JP4592373B2 - 導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法 - Google Patents
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Description
ところで、上記技術思想が採用されたとしても、ゲート電極部分の抵抗も問題視され始め、これらの部分における新材料の開発が待たれている。
そこで、モリブデンの導電性金属によってゲート電極を構成することが検討されている。
しかしながら、スパッタリングを用いてゲート電極の膜を形成しようとした場合、半導体素子に物理的ダメージを与える。
このようなことから、半導体分野にあっては、化学気相成長方法(CVD)によりモリブデン薄膜(配線膜)を形成しようとすることが試みられた。すなわち、MoCl5を用いてCVDによりモリブデン薄膜を形成することが試みられた。
しかしながら、MoCl5は、原料中に含まれる塩素が悪影響を引き起こす懸念が有る。
一般式[I]
(但し、R1,R2,R3,R4,R5は、各々、H又は炭化水素基であって、同一でも異なっていても良い。)
前記膜のMo源が上記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のMo源がビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のMo源が上記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のSi源がSixH(2x+2)(但し、xは1以上の整数。)である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のMo源がビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のSi源がSixH(2x+2)(但し、xは1以上の整数。)である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のMo源が上記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のN源がアンモニア(又はアンモニア生成化合物)である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のMo源がビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のN源がアンモニア(又はアンモニア生成化合物)である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
図1は成膜装置(CVD)の概略図である。同図中、1は原料容器、2は加熱器、3は分解反応炉、4はSi(半導体)基板、5は流量制御器、6は原料ガスの吹出口、7はSiH4,Si2H6,Si3H8等のシラン(又は、アンモニア)及びH2の導入ライン、8はキャリアガスの導入ライン、9は排気ライン、10はリング状の熱フィラメント、11は光照射器、12は原料容器内の圧力調節用ニードルバルブである。
そして、ニードルバルブ12を開放した。これにより、気化したi−PrCp2MoH2が分解反応炉3に導入された。
その結果、基板4上に膜が形成された。
そして、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なMo膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なMo膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド
を用い、同様に行った。
その結果、同様なMo膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドとSiH4とを同時に導入し、同様に行った。
その結果、基板4上に膜が形成された。
そして、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
尚、実施例1のモリブデン膜よりも本実施例のモリブデンシリサイト膜の方が次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例5において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例5と同様なモリブデンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例5において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例5と同様なモリブデンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例5において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例5と同様なモリブデンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例5において、SiH4の代わりにSi2H6を用い、同様に行った。
その結果、同様なモリブデンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例5において、SiH4の代わりにSi3H8を用い、同様に行った。
その結果、同様なモリブデンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドとアンモニア(NH3)とを同時に導入し、同様に行った。
その結果、基板4上に膜が形成された。
そして、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
尚、実施例1のモリブデン膜よりも本実施例のモリブデンナイトライド膜の方が次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例11において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例11と同様なモリブデンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例11において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例11と同様なモリブデンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例11において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例11と同様なモリブデンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱手段の代わりに光照射の手段を用いて同様に行った。
その結果、同様なMo膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱手段の代わりにレーザ照射の手段を用いて同様に行った。
その結果、同様なMo膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
実施例1では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱分解手段の代わりに、i−PrCp2MoH2をSi基板4の手前で800℃以上に加熱した熱フィラメント10に接触させて同様に行った。
その結果、同様なMo膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子のゲート電極に好適なものであった。
2 加熱器
3 分解反応炉
4 Si(半導体)基板
5 流量制御器
代 理 人 宇 高 克 己
Claims (4)
- 一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が、ビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項1の導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法。
- CVDによることを特徴とする請求項1又は請求項2の導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法。
- 熱、光、熱フィラメントの群の中から選ばれる少なくとも何れか一つの分解手法を用いて分解させることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法。
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