JP2002359238A

JP2002359238A - 固体原料気化装置および固体原料気化方法

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Publication number: JP2002359238A
Application number: JP2001166050A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Yamamoto; 博之山本; Kazutoshi Miura; 一敏三浦; Masayuki Koketsu; 雅之纐纈; Yukio Ozawa; 幸生小澤; Tetsujirou Kouno; 哲児郎河野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; CKD Corp
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; CKD Corp
Priority date: 2001-06-01
Filing date: 2001-06-01
Publication date: 2002-12-13
Anticipated expiration: 2021-06-01
Also published as: JP4757403B2

Abstract

(57)【要約】【課題】原料容器内の固体原料を中央領域と周縁領域
の間に温度勾配を生じさせずに十分に加熱し、気化ガス
を安定して発生供給することを可能とする。【解決手段】固体原料１２を収容した原料容器１３
と、該原料容器１３を加熱する加熱手段１４とを備えた
固体原料気化装置１０において、前記原料容器１３内に
固体原料１２を加熱するための加熱部２６および／また
は熱伝導部材２１を配設している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体原料気化装置
および固体原料気化方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、被処理体である半導体ウエハに例えばＣＶＤ（化学
気相成長）等の熱処理を施すために、熱処理装置が使用
されている。そして、半導体デバイスの微細化と共に半
導体デバイスに使用される膜も例えばＴａ_２Ｏ_５、Ｒｕ
といった金属系の膜へと変化してきている。

【０００３】これらの金属系の原料は、有機金属が一般
的であるが、室温で固体のものも多く存在する。室温で
固体の原料は、一般的には有機溶媒に溶解し、気化器へ
液体の形で導入されるが、固体のままで十分な蒸気圧が
確保できるもの、もしくは、溶媒への溶解が困難なもの
については固体の状態から昇華させるという手法が用い
られている。

【０００４】この固体昇華法においては、例えば図７の
（ａ）に示すように、固体原料１２を収容した原料容器
（原料ボトルともいう）１３の外側にヒータ１４を設
け、このヒータ１４により原料容器１３内の固体原料１
２を加熱して気化させる固体原料気化装置が用いられ
る。そして、この固体原料気化装置により発生した気化
ガスは、ガス供給系１１により熱処理装置に供給され、
半導体ウエハの所定の熱処理例えば成膜処理に供され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の固体原料気化装置においては、熱伝導の関係で
固体原料１２を十分に加熱することが難しく、気化ガス
を安定して発生させることが困難であった。すなわち、
前記固体原料発生装置では、原料容器１３から固体原料
１２への熱伝導の関係で原料容器１３内における固体原
料１２の中央領域Ａと周縁領域Ｂの間に温度勾配が生
じ、固体原料１２の昇華速度が周縁領域Ｂよりも中央領
域Ａの方が遅くなる傾向がある。このため、図７の
（ｂ）に示すように、固体原料１２が山状に減るように
なり、固体原料１２の周縁領域が原料容器１３の周側壁
と接しなくなると、加熱されにくくなって昇華速度が落
ち、気化ガスの発生が不安定になる。また、このような
現象は、原料容器の容量が大きくなるほど顕著になるた
め、半導体ウエハの量産を見据えての固体原料気化装置
の容量のアップが難しかった。

【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、原料容器内の固体原料を中央領域と周縁領域の間
に温度勾配を生じさせずに十分に加熱することができ、
気化ガスを安定して発生させることができる固体原料気
化装置および固体原料気化方法を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、固体原料を収容した原料容器と、該原料容器
を加熱する加熱手段とを備えた固体原料気化装置から被
処理体を収容した熱処理炉内に処理ガスを供給して所定
の熱処理を行う固体原料気化装置において、前記原料容
器内に固体原料を加熱するための加熱部および／または
熱伝導部材を配設したことを特徴とする。

【０００８】請求項２の発明は、請求項１記載の固体原
料気化装置において、前記熱伝導部材が、前記原料容器
内の底部に立設された複数のフィンからなることを特徴
とする。

【０００９】請求項３の発明は、請求項１記載の固体原
料気化装置において、前記熱伝導部材が、前記原料容器
内に上下方向に設けられた螺旋状のフィンからなること
を特徴とする。

【００１０】請求４の発明は、請求項３記載の固体原料
気化装置において、前記螺旋状のフィンには複数の孔が
形成されていること特徴とする。

【００１１】請求項５の発明は、請求項１記載の固体原
料気化装置において、前記熱伝導部材が、前記原料容器
内の底部に立設された支柱と、該支柱に上下方向に適宜
間隔で棚状に設けられた網状または多孔状の熱伝導板と
からなることを特徴とする。

【００１２】請求項６の発明は、固体原料を収容した原
料容器と、該原料容器を加熱する加熱手段と、前記固体
原料から発生した気化ガスを供給するガス供給系とを備
えた固体原料気化装置において、前記原料容器内に固体
原料を攪拌する攪拌手段を設けたことを特徴とする。

【００１３】請求項７の発明は、請求項１または６記載
の固体原料気化装置において、前記加熱手段が恒温槽で
あることを特徴とする。

【００１４】請求項８の発明は、固体原料を収容した原
料容器を加熱すると共に、該原料容器内に配設した加熱
部および／または熱伝導部材により固体原料を加熱し
て、固体原料から気化ガスを発生させることを特徴とす
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態で
ある固体原料気化装置を示す断面図である。

【００１６】図１において、１は熱処理装置で、１０は
その熱処理装置１に処理ガスとしての気化ガスを発生供
給する固体原料気化装置である。先ず、熱処理装置１に
ついて説明すると、熱処理装置１は被処理体例えば半導
体ウエハＷを収容し、処理ガスを供給して例えば８５０
℃程度の高温下で所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を施す
縦型でバッチ式の熱処理炉を構成するものとして、上端
が閉塞され下端が開放された縦長円筒状の例えば石英製
の処理容器（反応管ともいう）２を備えている。

【００１７】この処理容器２は、炉口として開放した下
端開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密
性の高い熱処理炉１を構成するようになっている。前記
蓋体３上には、多数枚例えば５０〜１００枚程度の半導
体ウエハＷを水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に
搭載支持する基板支持具である例えば石英製のウエハボ
ート４が保温筒５を介して載置されている。

【００１８】蓋体３は、図示しない昇降機構により、熱
処理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならび
にアンロード(搬出）および炉口の開閉を行うように構
成されている。また、前記処理容器２の周囲には、炉内
を所定の温度例えば３００〜１０００℃程度に加熱する
温度制御可能に構成された円筒状のヒーターＨが設けら
れている。

【００１９】処理容器２の下側部には、処理容器２内に
処理ガスを導入するガス導入管部６と、処理容器内２を
排気する排気管部７とが設けられている。ガス導入管部
６には、例えば固体原料気化装置１０のガス供給系１１
の配管１７が接続されている。また、排気管部７には、
処理容器２内を例えば最大１０^-3Ｔｏｒｒ程度に減圧可
能な真空ポンプおよび圧力制御弁を有する排気系８が接
続されている。

【００２０】前記固体原料気化装置１０は、固体原料１
２を収容した原料容器１３と、この原料容器１３を加熱
する加熱手段であるヒータ１４とを備えて構成されてい
る。また、固体原料気化装置１０は、前記固体原料１２
から発生した気化ガスを供給する配管１７を備えてい
る。固体原料１２としては、例えばルテニウム系プロセ
スの場合、ルテニウム（Ｒｕ）を化学的に含有した金属
粉末が用いられる。タンタル系プロセスの場合、タンタ
ル（Ｔａ）を化学的に含有した金属粉末が用いられる。

【００２１】前記原料容器１３は、例えば有底円筒状の
容器本体１５と、この容器本体１５の上部に気密状態に
取付けられた蓋１６とから構成されている。この蓋１６
には、前記配管１７の一端が原料容器１３内部と連通す
るように接続されている。この配管１７には弁１８およ
び流量制御機構１９が原料容器１３側から順に設けられ
ている。前記弁１８としては、例えば手動弁、エアオペ
レイト弁、ニードル弁等が含まれる。これら原料容器１
３、配管１７、弁１８および流量制御機構１９がガス供
給系１１を構成している。このガス供給系１１の配管１
７の露出部には、気化ガスの凝結を起こさない所定の温
度例えば２００℃程度に加熱する温度制御可能に構成さ
れたリボン状のヒータ２０が巻き付けられ、断熱材で覆
われていることが好ましい。

【００２２】前記原料容器１３を加熱するヒータ１４
は、原料容器１３の底部を加熱する底部ヒータ１４ａ
と、原料容器１３の周側部を加熱する周側部ヒータ１４
ｂとかなり、原料容器１３内の固体原料１２をその昇華
温度例えばルテニウム化合物の場合、１９０℃程度に加
熱し得るように温度制御可能に構成されている。

【００２３】そして、原料容器１３内の底部には、該原
料容器１３からの熱を伝えて原料容器１３内の中央領域
Ａの固体原料１２を加熱するための熱伝導部材として複
数のフィン２１が立設されている。前記原料容器１３
は、例えばステンレス製もしくはアルミニウム製であ
り、前記フィン２１は原料容器１３と同じ材料で形成さ
れていることが好ましい。また、前記原料容器１３は、
断熱材２２で覆われていることが好ましい。

【００２４】以上のように構成において、熱処理装置１
で熱処理を行う場合には、先ず、半導体ウエハＷを搭載
したボート４を熱処理炉の処理容器２内にロードし、炉
口を蓋体３で密閉し、排気系８により処理容器２内を所
定の処理圧力に排気制御すると共にヒータＨにより半導
体ウエハｗを所定の処理温度に加熱する。また、固体原
料気化装置１０のヒータ１４を作動させて原料容器１３
内の固体原料１２を所定の温度に加熱し、固体原料１２
から昇華により気化ガスを発生させる。

【００２５】ヒータ１４を構成する底部ヒータ１４ａお
よび周側部ヒータ１４ｂにより原料容器１３の底部およ
び周側部が加熱され、原料容器１３の底部からの熱伝導
によりフィン２１が加熱され、また、容器本体１３から
の熱伝導により蓋１６も加熱される。これにより固体原
料１２の原料容器１３と接する部分およびフィン２１と
接する部分が加熱されるため、原料容器１３内の固体原
料１２を中央領域Ａと周縁領域Ｂの間に温度差ないし温
度勾配を生じさせずに十分に加熱することができ、気化
ガスを安定して発生供給することができる。

【００２６】固体原料１２から気化した処理ガスは、所
定の蒸気圧となって原料容器１３内に充満し、ガス供給
系１１の弁１８を開けると、ガス供給系１１の配管１７
を通り、流量制御機構１９を介して所定の流量に制御さ
れながら前記熱処理装置１の処理容器２内に導入され、
半導体ウエハｗの所定の熱処理例えば成膜処理に供され
る。

【００２７】このように、前記固体原料気化装置１０に
よれば、固体原料１２を収容した原料容器１３と、この
原料容器１３を加熱するヒータ１４とを備え、前記原料
容器１３内に該原料容器１３からの熱を伝えて中央領域
Ａの固体原料１２を加熱するための熱伝導部材が配設さ
れ、本実施の形態では、前記熱伝導部材が前記原料容器
１３内の底部に立設された複数のフィン２１からなるた
め、原料容器１３内の固体原料１２を中央領域Ａと周縁
領域Ｂの間に温度勾配を生じさせずに十分に加熱するこ
とが可能となり、気化ガスを安定して発生させることが
できる。

【００２８】また、固体原料気化方法によれば、固体原
料１２を収容した原料容器１３を加熱すると共に、該原
料容器１３内に配設した熱伝導部材であるフィン２１に
より固体原料１２全体を略均一に加熱して、固体原料１
２から気化ガスを発生させるため、原料容器１３内の固
体原料１２を中央領域Ａと周縁領域Ｂの間に温度勾配を
生じさせずに十分に加熱することができ、気化ガスを安
定して発生させることができる。従って、半導体ウエハ
Ｗの量産を見据えての固体原料気化装置１０の容量のア
ップ（大容量化）も可能となる。そして、前記固体原料
気化装置１０を熱処理装置１の処理ガス供給源として用
いれば、気化ガスを安定して供給することができ、熱処
理を安定して行うことが可能となる。

【００２９】なお、前記原料容器１３内には、熱伝導部
材例えばフィン２１の代りに抵抗発熱体からなる加熱部
２６を設けてもよく、あるいは、フィン２１および加熱
部２６を共に設けてもよい。加熱部２６は制御部４０に
よって所定の温度に制御されるように構成されている。
このように原料容器１３内に加熱部２６を設けることに
より、原料容器１３内の固体原料１２を直接的に加熱す
ることができる。またこの方法によれば、固体原料１３
を収容した原料容器１２を加熱すると共に、該原料容器
１２内に配設した加熱部２６およびこれに接続された熱
伝導部例えばフィン２１により固体原料１２全体をむら
なく略均一に加熱することができる。従って、原料容器
１３内の固体原料１２を中央領域Ａと周縁領域Ｂの間に
温度勾配を生じさせずに十分に加熱することが可能とな
り、気化ガスを安定して発生させることができる。

【００３０】図２は固体原料気化装置の他の例を示す図
で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は横断面図である。図２
の実施の形態において、図１の実施の形態と同じ部分は
同じ参照符号を付して説明を省略し、異なる部分につい
て説明を加える。図２に示すように、前記原料容器１３
内には、熱伝導部材として、上下方向に螺旋状のフィン
２３が設けられている。螺旋状のフィン２３は、原料容
器１３の内周壁（周側壁）に接していて、溶接により固
定されている。螺旋状のフィン２３には、複数の孔２４
が形成されていることが好ましい以上の構成からなる固
体原料気化装置１０によれば、熱伝導部材として、原料
容器１３内に上下方向に螺旋状のフィン２３が原料容器
１３の内周壁に接して設けられているため、原料容器１
３の周側部から螺旋状のフィン２３への熱伝導により、
原料容器１３内の固体原料１２を中央領域Ａと周縁領域
Ｂの間に温度勾配を生じさせずに十分に加熱することが
可能となり、図１の実施の形態と同様の効果を奏するこ
とができる。

【００３１】また、前記螺旋状のフィン２３に複数の孔
２４を形成すれば、これらの孔２４を通して固体原料１
２からの気化ガスを上方へ円滑に導くことができ、固体
原料１２からの気化を促進することができる。すなわ
ち、固体原料からの気化は、気相と接する固体原料の表
面（上面）で行われるため、この表面が螺旋状のフィン
２３で覆われていると飽和蒸気圧になって気化が抑制さ
れてしまう。これを防止するために、前記孔２４が形成
されている。

【００３２】図３は固体原料気化装置の他の例を示す図
で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は横断面図である。図３
の実施の形態において、図２の実施の形態と同じ部分は
同じ参照符号を付して説明を省略し、異なる部分につい
て説明を加える。図３に示すように、原料容器１３内に
は、熱伝導部材として、上下方向に螺旋状のフィン２３
が設けられていると共に、この螺旋状のフィン２３を上
下方向に貫通するように原料容器１３内の底部に複数の
中空管２５が立設されている。この場合、中空管２５内
には、抵抗発熱体からなる加熱部２６が温度制御可能に
設けられていてもよい。

【００３３】以上の構成からなる固体原料気化装置１０
によれば、原料容器１３内の固体原料１２を中央領域と
周縁領域の間に温度勾配を生じさせずに十分に加熱する
ことが可能となり、図１ないし図２の実施の形態と同様
の効果を奏することができる。また、前記中空管２５内
にヒータ２６を有する構造とすれば、固体原料１２を更
に十分に加熱することが可能となる。

【００３４】図４は固体原料気化装置の他の例を示す縦
断面図である。図４の実施の形態において、図１の実施
の形態と同じ部分は同じ参照符号を付して説明を省略
し、異なる部分について説明を加える。図４に示すよう
に、原料容器１３内の底部には、熱伝導部材として、支
柱２７が立設され、この支柱２７に上下方向に適宜間隔
で棚状に設けられた網状または多孔状の熱伝導板２８が
設けられている。熱伝導板２８としては、例えば金属線
を平面方向だけでなく厚さ方向にも立体的に編み込んだ
メッシュ、もしくは、多数の孔を有する多孔板であるこ
とが好ましい。また、前記支柱２７は、中空管とされ、
内部に温度制御可能なヒータが設けられていることが好
ましい。

【００３５】以上の構成からなる固体原料気化装置１０
によれば、熱伝導部材として、前記原料容器１３内の底
部に支柱２７を立設し、この支柱２７に上下方向に適宜
間隔で棚状に網状または多孔状の熱伝導板２８を設けて
いるため、原料容器１３の底部から支柱２７を介して熱
伝導板２８への熱伝導により、原料容器１３内の固体原
料１２を中央領域と周縁領域の間に温度勾配を生じさせ
ずに十分に加熱することが可能となり、図１の実施の形
態と同様の効果を奏することができる。また、前記支柱
２７が加熱部を有する構造とすれば、固体原料１２を更
に十分に加熱することが可能となる。

【００３６】図５は固体原料気化装置の他の例を示す縦
断面図である。図５の実施の形態において、図１の実施
の形態と同じ部分は同じ参照符号を付して説明を省略
し、異なる部分について説明を加える。図５に示すよう
に、原料容器１３内には、原料容器１３との接触頻度を
多くすべく固体原料１２を攪拌する攪拌手段例えば攪拌
翼２９が設けられている。この攪拌翼２９の駆動軸３０
は、原料容器１３の底部を気密に貫通するように設けら
れているが、容器本体１３の蓋１６を気密に貫通するよ
うに設けられていてもよい。

【００３７】以上の構成からなる固体原料気化装置１０
によれば、原料容器１３内には、固体原料１２を攪拌す
る攪拌翼２９が設けられているため、固体原料１２の原
料容器１３との接触頻度を多くなり、原料容器１３内の
固体原料１２を中央領域と周縁領域の間に温度勾配を生
じさせずに十分に加熱することが可能となり、図１の実
施の形態と同様の効果を奏することができる。また、こ
の方法によれば、固体原料１２を収容した原料容器１３
を加熱すると共に、該原料容器１３内に配設した攪拌手
段例えば攪拌翼２９により固体原料１２を攪拌すること
により、固体原料１２全体を略均一に加熱して、固体原
料１２から気化ガスを安定して発生させることができ
る。

【００３８】図６は固体原料気化装置の他の例を示す縦
断面図である。図６の実施の形態において、図１の実施
の形態と同じ部分は同じ参照符号を付して説明を省略
し、異なる部分について説明を加える。本実施の形態の
固体原料気化装置１０は、図６に示すように、原料容器
１３を加熱する加熱手段として恒温槽３１が用いられて
いる。

【００３９】この恒温槽３１は、図示しない断熱材で覆
われ、内部に例えばステンレス等の金属板で区画された
加熱室３２が設けられている。この加熱室３２の両側壁
には多数の通気孔３３が設けられている。また、恒温槽
３１内には、内部雰囲気例えば空気が加熱室内３２を通
過するように循環するための通風路３４が設けられ、こ
の通風路３４には、所定の温度に温度制御可能に構成さ
れた抵抗発熱体からなるヒータ３５と、送風ファン３６
とが設けられている。そして、前記加熱室３２内に、前
記原料容器１２および弁１８が収容されている。なお、
前記原料容器内には、前記実施の形態で示したような加
熱部および／または熱伝導部材あるいは攪拌手段が設け
られている（図示省略）。

【００４０】以上の構成からなる固体原料気化装置１０
によれば、原料容器１３を加熱する加熱手段が恒温槽３
１からなるため、原料容器１３全体を一定の温度で均一
に加熱することができ、原料容器１３内に設けられてい
る熱伝導部材と相俟って原料容器１３内の固体原料を中
央領域と周縁領域の間に温度勾配を生じさせずに更に十
分に加熱することができ、気化ガスを更に安定して発生
させることができる。

【００４１】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、熱処理炉としては、
枚葉式であってもよく、横型であってもよい。固体原料
としては、粉末状以外に、例えば粒状であってもよい。
被処理体としては、半導体ウエハ以外に、例えばガラス
基板やＬＣＤ基板等であってもよい。また、前記原料容
器内には、加熱部、熱伝導部材、攪拌手段を適宜組合わ
せて配設してもよい。

【００４２】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００４３】（１）請求項１の発明によれば、固体原料
を収容した原料容器と、該原料容器を加熱する加熱手段
とを備えた固体原料気化装置において、前記原料容器内
に固体原料を加熱するための加熱部および／または熱伝
導部材を配設ているため、原料容器内の固体原料を中央
領域と周縁領域の間に温度勾配を生じさせずに十分に加
熱することができ、気化ガスを安定して発生させること
ができる。

【００４４】（２）請求項２の発明によれば、前記熱伝
導部材が、前記原料容器内の底部に立設された複数のフ
ィンからなるため、原料容器内の固体原料を中央領域と
周縁領域の間に温度勾配を生じさせずに十分に加熱する
ことができ、気化ガスを安定して発生させることができ
る。

【００４５】（３）請求項３の発明によれば、前記熱伝
導部材が、前記原料容器内に上下方向に設けられた螺旋
状のフィンからなるため、原料容器内の固体原料を中央
領域と周縁領域の間に温度勾配を生じさせずに十分に加
熱することができ、気化ガスを安定して発生させること
ができる。

【００４６】（４）請求４の発明によれば、前記螺旋状
のフィンには複数の孔が形成されているため、固体原料
からの気化を促進することができる。

【００４７】（５）請求項５の発明によれば、前記熱伝
導部材が、前記原料容器内の底部に立設された支柱と、
該支柱に上下方向に適宜間隔で棚状に設けられた網状ま
たは多孔状の熱伝導板とからなるため、原料容器内の固
体原料を中央領域と周縁領域の間に温度勾配を生じさせ
ずに十分に加熱することができ、気化ガスを安定して発
生させることができる。

【００４８】（６）請求項６の発明は、固体原料を収容
した原料容器と、該原料容器を加熱する加熱手段と、前
記固体原料から発生した気化ガスを供給するガス供給系
とを備えた固体原料気化装置において、前記原料容器内
に固体原料を攪拌する攪拌手段を設けているため、原料
容器内の固体原料を中央領域と周縁領域の間に温度勾配
を生じさせずに十分に加熱することができ、気化ガスを
安定して発生させることができる。

【００４９】（７）請求項７の発明によれば、前記加熱
手段が恒温槽からなるため、固体原料容器全体を一定の
温度で均一に加熱することができ、原料容器内の加熱
部、熱伝導部材もしくは攪拌手段と相俟って原料容器内
の固体原料を中央領域と周縁領域の間に温度勾配を生じ
させずに更に十分に加熱することができ、気化ガスを更
に安定して発生させることができる。

【００５０】（８）請求項８の発明によれば、固体原料
を収容した原料容器を加熱すると共に、該原料容器内に
配設した加熱部および／または熱伝導部材により固体原
料を加熱して、固体原料から気化ガスを発生させるた
め、原料容器内の固体原料を中央領域と周縁領域の間に
温度勾配を生じさせずに十分に加熱することができ、気
化ガスを安定して発生供給することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である固体原料気化装置を
概略的に示す図である。

【図２】固体原料気化装置の他の例を示す図で、（ａ）
は縦断面図、（ｂ）は横断面図である。

【図３】固体原料気化装置の他の例を示す図で、（ａ）
は縦断面図、（ｂ）は横断面図である。

【図４】固体原料気化装置の他の例を示す縦断面図であ
る。

【図５】固体原料気化装置の他の例を示す縦断面図であ
る。

【図６】固体原料気化装置の他の例を示す縦断面図であ
る。

【図７】従来の固体原料気化装置を示す図で、（ａ）は
固体原料が充填された状態の断面図、（ｂ）は固体原料
が少なくなった状態の断面図である。

【符号の説明】

１０固体原料気化装置１２固体原料１３原料容器１４ヒータ（加熱手段）２１フィン（熱伝導部材）２３螺旋状のフィン（熱伝導部材）２６加熱部２７支柱２８熱伝導板２９攪拌翼（攪拌手段）３１恒温槽（加熱手段）

フロントページの続き (72)発明者三浦一敏東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者纐纈雅之愛知県小牧市応時二丁目250番地シーケーディ株式会社小牧事業所内 (72)発明者小澤幸生愛知県小牧市応時二丁目250番地シーケーディ株式会社小牧事業所内 (72)発明者河野哲児郎愛知県小牧市応時二丁目250番地シーケーディ株式会社小牧事業所内Ｆターム(参考） 4K030 EA01 EA08 5F045 BB01 DP19 EC09 EE02 EK05 EK21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】固体原料を収容した原料容器と、該原料
容器を加熱する加熱手段とを備えた固体原料気化装置に
おいて、前記原料容器内に固体原料を加熱するための加
熱部および／または熱伝導部材を配設したことを特徴と
する固体原料気化装置。
【請求項２】前記熱伝導部材が、前記原料容器内の底
部に立設された複数のフィンからなることを特徴とする
請求項１記載の固体原料気化装置。
【請求項３】前記熱伝導部材が、前記原料容器内に上
下方向に設けられた螺旋状のフィンからなることを特徴
とする請求項１記載の固体原料気化装置。
【請求項４】前記螺旋状のフィンには複数の孔が形成
されていること特徴とする請求項３記載の固体原料気化
装置。
【請求項５】前記熱伝導部材が、前記原料容器内の底
部に立設された支柱と、該支柱に上下方向に適宜間隔で
棚状に設けられた網状または多孔状の熱伝導板とからな
ることを特徴とする請求項１記載の固体原料気化装置。
【請求項６】固体原料を収容した原料容器と、該原料
容器を加熱する加熱手段と、前記固体原料から発生した
気化ガスを供給するガス供給系とを備えた固体原料気化
装置において、前記原料容器内に固体原料を攪拌する攪
拌手段を設けたことを特徴とする固体原料気化装置。
【請求項７】前記加熱手段が恒温槽であることを特徴
とする請求項１または６記載の固体原料気化装置。
【請求項８】固体原料を収容した原料容器を加熱する
と共に、該原料容器内に配設した加熱部および／または
熱伝導部材により固体原料を加熱して、固体原料から気
化ガスを発生させることを特徴とする固体原料気化方
法。