JP3822135B2 - 気化供給装置 - Google Patents
気化供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3822135B2 JP3822135B2 JP2002136892A JP2002136892A JP3822135B2 JP 3822135 B2 JP3822135 B2 JP 3822135B2 JP 2002136892 A JP2002136892 A JP 2002136892A JP 2002136892 A JP2002136892 A JP 2002136892A JP 3822135 B2 JP3822135 B2 JP 3822135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- cvd raw
- cvd
- vaporization
- vaporizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title claims description 81
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims description 72
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 104
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropane Chemical compound CCCOCC NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutane Chemical compound CCCCOC CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N 5-ethylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+) Chemical compound [Ru+2].CC[C-]1C=CC=C1.CC[C-]1C=CC=C1 OXJUCLBTTSNHOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDKTXORJIVKDX-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)O[Zr] Chemical compound CC(C)(C)O[Zr] UTDKTXORJIVKDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCZPHVPIOWNERS-UHFFFAOYSA-N CCCO[Ti] Chemical compound CCCO[Ti] RCZPHVPIOWNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHKHMOXIOVURDV-UHFFFAOYSA-N CO[P] Chemical compound CO[P] GHKHMOXIOVURDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASPHKWBSLRLVHT-UHFFFAOYSA-N C[Au](OCCCCC)C Chemical compound C[Au](OCCCCC)C ASPHKWBSLRLVHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXDZWIUQGOILGY-UHFFFAOYSA-N C[Pt](C1(C=CC=C1)CC)(C)C Chemical compound C[Pt](C1(C=CC=C1)CC)(C)C ZXDZWIUQGOILGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCXZUOIMVATIKY-UHFFFAOYSA-N [Cu].C[Si](C)(C)C=C Chemical compound [Cu].C[Si](C)(C)C=C OCXZUOIMVATIKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMCDPJBMKMIPCP-UHFFFAOYSA-N [Sr].CC(C)O[Ta](OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C.CC(C)O[Ta](OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound [Sr].CC(C)O[Ta](OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C.CC(C)O[Ta](OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C WMCDPJBMKMIPCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFJKHPLWPKGHQP-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ta+6].[Ta+6].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] Chemical compound [Sr].[Ta+6].[Ta+6].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] OFJKHPLWPKGHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- UXDJAZOVQLXLJJ-UHFFFAOYSA-N cycloocta-1,5-diene;ethylcyclopentane;iridium Chemical compound [Ir].CC[C]1[CH][CH][CH][CH]1.C1CC=CCCC=C1 UXDJAZOVQLXLJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTILUDNICMILKJ-UHFFFAOYSA-N niobium(v) ethoxide Chemical compound CCO[Nb](OCC)(OCC)(OCC)OCC ZTILUDNICMILKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical class CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- RLJWTAURUFQFJP-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O RLJWTAURUFQFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRMGPHYEHNLCQW-UHFFFAOYSA-N propan-2-ylcyclopentane;tungsten Chemical compound [W].CC(C)[C]1[CH][CH][CH][CH]1.CC(C)[C]1[CH][CH][CH][CH]1 VRMGPHYEHNLCQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXMNGLIMQIPFEB-UHFFFAOYSA-N tetraethoxygermane Chemical compound CCO[Ge](OCC)(OCC)OCC GXMNGLIMQIPFEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N triethyl stiborite Chemical compound [Sb+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYWCXWRMUZYRPH-UHFFFAOYSA-N trimethyl(prop-2-enyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CC=C HYWCXWRMUZYRPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHXAZZQXWJJBHA-UHFFFAOYSA-N triphenylbismuthane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Bi](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZHXAZZQXWJJBHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRFVTYUXJVLNLR-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylbutan-2-yloxy)bismuthane Chemical compound CCC(C)(C)O[Bi](OC(C)(C)CC)OC(C)(C)CC DRFVTYUXJVLNLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YREWUNQFLSJEEG-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]bismuthane Chemical compound CC(C)(C)O[Bi](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C YREWUNQFLSJEEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
- Y10S261/65—Vaporizers
Description
【課題を解決するための手段】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置(CVD装置)にガス状のCVD原料を供給するための気化供給装置に関する。さらに詳細には、液体CVD原料、または固体CVD原料を有機溶媒に溶解させたCVD原料を、所望の濃度及び流量で効率よく気化し、半導体製造装置に気化供給するための気化供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体分野においては、半導体メモリー用の酸化物系誘電体膜として、高誘電率を有しステップカバレッジ性が高いチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)膜、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)膜、タンタル酸ストロンチウムビスマス(SBT)膜、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)膜等が用いられている。これらの半導体薄膜のCVD原料としては、例えばPb源としてPb(DPM)2(固体原料)、Zr源としてZr(OC(CH3)3)4(液体原料)、Zr(DPM)4(固体原料)、Ti源としてTi(OCH(CH3)2)4(液体原料)、Ti(OCH(CH3)2)2(DPM)2(固体原料)、Ba源としてBa(DPM)2(固体原料)、Sr源としてSr(DPM)2(固体原料)が用いられている。
【0003】
CVD原料として液体原料を使用する場合、通常は、液体原料が、液体流量制御部を経由して、キャリアガスとともに気化器に供給され、気化器でガス状にされた後、CVD装置に供給される。しかし、液体原料は、一般的に蒸気圧が低く、粘度が高く、気化温度と分解温度が接近しているため、その品質を低下させることなく、しかも所望の濃度及び流量で効率よく気化させることは困難なことであった。また、固体原料は、高温に保持し昇華して気化供給することにより高純度の原料を得ることが可能であるが、工業的には充分な供給量を確保することが極めて困難であるため、通常はテトラヒドロフラン等の溶媒に溶解させて液体原料とすることにより気化させて使用している。しかし、固体原料は、気化温度が溶媒と大きく相異し、加熱により溶媒のみが気化して固体原料が析出しやすいので、液体原料の気化よりもさらに困難であった。
【0004】
このように固体原料を用いた半導体膜の製造は、高度の技術を必要とするが、高品質、高純度のものが期待できるため、これらの原料を劣化や析出をさせることなく効率よく気化する目的で、種々の気化器あるいは気化供給装置が開発されてきた。
このような気化器としては、例えば、CVD原料供給部のCVD原料との接触部が、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂で構成される気化器が、また、気化供給装置としては、前記のような気化器を有し、気化室の加熱時に加熱手段から熱伝導を受けるCVD原料供給部の金属構成部分が、冷却器により冷却可能な構成である気化供給装置が挙げられる(特願2001−349840)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
前記気化器は、CVD原料との接触部の構成材料を、耐熱性のほか、断熱性があり、CVD原料が付着しにくい特性を有する耐腐食性合成樹脂としたものであり、固体CVD原料を有機溶媒に溶解させた原料を用いた場合においても、急激な原料の加熱を防止できるので、溶媒のみが気化しCVD原料が析出することが少なく、99.9%以上の高い気化効率が得られる気化器である。また、前記気化供給装置は、前記気化器を有し、気化室の加熱時に気化器のCVD原料供給部を冷却する構成としたものであり、CVD原料の析出防止効果をさらに向上させた気化供給装置である。
【0006】
しかしながら、このような気化器あるいは気化供給装置は、CVD原料供給部内に固体CVD原料が析出、付着することを防止できる効果があるが、CVD原料に伴って供給されるキャリアガスの供給量を減少させると、その他の気化器と同様に、溶媒のみが気化する傾向が大きくなり、気化室内に固体CVD原料が析出し付着する虞があった。しかし、化学気相成長においては、CVD原料を高濃度で供給することによりその利用効率を上げることが好ましい。
従って、本発明が解決しようとする課題は、CVD原料に伴って供給されるキャリアガスの供給量を減少させて気化供給を行なう場合であっても、気化室内における固体CVD原料の析出、付着を防止することができ、所望の濃度及び流量で極めて効率よく気化供給することが可能な気化供給装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、液体流量制御部と気化器の間に、CVD原料の圧力損失を生じさせる手段としてフィルターを設けることにより、気化室内の圧力変動及び液体流量制御部の流量変動が小さくなり安定するとともに、気化室内における固体CVD原料の析出、付着を防止することができ、所望の濃度及び流量で極めて効率よく気化供給できることを見い出し本発明に到達した。
【0008】
すなわち本発明は、CVD原料を、液体流量制御部を経由して気化器に供給し、気化させて半導体製造装置へ供給する気化供給装置であって、液体流量制御部と気化器の間に、CVD原料の圧力損失を生じさせる手段としてフィルターを備えてなることを特徴とする気化供給装置である。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は、液体CVD原料、または液体CVD原料あるいは固体CVD原料を溶媒に溶解させたCVD原料を気化させて、半導体製造装置に供給する気化供給装置に適用されるが、特に固体CVD原料を使用する場合において、CVD原料に伴って供給されるキャリアガスの供給量を減少させても、気化室内の圧力変動及び液体流量制御部の流量変動が小さくなり、気化室内における固体CVD原料の析出、付着を防止できる点で効果を発揮する。
【0010】
本発明の気化供給装置は、液体流量制御部と気化器の間に、CVD原料の圧力損失を生じさせる手段を備えた気化供給装置である。
【0011】
本発明の気化供給装置に適用できるCVD原料は、常温、常圧で液体であってもまた固体を溶媒に溶解したものであっても、液状を保持し得るものであれば特に制限はなく、用途に応じて適宜選択、使用される。例えばテトラiso-プロポキシチタン(Ti(OCH(CH3)2)4)、テトラn-プロポキシチタン(Ti(OC3H7)4)、テトラtert-ブトキシジルコニウム(Zr(OC(CH3)3)4)、テトラn-ブトキシジルコニウム(Zr(OC4H9)4)、テトラメトキシバナジウム(V(OCH3)4)、トリメトキシバナジルオキシド(VO(OCH3)3)、ペンタエトキシニオブ(Nb(OC2H5)5)、ペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5)、トリメトキシホウ素(B(OCH3)3)、トリiso-プロポキシアルミニウム(Al(OCH(CH3)2)3)、テトラエトキシケイ素(Si(OC2H5)4)、テトラエトキシゲルマニウム(Ge(OC2H5)4)、テトラメトキシスズ(Sn(OCH3)4)、トリメトキシリン(P(OCH3)3)、トリメトキシホスフィンオキシド(PO(OCH3)3)、トリエトキシヒ素(As(OC2H5)3)、トリエトキシアンチモン(Sb(OC2H5)3)等の常温、常圧で液体のアルコキシドを挙げることができる。
【0012】
また、前記のほかに、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)、ジメチルアルミニウムハイドライド(Al(CH3)2H)、トリiso-ブチルアルミニウム(Al(iso-C4H9)3)、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン((CF3CO)2CHCu・CH2CHSi(CH3)3)、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅アリルトリメチルシラン((CF3CO)2CHCu・CH2CHCH2Si(CH3)3)、ビス(iso-プロピルシクロペンタジエニル)タングステンジハライド((iso-C3H7C5H5)2WH2)、テトラジメチルアミノジルコニウム(Zr(N(CH3)2)4)、ペンタジメチルアミノタンタル(Ta(N(CH3)2)5)、ペンタジエチルアミノタンタル(Ta(N(C2H5)2)5)、テトラジメチルアミノチタン(Ti(N(CH3)2)4)、テトラジエチルアミノチタン(Ti(N(C2H5)2)4)等の常温、常圧で液体の原料を例示することができる。
【0013】
さらに、ヘキサカルボニルモリブデン(Mo(CO)6)、ジメチルペントオキシ金(Au(CH3)2(OC5H7))、ビスマス(III)ターシャリーブトキシド(Bi(OtBu)3)、ビスマス(III)ターシャリーペントキシド(Bi(OtAm)3)、トリフェニルビスマス(BiPh3)、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム(Ru(EtCp)2)、(エチルシクロペンタジエニル)(トリメチル)白金(Pt(EtCp)Me3)、1,5-シクロオクタジエン(エチルシクロペンタジエニル)イリジウム(Ir(EtCp)(cod))、ビス(ヘキサエトキシタンタル)ストロンチウム(St[Ta(OEt)6]2)、ビス(ヘキサイソプロポキシタンタル)ストロンチウム(St[Ta(OiPr)6]2)、トリス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)ランタン(La(DPM)3)、トリス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)イットリウム(Y(DPM)3)、トリス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)ルテニウム(Ru(DPM)3)、ビス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)バリウム(Ba(DPM)2)、ビス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)ストロンチウム(Sr(DPM)2)、テトラ(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)チタニウム(Ti(DPM)4)、テトラ(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)ジルコニウム(Zr(DPM)4)、テトラ(2,6,-ジメチル-3,5ヘプタンジオナイト)ジルコニウム(Zr(DMHD)4)、ビス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト)鉛(Pb(DPM)2)、(ジ-ターシャリーブトキシ)ビス(2,2,6,6,-テトラメチル-3.5.ヘプタンジオナイト)チタニウム(Ti(OtBu)2(DPM)2)、(ジ-イソプロポキシ)ビス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト)チタニウム(Ti(OiPr)2(DPM)2)、(イソプロポキシ)トリス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト)ジルコニウム(Zr(OiPr)(DPM)3)、(ジ-イソプロポキシ)トリス(2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイト)タンタル(Ta(OiPr)2(DPM)3)等の常温、常圧で固体の原料を例示することができる。ただし、これらは通常0.1〜1.0mol/L程度の濃度で有機溶媒に溶解して使用する必要がある。
【0014】
固体CVD原料の溶媒として用いられる前記有機溶媒は、通常はその沸点温度が40℃〜140℃の有機溶媒である。それらの有機溶媒として、例えば、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等のケトン、プロピルアミン、ブチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリエチルアミン等のアミン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素等を挙げることができる。
【0015】
次に、本発明の気化供給装置を、図1乃至図7に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
図1及び図2は本発明における気化器の例を示す断面図、図3は本発明の気化器のCVD原料供給部の例を示す断面図、図4は各々図3におけるa−a’面、b−b’面、c−c’面の断面図、図5は図3におけるA−A’面(CVD原料、キャリアガスを気化室へ噴出する面)の例を示す断面図、図6は本発明を適用できる気化供給装置の一例を示す構成図、図7は本発明におけるフィルターの例を示す断面図である。
【0016】
本発明における気化器は、図1、図2に示すように、CVD原料の気化室1、CVD原料を気化室に供給するためのCVD原料供給部2、気化ガス排出口3、及び気化室の加熱手段(ヒーター等)4を備えた気化器である。また、気化器は、これらとともに、CVD原料供給部の冷却手段5が備えられていることが好ましい。このような冷却手段としては、例えばCVD原料供給部の側面部に冷却水を流す配管等が挙げられる。
【0017】
また、気化器は、図1、図2に示すように、気化器の外部から気化器のCVD原料供給部にCVD原料供給管6及びキャリアガス供給管7が接続される。CVD原料供給部は、図3に示すように各々前記配管に接続されたCVD原料を流通する流路9、キャリアガスを流通する流路10、これらの2個の流路から合流したCVD原料及びキャリアガスを気化室へ噴出する混合流路11を有する。
【0018】
尚、気化器においては、図3(2)に示すように、キャリアガスを混合流路11の気化室噴出口の外周部から気化室へ噴出する流路12を設けることが好ましい。さらに流路12の噴出口の向きを、混合流路11の気化室噴出口へ向かって斜め下方向に設定することが好ましい。CVD原料供給部をこのような構成とすることにより、気化供給の際の気化室内の圧力変動及び液体マスフローコントローラーの流量変動がより小さくなり、極めて効率よく気化できるとともに、気化室内における固体CVD原料の析出、付着をさらに減少させることができる。
【0019】
また、気化器においては、CVD原料供給部の内部をフッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の合成樹脂、あるいは空洞とするとともに、気化器外部との接触部を金属とすることが好ましい。CVD原料供給部の内部を合成樹脂にする場合、図3(1)(2)のように合成樹脂13が配置される。また、CVD原料供給部の内部を空洞にする場合、図3(3)のように空洞14が形成される。このような構成とすることにより、CVD原料として固体CVD原料を有機溶媒に溶解させたものを使用した場合、ヒーター等の加熱手段により溶媒のみが急激に加熱されて流路内で気化することを防止することができる。
【0020】
本発明の気化供給装置は、CVD原料を、液体流量制御部を経由して気化器に供給し、気化させて半導体製造装置へ供給する気化供給装置であって、図6に示すように、脱ガス器20、液体マスフローコントローラー等の液体流量制御部21、気化器24、キャリアガス供給ライン26等により構成される。本発明の気化供給装置においては、液体流量制御部と気化器の間に、CVD原料の圧力損失を生じさせる手段が備えられる。
【0021】
本発明の気化供給装置において、液体流量制御部と気化器の間にCVD原料の圧力損失を生じさせる手段は、液体流量制御部と気化器の間の配管22の少なくとも一部に、図7に示すようなフィルターを設ける手段である。本発明の気化供給装置においては、CVD原料容器と気化器の間の90%以上のCVD原料の圧力損失を生じさせるものであることが好ましい。
【0022】
フィルターとしては、耐腐食性を有するものであれば特に限定されることはないが、通常は焼結金属フィルター、セラミックフィルター、フッ素樹脂フィルター等が使用される。また、フィルターは、直径0.01μmに相当するパーティクルを99.99%以上の除去率で除去できるものが好ましく、さらに直径0.001μmに相当するパーティクルを99.99%以上の除去率で除去できるものがより好ましい。市販されているフィルターとしては、例えば、ステンレスフィルター(日本パイオニクス(株)製、SLF−E,L,M,X)、テフロンメンブランフィルター(日本パイオニクス(株)製、XLF−D,E,L,M)を使用することができる。尚、以上のようなフィルターは複数個用いることもでき、また組合せて用いることもできる。
【0023】
【実施例】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
実施例1
図3(1)に示すような各流路を有し、内部がフッ素系樹脂(PFA)で構成され、気化器外部との接触部がステンレス鋼(SUS316)で構成されるCVD原料供給部を製作した。フッ素系樹脂の構成部は、外径16mm、高さ34.2mmの円柱状であり、その外側のステンレス鋼の厚みは2.0mmである。また、CVD原料の流路及びキャリアガスの流路はステンレス鋼製の配管からなり、これらの流路が合流して気化室へ通じるCVD原料及びキャリアガスの混合流路はフッ素系樹脂で構成されている。CVD原料の流路の内径は0.25mm、キャリアガスの流路の内径は1.8mm、CVD原料及びキャリアガスの混合流路の内径は0.25mmである。また、CVD原料及びキャリアガスの合流位置は、最下部から5mmに設定した。尚、CVD原料供給部の側面には、冷却水を流してCVD原料供給部を冷却することができる冷却管を設けた。
【0024】
前記のCVD原料供給部のほか、気化ガス排出口、気化室の加熱手段、及びヒーターが内蔵された突起を有する図1に示すようなステンレス製(SUS316)の気化器を製作した。尚、気化室は、内径が65mm、高さが92.5mmの円柱状で、底部の突起は高さ27.5mmであり、また底部から15mmの高さには気化ガス排出口を設けた。
次に、脱ガス器、液体マスフローコントローラー、キャリアガス供給ライン等を接続し、図6に示すような気化供給装置を製作した。尚、液体流量制御部と気化器の間の配管としては、内径1.8mm、長さ10cmのステンレス鋼製の配管を用い、さらにこの配管の途中にステンレスフィルター(日本パイオニクス(株)製、SLF−M、直径0.01μmの均一パーティクル除去率:99.9999999%)を設けた。
【0025】
前記のような気化供給装置を用いて以下のように気化供給試験を行なった。
気化室を1.3kPa(10torr)、250℃の温度とし、固体CVD原料であるZr(DPM)4を0.3mol/Lの濃度でTHF溶媒に溶解させたCVD原料を0.2g/minで供給するとともに、アルゴンガスを200ml/minの流量で供給し、気化室でCVD原料を気化させた。この間、CVD原料供給部のステンレス鋼の温度を30±2℃になるように冷却水を流した。
【0026】
10時間継続して気化供給試験を行なった後、CVD原料供給部の流路及び気化室の固体CVD原料の付着状態を調査したが、固体CVD原料の析出、付着は目視では確認できなかった。そのため、CVD原料の流路からTHFを供給し、固体CVD原料を洗い流してこれを回収した後、THFを蒸発させて固体CVD原料の重量を測定した。その結果を表1に示す。また、気化供給試験中の気化室内の圧力変動及び液体マスフローコントローラーの流量変動の測定結果を表1に示す。尚、圧力変動及び流量変動は、5分毎に最大変動率を測定しこれらを平均した値である。
【0027】
比較例1
実施例1における気化供給装置の製作において、フィルターを用いなかった以外は実施例1と同様にして気化供給装置を製作した。
【0028】
前記の気化供給装置を用いて、固体CVD原料であるZr(DPM)4を0.3mol/Lの濃度でTHF溶媒に溶解させたCVD原料を、実施例1と同様にして気化供給した。
10時間継続して気化供給試験を行なった後、実施例1と同様にして得られた固体CVD原料の重量、気化供給試験中の気化室内の圧力変動、及び液体マスフローコントローラーの流量変動の測定結果を表1に示す。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】
本発明の気化供給装置により、CVD原料に伴って供給されるキャリアガスの供給量を減少させて気化供給を行なう場合であっても、気化室内の圧力変動及び液体流量制御部の流量変動が小さくなり安定するとともに、気化室内における固体CVD原料の析出、付着を防止することができ、所望の濃度及び流量で極めて効率よく気化供給することが可能となった。その結果、化学気相成長等において、CVD原料を高濃度で半導体製造装置に気化供給することによりその利用効率を上げることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明における気化器の例を示す断面図
【図2】 本発明における図1以外の気化器の例を示す断面図
【図3】 本発明における気化器のCVD原料供給部の例を示す断面図
【図4】 図3におけるa−a’面、b−b’面、c−c’面の断面図
【図5】 図3におけるA−A’面(CVD原料、キャリアガスを気化室へ噴出する面)の例を示す断面図
【図6】 本発明の気化供給装置の一例を示す構成図
【図7】 本発明におけるフィルターの例を示す断面図
【符号の説明】
1 気化室
2 CVD原料供給部
3 気化ガス排出口
4 ヒーター
5 CVD原料供給部の冷却手段
6 CVD原料供給管
7 キャリアガス供給管
8 突起
9 CVD原料の流路
10 キャリアガスの流路
11 CVD原料及びキャリアガスの混合流路
12 キャリアガスの流路
13 合成樹脂構成部
14 空洞
15 CVD原料及びキャリアガスの気化室噴出口
16 キャリアガスの気化室噴出口
17 不活性ガス供給ライン
18 CVD原料
19 CVD原料容器
20 脱ガス器
21 液体マスフローコントローラー(液体流量制御部)
22 液体流量制御部と気化器の間の配管
23 断熱材
24 気化器
25 気体マスフローコントローラー
26 キャリアガス供給ライン
27 半導体製造装置
Claims (4)
- CVD原料を、液体流量制御部を経由して気化器に供給し、気化させて半導体製造装置へ供給する気化供給装置であって、液体流量制御部と気化器の間に、CVD原料の圧力損失を生じさせる手段としてフィルターを備えてなることを特徴とする気化供給装置。
- フィルターが、CVD原料容器と気化器の間の90%以上のCVD原料の圧力損失を生じさせるものである請求項1に記載の気化供給装置。
- フィルターが、直径0.01μmの均一パーティクルを99.99%以上の除去率で除去できるフィルターである請求項1に記載の気化供給装置。
- CVD原料が、固体CVD原料を有機溶媒に溶解させたCVD原料である請求項1に記載の気化供給装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002136892A JP3822135B2 (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 気化供給装置 |
US10/413,204 US7036801B2 (en) | 2002-05-13 | 2003-04-15 | Vaporizer and apparatus for vaporizing and supplying |
TW092112519A TW200401840A (en) | 2002-05-13 | 2003-05-08 | Vaporizer and apparatus for vaporizing and supplying |
KR1020030029762A KR100985656B1 (ko) | 2002-05-13 | 2003-05-12 | 기화기 및 기화 공급 장치 |
CNB031236499A CN1305113C (zh) | 2002-05-13 | 2003-05-12 | 气化器和气化供给装置 |
US11/345,525 US20060125129A1 (en) | 2002-05-13 | 2006-02-02 | Vaporizer and apparatus for vaporizing and supplying |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002136892A JP3822135B2 (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 気化供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332243A JP2003332243A (ja) | 2003-11-21 |
JP3822135B2 true JP3822135B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=29397538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002136892A Expired - Fee Related JP3822135B2 (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 気化供給装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7036801B2 (ja) |
JP (1) | JP3822135B2 (ja) |
KR (1) | KR100985656B1 (ja) |
CN (1) | CN1305113C (ja) |
TW (1) | TW200401840A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200453186Y1 (ko) * | 2009-07-23 | 2011-04-15 | 주식회사 테라세미콘 | 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7261118B2 (en) | 2003-08-19 | 2007-08-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and vessel for the delivery of precursor materials |
JP2005072195A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Watanabe Shoko:Kk | 気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたmocvd用気化器、及びキャリアガスの気化方法 |
JP4595356B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-12-08 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 有機金属化学気相堆積装置用原料気化器 |
US20060207503A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Paul Meneghini | Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery |
JP2005340405A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Asahi Denka Kogyo Kk | 化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法 |
KR100543711B1 (ko) * | 2004-06-19 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 열처리장치 |
JP2006080374A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sharp Corp | 窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体レーザ素子 |
JP2006128611A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Tri Chemical Laboratory Inc | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 |
JP4592373B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-12-01 | 株式会社トリケミカル研究所 | 導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法 |
JP3896594B2 (ja) | 2004-10-01 | 2007-03-22 | 株式会社ユーテック | Cvd用気化器、溶液気化式cvd装置及びcvd用気化方法 |
US7465475B2 (en) * | 2004-11-09 | 2008-12-16 | Eastman Kodak Company | Method for controlling the deposition of vaporized organic material |
EP1844178B1 (en) * | 2004-12-30 | 2016-03-09 | Msp Corporation | High accuracy vapor generation and delivery for thin film deposition |
JPWO2006095772A1 (ja) * | 2005-03-10 | 2008-08-14 | 株式会社ユーテック | 酸化亜鉛層の形成方法と、酸化亜鉛層形成装置と、酸化亜鉛層 |
JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
JP4299286B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
US8268078B2 (en) * | 2006-03-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system |
JP5681363B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2015-03-04 | ラサーク | 低蒸気圧ガスを送るためのベポライザー |
JP4605790B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-01-05 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 |
JP4973071B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5059371B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器および成膜装置 |
US9109287B2 (en) | 2006-10-19 | 2015-08-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Solid source container with inlet plenum |
JP2008196479A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sulzer Chemtech Ag | 排気ガス浄化システム |
JP4324619B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
EP2048261A1 (fr) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | ArcelorMittal France | Générateur de vapeur industriel pour le dépôt d'un revêtement d'alliage sur une bande métallique |
US8132793B2 (en) | 2008-09-12 | 2012-03-13 | Msp Corporation | Method and apparatus for liquid precursor atomization |
JP5350824B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-11-27 | 株式会社フジキン | 液体材料の気化供給システム |
WO2011133715A1 (en) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Rasirc | Apparatus and method for delivery of vapor |
US20130220221A1 (en) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for precursor delivery |
US9598766B2 (en) | 2012-05-27 | 2017-03-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Vessel with filter |
WO2014077073A1 (ja) | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 株式会社Adeka | モリブデンを含有する薄膜の製造方法、薄膜形成用原料及びモリブデンイミド化合物 |
WO2017056244A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
JP6675865B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2020-04-08 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化装置 |
SG11201807933QA (en) * | 2016-03-24 | 2018-10-30 | Kokusai Electric Corp | Vaporizer, substrate treatment apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
JP6806419B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-01-06 | 株式会社Kokusai Electric | 貯留容器、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US11458412B2 (en) * | 2018-01-17 | 2022-10-04 | Rasirc, Inc. | Controlled vapor delivery into low pressure processes |
CN108277477B (zh) * | 2018-01-25 | 2020-08-28 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 液体汽化装置及使用该液体汽化装置的半导体处理系统 |
KR102188388B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2020-12-08 | (주)에이텍솔루션 | 케미칼 저장 공간과 별도의 기화 공간을 구비한 기화기 |
CN111020528B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-11-19 | 苏州新材料研究所有限公司 | 采用mocvd工艺制备rebco高温超导带材的方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US43215A (en) * | 1864-06-21 | Improvement in vapor-stoves | ||
NL7805957A (nl) * | 1978-06-01 | 1979-12-04 | Unie Van Kunstmestfab Bv | Werkwijze en inrichting voor de bereiding van een ammoniumorthofosfaat bevattend produkt, alsmede produkt verkregen met deze werkwijze. |
US4271099A (en) * | 1979-10-01 | 1981-06-02 | Kukla Thomas S | Apparatus for thorough mixture of a liquid with a gas |
US4379097A (en) * | 1981-04-03 | 1983-04-05 | Leggett Wilbur P | Hydrotherapy jet unit |
US4977785A (en) * | 1988-02-19 | 1990-12-18 | Extrel Corporation | Method and apparatus for introduction of fluid streams into mass spectrometers and other gas phase detectors |
JPH06291040A (ja) * | 1992-03-03 | 1994-10-18 | Rintetsuku:Kk | 液体気化供給方法と液体気化供給器 |
DE4314507C1 (de) * | 1993-05-03 | 1994-06-23 | Voith Gmbh J M | Injektor für Flotationseinrichtungen |
US5951923A (en) * | 1996-05-23 | 1999-09-14 | Ebara Corporation | Vaporizer apparatus and film deposition apparatus therewith |
KR100507961B1 (ko) * | 1996-11-20 | 2005-11-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 액체원료기화시스템및가스분사장치 |
US6195504B1 (en) * | 1996-11-20 | 2001-02-27 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
US5901908A (en) * | 1996-11-27 | 1999-05-11 | Ford Motor Company | Spray nozzle for fluid deposition |
JPH10251853A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長装置 |
JPH11111644A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置 |
US6136725A (en) * | 1998-04-14 | 2000-10-24 | Cvd Systems, Inc. | Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate |
KR100368319B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2003-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액체운송장치 |
JP3410385B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2003-05-26 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置及び切削装置 |
JP4018841B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2007-12-05 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化器及び気化供給方法 |
KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
US6350320B1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Heater for processing chamber |
US7163197B2 (en) * | 2000-09-26 | 2007-01-16 | Shimadzu Corporation | Liquid substance supply device for vaporizing system, vaporizer, and vaporization performance appraisal method |
EP1211333A3 (en) | 2000-12-01 | 2003-07-30 | Japan Pionics Co., Ltd. | Vaporizer for CVD apparatus |
-
2002
- 2002-05-13 JP JP2002136892A patent/JP3822135B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-15 US US10/413,204 patent/US7036801B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-08 TW TW092112519A patent/TW200401840A/zh unknown
- 2003-05-12 KR KR1020030029762A patent/KR100985656B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-05-12 CN CNB031236499A patent/CN1305113C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-02 US US11/345,525 patent/US20060125129A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200453186Y1 (ko) * | 2009-07-23 | 2011-04-15 | 주식회사 테라세미콘 | 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030088344A (ko) | 2003-11-19 |
US20030209201A1 (en) | 2003-11-13 |
CN1305113C (zh) | 2007-03-14 |
CN1458669A (zh) | 2003-11-26 |
JP2003332243A (ja) | 2003-11-21 |
KR100985656B1 (ko) | 2010-10-05 |
US7036801B2 (en) | 2006-05-02 |
TW200401840A (en) | 2004-02-01 |
US20060125129A1 (en) | 2006-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3822135B2 (ja) | 気化供給装置 | |
KR100865423B1 (ko) | 기화기 및 기화공급장치 | |
US6210485B1 (en) | Chemical vapor deposition vaporizer | |
US5835677A (en) | Liquid vaporizer system and method | |
US6767402B2 (en) | Method for vaporizing and supplying | |
JP2004335564A (ja) | 気化器 | |
US6461407B2 (en) | Method and apparatus for supplying liquid raw material | |
JP4288049B2 (ja) | 気化供給方法 | |
US20080206445A1 (en) | Selective separation processes | |
JP2003318170A (ja) | 気化器 | |
JP4195808B2 (ja) | 気化器 | |
JP4595356B2 (ja) | 有機金属化学気相堆積装置用原料気化器 | |
JP3507425B2 (ja) | 気化器 | |
JP2002173778A (ja) | 気化器 | |
JP2003013234A (ja) | 気化器及び気化供給装置 | |
JP2004228221A (ja) | 気化器 | |
JP2003264185A (ja) | 気化供給方法 | |
JP5624744B2 (ja) | 気化器、気化方法及びcvd装置 | |
JP2005052786A (ja) | 排ガスの処理装置 | |
JP4419526B2 (ja) | 気化器の気化性能評価方法 | |
JP2004063843A (ja) | 気化供給装置及び気化供給方法 | |
JP2005175249A (ja) | 液体材料の気化器及び気化方法 | |
JP2000315686A (ja) | 気化器及び気化供給方法 | |
JP2000017438A (ja) | 気化器及び気化供給方法 | |
JP2006013086A (ja) | 気化器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060306 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20060526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |