JP6450469B2 - 気化器、成膜装置及び温度制御方法 - Google Patents
気化器、成膜装置及び温度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6450469B2 JP6450469B2 JP2017550013A JP2017550013A JP6450469B2 JP 6450469 B2 JP6450469 B2 JP 6450469B2 JP 2017550013 A JP2017550013 A JP 2017550013A JP 2017550013 A JP2017550013 A JP 2017550013A JP 6450469 B2 JP6450469 B2 JP 6450469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- raw material
- gas
- vaporization
- vaporizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 149
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 106
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 86
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 52
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 42
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 39
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZXIZTKNFFYFOF-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazolidone Chemical compound O=C1NCCO1 IZXIZTKNFFYFOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
まず、実施形態1にかかる成膜装置について図面を参照しながら説明する。図1は、実施形態1にかかる成膜装置の概略構成例を説明するための図である。図1に示す成膜装置10は、被処理基板例えば半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)W上にCVD法により金属酸化物膜を成膜する。成膜装置10は、気化器100と、成膜室200とを有する。気化器100と、成膜室200とは配管300によって接続されている。
Tsov>{11.94ln(Ph×10 3 )+157.38+Tm}/2 …(5)
ただし、Ph:気化室の圧力(kPa)
実施例1〜6では、原料であるLi(TMHD)の気化温度Tsolよりも高い温度T1に気化室130の温度Thを調整し、温度T1よりも低い温度T2に気液混合部110の温度Tmを調整し、温度T1と温度T2との中間値に対応し、かつ、原料溶液の溶媒Yの気化温度Tsovよりも低い温度T3にノズル120の温度Tnを調整した。
実施例1,2:メシチレン
実施例3,4:トルエン
実施例5,6:テトラヒドロフラン
比較例1,2では、実施例1,2とは異なり、原料であるLi(TMHD)の気化温度Tsolよりも低い温度に気化室130の温度Thを調整した。比較例1,2では、それ以外の点において、実施例1,2と同様である。
比較例3,4では、実施例3,4とは異なり、原料であるLi(TMHD)の気化温度Tsolよりも低い温度に気化室130の温度Thを調整した。比較例3,4では、それ以外の点において、実施例3,4と同様である。
比較例5では、実施例5,6とは異なり、原料であるLi(TMHD)の気化温度Tsolよりも低い温度に気化室130の温度Thを調整し、温度T1と温度T2との中間値に対応し、かつ、原料溶液の溶媒Yの気化温度Tsovよりも高い温度にノズル120の温度Tnを調整した。比較例5では、それ以外の点において、実施例5,6と同様である。
比較例6では、実施例5,6とは異なり、原料であるLi(TMHD)の気化温度Tsolよりも低い温度に気化室130の温度Thを調整した。比較例6では、それ以外の点において、実施例5,6と同様である。
図5Aは、実施例1,2及び比較例1,2の結果を示す図である。図5Bは、実施例3,4及び比較例3,4の結果を示す図である。図5Cは、実施例5,6及び比較例5,6の結果を示す図である。
実施形態2は、原料として、Li(TMHD)及びCo(TMHD)3を用いる点が実施形態1と異なる。したがって、実施形態1と同様の構成については、説明を省略する。
Tsov>{11.94ln(Ph×10 3 )+157.38+Tm}/2 …(9)
ただし、Ph:気化室の圧力(kPa)
ただし、Ph,Li:原料がLi(TMHD)のみであると仮定した場合の気化室の圧力(kPa)
ただし、Ph,Co:原料がCo(TMHD)3のみであると仮定した場合の気化室の圧力(kPa)
なお、上記実施形態では、成膜装置10が1つの成膜室200に対して1つの気化器100を有する例を説明したが、開示技術はこれに限定されない。例えば、成膜装置10は、1つの成膜室200に対して2つの気化器を有しても良い。以下、他の実施形態にかかる成膜装置として、1つの成膜室200に対して2つの気化器を有する成膜装置について説明する。
Tsov>{11.94ln(Ph×10 3 )+157.38+Tm}/2 …(25)
ただし、Ph:気化室130の圧力(kPa)
Tsov:原料溶液の溶媒の気化温度(℃)
Tm:気液混合部110の温度(℃)
Tsov>{17.744ln(Ph×10 3 )+45.483+Tm}/2 …(27)
100 気化器
110 気液混合部
111 原料溶液供給管
112 キャリアガス供給管
120 ノズル
121 熱媒流路
130 気化室
131 排気装置
141 ヒータ
141a 断熱材
142 ヒータ電源
151 熱媒流路
151a 断熱材
152 熱媒流路
152a 断熱材
153 熱媒ユニット
161 熱媒輸送管
162 熱媒ユニット
170 制御装置
200 成膜室
210 天壁
212 底壁
222 サセプタ
224 支持部材
226 ヒータ
228 電源
230 排気ポート
232 排気系
240 シャワーヘッド
242 拡散室
244 ガス吐出孔
300 配管
Claims (9)
- 原料を含む溶液とキャリアガスとを混合する気液混合部と、
前記気液混合部によって混合された前記原料を含む溶液を噴射するノズルと、
前記ノズルによって噴射された前記原料を含む溶液を気化する気化室と、
前記気化室の温度を調整する第1の温度調整機構と、
前記気液混合部の温度を調整する第2の温度調整機構と、
前記ノズルの温度を調整する第3の温度調整機構と、
前記第1の温度調整機構によって前記原料の気化温度よりも高い第1の温度に前記気化室の温度を調整し、前記第2の温度調整機構によって前記第1の温度よりも低い第2の温度に前記気液混合部の温度を調整し、前記第3の温度調整機構によって前記第1の温度と前記第2の温度との間の温度範囲に属し、かつ、前記溶液の溶媒の気化温度よりも低い第3の温度に前記ノズルの温度を調整する制御部と
を有することを特徴とする気化器。 - 前記第3の温度は、前記第1の温度と前記第2の温度との中間値に対応し、かつ、前記溶液の溶媒の気化温度よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 前記第1の温度は、前記原料の気化温度よりも高く、かつ、前記原料が熱分解する温度よりも低い温度であることを特徴とする請求項1又は2に記載の気化器。
- 前記第2の温度調整機構は、
前記気液混合部へ前記キャリアガスを供給するキャリアガス供給管の温度をさらに調整し、
前記制御部は、
前記第2の温度調整機構によって前記気液混合部の温度及び前記キャリアガス供給管の温度を前記第2の温度に調整することを特徴とする請求項1に記載の気化器。 - 前記原料は、Li(TMHD)であり、
前記気化室の圧力をPh(kPa)とし、前記気液混合部の温度をTm(℃)とし、前記溶液の溶媒の気化温度をTsov(℃)とすると、前記溶液の溶媒は、以下の式(1)及び式(2)が満たされるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
Ph<29 …(1)
Tsov>{11.94ln(Ph×10 3 )+157.38+Tm}/2 …(2) - 前記原料は、Li(TMHD)及びCo(TMHD)3であり、
前記気化室の圧力をPh(kPa)とし、前記気液混合部の温度をTm(℃)とし、前記溶液の溶媒の気化温度をTsov(℃)とすると、前記溶液の溶媒は、以下の式(3)及び式(4)が満たされるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
Ph<29 …(3)
Tsov>{11.94ln(Ph×10 3 )+157.38+Tm}/2 …(4) - 前記原料は、Co(TMHD)3であり、
前記気化室の圧力をPh(kPa)とし、前記気液混合部の温度をTm(℃)とし、前記溶液の溶媒の気化温度をTsov(℃)とすると、前記溶液の溶媒は、以下の式(5)及び式(6)が満たされるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
Ph<101 …(5)
Tsov>{17.744ln(Ph×10 3 )+45.483+Tm}/2 …(6) - 原料を含む溶液を気化して原料ガスを生成する気化器と、
前記気化器によって生成された原料ガスを用いて成膜処理を行う成膜室と
を有し、
前記気化器は、
原料を含む溶液とキャリアガスとを混合する気液混合部と、
前記気液混合部によって混合された前記原料を含む溶液を噴射するノズルと、
前記ノズルによって噴射された前記原料を含む溶液を気化する気化室と、
前記気化室の温度を調整する第1の温度調整機構と、
前記気液混合部の温度を調整する第2の温度調整機構と、
前記ノズルの温度を調整する第3の温度調整機構と、
前記第1の温度調整機構によって前記原料の気化温度よりも高い第1の温度に前記気化室の温度を調整し、前記第2の温度調整機構によって前記第1の温度よりも低い第2の温度に前記気液混合部の温度を調整し、前記第3の温度調整機構によって前記第1の温度と前記第2の温度との間の温度範囲に属し、かつ、前記溶液の溶媒の気化温度よりも低い第3の温度に前記ノズルの温度の調整する制御部と
を有することを特徴とする成膜装置。 - 原料を含む溶液とキャリアガスとを混合する気液混合部と、
前記気液混合部によって混合された前記原料を含む溶液を噴射するノズルと、
前記ノズルによって噴射された前記原料を含む溶液を気化する気化室と、
前記気化室の温度を調整する第1の温度調整機構と、
前記気液混合部の温度を調整する第2の温度調整機構と、
前記ノズルの温度を調整する第3の温度調整機構と
を有する気化器による温度制御方法であって、
前記第1の温度調整機構によって前記原料の気化温度よりも高い第1の温度に前記気化室の温度を調整し、前記第2の温度調整機構によって前記第1の温度よりも低い第2の温度に前記気液混合部の温度を調整し、前記第3の温度調整機構によって前記第1の温度と前記第2の温度との間の温度範囲に属し、かつ、前記溶液の溶媒の気化温度よりも低い第3の温度に前記ノズルの温度を調整する
ことを特徴とする温度制御方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015220275 | 2015-11-10 | ||
JP2015220275 | 2015-11-10 | ||
PCT/JP2016/076453 WO2017081924A1 (ja) | 2015-11-10 | 2016-09-08 | 気化器、成膜装置及び温度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017081924A1 JPWO2017081924A1 (ja) | 2018-08-16 |
JP6450469B2 true JP6450469B2 (ja) | 2019-01-09 |
Family
ID=58694903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017550013A Active JP6450469B2 (ja) | 2015-11-10 | 2016-09-08 | 気化器、成膜装置及び温度制御方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180251891A1 (ja) |
JP (1) | JP6450469B2 (ja) |
KR (1) | KR102584113B1 (ja) |
CN (1) | CN107431015B (ja) |
WO (1) | WO2017081924A1 (ja) |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6195504B1 (en) * | 1996-11-20 | 2001-02-27 | Ebara Corporation | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
EP0933450B1 (en) * | 1998-01-19 | 2002-04-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal |
US6136725A (en) * | 1998-04-14 | 2000-10-24 | Cvd Systems, Inc. | Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate |
JP3823591B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2006-09-20 | 三菱電機株式会社 | Cvd原料用気化装置およびこれを用いたcvd装置 |
JP4439030B2 (ja) * | 1999-04-01 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器、処理装置、処理方法、及び半導体チップの製造方法 |
KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
CN100439561C (zh) * | 2002-04-19 | 2008-12-03 | 马特森技术公司 | 使用低蒸气压气体前体向基材上沉积膜的系统 |
CN100367471C (zh) * | 2003-05-12 | 2008-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 气化器和半导体处理装置 |
EP1741802B1 (en) * | 2004-03-29 | 2013-08-21 | Tadahiro Ohmi | Film-forming apparatus and film-forming method |
JP4553245B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器、成膜装置及び成膜方法 |
KR100604975B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-07-28 | 학교법인연세대학교 | 자성 또는 금속 산화물 나노입자의 제조방법 |
JP4601535B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
EP2009137A4 (en) * | 2006-04-05 | 2010-03-24 | Horiba Stec Co Ltd | DEVICE FOR EVAPORATING LIQUID MATERIAL |
FR2900070B1 (fr) * | 2006-04-19 | 2008-07-11 | Kemstream Soc Par Actions Simp | Dispositif d'introduction ou d'injection ou de pulverisation d'un melange de gaz vecteur et de composes liquides et procede de mise en oeuvre dudit dispositif. |
JP5059371B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器および成膜装置 |
JP5213341B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器,気化モジュール,成膜装置 |
JP5427344B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2014-02-26 | 株式会社渡辺商行 | 気化装置、及び、気化装置を備えた成膜装置 |
KR20100043289A (ko) * | 2007-09-21 | 2010-04-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2010087169A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 気化器およびそれを用いた成膜装置 |
US20100159132A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Veeco Instruments, Inc. | Linear Deposition Source |
JP2012132043A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Cvd装置 |
JP2015039001A (ja) * | 2014-09-18 | 2015-02-26 | 株式会社渡辺商行 | 気化器 |
-
2016
- 2016-09-08 JP JP2017550013A patent/JP6450469B2/ja active Active
- 2016-09-08 CN CN201680020078.7A patent/CN107431015B/zh active Active
- 2016-09-08 KR KR1020187012145A patent/KR102584113B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-08 WO PCT/JP2016/076453 patent/WO2017081924A1/ja active Application Filing
-
2018
- 2018-05-04 US US15/971,173 patent/US20180251891A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2017081924A1 (ja) | 2018-08-16 |
KR20180079316A (ko) | 2018-07-10 |
WO2017081924A1 (ja) | 2017-05-18 |
US20180251891A1 (en) | 2018-09-06 |
KR102584113B1 (ko) | 2023-10-04 |
CN107431015B (zh) | 2021-11-12 |
CN107431015A (zh) | 2017-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210040613A1 (en) | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same | |
JP4324619B2 (ja) | 気化装置、成膜装置及び気化方法 | |
US9873941B2 (en) | Film-forming manufacturing apparatus and method | |
KR100780143B1 (ko) | 기재상에 하나 이상의 층을 증착하기 위한 장치와 방법 | |
US20150235835A1 (en) | High growth rate process for conformal aluminum nitride | |
US20110180002A1 (en) | Vaporizer and deposition system using the same | |
US10047436B2 (en) | Raw material supply method, raw material supply apparatus, and storage medium | |
CN104810306B (zh) | 立式热处理装置和热处理方法 | |
JP5372816B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
TW201200623A (en) | Delivery assemblies and related methods | |
JP6450469B2 (ja) | 気化器、成膜装置及び温度制御方法 | |
JP2002359238A (ja) | 固体原料気化装置および固体原料気化方法 | |
JPH08157296A (ja) | 原料またはガスの供給装置 | |
JPH10168572A (ja) | 反応ガス噴射ヘッド | |
JP4677873B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6302379B2 (ja) | 基板処理装置及び処理ガス生成器 | |
WO2018083989A1 (ja) | シャワーヘッド及び基板処理装置 | |
JP2013038169A (ja) | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 | |
JP4404674B2 (ja) | 薄膜製造装置 | |
JP6744347B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010209410A (ja) | Cu膜の成膜方法および記憶媒体 | |
JP5656683B2 (ja) | 成膜方法および記憶媒体 | |
WO2017179680A1 (ja) | HfN膜の製造方法およびHfN膜 | |
JP2010067906A (ja) | 気化器及びそれを用いた成膜装置 | |
US20230416920A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6450469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |