TW201447984A - 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種可使半導體裝置之製造品質提昇，並且可使製造產能提昇之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。本發明之基板處理裝置係包括有：處理室，其將基板加以收納；汽化器，其將處理液加以汽化，並將處理氣體加以供給至上述處理室內；儲液槽，其貯存上述處理液；流量控制部，其控制自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液流量；線路切換單元，其連接於上述儲液槽；槽供給管，其連接於上述線路切換單元，且對上述儲液槽供給處理液；排出部，其連接於上述線路切換單元，且將上述儲液槽內之處理液加以排出；及控制部，其在自上述處理液供給管將處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，以進行自上述儲液槽將處理液加以排出至上述排出部之處理液排出步驟、及自上述槽供給管加以將處理液供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟之方式，加以控制上述線路切換單元。

Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
伴隨著大型積體電路(Large Scale Integrated Circuit：以下LSI)之細微化，控制電晶體元件間之漏電流干擾之加工技術中，技術性困難日益增加。對於LSI之元件間分離，藉由如下方法而完成，即，於成為基板之矽(Si)，於欲分離之元件間形成槽或孔等空隙，且於該空隙中沈積絕緣物。作為絕緣物，採用氧化膜之情況較多，例如，採用氧化矽膜。氧化矽膜係藉由Si基板自身之氧化、或化學氣相沈積法(CVD，Chemical Vapor Deposition)、絕緣物塗佈法(SOD，Spin-coating Deposition)而形成。
因近年之細微化，對於細微結構之埋入、尤其是氧化物向縱向較深或橫向較窄之空隙結構之埋入，CVD法之埋入方法正逐漸達到技術極限。於此種背景下，使用具有流動性之氧化物之埋入方法、即SOD之採用有增加的傾向。SOD係使用稱作旋塗式玻璃(SOG，Spin on glass)之包含無機或有機成分之塗佈絕緣材料。該材料係自CVD氧化膜出現以前用於LSI之製造步驟，但由於加工技術為0.35μm~1μm左右之加工尺寸並不細微，故而塗佈後之改質方法係藉由於氮氣環境下進行400℃左右之熱處理而被容許。
又，另一方面，對於電晶體之熱負載之降低要求亦不斷發展。作為欲降低熱負載之理由，具有防止為電晶體之動作而注入之硼或砷、磷等雜質之過度之擴散、防止電極用金屬矽化物之凝集、防止閘極用工作函數金屬材料之性能變動、及確保記憶體元件之寫入、讀入重複壽命等。
然而，近年之以LSI、動態隨機存取記憶體(DRAM，Dynamic Random Access Memory)或快閃記憶體為代表之半導體裝置之最小加工尺寸變得小於50nm寬，保證品質下之細微化或製造產能提昇之達成或處理溫度之低溫化變得困難。
本發明之目的在於提供一種可使半導體裝置之製造品質提昇，並且可使製造產能提昇之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、及記錄媒體。
根據一態樣，提供一種基板處理裝置，其包括有：處理室，其將基板加以收納；汽化器，其將處理液加以汽化，並處理氣體加以供給至上述處理室內；儲液槽，其貯存上述處理液；流量控制部，其控制自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液流量；線路切換單元，其連接於上述儲液槽；槽供給管，其連接於上述線路切換單元，且對上述儲液槽供給處理液；排出部，其連接於上述線路切換單元，且將上述儲液槽內之處理液加以排出；及控制部，其在自上述處理液供給管將處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，以進行自上述儲液槽 將處理液加以排出至上述排出部之處理液排出步驟、及自上述槽供給管將處理液加以供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟之方式，加以控制上述線路切換單元。
根據另一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包括有：將基板加以收納於處理室之步驟；將處理液加以汽化，並將處理氣體加以供給至上述處理室內之步驟；將上述處理液加以貯存至儲液槽之步驟；將自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液之流量加以控制之步驟；自槽供給管將上述處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟；以及在上述處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液，自排出部加以排出之步驟、及自上述槽供給管而朝向上述排出部將處理液加以排出之步驟中之任一者或兩者之步驟。
根據又一態樣，提供一種記錄媒體，該記錄媒體記錄有使電腦執行如下流程之程式，即，使基板收納於處理室之流程；將處理液加以汽化，並將處理氣體加以供給至上述處理室內之流程；使上述處理液貯存於儲液槽之流程；對自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液之流量進行控制之流程；自槽供給管將上述處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充流程；以及在上述處理液補充流程之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液，自排出部加以排出之流程、及自上述槽供給管而朝向上述排出部將處理液加以排出之流程中之任一者或兩者之流程。
根據本發明之基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、及記錄媒體，可使半導體裝置之製造品質提昇，並且使製造產 能提昇。
121‧‧‧控制器
121a‧‧‧中央處理單元
121b‧‧‧隨機存取記憶體
121c‧‧‧記憶裝置
121d‧‧‧輸入輸出埠(I/O埠)
121e‧‧‧內部匯流排
122‧‧‧輸入輸出裝置
123‧‧‧外部記憶裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧基板處理裝置
202‧‧‧處理爐
203‧‧‧反應管
206‧‧‧加熱器基座
207‧‧‧第1加熱部
207a~207d‧‧‧第1~第4加熱器單元
209、235a~235e、237、240、242a~242d、295a~295e、297‧‧‧閥
210‧‧‧隔熱構件
217‧‧‧晶舟
217a‧‧‧支柱
217b‧‧‧底板
217c‧‧‧頂板
217d‧‧‧汽化器
218‧‧‧隔熱體
219‧‧‧密封蓋
223‧‧‧壓力感測器
224‧‧‧排氣管加熱器
231‧‧‧氣體排氣管
233‧‧‧氣體供給管
234‧‧‧液體流量控制器
241a~241d、299b~299e‧‧‧MFC
242‧‧‧APC閥
243‧‧‧第2排氣管
244‧‧‧分離器
246、246a、246b‧‧‧真空泵
247‧‧‧液體回收槽
249‧‧‧冷卻氣體供給管
251‧‧‧質量流量控制器
252、254、256‧‧‧擋閘
253‧‧‧冷卻氣體排氣管
255‧‧‧APC閥
257‧‧‧鼓風機
259‧‧‧鼓風機旋轉機構
260‧‧‧空間
261‧‧‧旋轉軸
263a~263d‧‧‧第1~第4溫度感測器
267‧‧‧晶舟旋轉機構
280‧‧‧第2加熱部
289a‧‧‧處理液供給管
294‧‧‧液體流量控制器
300‧‧‧液體流量控制單元
301‧‧‧儲液槽
302a、302b、302c、302d、302e、302f、302g、302h、302i、302j、402a、404b、601a、601b‧‧‧自動閥
303a、303b、303c、404a‧‧‧手動閥
304‧‧‧過濾器
305‧‧‧LMFC
309、600‧‧‧MFC
310a‧‧‧液體管
310b、310c、310d‧‧‧氣體管
310e‧‧‧排水管
400‧‧‧處理液供給單元
401‧‧‧處理液供給源
403‧‧‧泵
405‧‧‧槽供給管
406‧‧‧排出管
407‧‧‧自動閥
408‧‧‧回送管
500‧‧‧線路切換單元
501‧‧‧處理液供給噴嘴
501a‧‧‧槽側閥
501b‧‧‧供給源側閥
501c‧‧‧排出側閥
502‧‧‧供給孔
602‧‧‧惰性氣體供給管
800‧‧‧滴下噴嘴
801‧‧‧過氧化氫蒸汽產生裝置；汽化空間
802‧‧‧汽化容器
803‧‧‧汽化器加熱器
805‧‧‧熱電偶
806‧‧‧隔熱材料
807‧‧‧藥液供給配管
833‧‧‧排氣口
850‧‧‧溫度控制控制器
圖1係實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係實施形態之基板處理裝置之縱剖面概略圖。
圖3係實施形態中較佳地使用之基板處理裝置之控制器之概略構成圖。
圖4係實施形態之基板處理步驟之流程圖。
圖5係表示實施形態之基板處理裝置之線路切換單元，且表示對於儲液槽之處理液補充步驟之圖。
圖6係作為表示實施形態之基板處理裝置之線路切換單元，且表示處理液排出步驟中之構成之概略圖之圖。
圖7係表示實施形態之基板處理裝置之線路切換單元，且表示處理液供給管內排出步驟中之構成之概略圖。
圖8係另一實施形態之汽化器之概略構成圖。
<第1實施形態>
以下，對第1實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
首先，主要使用圖1及圖2，對本實施形態之基板處理裝置之構成進行說明。圖1係本實施形態之基板處理裝置之概略構成圖，且藉由縱剖面表示處理爐202部分。圖2係本實施形態之基板處理 裝置所具備之處理爐202之縱剖面概略圖。
(反應管)
如圖1所示，處理爐202具備反應管203。反應管203係包含例如石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等耐熱性材料，且形成為上端及下端開口之圓筒形狀。於反應管203之筒中空部形成處理室201，且構成為可藉由下述晶舟217而以水平姿勢且於垂直方向上多段地排列成行之狀態收納作為基板之晶圓200。
於反應管203之下部設置有可將反應管203之下端開口(爐口)氣密性密封(閉塞)之作為爐口蓋體之密封蓋219。密封蓋219係以自垂直方向下側抵接於反應管203之下端之方式構成。密封蓋219係形成為圓板狀。
成為基板之處理空間之基板處理室201包括反應管203及密封蓋219。
(基板支持部)
作為基板保持部之晶舟217係構成為可多段地保持複數片晶圓200。晶舟217具備保持複數片晶圓200之複數根支柱217a。支柱217a例如具備3根。複數根支柱217a係分別架設於底板217b與頂板217c之間。複數片晶圓200係以水平姿勢且中心相互對齊之狀態於支柱217a排列成行而多段保持於管軸方向。頂板217c係形成為大於由晶舟217保持之晶圓200之最大外徑。
作為支柱217a、底板217b、頂板217c之構成材料，例如使用氧化矽(SiO2)、碳化矽(SiC)、氧化鋁(AlO)、氮化鋁(AlN)、 氮化矽(SiN)、氧化鋯(ZrO)等導熱性佳之非金屬材料。尤其較佳為導熱率為10W/mK以上之非金屬材料。再者，若導熱率不成問題，則亦可由石英(SiO)等形成，又，若金屬對晶圓200之污染不成問題，則支柱217a、頂板217c亦可由不鏽鋼(SUS)等金屬材料形成。於使用金屬作為支柱217a、頂板217c之構成材料之情形時，亦可於金屬形成陶瓷、鐵氟龍(註冊商標)等被膜。
於晶舟217之下部，設置有例如包含石英或碳化矽等耐熱材料之隔熱體218，且構成為來自第1加熱部207之熱不易向密封蓋219側傳遞。隔熱體218係作為隔熱構件發揮功能，並且亦作為保持晶舟217之保持體發揮功能。再者，隔熱體218並不限於如圖所示地以水平姿勢多段地設置有複數片形成為圓板形狀之隔熱板者，亦可為例如形成為圓筒形狀之石英蓋等。又，亦可將隔熱體218視作晶舟217之構成構件之一。
(升降部)
於反應容器203之下方設置有作為使晶舟217升降而朝向反應管203之內外搬送之升降部之晶舟升降機。於晶舟升降機設置有於藉由晶舟升降機而使晶舟217上升時將爐口密封之密封蓋219。
於密封蓋219之與處理室201相反側，設置有使晶舟217旋轉之晶舟旋轉機構267。晶舟旋轉機構267之旋轉軸261係貫通密封蓋219而連接於晶舟217，且構成為藉由使晶舟217旋轉而使晶圓200旋轉。
(第1加熱部)
於反應管203之外側，以包圍反應管203之側壁面之同心圓狀設置有將反應管203內之晶圓200加熱之第1加熱部207。第1加熱部207係由加熱器基座206支持而設置。如圖2所示，第1加熱部207具備第1~第4加熱器單元207a~207d。第1~第4加熱器單元207a~207d係分別沿著反應管203內之晶圓200之積層方向設置。
於反應管203內，在第1~第4加熱器單元207a~207d之每一個，將例如熱電偶等第1~第4溫度感測器263a~263d分別設置於反應管203與晶舟217之間，作為檢測晶圓200或周邊溫度之溫度檢測器。再者，第1~第4溫度感測器263a~263d亦可以分別檢測由第1~第4加熱器單元207a~207d分別加熱之複數片晶圓200中之位於其中央之晶圓200之溫度之方式設置。
於第1加熱部207、第1~第4溫度感測器263a~263d分別電性連接有下述控制器121。控制器121係構成為以反應管203內之晶圓200之溫度成為既定之溫度之方式，基於由第1~第4溫度感測器263a~263d分別檢測之溫度資訊，以既定之時序分別控制對第1~第4加熱器單元207a~207d之供給電力，於第1~第4加熱器單元207a~207d之每一個中個別地進行溫度設定或溫度調整。
(氣體供給部)
如圖1所示，於反應管203與第1加熱部207之間設置有處理液供給噴嘴501。處理液供給噴嘴501係例如由導熱率低之石英等形成。處理液供給噴嘴501亦可具有二重管結構。處理液供給噴嘴 501係沿著反應管203之外壁之側部配設。處理液供給噴嘴501之前端(下游端)係氣密性設置於反應管203之頂部(上端開口)。在位於反應管203之上端開口之處理液供給噴嘴501之前端設置有供給孔502。供給孔502係構成為將供給至反應管203內之處理液朝向設置在收納於反應管203內之晶舟217之上部之汽化器217d供給。供給孔502於下述之例中以滴下至汽化器217d之方式構成，但亦可視需要以噴射之方式構成。氣體供給部主要包括汽化器217d、處理液供給噴嘴501、及供給孔502。
於處理液供給噴嘴501之上游端，連接有供給處理液之處理液供給管289a之下游端。於處理液供給管289a，自上游方向依序設置有液體流量控制單元300及處理液供給單元400。
(液體流量控制單元)
於液體流量控制單元300自上游側起設置有儲液槽301、液體管310a、自動閥302a、手動閥303a、過濾器304、自動閥302b、作為流量控制部之液體流量控制器(LMFC，Liquid Mass Flow Controller)305、及閥302c、302d。再者，液體管310a之上游端係設置於儲液槽301內之液面以下。又，於儲液槽301連接有壓送氣體供給部、氣體排出部、及處理液排出部。儲液槽301之容量為1~5升，例如構成為2升。較佳為，以可連續地執行兩次以上下述基板處理步驟之容量構成。
壓送氣體供給部設置有氣體管310b、自動閥302e、302f、302g、氣體流量控制器(質量流量控制器)309、及手動閥303b。壓送氣體供給部主要包括氣體管310b、自動閥302g、及質量流量 控制器(MFC，Mass Flow Controller)309。亦可包含其他構成而構成。藉由自壓送氣體供給部對儲液槽301供給例如氮氣(N2)作為壓送氣體，而自儲液槽301對過濾器304壓送處理液。
於氣體排出部設置有氣體管310c、手動閥303c、及自動閥302h。氣體排出部至少包含氣體管310c、及自動閥302h。可視需要亦包含手動閥303c。
於自動閥302c與302d之間設置有排水管310e、及自動閥302i。又，於過濾器304設置有連接著排水管310e之氣體管310d及自動閥302j。於過濾器304中，將自儲液槽301供給之處理液中包含之氣體取出，僅將液體送出至LMFC305。處理液中包含之氣體係流入排水管310e。於LMFC305中，控制經由過濾器304而供給之處理液之流量。
(處理液供給單元)
處理液供給單元400係對儲液槽301供給處理液。處理液供給單元400設置有處理液供給源401、自動閥402a、泵403、手動閥404a、槽供給管405、及自動閥404b。處理液供給單元400至少包括槽供給管405、及自動閥402a。再者，亦可將作為下述排出部之排出管406包含於處理液供給單元。又，亦可包含處理液供給源401及泵403而構成，但具有作為設置有基板處理裝置之半導體裝置之製造工廠之設備而設置之情況。以藉由泵403而自處理液供給源401經由下述線路切換單元對儲液槽301供給處理液之方式設置。處理液供給單元400亦可設置於氣體供給部，但亦可不搭載於基板處理裝置而作為設置有基板處理裝置之半導體裝置製造工廠之設 備而設置。
(排出部)
於下述線路切換單元500連接有作為排出部之排出管406，且構成為可將儲液槽301或槽供給管405內之處理液排出。再者，亦可以設置自動閥407及回送管408而回送至處理液供給源401之方式構成。
(線路切換單元)
線路切換單元500係設置於液體流量控制單元300與處理液供給單元400之間。線路切換單元500係於進行下述之自處理液供給單元400朝儲液槽301之處理液供給步驟、自儲液槽301朝排出管406之處理液排出步驟、及積存於槽供給管405內之處理液之管內排出步驟之各個步驟時進行閥操作。處理液供給步驟係藉由打開槽側閥501a及供給源側閥501b，且關閉排出側閥501c而進行。處理液排出步驟係藉由打開槽側閥501a及排出側閥501c，且關閉供給源側閥501b而進行。管內排出步驟係藉由關閉槽側閥501a，且打開供給源側閥501b及排出側閥501c而進行。
(排氣部)
於反應管203之下方，連接有將基板處理室201內之氣體進行排氣之氣體排氣管231之一端。氣體排氣管231之另一端係經由作為壓力調整器之自動壓力控制器(APC，Auto Pressure Controller)閥255而連接於真空泵246a(排氣裝置)。基板處理室201內係由以真 空泵246產生之負壓進行排氣。再者，APC閥255係可藉由閥之開閉而進行基板處理室201之排氣及排氣停止之開閉閥。
又，APC閥255亦係可藉由閥開度之調整而調整壓力之壓力調整閥。
又，作為壓力檢測器之壓力感測器223係設置於APC閥255之上游側。以此方式構成為進行真空排氣，以使基板處理室201內之壓力成為既定之壓力(真空度)。藉由APC閥255而於基板處理室201及壓力感測器223電性連接有壓力控制部284(參照圖3)，且壓力控制部284構成為基於由壓力感測器223檢測之壓力，利用APC閥255以所需之時序進行控制，以使基板處理室201內之壓力成為所需之壓力。
排氣部包括氣體排氣管231、APC閥255、及壓力感測器223等。
再者，亦可考慮將真空泵246包含於排氣部。
再者，圖1、圖2係將處理液供給噴嘴501與氣體排氣管231設置於對向之位置，但亦可設置於相同側。
由於基板處理裝置內之空餘空間、或設置複數台基板處理裝置之半導體裝置工廠內之空餘空間較窄，故而，可藉由以此方式，將處理液供給噴嘴501與氣體排氣管231設置於相同側，而可容易地進行氣體供給管233、氣體排氣管231、及防止液化加熱器280之維護。
(控制部)
如圖3所示，作為控制部(控制手段)之控制器121係作為具備 中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)121a、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、及輸入輸出埠(I/O埠)121d之電腦而構成。RAM121b、記憶裝置121c、及輸入輸出埠(I/O埠)121d係構成為可經由內部匯流排121e而與CPU121a進行資料交換。於控制器121連接有例如作為觸控面板等而構成之輸入輸出裝置122。
記憶裝置121c係包含例如快閃記憶體、硬式磁碟驅動機(HDD，Hard Disk Drive)等。於記憶裝置121c內，可讀出地儲存有控制基板處理裝置之動作之控制程式、或記載有下述基板處理之流程或條件等之程式配方等。再者，製程配方係以可使控制器121執行下述基板處理步驟中之各流程，而獲得既定之結果之方式組合而成者，且作為程式發揮功能。以下，將該程式配方或控制程式等概括地簡稱為程式。再者，於本說明書中，採用稱作程式之詞語之情形時，具有僅包含程式配方單體之情形、僅包含控制程式單體之情形、或包含該兩者之情形。又，RAM121b係作為暫時地保持由CPU121a讀出之程式或資料等之記憶體區域(工作區)而構成。
輸入輸出埠(I/O埠)121d係連接於上述液體流量控制器(LMFC，Liquid Mass Flow controller)305、氣體流量控制器(MFC，Mass Flow controller)309、600、泵403、自動閥302a、302b、302c、302d、302e、302f、302g、302h、302i、601a、601b、擋閘252、254、256、APC閥255、第1加熱部207(207a、207b、207c、207d)、第2加熱部280、鼓風機旋轉機構259、第1~第4溫度感測器263a~263d、晶舟旋轉機構267、壓力感測器223、溫度控制控制器400、泵403、槽側閥501a、供給源側閥501b、及排出側閥 501c等。
CPU121a係構成為讀出並執行來自記憶裝置121c之控制程式，並且根據來自輸入輸出裝置122之操作指令之輸入等，自記憶裝置121c讀出製程配方。而且，CPU121a係構成為以遵循被讀出之製程配方之內容之方式，控制LMFC305對處理液之流量調整動作、MFC309、600對氣體之流量調整動作、自動閥302a、302b、302c、302d、302e、302f、302g、302h、302i、601a、601b之開閉動作、擋閘252、254、256之遮斷動作、APC閥255之開閉調整動作、及基於第1~第4溫度感測器263a~263d之第1加熱部207之溫度調整動作、第2加熱部280之溫度調整動作、真空泵246a、246b之啟動、停止、鼓風機旋轉機構259之旋轉速度調節動作、晶舟旋轉機構267之旋轉速度調節動作、泵403之處理液供給動作、槽側閥501a之開閉動作、供給源側閥501b之開閉動作、及排出側閥501c之開閉閥等。
再者，控制器121並不限於作為專用之電腦構成之情形，亦可作為通用之電腦構成。例如，可藉由準備儲存有上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、光碟(CD，Compact Disc)或數位多功能光碟(DVD，Digital Versatile Disc)等光碟、磁光碟(MO，Magneto-Optical)等磁光碟、通用串列匯流排(USB，Universal Serial Bus)記憶體或記憶卡等半導體記憶體)123，使用該外部記憶裝置123於通用之電腦安裝程式等而構成本實施形態之控制器121。再者，用以對電腦供給程式之手段並不限於經由外部記憶裝置123進行供給之情形。例如，亦可使用網際網路或專用線路等通訊手段，不經由外部記憶裝置123地供給程式。再者，記憶裝 置121c或外部記憶裝置123係作為電腦可讀取之記錄媒體而構成。以下，將其等概括地簡稱為記錄媒體。再者，於本說明書中，使用稱作記錄媒體之詞語之情形，具有僅包含記憶裝置121c單體之情形、僅包含外部記憶裝置123單體之情形、或包含該兩者之情形。
(2)基板處理步驟
繼而，使用圖4，對作為本實施形態之半導體裝置之製造步驟之一步驟所實施之基板處理步驟進行說明。該步驟係藉由上述基板處理裝置而實施。本實施形態係作為該基板處理步驟之一例，對使用使過氧化氫水汽化而成之汽化氣體作為處理氣體，進行將形成於作為基板之晶圓200上之含矽(Si)膜改質(氧化)為氧化矽膜之步驟(改質處理步驟)之情形進行說明。再者，於以下說明中，如圖1或圖3所示，構成基板處理裝置之各部之動作係由控制器121進行控制。
於此，對使用具有作為細微結構之凹凸結構，將聚矽氮烷(SiH2NH)以至少填充於凹部(槽)之方式供給，且槽內形成有含矽(Si)膜之基板作為晶圓200，且使用過氧化氫水之汽化氣體作為處理氣體之例進行說明。再者，含矽膜中含有矽(Si)或氮(N)、氫(H)，且視情形，具有混有碳(C)或其他雜質之可能性。再者，所謂具有細微結構之基板係指具有相對矽基板在垂直方向較深之槽(凹部)、或者在例如10nm~50nm左右之寬度之橫方向較窄之槽(凹部)等之縱橫比較高之結構的基板。
聚矽氮烷係代替自習知以來使用之SOG之材料。該 聚矽氮烷係例如藉由二氯矽烷或三氯矽烷與氨的觸媒反應而獲得之材料，且於藉由使用旋轉塗佈機塗佈於基板上而形成薄膜時使用。膜厚係藉由聚矽氮烷之分子量、黏度或塗佈機之轉數而調節。可藉由對該聚矽氮烷供給水分，而形成氧化矽膜。
(基板搬入步驟(S10))
首先，將預先指定片數之晶圓200裝填(晶圓裝載)於晶舟217。藉由晶舟升降機而將保持有複數片晶圓200之晶舟217升起，而搬入(晶舟裝入)至反應管203內(處理室201內)。於該狀態下，作為處理爐202之開口部之爐口成為被密封蓋219密封之狀態。
(壓力、溫度調整步驟(S20))
以反應管203內成為所需之壓力(例如96000~102500Pa)之方式，藉由真空泵246a或真空泵246b之至少任一者進行真空排氣。具體而言，設為100000Pa左右。此時，反應管203內之壓力係利用壓力感測器223測定，且基於該測定之壓力，對APC閥242之開度或閥240之開閉進行反饋控制(壓力調整)。
以收納於反應管203內之晶圓200成為所需之溫度(例如室溫~300℃)之方式，藉由第1加熱部207進行加熱。較佳為加熱至50℃~150℃左右，更佳為加熱至50~100℃左右。此時，以反應管203內之晶圓200成為所需之溫度之方式，基於第1~第4溫度感測器263a~263d所檢測之溫度資訊，反饋控制對第1加熱部207所具備之第1~第4加熱器單元207a~207d之供給電力(溫度調整)。此時，能以第1~第4加熱器單元207a~207d之設定溫 度均成為相同之溫度之方式進行控制，亦可提高與設置有汽化器之位置對向之加熱器之溫度。又，亦能以提高與自汽化器分離之晶舟217之下端側之位置對向之加熱器之溫度之方式進行控制。
又，一面加熱晶圓200一面使晶舟旋轉機構267作動，開始晶舟217之旋轉。此時，藉由控制器121而控制晶舟217之旋轉速度。再者，晶舟217係設為至少於下述改質處理步驟(S30)結束之前之期間始終進行旋轉之狀態。
又，對排氣管加熱器224供給電力，且以成為100~300℃之方式進行調整。
(改質處理步驟(S30))
加熱晶圓200以達到所需之溫度，且於晶舟217達到所需之旋轉速度之後，對汽化器217d供給作為處理液之過氧化氫(H2O2)水，使過氧化氫水蒸發，而使基板處理室201內產生作為汽化氣體之過氧化氫氣體。具體而言，打開自動閥302a、302b、302c、302d、302e、302f、302g，自氣體供給管301對儲液槽301內供給壓送氣體。壓送氣體係例如使用氮氣(N2)。除此以外，亦可使用惰性氣體、或He氣、Ne氣、Ar氣等稀有氣體。若對儲液槽301內供給壓送氣體，則將儲液槽301內之過氧化氫水朝向液體管310a擠出，並經由過濾器304供給至LMFC305。由LMFC305調整為既定之流量之後，經由處理液供給噴嘴501使過氧化氫水滴下至汽化器217d。汽化器217d係加熱至既定之溫度，且供給至汽化器217d之過氧化氫水蒸發，從而產生過氧化氫氣體。可藉由如此地於處理室201內產生過氧化氫氣體，而再現性良好地控制過氧化氫氣體中之過氧化氫濃 度。過氧化氫水成為使過氧化氫(H2O2)與水(H2O)混合而成之溶液。由於H2O2與H2O沸點不同，故在加入有過氧化氫水之溶液加熱蒸發之方法、或使其起泡之方法中，若比較液體狀態與蒸發後之過氧化氫氣體，則具有H2O2濃度產生差異之情況。若為如本實施形態般使其滴下而進行蒸發之方法，則可抑制濃度中產生差異。
將過氧化氫水之汽化氣體(處理氣體)供給至晶圓200，藉由過氧化氫水之汽化氣體與晶圓200之表面進行氧化反應，而將形成於晶圓200上之含矽膜改質為SiO膜。
一面對反應管203內供給過氧化氫水，一面自真空泵246b、液體回收槽247進行排氣。即，關閉APC閥242，打開閥240，使自反應管203內排出之排氣氣體自氣體排氣管231經由第2排氣管243於分離器244內通過。而且，藉由分離器244而將排氣氣體分離為包含過氧化氫之液體與不包含過氧化氫之氣體之後，將氣體自真空泵246b進行排氣，且將液體回收至液體回收槽247。
再者，於對反應管203內供給過氧化氫水時，亦可關閉閥240及APC閥255，而將反應管203內加壓。藉此，可使反應管203內之過氧化氫水環境均一。
於經過既定時間後，關閉自動閥302c，停止對反應管203內之過氧化氫水之供給。
又，作為處理氣體，並不限於使用過氧化氫水之汽化氣體之情形，亦可使用將例如氫氣(H2)等含有氫元素(H)之氣體(含氫氣體)、及例如氧氣(O2)等含有氧元素(O)之氣體(含氧氣體)加熱而水蒸氣(H2O)化之氣體。又，亦可供給包含臭氧(O3)之水。
(沖洗步驟(S40))
於改質處理步驟(S30)結束後，關閉自動閥302c、302b、302j、302a、302e、302f、及302g，打開自動閥302i，將殘留於處理液供給噴嘴501內之過氧化氫水自排水管310e排出。於排出過氧化氫水之後，關閉自動閥302d，打開閥255，於反應管203內進行真空排氣，將殘留於反應管203內之過氧化氫排出。此時，可藉由自惰性氣體供給管602對反應管203內供給作為沖洗氣體之氮氣(惰性氣體)，而促進反應管203內之殘留氣體之排出。
(降溫、大氣壓回復步驟(S50))
於沖洗步驟(S40)結束之後，一面調整閥255或APC閥246a，使反應管203內之壓力回復為大氣壓，一面使晶圓200降溫至既定之溫度(例如室溫左右)。具體而言，保持著將自動閥601a、601b打開之狀態，一面對反應管203內供給作為惰性氣體之氮氣，一面緩慢地關閉閥255或APC閥246a，使反應管203內之壓力升壓至大氣壓。繼而，控制對第1加熱部207及第2加熱部280之供給電力，使晶圓200之溫度降溫。
亦可一面使晶圓200降溫，一面於使鼓風機257作動之狀態下打開擋閘252、254、256，利用質量流量控制器251進行流量控制，同時自冷卻氣體供給管249將冷卻氣體供給至反應管203與隔熱構件210之間之空間260內，且自冷卻氣體排氣管253進行排氣。作為冷卻氣體，除氮氣以外，可單獨地或混合地使用例如He氣、Ne氣、Ar氣等稀有氣體、或空氣等。藉此，可使空間260內驟冷，於較短時間內將設置於空間260內之反應管203及第 1加熱部207冷卻。又，可使反應管203內之晶圓200於更短時間內降溫。
再者，亦可於關閉擋閘254、256之狀態下，自冷卻氣體供給管249將氮氣供給至空間260內，使空間260內充滿冷卻氣體而冷卻之後，於使鼓風機257作動之狀態下打開擋閘254、256，將空間260內之冷卻氣體自冷卻氣體排氣管253排出。
又，於改質處理步驟(S30)中，於晶圓200之溫度為如100℃等對設置於處理室201外之機器沒有影響之溫度之情形時，亦可不進行降溫。
(基板搬出步驟(S60))
其後，藉由晶舟升降機而使密封蓋219下降，將反應管203之下端開口，並且將經處理過之晶圓200於保持於晶舟217之狀態下自反應管203之下端朝向反應管203(處理室201)之外部搬出(晶舟卸載)。其後，將經處理過之晶圓200自晶舟217取出(晶圓卸載)，從而結束本實施形態之基板處理步驟。
於此，單純地記載了於低溫下對含矽膜供給過氧化氫氣體之處理，但亦可接著改質處理步驟S30，對晶圓200進行退火處理。
於半導體裝置之製造步驟中重複此種上述步驟。
於上述儲液槽301內貯存可將上述基板處理步驟執行至少一次以上、較佳為可執行複數次之量，且每進行一次或複數次基板處理，自處理液供給單元400對儲液槽301供給過氧化氫水。具有該基板處理步驟各自之間隔(自第一次基板處理步驟至第n +1次基板處理步驟之間)變長之情況。例如，因基板處理裝置之維護而導致基板處理步驟之間隔變長。即，貯存於儲液槽301之過氧化氫水於貯存後至用於基板處理為止之時間變長。發明者等發現了如下問題：因過氧化氫水之貯存時間變長，貯存於儲液槽301內之過氧化氫水之分解進行，過氧化氫濃度產生變化，導致每個基板處理步驟之再現性變差。過氧化氫水因時間經過而分解為水(H2O)與氧(O)。又，發現了如下問題：存在於設在處理液供給單元400與儲液槽301之間之槽供給管405內之過氧化氫濃度亦產生變化，從而將濃度不同之過氧化氫水供給至儲液槽301，導致儲液槽301內之過氧化氫濃度產生變化。發明者等發現，可藉由於進行下述對儲液槽301之處理液補充步驟之前，進行處理液排出步驟、及管內排出步驟，而解決該等問題。以下，使用圖5~7對該等步驟進行說明。
(處理液補充步驟)
關閉自動閥302a、及自動閥302g，停止壓送氣體之供給，停止過氧化氫水之供給，且打開自動閥302h。如圖5所示，關閉設置於線路切換單元500之排出側閥501c，依序打開供給側閥501b及槽側閥501a，並驅動泵403，藉此，自處理液供給源401對儲液槽301供給過氧化氫水。將儲液槽301內之環境自氣體排出管310c被排出。處理液補充步驟係至少於未供給上述壓送氣體時進行。若考慮基板處理步驟中之控制部之負載，則較佳為，於上述基板搬入步驟S10之前、或基板搬出步驟S60之後進行。又，於處理液補充步驟之前進行以下之處理液排出步驟及管內排出步驟中之任一步 驟或兩個步驟。
(處理液排出步驟)
如圖6所示，藉由關閉設置於設置在液體流量控制單元300與處理液供給單元400之間之線路切換單元500之供給源側閥501b，打開槽側閥501a與排出側閥501c，使貯存於儲液槽301之過氧化氫水流向排出管406排出而進行。再者，槽側閥501a係連接於儲液槽301之下部，且可將儲液槽301內之過氧化氫水全部排出。可藉由如此地將儲液槽301內之過氧化氫水排出，而防止濃度下降之過氧化氫水與所供給之過氧化氫之混合。再者，並不限於此，亦可構成為對儲液槽301內供給壓送氣體，且將該壓送氣體經由排出管310e排出。於經由排出管310e進行排出之情形時，難以將儲液槽301內之過氧化氫水全部排出，但只要過氧化氫之濃度下降為容許範圍內則亦可進行。
(管內排出步驟)
如圖7所示，關閉設置於線路切換單元500之槽側閥501a，打開供給源側閥501b及排出側閥501c，將泵403驅動，自處理液供給源401經由線路切換單元500將過氧化氫水排出至排出管406，藉此，可將積存於槽供給管405內之濃度不同之過氧化氫水擠出，使槽供給管405內之過氧化氫濃度恢復為既定之濃度。又，亦能以調整自動閥407，自回送管408回送至處理液供給源401之方式進行。又，亦可適當地使其以自處理液供給源401朝供給源側閥501b、排出側閥501c進行供給，且經由回送管408回送至處理液 供給源401之方式進行循環。可藉由使其循環，而防止過氧化氫水滯留。
於上述處理液補充步驟、處理液排出步驟、及管內排出步驟中，在槽側閥501a、供給源側閥501b、及排出側閥501c之控制下，以三個閥同時打開之狀態、或不重複執行三個步驟之方式設置連鎖，且利用控制器進行控制。
以上，對實施形態具體地進行了說明。但實施形態並不限定於上述實施形態，於不脫離其主旨之範圍內可進行各種變更。
再者，上述中記載有使用過氧化氫水(H2O2)產生過氧化氫氣體之形態，但並不限於此，供給至晶圓200上之氣體中亦可包含H2O2分子單體之狀態、或若干個分子鍵結而成之簇狀態。又，於自液體產生氣體時，可分裂為H2O2分子單體為止，或者亦可分裂為幾個分子鍵結而成之簇狀態為止。又，亦可為上述簇集合若干個而成之霧(mist)狀態。
再者，上述中，對處理晶圓200之半導體裝置之製造步驟且將絕緣體埋入細微之槽之步驟進行了記述，但實施形態之發明亦可應用於該步驟以外。例如，包括形成半導體裝置基板之層間絕緣膜之步驟、或半導體裝置之密封步驟等。
再者，上述中，對半導體裝置之製造步驟進行了記述，但實施形態之發明亦可應用於半導體裝置之製造步驟以外。例如，亦可應用於液晶裝置之製造步驟中之具有液晶之基板之密封處理、或對於用於各種裝置之玻璃基板或陶瓷基板之撥水塗層處理。進而，包括對鏡之撥水塗層處理等。
又，於上述實施形態中，表示了加熱蒸發而產生過氧化氫水(H2O2)之例，但本發明並不限於該等，亦可為對水(H2O)或過氧化氫水(H2O2)施加超音波進行霧化之方法、或使用霧化器噴霧之方法。又，亦可為對處理液直接瞬時地照射雷射或微波而使其蒸發之方法。
又，於上述實施形態中，例示了於處理室201之內部產生處理氣體之例，但本發明並不限於此，亦可於處理室201之外部設置如圖8所示之汽化器(過氧化氫蒸汽產生裝置801)。過氧化氫蒸汽產生裝置801係使用藉由將處理液滴下至經加熱之構件而使處理液汽化之滴下法。過氧化氫蒸汽產生裝置801包括：作為供給過氧化氫液之液體供給部之滴下噴嘴800；作為被進行加熱之構件之汽化容器802；汽化空間801，其包括汽化容器802；作為加熱汽化容器802之加熱部之汽化器加熱器803；排氣口833，其將經汽化之原料液朝向反應室排出；熱電偶805，其測定汽化容器802之溫度；溫度控制控制器850，其基於由熱電偶805測定之溫度，控制汽化器加熱器803之溫度；及藥液供給配管807，其對滴下噴嘴800供給原料液。汽化容器802之溫度係設定為與被滴下之處理液到達至汽化容器同時汽化之溫度，且由汽化器加熱器803進行加熱。又，設置有可使汽化器加熱器803對汽化容器802之加熱效率提昇、或可將過氧化氫蒸汽產生裝置807與其他單元隔熱之隔熱材料806。汽化容器802係為了防止與原料液之反應而包含石英或碳化矽等。汽化容器802係因滴下之原料液之溫度、或汽化熱而溫度下降。由此，為了防止溫度下降，而使用導熱率較高之碳化矽較為有效。
<較佳之形態>
以下，對較佳之形態進行附記。
<附錄1>
根據一態樣，提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置係具有對基板供給使處理液蒸發所得之處理氣體而進行處理之處理室者，且包括：儲液槽，其將上述處理液暫時地貯存，且供給至上述處理室；線路切換單元，其連接於上述儲液槽；槽供給管，其連接於上述線路切換單元，且對上述儲液槽供給處理液；排出部，其連接於上述線路切換單元，且將上述儲液槽內之處理液排出；及控制部，其控制上述線路切換單元。
<附錄2>
如附錄1之基板處理裝置，較佳為，上述控制部係於自上述處理液供給管對上述儲液槽供給處理液之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，控制上述線路切換單元，以進行將處理液自上述儲液槽排出至上述排出部之處理液排出步驟、及將處理液自上述槽供給管供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟。
<附錄3>
如附錄1或附錄2之基板處理裝置，較佳為，上述處理液係含有過氧化氫之液體。
<附錄4>
如附錄1至3中任一項之基板處理裝置，較佳為，上述控制部係以每執行處理上述基板之基板處理步驟既定次數，則執行上述處理液補充步驟之方式，控制各部。
<附錄5>
如附錄1至附錄4中任一項之基板處理裝置，較佳為，上述控制部以於上述基板處理裝置之維護後執行上述處理液排出步驟及上述管內排出步驟之方式控制各部。
<附錄6>
如附錄1至5中任一項之基板處理裝置，較佳為，上述控制部以於上述處理液排出步驟之前或之後，執行上述管內排出步驟之方式，控制各部。
<附錄7>
根據另一態樣，提供一種基板處理裝置，其包括：處理室，其收納基板；汽化器，其將處理液汽化，對上述處理室內供給處理氣體；儲液槽，其貯存上述處理液； 流量控制部，其控制自上述儲液槽朝上述汽化器之上述處理液流量；線路切換單元，其連接於上述儲液槽；槽供給管，其連接於上述線路切換單元，且對上述儲液槽供給處理液；排出部，其連接於上述線路切換單元，且將上述儲液槽內之處理液排出；及控制部，其係於將處理液自上述處理液供給管供給至上述儲液槽之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，控制上述線路切換單元，以進行將處理液自上述儲液槽排出至上述排出部之處理液排出步驟、及將處理液自上述槽供給管供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟。
<附錄8>
如附錄7之基板處理裝置，較佳為，上述控制部以於上述汽化器，將上述處理液滴下至經加熱之汽化部而進行汽化之方式，控制上述流量控制部。
<附錄9>
根據又一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包括：基板處理步驟，其對基板供給經蒸發之處理液；處理液補充步驟，其將上述處理液自槽供給管供給至儲液槽；以及於上述處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，進行 將上述儲液槽內之處理液自排出部排出之步驟、及將處理液自上述槽供給管朝上述排出部排出之步驟中之任一者或兩者之步驟。
<附錄10>
如附錄9之半導體裝置之製造方法，較佳為，於執行上述基板處理步驟既定次數之後進行上述處理液補充步驟。
<附錄11>
如附錄9或附錄10之半導體裝置之製造方法，較佳為，於維護步驟後進行上述處理液排出步驟及上述管內排出步驟。
<附錄12>
如附錄9至附錄11中任一項之半導體裝置之製造方法，較佳為，於上述處理液排出步驟之前或之後，進行上述管內排出步驟。
<附錄13>
根據又一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包括：將基板收納於處理室之步驟；將處理液汽化，而對上述處理室內供給處理氣體之步驟；將上述處理液貯存於儲液槽之步驟；控制自上述儲液槽朝上述汽化器之上述處理液之流量之步驟； 將上述處理液自槽供給管供給至上述儲液槽之處理液補充步驟；以及於上述處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液自排出部排出之步驟、及將處理液自上述槽供給管朝上述排出部排出之步驟之任一者或兩者之步驟。
<附錄14>
如附錄13之半導體裝置之製造方法，較佳為包括以於上述汽化器中，將上述處理液滴下至經加熱之汽化部而進行汽化之方式，控制上述處理液之流量之步驟。
<附錄15>
根據又一態樣，提供一種程式，該程式係使電腦執行如下流程：基板處理流程，其對基板供給經蒸發之處理液；處理液補充流程，其將上述處理液自槽供給管供給至儲液槽；以及於上述處理液補充流程之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液自排出部排出之流程、及將處理液自上述槽供給管朝上述排出部排出之流程之任一者或兩者之流程。
<附錄16>
根據又一態樣，提供一種記錄有程式之記錄媒體，該程式係使 電腦執行如下流程：基板處理流程，其對基板供給經蒸發之處理液；處理液補充流程，其將上述處理液自槽供給管供給至儲液槽；以及於上述處理液補充流程之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液自排出部排出之流程、及將處理液自上述槽供給管朝上述排出部排出之流程之任一者或兩者之流程。
121‧‧‧控制器
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧基板處理裝置
207‧‧‧第1加熱部
207a~207d‧‧‧第1~第4加熱器單元
201‧‧‧基板處理裝置
217‧‧‧晶舟
217a‧‧‧支柱
217b‧‧‧底板
217c‧‧‧頂板
217d‧‧‧汽化器
218‧‧‧隔熱體
219‧‧‧密封蓋
223‧‧‧壓力感測器
224‧‧‧排氣管加熱器
231‧‧‧氣體排氣管
240‧‧‧閥
243‧‧‧第2排氣管
244‧‧‧分離器
246a、246b‧‧‧真空泵
247‧‧‧液體回收槽
255‧‧‧APC閥
261‧‧‧旋轉軸
263a~263d‧‧‧第1~第4溫度感測器
267‧‧‧晶舟旋轉機構
289a‧‧‧處理液供給管
300‧‧‧液體流量控制單元
301‧‧‧儲液槽
302a、302b、302c、302d、302e、302f、302g、302h、302i、302j、402a、404b、601a、601b‧‧‧自動閥
303a、303b、303c、404a‧‧‧手動閥
304‧‧‧過濾器
305‧‧‧LMFC
309、600‧‧‧MFC
310a‧‧‧液體管
310b、310c、310d‧‧‧氣體管
310e‧‧‧排水管
400‧‧‧處理液供給單元
401‧‧‧處理液供給源
402
403‧‧‧泵
405‧‧‧槽供給管
406‧‧‧排出管
500‧‧‧線路切換單元
501‧‧‧處理液供給噴嘴
501a‧‧‧槽側閥
501b‧‧‧供給源側閥
501c‧‧‧排出側閥
602‧‧‧惰性氣體供給管

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，其包括有：處理室，其將基板加以收納；汽化器，其將處理液加以汽化，並處理氣體加以供給至上述處理室內；儲液槽，其貯存上述處理液；流量控制部，其控制自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液流量；線路切換單元，其連接於上述儲液槽；槽供給管，其連接於上述線路切換單元，且對上述儲液槽供給處理液；排出部，其連接於上述線路切換單元，且將上述儲液槽內之處理液加以排出；及控制部，其在自上述處理液供給管將處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，以進行自上述儲液槽將處理液加以排出至上述排出部之處理液排出步驟、及自上述槽供給管將處理液加以供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟之方式，加以控制上述線路切換單元。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制部係在上述汽化器中，以將上述處理液滴下至經被加熱之汽化部而進行汽化之方式，加以控制上述流量控制部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制部係於自上述處理液供給管將處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，以進行自 上述儲液槽將處理液加以排出至上述排出部之處理液排出步驟、及自上述槽供給管將處理液加以供給至上述排出部之管內排出步驟中之任一步驟或兩步驟之方式，加以控制上述線路切換單元。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制部係於上述處理液排出步驟之前或之後，以執行上述管內排出步驟之方式而加以控制各部。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制部係以執行每既定次數之對上述基板進行處理之基板處理步驟而加以執行上述處理液補充步驟之方式，加以控制各部。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制部係以於上述基板處理裝置之維護後而加以執行上述處理液排出步驟及上述管內排出步驟之方式，加以控制各部。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其包括有：將基板加以收納於處理室之步驟；將處理液加以汽化，並將處理氣體加以供給至上述處理室內之步驟；將上述處理液加以貯存至儲液槽之步驟；將自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液之流量加以控制之步驟；自槽供給管將上述處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充步驟；以及在上述處理液補充步驟之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液，自排出部加以排出之步驟、及自上述槽供給管而朝向上述排出部將處理液加以排出之步驟中 之任一者或兩者之步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其包括：在上述汽化器中，以將上述處理液滴下至經被加熱之汽化部而進行汽化之方式，加以控制上述處理液之流量之步驟。
  9. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中，於上述處理液排出步驟之前或之後，進行上述槽供給管內之排出步驟。
  10. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中，於執行上述基板處理步驟既定次數之後，進行上述處理液補充步驟。
  11. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其中，於維護步驟之後，進行上述處理液排出步驟與上述槽供給管內之排出步驟。
  12. 一種記錄媒體，該記錄媒體記錄有使電腦執行如下流程之程式，該流程係包括有：使基板收納於處理室之流程；將處理液加以汽化，並將處理氣體加以供給至上述處理室內之流程；使上述處理液貯存於儲液槽之流程；對自上述儲液槽而朝向上述汽化器之上述處理液之流量進行控制之流程；自槽供給管將上述處理液加以供給至上述儲液槽之處理液補充流程；以及 在上述處理液補充流程之前與之後中之任一者或兩者，進行將上述儲液槽內之處理液，自排出部加以排出之流程、及自上述槽供給管而朝向上述排出部將處理液加以排出之流程中之任一者或兩者之流程。
  13. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，包括有如下之流程：在上述汽化器中，以將上述處理液滴下至經被加熱之汽化部而進行汽化之方式，加以控制上述處理液之流量之流程。
  14. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，於排出上述處理液之流程之前或之後，包括有上述槽供給管內之排出流程。
  15. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，於執行上述基板處理流程既定次數之後，進行上述處理液之補充流程。
  16. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，於維護流程之後，進行上述處理液排出流程及上述管內排出步驟。
  17. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，於上述處理液之補充流程之前，進行上述處理液之排出流程及上述管槽供給管內之排出流程。
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