JP2008103441A - 気化器および成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液状原料が所定の圧力で供給される原料液室410と,原料液室内の液状原料を吐出するための複数の原料吐出ノズル420と,複数の原料吐出ノズルから吐出された液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室430と,原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,液状原料に吐出圧力を加える圧電素子440とを設けた。
【選択図】図2
Description
まず,本発明の第1実施形態にかかる成膜装置について図面を参照しながら説明する。図1は第1実施形態にかかる成膜装置100の概略構成例を示すブロック図である。この成膜装置100は,被処理基板例えば半導体ウエハ(以下,単に「ウエハ」ともいう)W上にCVD法により例えばHf(ハフニウム)酸化膜を成膜するものであり,Hfを含む液状原料を供給する液状原料供給源200と,キャリアガスを供給するキャリアガス供給源300と,液状原料供給源200から供給される液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器401と,気化器401が生成した原料ガスを用いてウエハWにHf酸化膜を形成する成膜室500と,成膜装置100の各部を制御する制御部600を備えている。
次に,本発明の第1実施形態にかかる気化器について図面を参照しながら説明する。図2は第1実施形態にかかる気化器401の概略構成例を示す縦断面図である。図2に示すように,気化器401は,液状原料が供給される原料液室410と,この原料液室410から吐出される液状原料の液滴を気化する気化室430を備える。原料液室410の内部空間412には,液状原料供給源200からの液状原料が所定の圧力で液状原料供給管700を介して供給されるようになっている。
以上のように構成された本実施形態にかかる成膜装置100の動作について図1,図2を参照しながら説明する。気化器401によって原料ガスを生成するにあたり,まず気化器401の原料液室410内を液状原料で満たす必要がある。そのために液状原料流量制御バルブ702の開度を調整して,所定の流量の液状原料を液状原料供給管700を介して液状原料供給源200から原料液室410内に供給する。この動作と並行して,キャリアガス流量制御バルブ712の開度を調整して,所定の流量のキャリアガスをキャリアガス供給管710を介してキャリアガス供給源300からキャリアガス室460内に供給することが好ましい。また,加熱手段450も動作を開始させておき,気化室430内の温度を所定値に調整しておくことが好ましい。
次に,本発明の第2実施形態にかかる気化器について図面を参照しながら説明する。図6は第2実施形態にかかる気化器402の概略構成例を示す縦断面図である。第1実施形態では気化室430の側壁に原料ガス導出口432を設ける場合について説明したが,第2実施形態では気化室434の底部に原料ガス導出口436を設ける場合について説明する。なお,原料液室410,原料吐出ノズル420,圧電素子(加圧手段,振動手段)440,キャリアガス室460の構成は,上記第1実施形態と同様であるのでその詳細な説明を省略する。
次に,本発明の第3実施形態にかかる気化器について図面を参照しながら説明する。図8は第3実施形態にかかる気化器403の概略構成例を示す縦断面図である。第1実施形態ではキャリアガス噴出口464内に原料吐出ノズル420の吐出口を配置する場合について説明したが,第3実施形態では原料吐出ノズル420の吐出口の周囲近傍に複数のキャリアガス噴出口470を配置する場合について説明する。なお,原料液室410,原料吐出ノズル420,気化室430,圧電素子(加圧手段,振動手段)440,加熱手段450の構成は,第1実施形態と同様であるのでその詳細な説明を省略する。
200 液状原料供給源
300 キャリアガス供給源
401,402,403 気化器
410 原料液室
412 内部空間
414 可撓性部材
416,462,468 底部
420 原料吐出ノズル
430,434, 気化室
432,436 原料ガス導出口
438 案内孔
440 圧電素子
450,454 加熱手段
460,466 キャリアガス室
464,470 キャリアガス噴出口
500 成膜室
500A 天壁
500B 底壁
502 サセプタ
504 支持部材
506 ヒータ
508 電源
510 排気ポート
512 排気系
514 シャワーヘッド
514A 内部空間
514B ガス吐出孔
600 制御部
700 液状原料供給管
702 液状原料流量制御バルブ
710 キャリアガス供給管
712 キャリアガス流量制御バルブ
720 原料ガス供給管
722 原料ガス流量制御バルブ
D 液滴
L 液状原料
W ウエハ
Claims (14)
- 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,
を備えたことを特徴とする気化器。 - 前記各吐出口の直径は,前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標サイズに応じて設定されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 前記各吐出口の直径は,20μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の気化器。
- 前記各吐出口は,前記液状原料の吐出方向が相互に平行になるように,かつ,前記液状原料の吐出方向に直交する平面方向に広がりをもって配置されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 前記各吐出口が配置される領域は,前記気化室の前記平面方向の広さに応じて設定されることを特徴とする請求項4に記載の気化器。
- 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
前記原料液室を区画する壁の一部を構成する可撓性部材と,
前記可撓性部材を振動させて,前記原料液室内の前記液状原料に周期的な吐出圧力を加える振動手段と,
を備えたことを特徴とする気化器。 - 前記振動手段は,圧電素子で構成されることを特徴とする請求項6に記載の気化器。
- 前記振動手段の振幅は,前記複数の原料吐出ノズルの数と前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標サイズに応じて設定されることを特徴とする請求項6に記載の気化器。
- 前記振動手段の振動周期は,単位時間あたりに前記気化室内に吐出される前記液状原料の液滴の目標数に応じて設定されることを特徴とする請求項6に記載の気化器。
- 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,
前記各吐出口の近傍にキャリアガスを噴出するキャリアガス噴出口と,
を備えたことを特徴とする気化器。 - 前記キャリアガス噴出口を前記吐出口の数と同じ数だけ設け,
前記キャリアガス噴出口の径を前記吐出口の径よりも大きく構成して,前記各吐出口をそれぞれ前記各キャリアガス噴出口内に配置したことを特徴とする請求項10に記載の気化器。 - 前記キャリアガス噴出口を前記吐出口の数よりも多く設け,前記各吐出口の周りにそれぞれ前記キャリアガス噴出口を複数配置したことを特徴とする請求項10に記載の気化器。
- 液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,
前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,
前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,
前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,
前記気化室から原料ガスを導出する導出口と,を備え,
前記気化室は,前記各吐出口から吐出された前記液状原料の液滴を前記導出口の方向へ案内する複数の案内孔を有し,
前記各案内孔の入口は,前記各吐出口に対向することを特徴とする気化器。 - 液状原料を供給する原料供給系と,前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化器と,前記気化器から供給される前記原料ガスを導入して被処理基板に対して成膜処理を行う成膜室とを有する成膜装置であって,
前記気化器は,液状原料が所定の圧力で供給される原料液室と,前記原料液室内の液状原料を吐出するための複数の吐出口と,前記複数の吐出口から吐出された前記液状原料を気化して原料ガスを生成する気化室と,前記原料液室の内部空間の容積を周期的に変化させて,前記液状原料に吐出圧力を加える加圧手段と,を備えることを特徴とする成膜装置。
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---|---|---|---|---|
JP2010003976A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置 |
WO2010038515A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
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KR20160141249A (ko) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 세메스 주식회사 | 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003197531A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2004273873A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2005129712A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
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US7129931B2 (en) * | 2001-09-14 | 2006-10-31 | Pappas Nicholas J | Multipurpose computer display system |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2003197531A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2004273873A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2005129712A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010003976A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置 |
WO2010038515A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
JP2010087169A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
KR101240031B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2013-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기화기 및 이를 이용한 성막 장치 |
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