。
【請求項２】前記基体を載置するステージが、前記可
動機構によって移動可能に備えられていることを特徴と
する請求項１記載のパターニング装置。
【請求項３】前記化学種発生部にはレーザー光を透過
させる窓が設けられていることを特徴とする請求項１又
は２記載のパターニング装置。
【請求項４】レーザー光源を備えてなることを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載のパターニング装
置。
【請求項５】実質的に真空に調整される真空チャンバ
ーが備えられ、前記ノズル部と基体とが該真空チャンバ
ー内に設けられることを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載のパターニング装置。
【請求項６】材料にレーザー光を照射して該材料から
化学種を発生させ、この発生させた化学種をノズル部か
ら吐出し、基体上の所定の位置に配置することを特徴と
するパターニング方法。
【請求項７】導電材料、半導体材料、絶縁材料のうち
の少なくとも一つの材料を備えた電子素子の製造方法で
あって、前記材料のうちの少なくとも一つあるいは前記材料の前
駆体のうちの少なくとも一つにレーザー光を照射し、前
記材料のうちの少なくとも一つの化学種を吐出し、基体
の所定位置に前記化学種を配置することを特徴とする電
子素子の製造方法。
【請求項８】電子素子がダイオードである請求項７記
載の電子素子の製造方法。
【請求項９】電子素子がトランジスタである請求項７
記載の電子素子の製造方法。
【請求項１０】材料として導電材料あるいはその前駆
体を用い、導電材料の化学種を吐出することによってゲ
ート電極を形成することを特徴とする請求項９記載の電
子素子の製造方法。
【請求項１１】材料として半導体材料あるいはその前
駆体を用い、半導体材料の化学種を吐出することによっ
てトランジスタの半導体層を形成することを特徴とする
請求項９記載の電子素子の製造方法。
【請求項１２】半導体材料が有機半導体材料であるこ
とを特徴とする請求項１１記載の電子素子の製造方法。
【請求項１３】材料として絶縁材料あるいはその前駆
体を用い、絶縁材料の化学種を吐出することによってゲ
ート絶縁膜を形成することを特徴とする請求項９記載の
電子素子の製造方法。
【請求項１４】請求項７記載の製造方法によって電子
素子を複数形成することを特徴とする回路基板の製造方
法。
【請求項１５】請求項７に記載の製造方法を用いるこ
とを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１６】請求項７に記載の製造方法を用いるこ
とを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】電気光学装置が液晶素子を備えてなる
請求項１６記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】電気光学装置が電気泳動素子を備えて
なる請求項１６記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】電気光学装置が有機ＥＬ素子を備えて
なる請求項１６記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】前記材料のうちの少なくとも一つある
いは前記材料の前駆体のうちの少なくとも一つが有機Ｅ
Ｌ素子における発光層、正孔注入層、正孔輸送層のうち
の少なくとも一つの形成材料であり、基体上の所定位置
に該材料を配置することにより有機ＥＬ素子を形成する
請求項１９記載の電気光学装置。
【請求項２１】請求項１６〜２０のいずれかに記載の
製造方法によって得られる電気光学装置。
【請求項２２】請求項２１に記載の電気光学装置を表
示手段として備えてなる電子機器。