JP2008103441A - 気化器および成膜装置 - Google Patents

気化器および成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008103441A
JP2008103441A JP2006283281A JP2006283281A JP2008103441A JP 2008103441 A JP2008103441 A JP 2008103441A JP 2006283281 A JP2006283281 A JP 2006283281A JP 2006283281 A JP2006283281 A JP 2006283281A JP 2008103441 A JP2008103441 A JP 2008103441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
liquid
chamber
discharge
vaporizer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006283281A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5059371B2 (ja
Inventor
Takashi Mochizuki
隆 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2006283281A priority Critical patent/JP5059371B2/ja
Priority to PCT/JP2007/065344 priority patent/WO2008047506A1/ja
Priority to CN2007800388890A priority patent/CN101529564B/zh
Priority to KR1020097008001A priority patent/KR101054595B1/ko
Priority to TW096138909A priority patent/TW200832544A/zh
Publication of JP2008103441A publication Critical patent/JP2008103441A/ja
Priority to US12/426,121 priority patent/US20090229525A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5059371B2 publication Critical patent/JP5059371B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01BBOILING; BOILING APPARATUS ; EVAPORATION; EVAPORATION APPARATUS
    • B01B1/00Boiling; Boiling apparatus for physical or chemical purposes ; Evaporation in general
    • B01B1/005Evaporation for physical or chemical purposes; Evaporation apparatus therefor, e.g. evaporation of liquids for gas phase reactions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D1/00Evaporating
    • B01D1/16Evaporating by spraying
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】気化室へ吐出される液状原料の液滴のサイズをコントロールして,液滴のサイズのばらつきを抑えることにより,液滴を確実に気化する。
【解決手段】液状原料が所定の圧力で供給される原料液室410と,原料液室内の液状原料を吐出するための複数の原料吐出ノズル420と,複数の原料吐出ノズルから吐出された液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室430と,原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,液状原料に吐出圧力を加える圧電素子440とを設けた。
【選択図】図2

Description

本発明は,液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器およびその気化器を備えた成膜装置に関する。
一般に,誘電体,金属,半導体などで構成された各種薄膜を成膜する方法として,有機金属化合物などの有機原料ガスを成膜室に供給し,酸素やアンモニアなどの他のガスと反応させて成膜する化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法が知られている。このようなCVD法で用いられる有機原料には,常温で液体あるいは固体であるものが多いため,有機原料を気化するための気化器が必要になる。例えば上記有機原料は,通常,溶媒を用いて希釈したり,溶解させたりすることによって液状原料とされる。この液状原料は,気化器に設けられた噴霧ノズルから加熱された気化室内に例えばキャリアガスの流れに乗って噴霧されることによって気化し,原料ガスとなる。この原料ガスは成膜室に供給され,ここで他のガスと反応することによって基板上に成膜される(例えば特許文献1〜3参照)。
このような従来の気化器において,噴霧ノズルによって噴霧された液状原料のうち,大部分は気化室内で気化する。しかし,その一部は気化しきれずに気化室内を浮遊し続け,その間に溶媒のみが揮発して微細なパーティクルとなることがあった。このパーティクルは,噴霧ノズル,気化室の内面,フィルタ,ガス輸送管の内部などに堆積し,各所の詰まりを招くとともに,原料ガスとともに成膜室まで到達してしまうと異常成膜や膜質不良の原因となる。このような問題点については,従来から種々の対策が講じられてきた(例えば特許文献4〜7参照)。
特許文献4には,気化室を噴霧ノズルの噴霧方向に延長された形状にすることによって,噴霧ノズルから噴出される液滴を気化室内で長い距離飛行させて気化室の内面からの放射熱により液滴を充分に加熱するものが記載されている。また,特許文献5には,気化室の内壁面に複数の凸部を設けることによって,液滴が付着しない領域が確保され,壁面からの供給熱量の極端な低下を抑えて気化性能を安定的に維持するものが記載されている。さらに,特許文献6には,気化器に多孔材によって構成されている気化面を設けることで液滴が気化面に接触する確率を増大させて気化率を向上させることにより,結果としてパーティクルの発生を抑制するものが記載されている。
特開平3−126872号公報 特開平6−310444号公報 特開平7−94426号公報 特開2005−228889号公報 特開2006−135053号公報 特開2005−109349号公報 特開昭60−22065号公報
しかしながら,上述したような従来の気化器では,1つのノズルから吐出される液状原料の液滴をキャリアガスの流れに乗せて気化室内に噴出するようになっているので,キャリアガスと液状原料との混ざり具合などに起因して,気化室内を浮遊する液滴のサイズにばらつきが生じていた。すなわち,従来のように1つのノズルで液状原料を吐出するものでは,液状原料の吐出量のコントロールだけで吐出される液滴のサイズや方向をコントロールするのは難しく,吐出される液滴のサイズ自体にばらつきが生じたり,吐出された液滴同士が結合してサイズが大きくなったりするという問題があった。
このように,液滴の中にサイズの大きなものが含まれると,上記従来の気化器であっても,その大きい液滴は気化室内で気化しきれずに成膜室内のウエハ上にまで到達し,いわゆるミストパーティクルとなってウエハ表面に付着するおそれがあった。
また,気化室内で気化しきれなかったサイズの大きい液滴は,気化室の壁面に付着して,そこに長時間留まることによって熱分解される。このようにして生成された熱分解物が壁面から剥がれて成膜室内まで導かれ,いわゆる残渣パーティクルとなってウエハ表面に飛散するおそれがあった。
この点,上記特許文献7には,圧電振動子により吐出圧力を変化させてノズル先端から燃料用液体の液滴を噴射して液滴のサイズを小さくするものが記載されているが,この場合も1つのノズルで燃料を噴出するようになっているので,実際には液状原料の吐出量のコントロールだけで吐出される液滴のサイズや方向をより細かくコントロールするのは難しい。また,特許文献7に記載のものはそもそも,エンジンに燃料を供給する燃料噴射器である点で,成膜装置などで使用される気化器とは異なるため,要求される液滴のサイズや流量についてもまったく異なり,燃料噴射器の技術をそのまま適用することはできない。
そこで,本発明は,このような問題に鑑みてなされたもので,その目的とするところは,液状原料から微小かつ均一なサイズの液滴を形成して,その液滴を確実に気化することによって,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することのできる気化器および成膜装置を提供することにある。
上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,を備えたことを特徴とする気化器が提供される。
また,液状原料を供給する原料供給系と,前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器と,前記気化器から供給される前記原料ガスを導入して被処理基板に対して成膜処理を行う成膜室とを有する成膜装置であって,前記気化器は,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,を備えることを特徴とする成膜装置が提供される。
この気化器または成膜装置によれば,原料液室に液状原料を吐出するための複数の吐出口を設けることにより,各吐出口から吐出される液滴の吐出方向に直交する方向のサイズを均一化させることができる。さらに,各吐出口の径を小さくするだけで,液滴の吐出方向に直交する方向のサイズがより小さくなるようにコントロールすることができる。これにより,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を吐出させることができる。
また,原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させることで,各吐出口からの吐出量を一定にすることができるので,各吐出口から吐出される液滴の吐出方向のサイズについても均一化させることができる。さらに,原料液室の内部空間の容積の変化量を小さくしつつ容積変化の周期をより短くすることによって,液滴の吐出方向のサイズがより小さくなるようにコントロールすることができる。これにより,複数の吐出口からより微小かつ均一なサイズの液滴を吐出させることができる。
このような液滴であれば,気化室内で確実に気化させることができるので,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することができる。また,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を連続的に吐出させることができるため,十分な流量の原料ガスを生成することができる。
前記各吐出口の直径は,前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標サイズに応じて設定されることが好ましい。これによって,液滴のサイズのうち,吐出方向に直交する方向のサイズを吐出口の直径によって正確にコントロールすることができる。したがって,各吐出口から吐出される液滴のサイズの均一化が図られる。
また,前記各吐出口の直径を20μm以下とすれば,気化不良が起きない微小かつ均一なサイズの液滴を形成することができる。
前記各吐出口は,前記液状原料の吐出方向が相互に平行になるように,かつ,前記液状原料の吐出方向に直交する平面方向に広がりをもって配置されることが好ましい。各吐出口をこのように配置することによって,それぞれから吐出された液滴は,気化室内を飛行している途中に相互に結合することなく気化する。したがって,パーティクルの発生が防止される。
前記各吐出口が配置される領域は,前記気化室の前記平面方向の広さに応じて設定されることが好ましい。これによれば,各吐出口から吐出された液滴は,気化室内全域に広がって飛行することになる。これによって,液滴同士が結合しにくくなり,各液滴は確実に気化することになる。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室を区画する壁の一部を構成する可撓性部材と,前記可撓性部材を振動させて,前記原料液室内の前記液状原料に周期的な吐出圧力を加える振動手段と,を備えたことを特徴とする気化器が提供される。
この気化器によれば,振動手段により可撓性部材を振動させて原料液室内の液状原料に周期的な吐出圧力を加えることにより,複数の吐出口から吐出される液体原料の液切れを良好にすることができるので,液滴の吐出方向のサイズがより均一になるようにコントロールできる。さらに,振動周波数と振幅を制御することにより,液滴の吐出方向のサイズをより細かくコントロールすることができる。このように,液滴の径がより微小でより均一になるように制御することができるので,気化室内で確実に気化させることができる。したがって,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することができる。また,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を連続的に吐出させることができるため,十分な流量の原料ガスを生成することができる。
前記振動手段は,圧電素子で構成されることが好ましい。また,前記振動手段の振幅は,前記複数の吐出口の数と前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標サイズに応じて設定されることが好ましい。また,前記振動手段の振動周期は,単位時間あたりに前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標数に応じて設定されることが好ましい。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,前記各吐出口の近傍にキャリアガスを噴出するキャリアガス噴出口と,を備えたことを特徴とする気化器が提供される。
このような本発明によれば,原料液室の内部空間の容積を細かく周期的に変化させて,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を吐出させることができる。このような液滴であれば,気化室内で確実に気化させることができる。しかも,各吐出口の近傍からキャリアガスを噴き出すことができるので,気化室内に吐出された液滴の飛行を安定させることができ,液滴の方向を確実にコントロールできるため,液滴は相互に結合することなく気化することができる。この結果,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することができる。また,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を連続的に吐出させることができるため,十分な流量の原料ガスを生成することができる。
さらに,前記キャリアガス噴出口を前記吐出口の数と同じ数だけ設け,前記キャリアガス噴出口の径を前記吐出口の径よりも大きく構成して,前記各吐出口をそれぞれ前記各キャリアガス噴出口内に配置することが好ましい。この構成によれば,各吐出口の近傍にキャリアガスを噴き出すことができる。
また,前記キャリアガス噴出口を前記吐出口の数よりも多く設け,前記各吐出口の周りにそれぞれ前記キャリアガス噴出口を複数配置することが好ましい。この構成によれば,各吐出口の近傍にキャリアガスを噴き出すことができる。
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,前記気化室から原料ガスを導出する導出口と,を備え,前記気化室は,前記各吐出口から吐出された前記液状原料の液滴を前記導出口の方向へ案内する複数の案内孔を有し,前記各案内孔の入口は,前記各吐出口に対向することを特徴とする気化器が提供される。
この気化器によれば,原料液室の内部空間の容積を細かく周期的に変化させて,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を吐出させることができる。このような液滴であれば,気化室内で確実に気化させることができる。しかも,各吐出口から吐出された液滴は,対向する案内孔に導入されるため,液滴は,相互に結合することなく気化することができる。この結果,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することができる。また,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を連続的に吐出させることができるため,十分な流量の原料ガスを生成することができる。
本発明によれば,液状原料から微小かつ均一なサイズの液滴を形成して,その液滴を確実に気化することによって,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することができる。
以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書および図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
(第1実施形態にかかる成膜装置)
まず,本発明の第1実施形態にかかる成膜装置について図面を参照しながら説明する。図1は第1実施形態にかかる成膜装置100の概略構成例を示すブロック図である。この成膜装置100は,被処理基板例えば半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」ともいう)W上にCVD法により例えばHf(ハフニウム)酸化膜を成膜するものであり,Hfを含む液状原料を供給する液状原料供給源200と,キャリアガスを供給するキャリアガス供給源300と,液状原料供給源200から供給される液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器401と,気化器401が生成した原料ガスを用いてウエハWにHf酸化膜を形成する成膜室500と,成膜装置100の各部を制御する制御部600を備えている。
また,液状原料供給源200と気化器401は,液状原料供給管700で接続されており,キャリアガス供給源300と気化器401は,キャリアガス供給管710で接続されており,気化器401と成膜室500は,原料ガス供給管720で接続されている。そして,液状原料供給管700には液状原料流量制御バルブ702が備えられ,キャリアガス供給管710にはキャリアガス流量制御バルブ712を備えられ,原料ガス供給管720には原料ガス流量制御バルブ722が備えられており,これら液状原料流量制御バルブ702,キャリアガス流量制御バルブ712,および原料ガス流量制御バルブ722は,制御部600からの制御信号によってそれぞれの開度が調整される。制御部600は,液状原料供給管700を流れる液状原料の流量,キャリアガス供給管710を流れるキャリアガスの流量,および原料ガス供給管720を流れる原料ガスの流量に応じて制御信号を出力することが好ましい。
成膜室500は,略円筒状をなし,金属製(例えば,アルミニウム製またはステンレス製)の天壁500Aと底壁500Bに囲まれた内部空間に,ウエハWが水平に載置されるサセプタ502を備えている。サセプタ502は,円筒状の複数の支持部材504(ここでは,1本のみ図示)により支持されている。また,サセプタ502にはヒータ506が埋め込まれており,電源508からこのヒータ506に供給される電力を制御することによってサセプタ502上に載置されたウエハWの温度を調整することができる。
成膜室500の底壁500Bには,排気ポート510が形成されており,この排気ポート510には排気系512が接続されている。そして排気系512により成膜室500内を所定の真空度まで減圧することができる。
成膜室500の天壁500Aには,シャワーヘッド514が取り付けられている。このシャワーヘッド514には原料ガス供給管720が接続されており,気化器401で気化されて形成された原料ガスが,原料ガス供給管720を経由してシャワーヘッド514内に導入される。シャワーヘッド514は,内部空間514Aと,サセプタ502に対する対向面に多数のガス吐出孔514Bを有している。したがって,原料ガス供給管720を介してシャワーヘッド514の内部空間514Aに導入された原料ガスは,ガス吐出孔514Bからサセプタ502上のウエハWに向けて吐出される。
本実施形態にかかる成膜装置100において,液状原料供給源200は,液状原料として例えばハフニウム系有機金属化合物を貯留しており,この液状原料を,液状原料供給管700を通じて気化器401に向けて送出する。ハフニウム系有機金属化合物としては,例えば,テトラターシャリーブトキシ・ハフニウム[Hf(Ot−Bu)],テトラジエチルアミノ・ハフニウム[Hf(NEt],テトラキスメトキシメチルプロポキシ・ハフニウム[Hf(MMP)],テトラジメチルアミノ・ハフニウム[Hf(NMe],テトラメチルエチルアミノ・ハフニウム[Hf(NMeEt)],テトラキストリエチルシロキシ・ハフニウム[Hf(OSiEt]等を挙げることができる。
また,液状原料としてハフニウム系以外の有機金属化合物を用いるようにしてもよい。例えば,ペンタエトキシ・タンタル[Ta(O−Et)],テトラターシャリーブトキシ・ジルコニウム[Zr(Ot−Bu)],テトラエトキシ・シリコン[Si(OEt)],テトラジメチルアミノ・シリコン[Si(NMe],テトラキスメトキシメチルプロポキシ・ジルコニウム[Zr(MMP)],デイスエチルサイクロペンタジエニル・ルテニウム[Ru(EtCp)],ターシャリーアミルイミドトリジメチルアミド・タンタル[Ta(Nt−Am)(NMe],トリスジメチルアミノシラン[HSi(NMe]などを用いることもできる。
上記有機金属化合物は,常温下では液体または固体であるため,これを液状原料として使用する場合には一般的にオクタンなどの有機溶媒により希釈もしくは溶解する。
上記のような成膜装置100の気化器401では,内部に設けた吐出口から液状原料の液滴を次々と吐出し,これを気化して原料ガス供給管720に送出するようになっている。なお,気化器401の具体的な構成は後述する。このような気化器401において,液状原料が完全に気化しなかった場合,多数の液状原料の液滴の一部が原料ガスに混じって原料ガス供給管720に送出され,成膜室500に至るおそれがある。成膜室500内に混入した液状原料の液滴は,パーティクルとしてウエハW上に形成されるハフニウム酸化膜の膜質を低下させる要因となる。
気化器401における液状原料の気化不良の原因の一つは,気化器401に導入された液状原料の液滴のサイズばらつきにある。特に,サイズの大きい液滴が混在していると,その液滴は気化器401内で気化しきれず成膜室500まで到達してしまう可能性がある。この点,本実施形態にかかる気化器401は,以下説明するように,液状原料から微小かつ均一なサイズの液滴を形成して,その液滴を確実に気化することができる構成を有している。
(第1実施形態にかかる気化器)
次に,本発明の第1実施形態にかかる気化器について図面を参照しながら説明する。図2は第1実施形態にかかる気化器401の概略構成例を示す縦断面図である。図2に示すように,気化器401は,液状原料が供給される原料液室410と,この原料液室410から吐出される液状原料の液滴を気化する気化室430を備える。原料液室410の内部空間412には,液状原料供給源200からの液状原料が所定の圧力で液状原料供給管700を介して供給されるようになっている。
原料液室410の底部416には,原料液室410の内部空間412の液体原料を気化室430内へ向けて吐出する複数(多数)の原料吐出ノズル420が取り付けられている。原料液室410の底部416に複数(多数)の微小孔が形成されており,これら各微小孔は,それぞれに対向する各原料吐出ノズル420内の貫通孔と連通して液体原料の吐出口を構成する。
各原料吐出ノズル420は,液状原料の吐出方向が相互に平行になるように,例えば原料液室410の底部416に対して垂直に設けられる。また,各原料吐出ノズル420は,液状原料の吐出方向に直交する平面方向に広がりをもって配置される。この各原料吐出ノズル420の配置箇所の詳細については後述する。
なお,第1実施形態では原料液室410における液状原料の吐出口を原料吐出ノズル420で構成した場合について説明するが,必ずしもこれに限定されるものではなく,複数の貫通孔を形成した板状部材を原料液室410の底部416に取り付けて,これら貫通孔と底部416の複数(多数)の微小孔とを連通させて吐出口としてもよい。
各原料吐出ノズル420の吐出口の直径は,基本的には気化室430内に吐出される液状原料の液滴の目標サイズに応じて決定する。具体的には,次のような観点から各原料吐出ノズル420の吐出口の直径を決定することが好ましい。例えば気化室430内において,液滴が確実に気化するためには,液滴のサイズは小さい方がよいので,各原料吐出ノズル420の吐出口の直径も小さいことが好ましい。ただし,吐出口の直径を小さくし過ぎると液滴のサイズもより小さくなるので,液滴を気化して得られる原料ガスの流量が不足するおそれがあるとともに,内部空間412の液状原料に過大な吐出圧力を加えなければ各原料吐出ノズル420から液滴が吐出され難くなるおそれもある。このような観点に鑑みて,本実施形態では各原料吐出ノズル420の吐出口の直径を例えば20μmとしている。
各原料吐出ノズル420の構成材料としては,有機溶媒に対する耐性を有するポリイミド樹脂などの合成樹脂またはステンレス鋼やTiなどの金属が好ましい。また,各原料吐出ノズル420を合成樹脂で構成することによって,吐出される前の液状原料に周囲から熱が伝導しないようにすることができる。また,ポリイミド樹脂を用いることで,液状原料の残渣(析出物)が各原料吐出ノズル420に付着し難くなり,ノズルの目詰まりが防止される。
気化室430は,複数の原料吐出ノズル420が吐出した液状原料を気化して原料ガスを生成するものであって,その形状は吐出方向と直交する断面が円形となる略円筒形である。これによって原料吐出ノズル420から吐出された液滴に対して気化室430の壁面の位置が等方的になるため,後述する加熱手段450からの熱を液滴に効率よく伝達することができ,より安定した原料の気化状態を得ることができる。
気化室430の測壁には原料ガス導出口432が形成されており,この原料ガス導出口432に原料ガス供給管720が接続されている。このような構成により,気化室430で生成された原料ガスは,原料ガス供給管720を経由して成膜室500に導かれる。
気化室430には,円筒状の側壁および底部の周りを覆うように加熱手段450が設けられている。この加熱手段450によって,気化室430内の雰囲気を液体原料の液滴が気化するのに適切な温度に調整することができる。具体的には,気化室430内の雰囲気を,液状原料の気化温度より高く,液状原料が固化してしまう分解温度より低い温度に調整することが好ましい。なお,この加熱手段450として,例えばカートリッジ型やテープ型などの抵抗加熱式のヒータを用いることができる。
ところで,本実施形態の原料液室410には,その内部空間412の容積を周期的に変化させて,液状原料に吐出圧力を加える加圧手段が設けられる。この加圧手段としては,例えば図2に示すように原料液室410を区画する壁の一部を構成する可撓性部材414を振動させる振動手段例えば圧電素子440により構成される。
なお,可撓性部材414としては,例えばダイヤフラム(Diaphragm)などが挙げられる。その他,可撓性部材414として,ゴム,樹脂,金属など振動性や弾性を有する部材を採用することもできる。
ここで,圧電素子440の振動を利用して原料液室410の液状原料を吐出口から吐出させる構成についてさらに詳細に説明する。圧電素子440は,制御部600からの制御信号(電圧)に応じて,例えば厚み方向に伸縮振動するものである。この圧電素子440は,その振動部が原料液室410の可撓性部材414に接するように配置されている。これにより,圧電素子440の振動は可撓性部材414に伝達し,可撓性部材414が振動することにより,原料液室410の内部空間412の容積に変化が生じる。例えば図2に示すように,可撓性部材414が振動して原料液室410の内部空間412側に撓んだときに内部空間412の容積が減少し,内部空間412の液状原料に可撓性部材414の撓み量に応じた吐出圧力が加えられ,液状原料が複数の原料吐出ノズル420の吐出口から押し出されて吐出する。
なお,圧電素子440としては,例えば2枚の圧電体を重ねたバイモルフ型または多数の圧電体を重ねた積層型を用いることができる。これらの構造を有する圧電素子440であれば,厚み方向に比較的大きな変位を得ることができるため,可撓性部材414の振幅の調整幅を大きくとることができる。これによって,各原料吐出ノズル420から吐出される液滴の大きさの調整範囲が拡大する。
このように,圧電素子440などの圧力手段によって原料液室410の内部空間412の容積を周期的に変化させることで,各吐出口からの吐出量を一定にすることができるので,各吐出口から吐出される液滴の吐出方向のサイズについても均一化させることができる。さらに,原料液室の内部空間の容積の変化量を小さくしつつ容積変化の周期をより短くすることによって,液滴の吐出方向のサイズがより小さくなるようにコントロールすることができる。これにより,複数の吐出口からより微小かつ均一なサイズの液滴を吐出させることができる。
さらに,圧力手段として圧電素子440などの振動手段を用いることによって,可撓性部材414を振動させて原料液室410内の液状原料に周期的な吐出圧力を加えることにより,複数の吐出口から吐出される液体原料の液切れを良好にすることができるので,液滴の吐出方向のサイズがより均一になるようにコントロールできる。また,圧電素子440に印加する電圧の振動周波数と振幅を制御することにより,液滴の吐出方向のサイズをより細かくコントロールすることができる。
このように,液滴の径がより微小でより均一になるように制御することができるので,気化室430内で確実に気化させることができる。したがって,パーティクルを含まない良質な原料ガスを生成することができる。また,複数の吐出口から微小かつ均一なサイズの液滴を連続的に吐出させることができるため,十分な流量の原料ガスを生成することができる。
また,本実施形態では,各原料吐出ノズル420の吐出口から吐出される液滴の方向をコントロールするために,原料液室410と気化室430の間にキャリアガス室460を配置して,キャリアガス室460からのキャリアガスを各吐出口の近傍から液滴の吐出方向と同一方向に噴出するような構成にしている。具体的には例えば図2に示すように,キャリアガス室460の底部462に形成された複数のキャリアガス噴出口464内にそれぞれ各原料吐出ノズル420を配置する。
キャリアガス室460内には,キャリアガス供給源300からのキャリアガスがキャリアガス供給管710を介して供給され,キャリアガス噴出口464から噴出されるようになっている。これにより,キャリアガス室460内に供給されたキャリアガスは,各キャリアガス噴出口464に均等に分配されて気化室430内へ噴出される。なお,キャリアガスとして,例えばN,He,Arなどの不活性ガスを用いることが好ましい。
このような構成により,各原料吐出ノズル420の吐出口はそれぞれ各キャリアガス噴出口464内に配置されるので,各吐出口の近傍からキャリアガスを噴き出すことができる。これにより,気化室内に吐出された液滴の飛行を安定させることができ,液滴の方向を確実にコントロールできるため,液滴は相互に結合することなく気化することができる。
なお,各原料吐出ノズル420を各キャリアガス噴出口464内に配置する構成にしたので,各原料吐出ノズル420の長手寸法を短くしても,原料液室410の液状原料を気化室430に向けて確実に吐出することができる。特に本実施形態にかかる気化器401は,圧電素子440から与えられる吐出圧力を用いて液状原料を各原料吐出ノズル420から吐出するようになっているので,各原料吐出ノズル420の長手寸法が短い方が各原料吐出ノズル420の先端の吐出口まで吐出圧力をより効率よく伝えることができる。
ここで,液状原料の吐出方向に直交する平面方向についての各原料吐出ノズル420と各キャリアガス噴出口464の具体的な配置例について図面を参照しながら説明する。図3は,図2の気化器401のA−A断面を矢印方向から見た図である。図3に示すように,キャリアガス噴出口464と原料吐出ノズル420は同数であり,各キャリアガス噴出口464は,その径が各原料吐出ノズル420の吐出口の径よりも大きくなるように構成され,各原料吐出ノズル420の吐出口は,上述したように各キャリアガス噴出口464内に配置されている。また,複数の原料吐出ノズル420の吐出口と複数のキャリアガス噴出口464は,気化室430の平面方向全域にわたり,かつ偏りがないように配置されている。これにより,各原料吐出ノズル420から吐出された液状原料の液滴を,気化室430の中の全域を各液滴の吐出方向に沿って飛行させることができる。
また,各原料吐出ノズル420はキャリアガス噴出口464内に配置されるので,各原料吐出ノズル420の間隔はその分広くなり,また液状原料の吐出方向が相互に平行になるように配置されているため,液滴同士が結合することなく,各液滴を確実に気化させることができる。
図4は,図2に示す1つの原料吐出ノズル420とキャリアガス噴出口464との配置関係を示す斜視図である。図4に示すように,原料吐出ノズル420は,先端部分がキャリアガス噴出口464の中央部に位置するように配置される。これにより,各キャリアガス噴出口464は,各原料吐出ノズル420の吐出口の周囲からまんべんなくキャリアガスを噴出することができる。また,各キャリアガス噴出口464から噴出されるキャリアガスの流れの方向は,例えば各原料吐出ノズル420から吐出される液滴の方向に平行になるように調整される。図4では,キャリアガスの流れの方向を白抜き矢印で概略的に示し,液状原料の流れの方向を破線矢印で概略的に示している。
このように,各原料吐出ノズル420の吐出口の周囲から吐出方向に向けてキャリアガスの流れを形成することによって,各原料吐出ノズル420から吐出された液状原料の各液滴を吐出方向に確実に飛行させることができる。これにより,連続して吐出される液滴の飛行方向を1滴ずつ確実にコントロールでき,各液滴の飛行方向を安定させることができるので,液滴同士の結合の確率を低下させることができ,微小サイズの液滴をそのまま維持することができる。この結果,各液滴をより確実に気化することができる。
(成膜装置の動作)
以上のように構成された本実施形態にかかる成膜装置100の動作について図1,図2を参照しながら説明する。気化器401によって原料ガスを生成するにあたり,まず気化器401の原料液室410内を液状原料で満たす必要がある。そのために液状原料流量制御バルブ702の開度を調整して,所定の流量の液状原料を液状原料供給管700を介して液状原料供給源200から原料液室410内に供給する。この動作と並行して,キャリアガス流量制御バルブ712の開度を調整して,所定の流量のキャリアガスをキャリアガス供給管710を介してキャリアガス供給源300からキャリアガス室460内に供給することが好ましい。また,加熱手段450も動作を開始させておき,気化室430内の温度を所定値に調整しておくことが好ましい。
原料液室410内が液状原料で満たされたところで,圧電素子440の振動動作を開始させて,原料液室410の可撓性部材414に振動を与える。可撓性部材414が振動すると,原料液室410の内部空間412の容積に周期的な変化が生じ,内部空間412を満たしている液状原料に対して,可撓性部材414の撓み量に応じた吐出圧力が周期的に加えられる。これにより,複数の原料吐出ノズル420から液状原料の液滴が連続して気化室430内に吐出される。
図5は,第1実施形態にかかる気化器401において,原料吐出ノズル420内の液状原料Lから液滴Dが分離して原料吐出ノズル420の先端から吐出された瞬間の状態を表した概念図である。図5では,キャリアガスの流れの方向を白抜き矢印で概略的に示し,液滴Dの飛行方向を黒矢印で概略的に示している。図5に示すように,原料吐出ノズル420から吐出された液滴Dは,近傍のキャリアガス噴出口464から噴出するキャリアガスから推進力を受け原料吐出ノズル420の長手方向に沿って気化室430内を飛行する。
原料吐出ノズル420から吐出された液滴Dの水平方向のサイズWhは,原料吐出ノズル420の内径で規定される。上述のように,本実施形態にかかる原料吐出ノズル420の吐出口は極めて細く,例えば直径20μmであるため,液滴Dの水平方向のサイズWhは,20μmに近い値となる。一方,液滴Dの垂直方向のサイズWvは,原料吐出ノズル420から押し出される液状原料の量によって決まる。そして,この量は原料液室410の可撓性部材414の撓み量すなわち圧電素子440の振幅(変位量)で調整することができる。したがって,本実施形態では,圧電素子440に加える電圧値を制御して圧電素子440の振幅を調整し,液滴Dの垂直方向のサイズWvを例えば20μmに定めるようにする。このようにして,水平方向のサイズWhと垂直方向のサイズWvがともに小さく調整された微小サイズの液滴Dを形成することができる。
また,本実施形態にかかる気化器401は,液滴Dを吐出する原料吐出ノズル420を多数備えており,原料吐出ノズル420の数と同数の液滴Dを一度に気化室430内に吐出することができる。したがって,液滴Dが微小であっても気化室430内で多数の液滴を気化することによって,十分な流量の原料ガスを生成することができる。
なお,原料ガスの流量については,圧電素子440の振動周波数を制御することによって調整できる。例えば振動周波数を高めると,単位時間当たりに各原料吐出ノズル420から吐出される液滴の数が増加して,これに応じて原料ガスの流量が増加する。なお,圧電素子440の振動周波数の調整については,固有振動数を考慮する必要があり,例えば固有振動数の三分の一以下とすることが好ましい。
各原料吐出ノズル420から次々と吐出された微小な液滴は,所定温度に調整されている気化室430内の雰囲気に接することによって,気化室430内を飛行している間に気化して,原料ガスに変化する。このようにして生成された原料ガスは,気化室430の壁面に形成されている原料ガス導出口432から原料ガス供給管720を経由して成膜室500に導かれる。なお,成膜室500に導入される原料ガスの流量は,原料ガス供給管720に備えられた原料ガス流量制御バルブ722の開度を制御することによって調整できる。
成膜室500に導かれた原料ガスは,シャワーヘッド514の内部空間514Aに導入され,ガス吐出孔514Bからサセプタ502上のウエハWに向けて吐出される。そして,ウエハW上に所定の膜,例えば有機金属化合物を含む膜が形成される。
以上のように,第1実施形態にかかる気化器401によれば,各原料吐出ノズル420から微小な液滴を気化室430に吐出することができるため,すべての液滴を確実に気化することができる。したがって,パーティクルを含まない良質な原料ガスを成膜室500に供給することができる。
また,複数の原料吐出ノズル420から微小な液滴を連続的に吐出することができるため,成膜室500において実施される成膜処理に必要な流量の原料ガスを安定的に生成することができる。しかも,各原料吐出ノズル420から吐出される複数の液滴は,気化室430で結合して大きな液滴になることはないため,確実に気化することができる。
また,気化室430に吐出される液滴は微小であるため,液滴は気化室430内を長く飛行することなく気化する。したがって,気化室430の長手方向のサイズを抑えることができ,結果的に気化器401を小型化することができる。
なお,液状原料供給源200から原料液室410内に供給される液状原料の流量が多すぎると,原料液室410内の液状原料に過大な圧力がかかってしまい,圧電素子440の振幅によって調整されるべき液滴Dの垂直方向のサイズWvが大きくなるおそれがある。逆に,液状原料の流量が少なすぎると,原料液室410に空間が生じてしまい,各原料吐出ノズル420から吐出される液滴Dの垂直方向のサイズWvにばらつきが生じてしまう可能性がある。したがって,液状原料供給源200から原料液室410内に供給される液状原料の流量は,各原料吐出ノズル420から単位時間あたりに吐出される液滴の数と液滴のサイズ,すなわち圧電素子440の振幅と振動周波数に応じて調整されることが好ましい。
(第2実施形態にかかる気化器)
次に,本発明の第2実施形態にかかる気化器について図面を参照しながら説明する。図6は第2実施形態にかかる気化器402の概略構成例を示す縦断面図である。第1実施形態では気化室430の側壁に原料ガス導出口432を設ける場合について説明したが,第2実施形態では気化室434の底部に原料ガス導出口436を設ける場合について説明する。なお,原料液室410,原料吐出ノズル420,圧電素子(加圧手段,振動手段)440,キャリアガス室460の構成は,上記第1実施形態と同様であるのでその詳細な説明を省略する。
第2実施形態にかかる気化室434は,略円筒形に構成され,その底部は原料ガス導出口436に向けて断面の径が小さくなるように構成される。原料ガス導出口436には原料ガス供給管720が接続されており,気化室434で生成された原料ガスは原料ガス供給管720を介して成膜室500に導入されるようになっている。
また,気化室434は,各原料吐出ノズル420から吐出された液状原料の液滴を原料ガス導出口436の方向へ案内する複数の案内孔438を有している。各案内孔438の入口は,各原料吐出ノズル420の吐出口とキャリアガス噴出口464に対向している。
ここで,液状原料の吐出方向に直交する平面方向についての各原料吐出ノズル420,各キャリアガス噴出口464,および各案内孔438との位置関係について図面を参照しながら説明する。図7は,図6の気化器402のA−A断面を示している。図7に示すように,複数の原料吐出ノズル420,複数のキャリアガス噴出口464,および複数の案内孔438は同数であり,それぞれは気化室434の平面方向全域にわたり,かつ偏りがないように配置されている。
このように,原料吐出ノズル420を配置するキャリアガス噴出口464のそれぞれに対向するように案内孔438を設けることによって,各原料吐出ノズル420から吐出された液状原料の液滴は1滴ずつ,各キャリアガス噴出口464から噴出されたキャリアガスと共に,それぞれ対応する案内孔438に確実に導入させることができ,他の原料吐出ノズル420から吐出された液滴と混ざり合うことなく,案内孔438を確実に飛行させることができる。これにより,各原料吐出ノズル420から吐出された液状原料の液滴の気化効率をより向上させることができる。
気化室434には,円筒状の側壁および底部形状に沿ってその周りを覆うように加熱手段454が備えられている。この加熱手段454によって,気化室434内の特に各案内孔438内の雰囲気,ここでは特に各案内孔438内の雰囲気を液体原料の液滴が気化するのに適切な温度に調整することができる。具体的には,気化室434内の雰囲気を,液状原料の気化温度より高く,液状原料が固化してしまう分解温度より低い温度に調整することが好ましい。なお,この加熱手段454として,例えばカートリッジ型やテープ型などの抵抗加熱式のヒータを用いることができる。
このような第2実施形態にかかる気化器402によれば,各案内孔438内で液滴を一滴ずつ確実に気化させることができる。また,複数の原料吐出ノズル420から同時に吐出された複数の液滴はそれぞれ別個の案内孔438内に導かれるため,相互に結合することはない。したがって,大きい液滴が気化室434内に存在しなくなり,液滴の気化不良の発生を完全に防ぐことができる。これによって,パーティクルを含まない,より良質な原料ガスを成膜室500に供給することができる。
また,各案内孔438には液滴と共にキャリアガスが導入されるため,各案内孔438に導入された液滴を,各案内孔438の内壁に接触させることなく気化させることができる。したがって,案内孔438の内壁に液滴が付着することを防止できるので,液滴の熱分解物に起因するパーティクルの発生も防止できる。
(第3実施形態にかかる気化器)
次に,本発明の第3実施形態にかかる気化器について図面を参照しながら説明する。図8は第3実施形態にかかる気化器403の概略構成例を示す縦断面図である。第1実施形態ではキャリアガス噴出口464内に原料吐出ノズル420の吐出口を配置する場合について説明したが,第3実施形態では原料吐出ノズル420の吐出口の周囲近傍に複数のキャリアガス噴出口470を配置する場合について説明する。なお,原料液室410,原料吐出ノズル420,気化室430,圧電素子(加圧手段,振動手段)440,加熱手段450の構成は,第1実施形態と同様であるのでその詳細な説明を省略する。
第3実施形態にかかるキャリアガス室466のキャリアガス噴出口470は,例えば図8に示すようにキャリアガス室466の底部468に形成され,各原料吐出ノズル420の吐出口の周りに複数配置される。このような各原料吐出ノズル420の吐出口と各キャリアガス噴出口470の配置例を図9に示す。図9は,図8の気化器403のA−A断面を矢印方向から見た図である。
図9に示すように,キャリアガス噴出口470の数を原料吐出ノズル420の数よりも多くし,各原料吐出ノズル420の吐出口の周囲に複数(例えば6個)のキャリアガス噴出口470を配置する。これによれば,各原料吐出ノズル420から吐出される液滴は,その周囲のキャリアガス噴出口470から噴出されるキャリアガスの流れに乗るので,液滴の飛行方向を確実にコントロールすることができる。また,各原料吐出ノズル420の吐出口の周囲に複数のキャリアガス噴出口470を配置するので,各原料吐出ノズル420の間隔を広くとることができる。これにより,液滴同士の結合を防止することができ,各液滴を1滴ずつ確実に気化することができる。
図10は,図8に示す1つの原料吐出ノズル420とその周りの複数のキャリアガス噴出口470との配置関係を示す斜視図である。図10に示すように,各原料吐出ノズル420の周囲には,複数(ここでは6個)のキャリアガス噴出口470が配置されている。この構成によって,各キャリアガス噴出口470は,各原料吐出ノズル420の周囲近傍からキャリアガスを噴出することができる。また,各キャリアガス噴出口470から噴出されるキャリアガスの流れの方向は,例えば各原料吐出ノズル420から吐出される液滴の方向に平行になるように調整される。図10では,キャリアガスの流れの方向を白抜き矢印で概略的に示し,液状原料の流れの方向を破線矢印で概略的に示している。
図11は,第3実施形態にかかる気化器403において,原料吐出ノズル420内の液状原料Lから液滴Dが分離して原料吐出ノズル420の先端から吐出された瞬間の状態を表した概念図である。図11では,キャリアガスの流れの方向を白抜き矢印で概略的に示し,液滴Dの飛行方向を黒矢印で概略的に示している。図11に示すように,原料吐出ノズル420から吐出された液滴Dは,近傍のキャリアガス噴出口470から噴出するキャリアガスによって原料吐出ノズル420の長手方向沿って気化室430内を飛行する。
このように,各原料吐出ノズル420の吐出口の周囲近傍にキャリアガスの流れを形成することによって,各原料吐出ノズル420から吐出された液状原料の液滴を各原料吐出ノズル420の長手方向に沿って飛行させることができる。このように,各液滴の飛行方向が安定すれば,液滴同士の結合の確率を低下させることができ,微小サイズの液滴をそのまま維持することができる。この結果,各液滴をより確実に気化することができる。
このような第3実施形態にかかる気化器403によっても,上記第1及び第2実施形態の場合と同様に,各原料吐出ノズル420から微小な液滴を気化室430に吐出することができるため,すべての液滴を確実に気化することができる。したがって,パーティクルを含まない良質な原料ガスを成膜室500に供給することができる。
また,複数の原料吐出ノズル420から微小な液滴を連続的に吐出することができるため,成膜室500において実施される成膜処理に必要な流量の原料ガスを安定的に生成することができる。しかも,各原料吐出ノズル420から吐出される複数の液滴は,気化室430で結合して大きな液滴になることはないため,確実に気化することができる。
また,気化室430に吐出される液滴は微小であるため,液滴は気化室430内を長く飛行することなく気化する。したがって,気化室430の長手方向のサイズを抑えることができ,結果的に気化器403を小型化することができる。
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば,上記第1〜第3実施形態では,原料ガス種が一種類のみであるとして説明しているが,複数の原料ガス種を用いて成膜を行ってもよい。この場合には,上記原料供給系を複数設け,これらから供給される複数の液状原料を混合して気化器に供給してもよい。また,複数の気化器を設けて,これらの気化器を液状原料毎に専用の気化器としてもよい。
また,上記第1〜第3実施形態では,成膜装置に用いられる気化器について説明したが,必ずしもこれに限定されるものではなく,その他の装置例えばMOCVD装置,プラズマCVD装置,ALD(原子層成膜)装置などで用いられる気化器に適用してもよい。
本発明は,液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器およびこれらの成膜装置に適用可能である。
本発明の第1実施形態にかかる成膜装置の概略構成例を示すブロック図である。 同実施形態にかかる気化器の概略構成例を示す縦断面図である。 図2に示す気化器のA−A断面図である。 図2に示す1つの原料吐出ノズルとキャリアガス噴出口との配置関係を示す斜視図である。 同実施形態にかかる原料吐出ノズルの先端から液滴が吐出された瞬間の状態を表した概念図である。 第2実施形態にかかる気化器の概略構成例を示す縦断面図である。 図6に示す気化器のA−A断面図である。 第3実施形態にかかる気化器の概略構成例を示す縦断面図である。 図8に示す気化器のA−A断面図である。 図8に示す1つの原料吐出ノズルとその周りのキャリアガス噴出口との配置関係を示す斜視図である。 同実施形態にかかる原料吐出ノズルの先端から液滴が吐出された瞬間の状態を表した概念図である。
符号の説明
100 成膜装置
200 液状原料供給源
300 キャリアガス供給源
401,402,403 気化器
410 原料液室
412 内部空間
414 可撓性部材
416,462,468 底部
420 原料吐出ノズル
430,434, 気化室
432,436 原料ガス導出口
438 案内孔
440 圧電素子
450,454 加熱手段
460,466 キャリアガス室
464,470 キャリアガス噴出口
500 成膜室
500A 天壁
500B 底壁
502 サセプタ
504 支持部材
506 ヒータ
508 電源
510 排気ポート
512 排気系
514 シャワーヘッド
514A 内部空間
514B ガス吐出孔
600 制御部
700 液状原料供給管
702 液状原料流量制御バルブ
710 キャリアガス供給管
712 キャリアガス流量制御バルブ
720 原料ガス供給管
722 原料ガス流量制御バルブ
D 液滴
L 液状原料
W ウエハ

Claims (14)

  1. 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
    前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
    前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
    前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,
    を備えたことを特徴とする気化器。
  2. 前記各吐出口の直径は,前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標サイズに応じて設定されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
  3. 前記各吐出口の直径は,20μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の気化器。
  4. 前記各吐出口は,前記液状原料の吐出方向が相互に平行になるように,かつ,前記液状原料の吐出方向に直交する平面方向に広がりをもって配置されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
  5. 前記各吐出口が配置される領域は,前記気化室の前記平面方向の広さに応じて設定されることを特徴とする請求項4に記載の気化器。
  6. 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
    前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
    前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
    前記原料液室を区画する壁の一部を構成する可撓性部材と,
    前記可撓性部材を振動させて,前記原料液室内の前記液状原料に周期的な吐出圧力を加える振動手段と,
    を備えたことを特徴とする気化器。
  7. 前記振動手段は,圧電素子で構成されることを特徴とする請求項6に記載の気化器。
  8. 前記振動手段の振幅は,前記複数の原料吐出ノズルの数と前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標サイズに応じて設定されることを特徴とする請求項6に記載の気化器。
  9. 前記振動手段の振動周期は,単位時間あたりに前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標数に応じて設定されることを特徴とする請求項6に記載の気化器。
  10. 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
    前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
    前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
    前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,
    前記各吐出口の近傍にキャリアガスを噴出するキャリアガス噴出口と,
    を備えたことを特徴とする気化器。
  11. 前記キャリアガス噴出口を前記吐出口の数と同じ数だけ設け,
    前記キャリアガス噴出口の径を前記吐出口の径よりも大きく構成して,前記各吐出口をそれぞれ前記各キャリアガス噴出口内に配置したことを特徴とする請求項10に記載の気化器。
  12. 前記キャリアガス噴出口を前記吐出口の数よりも多く設け,前記各吐出口の周りにそれぞれ前記キャリアガス噴出口を複数配置したことを特徴とする請求項10に記載の気化器。
  13. 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
    前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
    前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
    前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,
    前記気化室から原料ガスを導出する導出口と,を備え,
    前記気化室は,前記各吐出口から吐出された前記液状原料の液滴を前記導出口の方向へ案内する複数の案内孔を有し,
    前記各案内孔の入口は,前記各吐出口に対向することを特徴とする気化器。
  14. 液状原料を供給する原料供給系と,前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器と,前記気化器から供給される前記原料ガスを導入して被処理基板に対して成膜処理を行う成膜室とを有する成膜装置であって,
    前記気化器は,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,を備えることを特徴とする成膜装置。
JP2006283281A 2006-10-18 2006-10-18 気化器および成膜装置 Expired - Fee Related JP5059371B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006283281A JP5059371B2 (ja) 2006-10-18 2006-10-18 気化器および成膜装置
PCT/JP2007/065344 WO2008047506A1 (fr) 2006-10-18 2007-08-06 Vaporisateur et appareil de formation de film
CN2007800388890A CN101529564B (zh) 2006-10-18 2007-08-06 汽化器和成膜装置
KR1020097008001A KR101054595B1 (ko) 2006-10-18 2007-08-06 기화기 및 성막 장치
TW096138909A TW200832544A (en) 2006-10-18 2007-10-17 Vaporizer and film forming apparatus
US12/426,121 US20090229525A1 (en) 2006-10-18 2009-04-17 Vaporizer and film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006283281A JP5059371B2 (ja) 2006-10-18 2006-10-18 気化器および成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008103441A true JP2008103441A (ja) 2008-05-01
JP5059371B2 JP5059371B2 (ja) 2012-10-24

Family

ID=39313757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006283281A Expired - Fee Related JP5059371B2 (ja) 2006-10-18 2006-10-18 気化器および成膜装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090229525A1 (ja)
JP (1) JP5059371B2 (ja)
KR (1) KR101054595B1 (ja)
CN (1) CN101529564B (ja)
TW (1) TW200832544A (ja)
WO (1) WO2008047506A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010003976A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Stanley Electric Co Ltd 成膜装置
WO2010038515A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 東京エレクトロン株式会社 気化器およびそれを用いた成膜装置
JP2020012197A (ja) * 2018-07-13 2020-01-23 バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー 流れ分配器を備える蒸気輸送コンテナ

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8132793B2 (en) * 2008-09-12 2012-03-13 Msp Corporation Method and apparatus for liquid precursor atomization
US8511583B2 (en) * 2010-02-05 2013-08-20 Msp Corporation Fine droplet atomizer for liquid precursor vaporization
KR101615585B1 (ko) * 2011-12-20 2016-04-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기화 장치
KR20160141249A (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 세메스 주식회사 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6450469B2 (ja) * 2015-11-10 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 気化器、成膜装置及び温度制御方法
CN106345367B (zh) * 2016-08-29 2018-12-21 胡晓萍 液滴分散装置
CN107070293A (zh) * 2017-05-23 2017-08-18 中国科学技术大学 基于压电蜂鸣片扰动的微液滴主动制备装置及方法
CN112626620B (zh) * 2020-12-13 2022-05-03 湖南德智新材料有限公司 一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003197531A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Seiko Epson Corp パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器
JP2004273873A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP2005129712A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Tokyo Electron Ltd シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288325A (en) * 1991-03-29 1994-02-22 Nec Corporation Chemical vapor deposition apparatus
US6396683B1 (en) * 2001-01-05 2002-05-28 Inventec Corporation Notebook computer with exchangeable LCD unit
US7129931B2 (en) * 2001-09-14 2006-10-31 Pappas Nicholas J Multipurpose computer display system
JP3822135B2 (ja) * 2002-05-13 2006-09-13 日本パイオニクス株式会社 気化供給装置
JP4607474B2 (ja) * 2004-02-12 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003197531A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Seiko Epson Corp パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器
JP2004273873A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP2005129712A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Tokyo Electron Ltd シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010003976A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Stanley Electric Co Ltd 成膜装置
WO2010038515A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 東京エレクトロン株式会社 気化器およびそれを用いた成膜装置
JP2010087169A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 気化器およびそれを用いた成膜装置
KR101240031B1 (ko) * 2008-09-30 2013-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기화기 및 이를 이용한 성막 장치
JP2020012197A (ja) * 2018-07-13 2020-01-23 バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー 流れ分配器を備える蒸気輸送コンテナ
JP6999609B2 (ja) 2018-07-13 2022-01-18 バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー 流れ分配器を備える蒸気輸送コンテナ

Also Published As

Publication number Publication date
CN101529564B (zh) 2010-12-15
WO2008047506A1 (fr) 2008-04-24
US20090229525A1 (en) 2009-09-17
TW200832544A (en) 2008-08-01
KR20090069305A (ko) 2009-06-30
KR101054595B1 (ko) 2011-08-04
JP5059371B2 (ja) 2012-10-24
CN101529564A (zh) 2009-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5059371B2 (ja) 気化器および成膜装置
WO2010038515A1 (ja) 気化器およびそれを用いた成膜装置
JP5213451B2 (ja) 小型エアゾールジェット流及びエアゾールジェット流配列構造
JP4553245B2 (ja) 気化器、成膜装置及び成膜方法
KR100749378B1 (ko) 성막 장치
KR20100021460A (ko) 열방식 제트 인쇄 방법 및 장치
US20110262650A1 (en) Vaporizing or atomizing of electrically charged droplets
JP4972657B2 (ja) 気化器及び成膜装置
JP2009527905A (ja) 直接液体注入デバイス
WO2009122966A1 (ja) 液体原料気化器及びそれを用いた成膜装置
JP2009246173A (ja) 気化器およびそれを用いた成膜装置
JPH10140356A (ja) 気化装置及びcvd装置
JP4652181B2 (ja) 気化器及び成膜装置
JP5203843B2 (ja) 気化器およびそれを用いた成膜装置
JP2006249490A (ja) 成膜装置用エアロゾル噴射装置および成膜装置
JP4334968B2 (ja) 成膜装置
JP2009185359A (ja) 液体原料気化装置及びそれを用いた成膜装置
JP2004273873A (ja) 半導体製造装置
JP2006135053A (ja) 気化器および成膜装置
JP2010067906A (ja) 気化器及びそれを用いた成膜装置
JP2002012975A (ja) 液体原料供給装置及びこれを用いた銅層形成方法
KR20220087235A (ko) 필터 유닛 및 기판 처리 장치
JP2004327758A (ja) 成膜装置
JP2004124195A (ja) Cvd成膜装置及びcvd成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120515

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120709

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120731

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120802

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5059371

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees