JP2006128611A - 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 - Google Patents
膜形成材料、膜形成方法、及び素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006128611A JP2006128611A JP2005154085A JP2005154085A JP2006128611A JP 2006128611 A JP2006128611 A JP 2006128611A JP 2005154085 A JP2005154085 A JP 2005154085A JP 2005154085 A JP2005154085 A JP 2005154085A JP 2006128611 A JP2006128611 A JP 2006128611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tungsten
- forming material
- film forming
- dihydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 77
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- KNHNEFGWIAXKRC-UHFFFAOYSA-N tungsten dihydride Chemical compound [WH2] KNHNEFGWIAXKRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 10
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 33
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 159
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGXZPVHXOMQSIT-UHFFFAOYSA-N [W].O[Si](O)(O)O Chemical compound [W].O[Si](O)(O)O XGXZPVHXOMQSIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
Abstract
【課題】半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いて、純度が高いタングステン膜（タングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜）を低温で容易に形成できる技術を提供する。
【解決手段】タングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜をＣＶＤ法により形成する為の膜形成材料であって、 前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。
【選択図】なし
【解決手段】タングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜をＣＶＤ法により形成する為の膜形成材料であって、 前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。
【選択図】なし
Description
本発明は、タングステン膜（タングステンシリサイト膜、タングステンナイトライド膜）の膜形成材料や膜形成方法、更には前記材料を用いて形成した膜を備えた半導体素子などの素子に関する。
現在、半導体分野における進歩は著しく、ＬＳＩからＵＬＳＩに移って来ている。そして、信号の処理速度を向上させる為、微細化が進んでいる。又、配線材料には低抵抗な銅が選択され、配線間は誘電率が極めて低い材料で埋められ、極薄膜化の一途を辿っている。ゲート酸化膜もＳｉＯ２からＨｆＯ２等の金属酸化膜にすることが検討されている。
ところで、上記技術思想が採用されたとしても、ゲート電極部分の抵抗も問題視され始め、これらの部分における新材料の開発が待たれている。
そこで、タングステンの導電性金属によってゲート電極を構成することが検討されている。
特開２００４−２００５５０
特開２００４−２１４２２１
特開２００４−２２１４５９
特開２００４−２２８５４７
そこで、タングステンの導電性金属によってゲート電極を構成することが検討されている。
ところで、Ｗ薄膜はスパッタリング技術で容易に作成される。
しかしながら、スパッタリングを用いてゲート電極の膜を形成しようとした場合、半導体素子に物理的ダメージを与える。
しかしながら、スパッタリングを用いてゲート電極の膜を形成しようとした場合、半導体素子に物理的ダメージを与える。
このようなことから、半導体分野にあっては、化学気相成長方法（ＣＶＤ）によりタングステン薄膜（配線膜）を形成しようとすることが試みられた。すなわち、ＷＦ６を用いてＣＶＤによりタングステン薄膜を形成することが試みられた。
しかしながら、ＷＦ６は、蒸気圧が高く、反応室への供給が比較的容易であるものの、原料中に含まれるフッ素が悪影響を引き起こす懸念が有る。
従って、本発明が解決しようとする第１の課題は、半導体素子に熱的損傷を引き起こし難いＣＶＤを用いてタングステン膜（若しくはタングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜）を形成する技術を提供することである。
本発明が解決しようとする第２の課題は、半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いてタングステン膜（若しくはタングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜）を形成する技術を提供することである。
本発明が解決しようとする第３の課題は、純度が高いタングステン膜（若しくはタングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜）を形成できる技術を提供することである。
本発明が解決しようとする第４の課題は、タングステン膜（若しくはタングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜）を低温で容易に形成できる技術を提供することである。
前記の課題を解決する為の研究を鋭意押し進めて行く中に、本発明者は、タングステン膜（若しくはタングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜）の構成材料として何を用いるかが極めて重要であることに気付いた。
そして、更なる研究を続行して行った結果、Ｗ源として下記の一般式［Ｉ］で表される化合物を用いることが極めて好ましいことが判って来た。
一般式［Ｉ］
（但し、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は、各々、Ｈ又は炭化水素基であって、同一でも異なっていても良い。）
一般式［Ｉ］
更には、併せて、ＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。）で表される化合物を用いると一層好ましいシリサイト膜が出来ることも判った。
又、併せて、アンモニアを用いると一層好ましいナイトライド膜が出来ることも判った。
このような知見を基にして本発明が達成されたものである。
このような知見を基にして本発明が達成されたものである。
すなわち、前記の課題は、タングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
特に、タングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
又、タングステンシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＳｉ源がＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＳｉ源がＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
特に、タングステンシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＳｉ源がＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＳｉ源がＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
尚、ＳｉｘＨ（２ｘ＋２）は、好ましくはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。
又、タングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＮ源がアンモニア（又はアンモニア生成化合物）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＮ源がアンモニア（又はアンモニア生成化合物）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
特に、タングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＮ源がアンモニア（又はアンモニア生成化合物）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
前記膜のＷ源がビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であり、
前記膜のＮ源がアンモニア（又はアンモニア生成化合物）である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
本発明の膜形成材料は、特に、ＣＶＤにより膜を形成する為の材料である。更には、ＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子におけるゲート電極膜を形成する為の材料である。
又、前記の課題は、上記の膜形成材料（上記の一般式［Ｉ］で表される化合物、更にはＳｉｘＨ（２ｘ＋２）、又はＮＨ３やＮＨ３生成化合物（中でも、アンモニア））を用いて、膜を形成することを特徴とする膜形成方法によって解決される。
特に、上記の膜形成材料（上記の一般式［Ｉ］で表される化合物、更にはＳｉｘＨ（２ｘ＋２）、又はＮＨ３やＮＨ３生成化合物（中でも、アンモニア））と、還元剤とを用いて、膜を形成することを特徴とする膜形成方法によって解決される。
中でも、上記の膜形成材料（上記の一般式［Ｉ］で表される化合物、更にはＳｉｘＨ（２ｘ＋２）、又はＮＨ３やＮＨ３生成化合物（中でも、アンモニア））と、水素とを用いて、膜を形成することを特徴とする膜形成方法によって解決される。
本発明においては、膜は、ＣＶＤの手法を用いて形成される。特に、ＣＶＤにより導電性のシリサイト膜やナイトライド膜が形成される。膜形成材料は、同時または別々に分解させられる。化合物の分解は、熱、光、熱フィラメントの群の中から選ばれる少なくとも何れか一つの分解手法が用いられる。
又、前記の課題は、上記の膜形成方法により形成されてなるタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜（特に、ゲート電極としてタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜）を具備することを特徴とする素子によって解決される。
本発明によれば、熱損傷を与え難いＣＶＤによって、タングステン膜、タングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜が得られる。
しかも、この膜は、原料中に、ハロゲンを持たないことから、半導体素子に悪影響を引き起こし難いものである。かつ、膜中の純度が高く、導電性にも優れたものである。すなわち、ゲート電極として好適なものである。
そして、本発明で用いる原料、特にＷ原料は蒸気圧が比較的高く、ＣＶＤに際して供給し易く、膜形成が容易である。
本発明になる膜形成材料（タングステン膜、タングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料）は、膜のＷ源が上記の一般式［Ｉ］（尚、一般式［Ｉ］中において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が炭化水素基の場合、好ましくは炭素数が１〜２５のものである。更には、１〜１０のものである。炭化水素基は、特に、アルキル基である。）の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。特に、ビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。タングステンシリサイト膜の場合におけるＳｉ源はＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。尚、好ましくは１０以下の整数。）である。特に、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。タングステンナイトライド膜の場合におけるＮ源はアンモニア（又は分解によりアンモニアが生成する化合物）である。この膜形成材料は、特に、ＣＶＤにより膜を形成する為の材料である。更には、ＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子におけるゲート電極膜を形成する為の材料である。
本発明になる膜形成方法（タングステン膜、タングステンシリサイト膜、又はタングステンナイトライド膜を形成する方法）は、上記の膜形成材料（上記の一般式［Ｉ］で表される化合物、更にはＳｉｘＨ（２ｘ＋２）又はＮＨ３（ＮＨ３生成化合物））を用いて、膜を形成する方法である。更には還元剤（中でも、水素）も用いて膜を形成する方法である。膜は、ＣＶＤの手法を用いて形成される。特に、ＣＶＤにより導電性のシリサイト膜やナイトライド膜が形成される。膜形成材料は、同時または別々に分解させられる。化合物の分解は、熱、光、熱フィラメントの群の中から選ばれる少なくとも何れか一つの分解手法が用いられる。
本発明になる素子は、上記の膜形成方法により形成されてなるタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜（特に、ゲート電極としてタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜（中でも、タングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜）を具備する素子（特に、半導体素子）である。又は、上記の膜形成材料が用いられて形成されてなるタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜（特に、ゲート電極としてタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜（中でも、タングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜）を具備する素子（特に、半導体素子）である。
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
［実施例１］
図１は成膜装置（ＣＶＤ）の概略図である。同図中、１は原料容器、２は加熱器、３は分解反応炉、４はＳｉ（半導体）基板、５は流量制御器、６は原料ガスの吹出口、７はＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８等のシラン（又は、アンモニア）及びＨ２の導入ライン、８はキャリアガスの導入ライン、９は排気ライン、１０はリング状の熱フィラメント、１１は光照射器、１２は原料容器内の圧力調節用ニードルバルブである。
図１は成膜装置（ＣＶＤ）の概略図である。同図中、１は原料容器、２は加熱器、３は分解反応炉、４はＳｉ（半導体）基板、５は流量制御器、６は原料ガスの吹出口、７はＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８等のシラン（又は、アンモニア）及びＨ２の導入ライン、８はキャリアガスの導入ライン、９は排気ライン、１０はリング状の熱フィラメント、１１は光照射器、１２は原料容器内の圧力調節用ニードルバルブである。
そして、容器１にはビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド（ｉ−ＰｒＣｐ２ＷＨ３）が入れられており、１２０℃に保持されている。分解反応炉３は真空に排気されている。基板４は１５０〜４５０℃に加熱されている。
そして、ニードルバルブ１２を開放した。これにより、気化したｉ−ＰｒＣｐ２ＷＨ2が分解反応炉３に導入された。
その結果、基板４上に膜が形成された。
そして、ニードルバルブ１２を開放した。これにより、気化したｉ−ＰｒＣｐ２ＷＨ2が分解反応炉３に導入された。
その結果、基板４上に膜が形成された。
この膜をＸＰＳ（Ｘ線光電子分析法）によって調べると、Ｗの存在が確認された。又、Ｘ線によって調べた結果、Ｗ膜であることが確認された。又、断面のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真やＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真を観察した処、界面は極めて平坦であった。すなわち、界面（Ｓｉ）においては反応が起きておらず、良好な界面であることが判った。
そして、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
そして、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例２］
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例３］
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例４］
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例５］
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドとＳｉＨ４とを同時に導入し、同様に行った。
その結果、基板４上に膜が形成された。
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドとＳｉＨ４とを同時に導入し、同様に行った。
その結果、基板４上に膜が形成された。
この膜をＸＰＳによって調べると、Ｗ，Ｓｉが確認された。又、Ｘ線によって調べた結果、タングステンシリサイト膜であることが確認された。又、断面のＳＥＭ写真やＴＥＭ写真を観察した処、界面は極めて平坦であった。すなわち、界面（Ｓｉ）においては反応が起きておらず、良好な界面であることが判った。
そして、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
尚、実施例１のタングステン膜よりも本実施例のタングステンシリサイト膜の方が次世代の半導体素子に好適なものであった。
そして、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
尚、実施例１のタングステン膜よりも本実施例のタングステンシリサイト膜の方が次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例６］
実施例５において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例５と同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例５において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例５と同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例７］
実施例５において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例５と同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例５において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例５と同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例８］
実施例５において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例５と同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例５において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例５と同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例９］
実施例５において、ＳｉＨ４の代わりにＳｉ２Ｈ６を用い、同様に行った。
その結果、同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例５において、ＳｉＨ４の代わりにＳｉ２Ｈ６を用い、同様に行った。
その結果、同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１０］
実施例５において、ＳｉＨ４の代わりにＳｉ３Ｈ８を用い、同様に行った。
その結果、同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例５において、ＳｉＨ４の代わりにＳｉ３Ｈ８を用い、同様に行った。
その結果、同様なタングステンシリサイト膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１１］
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドとアンモニア（ＮＨ３）とを同時に導入し、同様に行った。
その結果、基板４上に膜が形成された。
実施例１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドとアンモニア（ＮＨ３）とを同時に導入し、同様に行った。
その結果、基板４上に膜が形成された。
この膜をＸＰＳによって調べると、Ｗ，Ｎが確認された。又、Ｘ線によって調べた結果、タングステンナイトライド膜であることが確認された。又、断面のＳＥＭ写真やＴＥＭ写真を観察した処、界面は極めて平坦であった。すなわち、界面（Ｓｉ）においては反応が起きておらず、良好な界面であることが判った。
そして、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
尚、実施例１のタングステン膜よりも本実施例のタングステンナイトライド膜の方が次世代の半導体素子に好適なものであった。
そして、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
尚、実施例１のタングステン膜よりも本実施例のタングステンナイトライド膜の方が次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１２］
実施例１１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例１１と同様なタングステンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例１１と同様なタングステンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１３］
実施例１１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例１１と同様なタングステンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例１１と同様なタングステンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１４］
実施例１１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例１１と同様なタングステンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１１において、ビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの代わりにビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドを用い、同様に行った。
その結果、実施例１１と同様なタングステンナイトライド膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１５］
実施例１では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱手段の代わりに光照射の手段を用いて同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱手段の代わりに光照射の手段を用いて同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１６］
実施例１では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱手段の代わりにレーザ照射の手段を用いて同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱手段の代わりにレーザ照射の手段を用いて同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
［実施例１７］
実施例１では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱分解手段の代わりに、ｉ−ＰｒＣｐ２ＷＨ2をＳｉ基板４の手前で８００℃以上に加熱した熱フィラメント１０に接触させて同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
実施例１では、化合物の分解を加熱手段で行った。
この加熱分解手段の代わりに、ｉ−ＰｒＣｐ２ＷＨ2をＳｉ基板４の手前で８００℃以上に加熱した熱フィラメント１０に接触させて同様に行った。
その結果、同様なW膜が形成されており、このものは次世代の半導体素子に好適なものであった。
半導体分野において特に有用に用いられる。
１ 原料容器
２ 加熱器
３ 分解反応炉
４ Ｓｉ（半導体）基板
５ 流量制御器
代 理 人 宇 高 克 己
２ 加熱器
３ 分解反応炉
４ Ｓｉ（半導体）基板
５ 流量制御器
代 理 人 宇 高 克 己
Claims (14)
- タングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＷ源が下記の一般式［Ｉ］の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料。
一般式［Ｉ］
（但し、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は、各々、Ｈ又は炭化水素基であって、同一でも異なっていても良い。） - Ｗ源が、ビスシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルタングステンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項１の膜形成材料。
- タングステンシリサイト膜のＳｉ源がＳｉｘＨ（２ｘ＋２）（但し、ｘは１以上の整数。）であることを特徴とする請求項１の膜形成材料。
- タングステンシリサイト膜のＳｉ源がＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項１の膜形成材料。
- タングステンナイトライド膜のＮ源がアンモニア又はアンモニア生成化合物であることを特徴とする請求項１の膜形成材料。
- ＣＶＤにより膜を形成する為の材料であることを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの膜形成材料。
- ゲート電極膜を形成する為の材料であることを特徴とする請求項１〜請求項６いずれかの膜形成材料。
- 請求項１〜請求項７いずれかの膜形成材料を用いて、膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
- 請求項１〜請求項７いずれかの膜形成材料と、還元剤とを用いて、膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
- 請求項１〜請求項７いずれかの膜形成材料と、水素とを用いて、膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
- ＣＶＤにより導電性のシリサイト膜またはナイトライド膜を形成することを特徴とする請求項８〜請求項１０いずれかの膜形成方法。
- 膜形成材料を同時または別々に分解させることを特徴とする請求項８〜請求項１１いずれかの膜形成方法。
- 膜形成材料を、熱、光、熱フィラメントの群の中から選ばれる少なくとも何れか一つの分解手法を用いて分解させることを特徴とする請求項８〜請求項１２いずれかの膜形成方法。
- 請求項８〜請求項１３いずれかの膜形成方法により形成されてなるタングステン膜もしくはタングステンシリサイト膜またはタングステンナイトライド膜を具備することを特徴とする素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005154085A JP2006128611A (ja) | 2004-09-30 | 2005-05-26 | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 |
| KR1020050049027A KR101128303B1 (ko) | 2004-09-30 | 2005-06-08 | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 |
| US11/214,738 US20060068103A1 (en) | 2004-09-30 | 2005-08-31 | Film forming method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004285718 | 2004-09-30 | ||
| JP2005154085A JP2006128611A (ja) | 2004-09-30 | 2005-05-26 | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006128611A true JP2006128611A (ja) | 2006-05-18 |
Family
ID=36099492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005154085A Pending JP2006128611A (ja) | 2004-09-30 | 2005-05-26 | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060068103A1 (ja) |
| JP (1) | JP2006128611A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010504999A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 有機金属前駆体化合物 |
| JP2012503100A (ja) * | 2008-09-22 | 2012-02-02 | ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー | 光分解化学的気相堆積法および／または熱化学的気相堆積法を使用して容器の内部を被覆するシステム、装置および方法 |
| WO2012118200A1 (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | 国立大学法人東京大学 | 金属薄膜の製膜方法、金属薄膜、および金属薄膜の製膜装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4591917B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-12-01 | 株式会社トリケミカル研究所 | 導電性モリブデンナイトライド膜形成方法 |
| KR20180038823A (ko) | 2016-10-07 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 금속 전구체, 이를 이용한 막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20190070968A (ko) * | 2016-10-25 | 2019-06-21 | 바스프 에스이 | 규소-함유 박막의 생성 방법 |
| US11827654B2 (en) * | 2021-11-29 | 2023-11-28 | Entegris, Inc. | Organometallic compounds and processes for preparing same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05209272A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-08-20 | Nec Corp | タングステン膜の成長方法 |
| JPH07312365A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09199445A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09260306A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| JP2003142425A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JP2003163348A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Elpida Memory Inc | ゲート電極の形成方法及びゲート電極構造 |
| JP2003258121A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4568565A (en) * | 1984-05-14 | 1986-02-04 | Allied Corporation | Light induced chemical vapor deposition of conductive titanium silicide films |
| US4992305A (en) * | 1988-06-22 | 1991-02-12 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of transistion metals |
| US5130172A (en) * | 1988-10-21 | 1992-07-14 | The Regents Of The University Of California | Low temperature organometallic deposition of metals |
| US5342652A (en) * | 1992-06-15 | 1994-08-30 | Materials Research Corporation | Method of nucleating tungsten on titanium nitride by CVD without silane |
| US5997949A (en) * | 1995-09-22 | 1999-12-07 | California Institute Of Technology | Synthesis of W-Si-N films by chemical vapor deposition using WF6, SiH4 and NH3 |
| US6635570B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-10-21 | Carl J. Galewski | PECVD and CVD processes for WNx deposition |
| JP3822135B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2006-09-13 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給装置 |
-
2005
- 2005-05-26 JP JP2005154085A patent/JP2006128611A/ja active Pending
- 2005-08-31 US US11/214,738 patent/US20060068103A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05209272A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-08-20 | Nec Corp | タングステン膜の成長方法 |
| JPH07312365A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09199445A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09260306A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| JP2003142425A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JP2003163348A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Elpida Memory Inc | ゲート電極の形成方法及びゲート電極構造 |
| JP2003258121A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010504999A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 有機金属前駆体化合物 |
| KR101434696B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2014-08-27 | 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 | 유기금속 전구체 화합물 |
| JP2012503100A (ja) * | 2008-09-22 | 2012-02-02 | ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー | 光分解化学的気相堆積法および／または熱化学的気相堆積法を使用して容器の内部を被覆するシステム、装置および方法 |
| JP2014051744A (ja) * | 2008-09-22 | 2014-03-20 | Becton Dickinson & Co | 光分解化学的気相堆積法および／または熱化学的気相堆積法を使用して容器の内部を被覆するシステム |
| WO2012118200A1 (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | 国立大学法人東京大学 | 金属薄膜の製膜方法、金属薄膜、および金属薄膜の製膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060068103A1 (en) | 2006-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4674061B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2006128611A (ja) | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 | |
| JP4581119B2 (ja) | ＮｉＳｉ膜形成材料およびＮｉＳｉ膜形成方法 | |
| CN113039309A (zh) | 使用钌前驱物的等离子体增强原子层沉积(peald)方法 | |
| JP2007023388A (ja) | 窒化ジルコニウム被膜の製造方法及び窒化ジルコニウム被膜の使用 | |
| US20060068100A1 (en) | Film forming method | |
| JP6947863B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JP4353371B2 (ja) | 膜形成方法 | |
| US7312140B2 (en) | Film forming method | |
| JP2006097099A (ja) | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 | |
| JP5088773B2 (ja) | 膜形成方法および膜形成材料 | |
| JP2008187186A (ja) | 低誘電率膜の成膜装置 | |
| KR101128303B1 (ko) | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 | |
| TW202031923A (zh) | 以原子層沈積法製造釕金屬薄膜之方法 | |
| KR100709990B1 (ko) | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 | |
| KR20060029120A (ko) | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 | |
| JP6797068B2 (ja) | 原子層堆積法による炭化チタン含有薄膜の製造方法 | |
| KR940010158B1 (ko) | 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법 | |
| KR100451507B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS61250172A (ja) | タングステンシリサイド膜の成長方法 | |
| KR20040048612A (ko) | 코발트막의 형성 방법 | |
| JP2006100812A (ja) | 有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたＨｆ−Ｓｉ含有複合酸化物膜の製造方法 | |
| JPH03183770A (ja) | 堆積膜形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100625 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100630 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110112 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110427 |